JPS60109360A - 変調器 - Google Patents
変調器Info
- Publication number
- JPS60109360A JPS60109360A JP58216696A JP21669683A JPS60109360A JP S60109360 A JPS60109360 A JP S60109360A JP 58216696 A JP58216696 A JP 58216696A JP 21669683 A JP21669683 A JP 21669683A JP S60109360 A JPS60109360 A JP S60109360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixer
- bias
- mixers
- amplifiers
- modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/32—Carrier systems characterised by combinations of two or more of the types covered by groups H04L27/02, H04L27/10, H04L27/18 or H04L27/26
- H04L27/34—Amplitude- and phase-modulated carrier systems, e.g. quadrature-amplitude modulated carrier systems
- H04L27/36—Modulator circuits; Transmitter circuits
- H04L27/362—Modulation using more than one carrier, e.g. with quadrature carriers, separately amplitude modulated
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、温度特性が良好でかつ動作点の調整が容易な
変調器に関する。
変調器に関する。
ベースバンド信号のように極めて低い周派数成分を含む
信号に対する変調器においては、この低周波成分まで変
調用ミキサに加える必要があるため、変調する信号の増
幅器と変調用ミキサは直結されている。
信号に対する変調器においては、この低周波成分まで変
調用ミキサに加える必要があるため、変調する信号の増
幅器と変調用ミキサは直結されている。
第１図は、２チヤンネルのベースバンド信号全変調して
伝送する公知の多値ＱＡＭ （ＱｕａｄｒａｔｕｒｅＡ
ｍｐｌｉｔｕｄｅ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ：直交変調
）方式の変調部を示したものである。多値Ｉ （Ｉｎｐ
ｈａｓｅ ）チャンネル系データｌｃｈと多値Ｑ （Ｑ
ｕａｄｒａｔｕｒｅ ）チャンネル系データＱｃｈが、
それぞれ増幅器１１及び１２で増幅されて変調用ミキサ
１３及び１４に直接結合で加えられる。発振器１５かも
出力された搬送波ＣＲはハイブリッド１６により２分さ
れ。
伝送する公知の多値ＱＡＭ （ＱｕａｄｒａｔｕｒｅＡ
ｍｐｌｉｔｕｄｅ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ：直交変調
）方式の変調部を示したものである。多値Ｉ （Ｉｎｐ
ｈａｓｅ ）チャンネル系データｌｃｈと多値Ｑ （Ｑ
ｕａｄｒａｔｕｒｅ ）チャンネル系データＱｃｈが、
それぞれ増幅器１１及び１２で増幅されて変調用ミキサ
１３及び１４に直接結合で加えられる。発振器１５かも
出力された搬送波ＣＲはハイブリッド１６により２分さ
れ。
その一方の出力は変調用ミキサ１４に、他方の出力は移
相ａ１８でπ／２だけ移相されて変調用ミキサ１３に加
えられる。変調用ミキサ１３及び１４から出力された変
調信号は、ハイブリッド１７で合成されて直交変調信号
となり、増幅器１９及び帯域フィルタ２０を経由して受
信側に向は送出される。
相ａ１８でπ／２だけ移相されて変調用ミキサ１３に加
えられる。変調用ミキサ１３及び１４から出力された変
調信号は、ハイブリッド１７で合成されて直交変調信号
となり、増幅器１９及び帯域フィルタ２０を経由して受
信側に向は送出される。
このようにして得られた多値ＱＡＭの信号点は。
６４値の場合を例にとると第２図に示すように配置され
る。したがって、変調用ミキサのバイアス点がずれると
、 ＩｃｈとＱｃｂの位相がπ／２からずれ。
る。したがって、変調用ミキサのバイアス点がずれると
、 ＩｃｈとＱｃｂの位相がπ／２からずれ。
変調信号の振幅が変化するため、信号点配置（コンステ
レ−ジョン）に歪が生じるので、変調用ミキサのバイア
ス点を安定させることが重要である。
レ−ジョン）に歪が生じるので、変調用ミキサのバイア
ス点を安定させることが重要である。
第１図において９点線で示されている加算器２１及びオ
フセット用電源ＥＯは、第２図に示すように、 Ｉｃｈ
にΔＶだけのオフセットを付与することにより９合成さ
れた多値ＱＡＭ信号中に搬送波ＣＲの漏れ成分を生じさ
せて受イＨ側での正確な搬送波の再生を容易にするＱＡ
Ｍ方式の場合に使用されるものである。この方式におい
て鉱、変調用ミキサのバイアス点に変動があるとオフセ
ット電圧Δ■も変化するので、バイアスの安定が特に重
要である。
フセット用電源ＥＯは、第２図に示すように、 Ｉｃｈ
にΔＶだけのオフセットを付与することにより９合成さ
れた多値ＱＡＭ信号中に搬送波ＣＲの漏れ成分を生じさ
せて受イＨ側での正確な搬送波の再生を容易にするＱＡ
Ｍ方式の場合に使用されるものである。この方式におい
て鉱、変調用ミキサのバイアス点に変動があるとオフセ
ット電圧Δ■も変化するので、バイアスの安定が特に重
要である。
変調用ミキサが理想的であれば、バイアスが零の状態で
ＩｃｈとＱｃｈのπ／２位相や振幅が最適な位置になる
のであるが、実際には理想的ではなく。
ＩｃｈとＱｃｈのπ／２位相や振幅が最適な位置になる
のであるが、実際には理想的ではなく。
また他の素子のばらつきなどもある。そこで、ｆ制用ミ
キサに少量のオフセットをもたせることにより、理想的
特性からのずれによって生じたアンバランスを解消し２
Ｍも良い変ｔＪ、！ｉ＃ ｆ’ｐ点を選定している。
キサに少量のオフセットをもたせることにより、理想的
特性からのずれによって生じたアンバランスを解消し２
Ｍも良い変ｔＪ、！ｉ＃ ｆ’ｐ点を選定している。
しかしながら、第１図に示すように、増幅器１１及び１
２が変調用ミキサ１６及び１４に：直結されているため
、これら増幅器によって生じるオフセットの変動が直接
変調用ミキサのバイアス点の変動となって現われる。こ
れらの増幅器が生じるオフセット変動の最も大きな仮置
は温度変化で２例えば０〜５０℃の温度変化に対し約２
０ｍＶ程興の幅０変動が生じる。数ｍＶのバイアス変動
でも変調用ミキサの特性に大きく影響するので、このよ
うな増幅器のオフセットの変動は大きな問題である。
２が変調用ミキサ１６及び１４に：直結されているため
、これら増幅器によって生じるオフセットの変動が直接
変調用ミキサのバイアス点の変動となって現われる。こ
れらの増幅器が生じるオフセット変動の最も大きな仮置
は温度変化で２例えば０〜５０℃の温度変化に対し約２
０ｍＶ程興の幅０変動が生じる。数ｍＶのバイアス変動
でも変調用ミキサの特性に大きく影響するので、このよ
うな増幅器のオフセットの変動は大きな問題である。
そこで、従来は、増幅器を構成する部品に１ｍ度特性の
良いものを使用するとともに、温度補償回路を設けて、
温良変化に伴うオフセットに鯛が小となるようにしてい
た。
良いものを使用するとともに、温度補償回路を設けて、
温良変化に伴うオフセットに鯛が小となるようにしてい
た。
しかしながら、増幅器出力側のオフセットｙ動を叔ｍＶ
以下におさえることは簡単な４’７成では困妨で６１７
．そのためには、ｆａＪ価な部品と仮雑な温度補償回路
を必要とした。
以下におさえることは簡単な４’７成では困妨で６１７
．そのためには、ｆａＪ価な部品と仮雑な温度補償回路
を必要とした。
本発明の目的は、増幅器によって生じるオフセット変動
の影響を受けず、安定でしかも動作点の調整が容易なバ
イアス回路をもった変調器を提供することにある。
の影響を受けず、安定でしかも動作点の調整が容易なバ
イアス回路をもった変調器を提供することにある。
この目的を達成するため１本発明の変調器では。
変調用ミキサと、変調する信号から直流分をカットして
前記変調用ミキサに加えるコンデンサと。
前記変調用ミキサに加えるコンデンサと。
このコンデンサの後段に設けられた変調用ミキサの動作
点調整用のバイアス回路とを有することを特徴とする。
点調整用のバイアス回路とを有することを特徴とする。
本発明の各実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第６図は１本発明の一実施例をブロック図で示したもの
である。第６図において、第１図と共通する部分には同
じ符号を付して説明する。多値Ｉ ｃ ｈ及びＱｃｈを
増嘱する増幅器１１及び１２．変調用ミキサ１３及び１
４．搬送波ＣＲを発生する発振器１５．ハイブリッド１
６及び１７．π／２＃相器１８は、第１図と同じ構成で
、ハイブリッド１７からは、第２因に示すようなコンス
テレ−７ヨンを持った多値ＱＡＭ信号が発生される。
である。第６図において、第１図と共通する部分には同
じ符号を付して説明する。多値Ｉ ｃ ｈ及びＱｃｈを
増嘱する増幅器１１及び１２．変調用ミキサ１３及び１
４．搬送波ＣＲを発生する発振器１５．ハイブリッド１
６及び１７．π／２＃相器１８は、第１図と同じ構成で
、ハイブリッド１７からは、第２因に示すようなコンス
テレ−７ヨンを持った多値ＱＡＭ信号が発生される。
点線で囲まれた２１は９本発明によって付加されたバイ
アス回路で、コンデンサ２２及び２６゜バイアス抵抗２
４及び２５．バイアス可変抵抗２６及び２７で構成され
る。バイアス可変抵抗２６及び２７には９図示のような
直流バイアスか付与されている。このバイアス回路２１
を構成する各素子には、温度特性が良好なものが選定さ
れる。またコンデンサ２２及び２６は、ベースバンド信
号であるＩｃｈ及びＱｃｈが変調用ミキサ１５及び１４
に加わるような容量に選定される。
アス回路で、コンデンサ２２及び２６゜バイアス抵抗２
４及び２５．バイアス可変抵抗２６及び２７で構成され
る。バイアス可変抵抗２６及び２７には９図示のような
直流バイアスか付与されている。このバイアス回路２１
を構成する各素子には、温度特性が良好なものが選定さ
れる。またコンデンサ２２及び２６は、ベースバンド信
号であるＩｃｈ及びＱｃｈが変調用ミキサ１５及び１４
に加わるような容量に選定される。
次にバイアス回路２１の動作について説明すると、コン
デンサ２２及び２６が挿入されたことにより、増幅器１
１及び１２に生じるオフセットは全てカットされる。変
調用ミキサ１３及び１４に必要なバイアスは、バイアス
抵抗２４及び２５ｉ１及びにバイアス可変抵抗２６及び
２７によって供給される。バイアス可変抵抗２６及び２
７の値を調整することにより所望のバイアス値を付与す
ることができる。
デンサ２２及び２６が挿入されたことにより、増幅器１
１及び１２に生じるオフセットは全てカットされる。変
調用ミキサ１３及び１４に必要なバイアスは、バイアス
抵抗２４及び２５ｉ１及びにバイアス可変抵抗２６及び
２７によって供給される。バイアス可変抵抗２６及び２
７の値を調整することにより所望のバイアス値を付与す
ることができる。
第１図のオフセット用電＃Ｅｏによって漏れ搬送波発生
用のオフセット電圧ΔＶ（第２図参照）を付加する方式
の場合は、バイアス可変抵抗器２７の値を調整ブること
によりｎ１望のオフセット電圧ΔＶを発生させることが
できる。
用のオフセット電圧ΔＶ（第２図参照）を付加する方式
の場合は、バイアス可変抵抗器２７の値を調整ブること
によりｎ１望のオフセット電圧ΔＶを発生させることが
できる。
各バイアス可変抵抗２６及び２７を選定して変調用ミキ
サの最良の動作点を決めるには、ハイブリット１７から
発生された多値ＱＡＭ信号をアイ（ＥＹＥ）銃側装置又
はコンステレ−ジョン観測装置に入れて、アイ又はコン
ステレ−ジョンの状態を観測し、それらが最良の状態と
なるように、各バイアス可変抵抗２６及び２７の値を調
整する。
サの最良の動作点を決めるには、ハイブリット１７から
発生された多値ＱＡＭ信号をアイ（ＥＹＥ）銃側装置又
はコンステレ−ジョン観測装置に入れて、アイ又はコン
ステレ−ジョンの状態を観測し、それらが最良の状態と
なるように、各バイアス可変抵抗２６及び２７の値を調
整する。
このようにバイアス回路を構成することにより。
増幅器１１及び１２に発生するオフセットの影響を除去
することができるので、各増幅器の温度特性を良好にす
る８憾がなくなり、そのがｆ成を簡単化することができ
る。丑だ、バイアス回路及び変調用ミキサを温度特性の
艮好なものでイｈ成することにより、変調器を安定化す
ることができる。
することができるので、各増幅器の温度特性を良好にす
る８憾がなくなり、そのがｆ成を簡単化することができ
る。丑だ、バイアス回路及び変調用ミキサを温度特性の
艮好なものでイｈ成することにより、変調器を安定化す
ることができる。
バイアス回路は、コンデンサ及び抵抗素子で構成され、
変調用ミキサはダイオードで４（’ｆ成さｈるので、そ
れらの温度特性を良好にすることは＋ ８’ｊ幅器の温
度特性を良好にする場合に比べて遥かに容易である。
変調用ミキサはダイオードで４（’ｆ成さｈるので、そ
れらの温度特性を良好にすることは＋ ８’ｊ幅器の温
度特性を良好にする場合に比べて遥かに容易である。
第４図は１本溌明の変Ｗ４器の他の実施例をブロック図
で示したもので、変調用ミキサどしてリング変調器を用
いた実施例である。
で示したもので、変調用ミキサどしてリング変調器を用
いた実施例である。
第４図には、一方のチャンネルの変調用ミキサだけが示
されているが９両チャンネルとも同じ構成のものである
。図において、２８はリング変調器で、プリツノに組ま
れたミキサ用タイオード２９、３０．３１．３２． 搬
送波Ｃｌ＜をミキサ用ダイオード２９〜３２に供給する
変成器６６、変調出力を取り出す変成器６４で構成され
ている。ψ〜■はリング変調器２８の各入出力端子借り
でおる。
されているが９両チャンネルとも同じ構成のものである
。図において、２８はリング変調器で、プリツノに組ま
れたミキサ用タイオード２９、３０．３１．３２． 搬
送波Ｃｌ＜をミキサ用ダイオード２９〜３２に供給する
変成器６６、変調出力を取り出す変成器６４で構成され
ている。ψ〜■はリング変調器２８の各入出力端子借り
でおる。
第３端子■に接１ｔｊｔされる３５はバイアス回路でバ
イアス可変抵抗６６で構成されている。その他の構成、
すなわちコンデンサ２２（又は２６）、増幅器１１（又
は１２）１図示しない発掘器１５゜ハイブリッド１６及
び１７．π／２移相器１８等のイＩ４成は、第６図と同
様である。
イアス可変抵抗６６で構成されている。その他の構成、
すなわちコンデンサ２２（又は２６）、増幅器１１（又
は１２）１図示しない発掘器１５゜ハイブリッド１６及
び１７．π／２移相器１８等のイＩ４成は、第６図と同
様である。
リング変調器２８の動作は公知のリング変調器と同じで
あり、コンデンサ２２（又は２６）及びバイアス回路６
５の動作も第２図のバイアス回路と同様であるので、そ
の動作説明は省略する。
あり、コンデンサ２２（又は２６）及びバイアス回路６
５の動作も第２図のバイアス回路と同様であるので、そ
の動作説明は省略する。
なお、バイアス回路６５の代りに９点緋で示したように
、Ｈｓｓ図と同様なバイアス抵抗２４（又は２５）及び
バイアス可変抵抗２６（又は２７）からなるバイアス回
路を第４端子■に接続するようにしてもよい。この場合
には９図示のように。
、Ｈｓｓ図と同様なバイアス抵抗２４（又は２５）及び
バイアス可変抵抗２６（又は２７）からなるバイアス回
路を第４端子■に接続するようにしてもよい。この場合
には９図示のように。
バイアス回路３５に行（ｉｉ ３端子■は接地される。
以上説明したように２本発明によれ−゛、、コンデンサ
＠器の温度変化によるオフセット址の変動をカットして
いるので、バイアス回路及び１１４用ミキサの温度特性
を良好にするたけで、変Ｗ４器の動作点を温度変化に対
して安定化することが。
＠器の温度変化によるオフセット址の変動をカットして
いるので、バイアス回路及び１１４用ミキサの温度特性
を良好にするたけで、変Ｗ４器の動作点を温度変化に対
して安定化することが。
かつ動作点の調整を容易に行うことかできる。才た簡単
な構成のバイアス回路を伺加するたけで。
な構成のバイアス回路を伺加するたけで。
増幅器の温度特性を格別良好にする８女かなくなるので
変調器全体の構成を簡単化することができる。
変調器全体の構成を簡単化することができる。
第１図は従来の多″ＩｍＱＡＭ（圓交亥ｖ？ツ）方式の
ブロック図、第２図は多値ＱＡＭの信号点配置の説明図
、第６因は本発明の変調器の一実施例のプロック図、第
４図は本発明の変調器の他の更施例のブロック図を示す
。 図中、１１．１２は増幅器、１３．１４は変調器ミキサ
、１５は発振器、１６．１７はハイブリッド。 １Ｂは移相器、１９は増幅器、２０は帯域フィルタ、２
１はバイアス回路、２２．２３はコンデンサ。 ２４．２５はバイアス抵抗、２６．２７はバイアス可変
抵抗、２８はリング変調器、２９〜６２はミキサ用タイ
オード、３５．３４は変成器、６５はバイアス回路、３
６はバイアス可変抵抗を示す。 特Ｗｌ°出願人 富士１ｌＪ１株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 第 １図 第２図 第３凹 第４図 ？８ Ｒ
ブロック図、第２図は多値ＱＡＭの信号点配置の説明図
、第６因は本発明の変調器の一実施例のプロック図、第
４図は本発明の変調器の他の更施例のブロック図を示す
。 図中、１１．１２は増幅器、１３．１４は変調器ミキサ
、１５は発振器、１６．１７はハイブリッド。 １Ｂは移相器、１９は増幅器、２０は帯域フィルタ、２
１はバイアス回路、２２．２３はコンデンサ。 ２４．２５はバイアス抵抗、２６．２７はバイアス可変
抵抗、２８はリング変調器、２９〜６２はミキサ用タイ
オード、３５．３４は変成器、６５はバイアス回路、３
６はバイアス可変抵抗を示す。 特Ｗｌ°出願人 富士１ｌＪ１株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 第 １図 第２図 第３凹 第４図 ？８ Ｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 変調用ミキサと、変調する信号から直流分をカッ
トして前記変調用ミキサに加えるコンデンサと、このコ
ンデンサの後段に設けられた変調用ミキサの動作点調整
用のバイアスＩｇＩｌｉ＆とを有することを特徴とする
変調器。 ２、 前記変調用ミキサが、リング変調器であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の変調器。 ６、 前記バイアス回路が、前記変調用ミキサの前段に
設けられたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の変調器。 ４、 前記バイアス回路が、ｉ１１記リング変調器の第
６端子に設けられたことを特徴とする特許、請求の範囲
第２項記載の変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216696A JPS60109360A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216696A JPS60109360A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60109360A true JPS60109360A (ja) | 1985-06-14 |
Family
ID=16692483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58216696A Pending JPS60109360A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60109360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027748A (ja) * | 1988-02-18 | 1990-01-11 | Alcatel Nv | 直角位相の２つの軸に沿って搬送波を変調するディジタル伝送における再生時点のサーボ制御方法及び該方法を実施する装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58146163A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Nec Corp | 変調装置 |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP58216696A patent/JPS60109360A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58146163A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | Nec Corp | 変調装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027748A (ja) * | 1988-02-18 | 1990-01-11 | Alcatel Nv | 直角位相の２つの軸に沿って搬送波を変調するディジタル伝送における再生時点のサーボ制御方法及び該方法を実施する装置 |
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