JPS6010901A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS6010901A JPS6010901A JP11931283A JP11931283A JPS6010901A JP S6010901 A JPS6010901 A JP S6010901A JP 11931283 A JP11931283 A JP 11931283A JP 11931283 A JP11931283 A JP 11931283A JP S6010901 A JPS6010901 A JP S6010901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- crystal resonator
- transistor
- parallel
- inductance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、水晶振動子を用いた発振回路の改良に関す
る。
る。
周知のように、例えばスーパヘテロゲイン方式受信機の
固定局部発振回路や送信機の基本（搬送波）発振回路等
には、水晶振動子を用いた発振回路が多く用いられてい
る。第１図はこのような水晶振動子を用いた従来の発振
回路（コルピッツ形）を示すものである。
固定局部発振回路や送信機の基本（搬送波）発振回路等
には、水晶振動子を用いた発振回路が多く用いられてい
る。第１図はこのような水晶振動子を用いた従来の発振
回路（コルピッツ形）を示すものである。
すなわち、図中Ｉｔは水晶振動子であシ。
１２はＮＰＮ形の増幅用トランジスタであり、コンデン
サ１３及びコイル１４は容量性となるように水晶振動子
ＩＩの発振周波数に対して同調周波数が低くなるように
設定されたタンク回路Ｉ５を構成しておシ、１６はコル
ピッツ回路におけるトランジスタＩ２のベース−エミッ
タ間に介在される容量分割用のコンデンサであり、コン
デンサ１７及び抵抗１８はデカツブ回路ｒｙを構成して
おシ％ ２０はトランジスタ１２のエミッタから出力端
子２１に発振出力をとるだめのカップリングコンデンサ
であシ、２２はトランジスタ１２のコレクターベース間
に接続されたバイアス抵抗である。
サ１３及びコイル１４は容量性となるように水晶振動子
ＩＩの発振周波数に対して同調周波数が低くなるように
設定されたタンク回路Ｉ５を構成しておシ、１６はコル
ピッツ回路におけるトランジスタＩ２のベース−エミッ
タ間に介在される容量分割用のコンデンサであり、コン
デンサ１７及び抵抗１８はデカツブ回路ｒｙを構成して
おシ％ ２０はトランジスタ１２のエミッタから出力端
子２１に発振出力をとるだめのカップリングコンデンサ
であシ、２２はトランジスタ１２のコレクターベース間
に接続されたバイアス抵抗である。
ところで、上記水晶振動子ＩＩの等価回路は、第２図に
示すように、直列接続されたコイルＬｏ 、コンデンサ
ＣＯ及び抵抗ＲＯに、コンデンサＣｍを並列接続したも
のとして表わすことができ、かつそのリアクタンスＸ−
周波数ｆ特性は、第３図に示すようになることが知られ
ている。この場合、直列共振周波数ｆｓは、−□ ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・■ｆ８−２π囚Ｔ６ となシ、並列共振周波数ｆＰは、 ０ ｆＰ−ｆｓ（１＋２゜ｍ）・・・・・・・・・・・・■
となる。
示すように、直列接続されたコイルＬｏ 、コンデンサ
ＣＯ及び抵抗ＲＯに、コンデンサＣｍを並列接続したも
のとして表わすことができ、かつそのリアクタンスＸ−
周波数ｆ特性は、第３図に示すようになることが知られ
ている。この場合、直列共振周波数ｆｓは、−□ ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・■ｆ８−２π囚Ｔ６ となシ、並列共振周波数ｆＰは、 ０ ｆＰ−ｆｓ（１＋２゜ｍ）・・・・・・・・・・・・■
となる。
ここで、第１図に示したような発振回路にあっては、例
えば水晶振動子１１が複数個あってそれらを切換えるた
めの図示しかい電子スイッチや、水晶振動子ＩＩが接続
される図示しない印刷配線板の回路パターン等の影響に
よって。
えば水晶振動子１１が複数個あってそれらを切換えるた
めの図示しかい電子スイッチや、水晶振動子ＩＩが接続
される図示しない印刷配線板の回路パターン等の影響に
よって。
水晶振動子ＩＩに対して第１図中点線で示すように、浮
遊容量Ｃ８が付加されることが多々ある。この浮遊容量
Ｃ８は、水晶振動子ＩＩに対して並列に存在するため、
実質的に上記コンデンサＣｍの容量が増加したことにな
る。このため、上記０式から明らかなように、並列共振
周波数ｆＰが低くなり、直列共振周波数ｆｓに近づくこ
とになる。このようになると、第３図における誘導性領
域（図中斜線で示す領域）がせまくなシ、発振条件が悪
化し起動しにくくなるものである。
遊容量Ｃ８が付加されることが多々ある。この浮遊容量
Ｃ８は、水晶振動子ＩＩに対して並列に存在するため、
実質的に上記コンデンサＣｍの容量が増加したことにな
る。このため、上記０式から明らかなように、並列共振
周波数ｆＰが低くなり、直列共振周波数ｆｓに近づくこ
とになる。このようになると、第３図における誘導性領
域（図中斜線で示す領域）がせまくなシ、発振条件が悪
化し起動しにくくなるものである。
そこで、従来では、水晶振動子ＩＩとトランジスタ１２
のベースとの間に、インダクタンス素子としてコイル２
３を介在させ、並列共振周波数ｆＰが直列共振周波数ｆ
８に近づかないように補正している。しかしながら、コ
イル２３を介在させた場合、該コイル２３と上記コンデ
ンサＣｍ及び浮遊容量Ｃ８の並列合成容量との直列共振
周波数で発振することがあシ、この異常発振レベルが高
くなるとトランジスタ１２がそのベース−エミッタの整
流作用によシカットオフ状態に追い込まれ、間欠発振を
起こすという不都合が生じる。
のベースとの間に、インダクタンス素子としてコイル２
３を介在させ、並列共振周波数ｆＰが直列共振周波数ｆ
８に近づかないように補正している。しかしながら、コ
イル２３を介在させた場合、該コイル２３と上記コンデ
ンサＣｍ及び浮遊容量Ｃ８の並列合成容量との直列共振
周波数で発振することがあシ、この異常発振レベルが高
くなるとトランジスタ１２がそのベース−エミッタの整
流作用によシカットオフ状態に追い込まれ、間欠発振を
起こすという不都合が生じる。
このため、従来では、さらに上記コイル２３に並列に抵
抗２４を接続し、異常発振レベルを低く抑えるようにし
ている。ところが、抵抗２、を接続すると、・イ・し２
３のＱが低シ該コイル２３の補正効果が損なわれてしま
うとともに、水晶振動子ＩＩの等価抵抗値をも増加させ
てしまうという問題が生じるものである。
抗２４を接続し、異常発振レベルを低く抑えるようにし
ている。ところが、抵抗２、を接続すると、・イ・し２
３のＱが低シ該コイル２３の補正効果が損なわれてしま
うとともに、水晶振動子ＩＩの等価抵抗値をも増加させ
てしまうという問題が生じるものである。
この発明は上記事情を考慮してｋされたもので、水晶振
動子とトランジスタの制御電極との間に介在されたイン
ダクタンス素子の補正効果を損なうことなく、発振を円
滑に起動し異常発振を防＋ｌ−ｌ−、得る極めて良好な
発振回路を提供することを目的とする。
動子とトランジスタの制御電極との間に介在されたイン
ダクタンス素子の補正効果を損なうことなく、発振を円
滑に起動し異常発振を防＋ｌ−ｌ−、得る極めて良好な
発振回路を提供することを目的とする。
す々わち、この発明は、一端が基準電位点に接続された
水晶振動子と、この水晶振動子の他端が一端に接続され
たインダクタンス素子と、このインダクタンス素子の他
端が制御電極に接続され第１の被制御電極が電源端に接
続されたトランジスタと、このトランジスタの第２の被
制御電極と前記基準電位点との間に介在されたタンク回
路とを備えた発振回路において、前記インダクタンス素
子にダイオードを並列接続し、前記インダクタンス素子
と前記水晶振動子の持つ容量成分及び該水晶振動子に並
列に存在する浮遊容量の合成容量との直列共振周波数に
よる異常発振を抑制するようにしてなることを特徴とす
るものである。
水晶振動子と、この水晶振動子の他端が一端に接続され
たインダクタンス素子と、このインダクタンス素子の他
端が制御電極に接続され第１の被制御電極が電源端に接
続されたトランジスタと、このトランジスタの第２の被
制御電極と前記基準電位点との間に介在されたタンク回
路とを備えた発振回路において、前記インダクタンス素
子にダイオードを並列接続し、前記インダクタンス素子
と前記水晶振動子の持つ容量成分及び該水晶振動子に並
列に存在する浮遊容量の合成容量との直列共振周波数に
よる異常発振を抑制するようにしてなることを特徴とす
るものである。
以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。第４図において、第１図と同一部分には同
一記号を符して示［７、ここでは異なる部分についての
み説明する。すなわち、前記抵抗２４に代えて、ダイオ
ード２５をそのアノードがトランジスタ１２のベース側
となるように、コイル２３に対して並列接続するように
したことが、従来と異なる部分である。
に説明する。第４図において、第１図と同一部分には同
一記号を符して示［７、ここでは異なる部分についての
み説明する。すなわち、前記抵抗２４に代えて、ダイオ
ード２５をそのアノードがトランジスタ１２のベース側
となるように、コイル２３に対して並列接続するように
したことが、従来と異なる部分である。
このような構成によれば、まず水晶振動子ＩＩの起動時
等、発振レベルの低い場合には、コイル２３の作用によ
って、氷晶振動子ＩＩの等価容量Ｃｍに浮遊容量Ｃｓが
加えられることにより、並列共振周波数ｆＰが直列共振
周波数ｆｓに近づくことを十分に補正することができ、
発振を円滑に起動させることができるものである。
等、発振レベルの低い場合には、コイル２３の作用によ
って、氷晶振動子ＩＩの等価容量Ｃｍに浮遊容量Ｃｓが
加えられることにより、並列共振周波数ｆＰが直列共振
周波数ｆｓに近づくことを十分に補正することができ、
発振を円滑に起動させることができるものである。
また、コイル２３と、コンデンサＣｍ及び浮遊容量Ｃｓ
の並列合成容量との直列共振周波数による異常振動が成
長し、そのレベルが高くなると、トランジスタｚ２がカ
ットオフ状態に力る前に上記ダイオード２５０作用によ
って異常発振レベルがおさえられ、間欠発振等が生じな
いようになされる。このとき、トランジスタ１２の増幅
作用によシ、異常発振よりも発振条件のすぐれている水
晶振動子ＪＪの振動が成長され正常々発振出力を得るこ
とができるようになるものである。
の並列合成容量との直列共振周波数による異常振動が成
長し、そのレベルが高くなると、トランジスタｚ２がカ
ットオフ状態に力る前に上記ダイオード２５０作用によ
って異常発振レベルがおさえられ、間欠発振等が生じな
いようになされる。このとき、トランジスタ１２の増幅
作用によシ、異常発振よりも発振条件のすぐれている水
晶振動子ＪＪの振動が成長され正常々発振出力を得るこ
とができるようになるものである。
なお、この発明は上記実施例に限定されろく）のではな
く、この外その要旨を逸脱し々い範囲で種々変形して実
施することができる。
く、この外その要旨を逸脱し々い範囲で種々変形して実
施することができる。
１、たがって、以上詳述したようにこの発明によれば、
水晶振動子とトランジスタの制御電極との間に介在され
たインダクタンス素子の補正効果を損なうこと々く、発
振を円滑に起動１−異常発振を防止し得る極めて良好々
発振回路を提供することができる。
水晶振動子とトランジスタの制御電極との間に介在され
たインダクタンス素子の補正効果を損なうこと々く、発
振を円滑に起動１−異常発振を防止し得る極めて良好々
発振回路を提供することができる。
第１図は従来の発振回路を示す回路構成図、第２図及び
第３図はそれぞれ従来の発振回路の問題点を説明するた
めの等価回路図及び特性図、第４図はこの発明に係る発
振回路の一実施例を示す回路構成図である。 ＩＩ・・・水晶振動子、１２・・・トランジスタ、 。 １３・・・コンデンサ、１４・・・コイル、１５・・・
タンク回路、１６．１７・・・コンデンサ、１８・・・
ｉ抗、Ｉ９・・・デカツブ回路、２０・・・コンデンサ
、２１・・・出力端子、２２・・・バイアス抵抗、２３
・・・コイル、２４・・・抵抗、２５・・・ダイオード
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３閃
第３図はそれぞれ従来の発振回路の問題点を説明するた
めの等価回路図及び特性図、第４図はこの発明に係る発
振回路の一実施例を示す回路構成図である。 ＩＩ・・・水晶振動子、１２・・・トランジスタ、 。 １３・・・コンデンサ、１４・・・コイル、１５・・・
タンク回路、１６．１７・・・コンデンサ、１８・・・
ｉ抗、Ｉ９・・・デカツブ回路、２０・・・コンデンサ
、２１・・・出力端子、２２・・・バイアス抵抗、２３
・・・コイル、２４・・・抵抗、２５・・・ダイオード
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３閃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一端が基準電位点に接続された水晶振動子と、〜 この
水晶振動子の他端が一 端に接続されたインダクタンス素子と、このインダクタ
ンス素子の他端が制御電極に接続され第１の被制御電極
が電源端に接続されたトランジスタと、このトランジス
タの第２の被制御電極と前記基準電位点との間に介在さ
れたタンク回路とを備えた発振回路において、前記イン
ダクタンス素子にダイオードを並列接続し、前記インダ
クタンス素子と前記水晶振動子の持つ容量成分及び該水
晶振動子に並列に存在する浮遊容量の合成容量との直列
共振周波数による異常発振を抑制するようにしてなるこ
とを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11931283A JPS6010901A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11931283A JPS6010901A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010901A true JPS6010901A (ja) | 1985-01-21 |
Family
ID=14758317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11931283A Pending JPS6010901A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010901A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009239971A (ja) * | 2000-07-17 | 2009-10-15 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
| JP2010193208A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振回路 |
| JP2010536211A (ja) * | 2007-08-06 | 2010-11-25 | ステ エッセ・ア・エッセ ディ ジ・モイラーギ アンド チ． | 表面波共振回路用作動回路及びそれを用いた発振回路 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11931283A patent/JPS6010901A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009239971A (ja) * | 2000-07-17 | 2009-10-15 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
| JP2010536211A (ja) * | 2007-08-06 | 2010-11-25 | ステ エッセ・ア・エッセ ディ ジ・モイラーギ アンド チ． | 表面波共振回路用作動回路及びそれを用いた発振回路 |
| JP2010193208A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振回路 |
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