JPS60111254A - 電子写真感光層の製造方法 - Google Patents
電子写真感光層の製造方法Info
- Publication number
- JPS60111254A JPS60111254A JP192179A JP192179A JPS60111254A JP S60111254 A JPS60111254 A JP S60111254A JP 192179 A JP192179 A JP 192179A JP 192179 A JP192179 A JP 192179A JP S60111254 A JPS60111254 A JP S60111254A
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- Japan
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- layer
- photosensitive
- photosensitive layer
- photoconductive material
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光層の製造方法に関する。
表面に絶縁層を有する感光体に対して本出願人が先に提
案した特公昭＋２−２３９１０ 、４８−２４７４８号
公報に記載されｆｃｍ子写真法は、高コントラストな静
電潜像を得る方法として公知となっている。
案した特公昭＋２−２３９１０ 、４８−２４７４８号
公報に記載されｆｃｍ子写真法は、高コントラストな静
電潜像を得る方法として公知となっている。
本発明は上記４プロセスの特質を充分に発揮でせるため
、基体・感光層・表面絶縁層を基本構成体とする感光体
の感光層の整流性について改良して更に静電コントラス
トの高い感光体を提供することを目的とする。
、基体・感光層・表面絶縁層を基本構成体とする感光体
の感光層の整流性について改良して更に静電コントラス
トの高い感光体を提供することを目的とする。
即ち上記プロセスに適用される感光体は、基本的には絶
縁層と基体との間に感光層を有する構成であり、前記電
子写真プロセスにより一次帯電時に絶縁層上に帯電する
と、逆符号の電荷が基体から注入されて絶縁層と感光層
の境界又はその近傍の感光層内に保持される。
縁層と基体との間に感光層を有する構成であり、前記電
子写真プロセスにより一次帯電時に絶縁層上に帯電する
と、逆符号の電荷が基体から注入されて絶縁層と感光層
の境界又はその近傍の感光層内に保持される。
次いで像露光と同時に一次帯電と逆極性の二次帯電又は
交流コロナ放′亀を行なうことにより、暗部に対応する
部分では、絶縁層と感光層の境界に保持式れた電荷は移
動しないが、明部に対応する部分では、電荷が実質的に
移動して基体側に放電ＬｌｆＨ！コントラストを生ずる
、所甜露光同時除電を行なうもので、この場合静電コン
トラストの高低は感光層の整流性により左右されるもの
である。
交流コロナ放′亀を行なうことにより、暗部に対応する
部分では、絶縁層と感光層の境界に保持式れた電荷は移
動しないが、明部に対応する部分では、電荷が実質的に
移動して基体側に放電ＬｌｆＨ！コントラストを生ずる
、所甜露光同時除電を行なうもので、この場合静電コン
トラストの高低は感光層の整流性により左右されるもの
である。
上記の感光層の整流性を向上させ一層静電コントラスト
を高めるために、少なくとも基体・感光層・絶縁層より
成る感光体について、感光層がＳｓ又はＳｅを主体とす
る合金層より成り、その感光層の特に基体に隣接した部
分が結晶化の進んだ前記物質より形成することは非常に
有効である。
を高めるために、少なくとも基体・感光層・絶縁層より
成る感光体について、感光層がＳｓ又はＳｅを主体とす
る合金層より成り、その感光層の特に基体に隣接した部
分が結晶化の進んだ前記物質より形成することは非常に
有効である。
しかして本−発明は、特にこのような感光層を蒸着によ
り製造する有効な方法を提供することを主たる目的とす
る。
り製造する有効な方法を提供することを主たる目的とす
る。
即ち、本発明は、基体上に光導電材料を蒸着して電子写
真感光層を製造する方法において、形成される蒸着層が
結晶化の進んだ状態になるような温度に基体温度を保持
して光導電材料としてＳｅ又はＳｅを主体とする合金を
蒸着させ、次いで形成される蒸着層が非晶質の状態にな
る温度に基体温度を低下させて光導電材料としてＳｅ又
はＳｅを主体とする合金を蒸着させること全特徴とする
電子写真感光層の製造方法に関する。
真感光層を製造する方法において、形成される蒸着層が
結晶化の進んだ状態になるような温度に基体温度を保持
して光導電材料としてＳｅ又はＳｅを主体とする合金を
蒸着させ、次いで形成される蒸着層が非晶質の状態にな
る温度に基体温度を低下させて光導電材料としてＳｅ又
はＳｅを主体とする合金を蒸着させること全特徴とする
電子写真感光層の製造方法に関する。
本発明による感光層の製造方法は、基体温度の制御たけ
で非晶質状態の感光層と結晶化の進んだ層を形成するこ
とができ、また、通常蒸着装置内で連続的な操作で形成
することができる。
で非晶質状態の感光層と結晶化の進んだ層を形成するこ
とができ、また、通常蒸着装置内で連続的な操作で形成
することができる。
本発明により製造される感光層を備えた感光体の例は第
１図に示きれる。
１図に示きれる。
４５１図について説明すると１は基体、２は感光層、８
は絶縁層を示すもので、その感光層２はＳｅ又はＳｅを
主体とする合金層である。
は絶縁層を示すもので、その感光層２はＳｅ又はＳｅを
主体とする合金層である。
本発明はこのような構成において特にその感光層２０基
体］に隣接した部分を、仮りに下層Φとし他全土層５と
するが、この下層４部分を他の上層５に比べて結晶化の
進んだものとする。この場合二層４−５の境界は必ずし
も明確なものでなくてもよい。
体］に隣接した部分を、仮りに下層Φとし他全土層５と
するが、この下層４部分を他の上層５に比べて結晶化の
進んだものとする。この場合二層４−５の境界は必ずし
も明確なものでなくてもよい。
特に重要なことは、下層手が強いＰ型であり、少なくと
も上層５に比べてよりＰ型的な導電性を示すことである
。
も上層５に比べてよりＰ型的な導電性を示すことである
。
上記のように構成すると下層４の存在によって、−成帯
・亀時に絶縁層表面に負帯電を行なうと、鳥体からの正
孔の注入が極めて容易に起り得るもので、感光層の整流
性が改良される。そして絶縁層を介して正負電荷が強固
に結びついて暗減衰を生じない（第２図ａ）ので、次の
像露光と同時除電過程において、高コントラストな静電
潜像を得ることができる。
・亀時に絶縁層表面に負帯電を行なうと、鳥体からの正
孔の注入が極めて容易に起り得るもので、感光層の整流
性が改良される。そして絶縁層を介して正負電荷が強固
に結びついて暗減衰を生じない（第２図ａ）ので、次の
像露光と同時除電過程において、高コントラストな静電
潜像を得ることができる。
以下具体的に本発明により製造ちれた感光体について説
明する。
明する。
基体ｌは通常感光体に用いられるＡＬ、 Ｏｕ等の導電
性物質を板或いは円筒等任意の形状にしたもの、又は導
電性皮膜を有するカラス、プラスチック・導電処理した
布等が用いられる。
性物質を板或いは円筒等任意の形状にしたもの、又は導
電性皮膜を有するカラス、プラスチック・導電処理した
布等が用いられる。
感光層２としては主としてＰ型の導電型のものが用いら
れるが、必要なことは正孔が容易に移動でき且つ輻射線
の刺激を受けない間は絶縁層８との境界で正孔が安定に
保持式れることである。
れるが、必要なことは正孔が容易に移動でき且つ輻射線
の刺激を受けない間は絶縁層８との境界で正孔が安定に
保持式れることである。
このような条件を満足する物質としては、ｓｅ又はＳｅ
を主体とする合金が用いられ、暗所における体積抵抗１
ｏ１１Ω−ａｍ以上でｌ Ｕ１２〜１０１８Ω−ａｍ程
度のものが望７ましい。
を主体とする合金が用いられ、暗所における体積抵抗１
ｏ１１Ω−ａｍ以上でｌ Ｕ１２〜１０１８Ω−ａｍ程
度のものが望７ましい。
Ｓｅを主体とする合金には、Ｓｅ −Ｔｅ合金・Ｓｅ−
ａｓ金合金Ｓｓ −Ａ８− Ｔ１合金等のカルコゲナイ
ドガラスが用いられる。感光層２の下層Φとし又は上記
物質を基体１上に＃：着して加熱結晶化したもの、その
他ＳｅをよりＰ型化する不純物としてハロゲノ等を加え
更に熱処理して結晶化を促進した蒸着層等が用いられる
。結晶化の程度があまり進み過ぎると膜が基体からはが
れやすくなるために膜厚との関係で適度な結晶化度を選
ぶ必要がある０膜厚は０．５〜ｌＯμ程度が適当であり
、０．５μ以下では膜の均一性が若干失われ又１０μ以
−ヒでは密着性が幾分低下する傾向力；ある。
ａｓ金合金Ｓｓ −Ａ８− Ｔ１合金等のカルコゲナイ
ドガラスが用いられる。感光層２の下層Φとし又は上記
物質を基体１上に＃：着して加熱結晶化したもの、その
他ＳｅをよりＰ型化する不純物としてハロゲノ等を加え
更に熱処理して結晶化を促進した蒸着層等が用いられる
。結晶化の程度があまり進み過ぎると膜が基体からはが
れやすくなるために膜厚との関係で適度な結晶化度を選
ぶ必要がある０膜厚は０．５〜ｌＯμ程度が適当であり
、０．５μ以下では膜の均一性が若干失われ又１０μ以
−ヒでは密着性が幾分低下する傾向力；ある。
このような下層※の上に上層感光層５を形成するもので
、但し上層４と一ト層５との間に明確な境界がなく結晶
化度が連続的に変化している構造でも良い。
、但し上層４と一ト層５との間に明確な境界がなく結晶
化度が連続的に変化している構造でも良い。
表面の絶縁層８はポリエチレンテレフタレート樹脂・フ
ッ素樹脂・エポキシ樹脂等の抵抗が極めて高く且つ機械
的、電気的強度の高いものが用いられる。これらは膜状
態のものを張りつけるか、場合によっては塗布して形成
する。厚さに関しては薄すぎると強度が低下し、膜厚す
ぎると解像力やコントラストにおいて、難点が生ずるた
めに５〜５０μの範囲で適当に限一定するのがよい。
ッ素樹脂・エポキシ樹脂等の抵抗が極めて高く且つ機械
的、電気的強度の高いものが用いられる。これらは膜状
態のものを張りつけるか、場合によっては塗布して形成
する。厚さに関しては薄すぎると強度が低下し、膜厚す
ぎると解像力やコントラストにおいて、難点が生ずるた
めに５〜５０μの範囲で適当に限一定するのがよい。
実施例１
本発明感光体と従来公知となっている感光体の特性を比
較するためにＡＪ−平板を２枚用意し、本発明感光体を
Ａ、従来のものをＢとする。
較するためにＡＪ−平板を２枚用意し、本発明感光体を
Ａ、従来のものをＢとする。
先ずＡ板を７０℃の温度に保ち重量で１５％のＴｅを含
有するＳｓ −Ｔｅ合金を約３μの厚きに蒸着しく第８
図手）、そのまま２時間保持して結晶化きせた後、温度
を６０℃に保って更に前記合金を約４０μの厚嘔に蒸着
を行ない（第８図５）感光層（第８図Ａ２）を形成した
。
有するＳｓ −Ｔｅ合金を約３μの厚きに蒸着しく第８
図手）、そのまま２時間保持して結晶化きせた後、温度
を６０℃に保って更に前記合金を約４０μの厚嘔に蒸着
を行ない（第８図５）感光層（第８図Ａ２）を形成した
。
次いでＢ板を６５℃の温度に保ち、前記合金をＢ板上に
４０μの厚さに真空蒸着した後そのまま室温まで冷却し
て感光層（第８図Ｂ２）を形成した。
４０μの厚さに真空蒸着した後そのまま室温まで冷却し
て感光層（第８図Ｂ２）を形成した。
次いでＡ、Ｂ板を真空室から取り出し、蒸着層上に少量
のエポキシ樹脂を用いて２５μの厚さのポリエチレンテ
レフタレート膜（第８図３）を接着して感光体Ａ、Ｂを
作成し、以下の比較テストを行なった。
のエポキシ樹脂を用いて２５μの厚さのポリエチレンテ
レフタレート膜（第８図３）を接着して感光体Ａ、Ｂを
作成し、以下の比較テストを行なった。
１ｉ１」ちＡ、Ｅ板のアルミ基体を接地し、表面の絶縁
膜上にコロナ放電Ｖこよって負帯電を行ない、帯電の立
上りと帯電終了後の電位変化をターンテーブルと表面電
位計を用いる通常一般の測定法により測定したところ第
８図のａ及びｂに示す如き曲線が得られた。ａ、ｂは夫
々Ａ、Ｂ板に対応する。
膜上にコロナ放電Ｖこよって負帯電を行ない、帯電の立
上りと帯電終了後の電位変化をターンテーブルと表面電
位計を用いる通常一般の測定法により測定したところ第
８図のａ及びｂに示す如き曲線が得られた。ａ、ｂは夫
々Ａ、Ｂ板に対応する。
第３図は第２図示の曲線ａ、ｂに対応するＡ。
Ｂ板の電荷移動を示す図で、（１）・（１）はＡ、Ｂ板
の帯電中を示し、（２）・（勢はＡ、Ｂ板の帯電終了後
を示す。
の帯電中を示し、（２）・（勢はＡ、Ｂ板の帯電終了後
を示す。
即ち第２，３図から明らかな如く、本発明のＡ板におい
ては一次帯電時に基体からの電荷の注入が充分に行なわ
れ、絶縁層を介して正負電荷が強固に結合しているので
暗減衰を生じないが、Ｂ板においては充分な電荷の注入
が行なわれず、帯電後略減衰を生じている。
ては一次帯電時に基体からの電荷の注入が充分に行なわ
れ、絶縁層を介して正負電荷が強固に結合しているので
暗減衰を生じないが、Ｂ板においては充分な電荷の注入
が行なわれず、帯電後略減衰を生じている。
実施例２
へ１基板を約７５℃に加熱し、蒸着中の温度が８５％含
有するＳｅ −Ｔｅ合金を３０分間で約４０μの厚セに
蒸着し、蒸着後自然冷却した。
有するＳｅ −Ｔｅ合金を３０分間で約４０μの厚セに
蒸着し、蒸着後自然冷却した。
で゛
次いｙ＝着層の表面を観察すると、金属光沢のある平滑
なガラス状であることが認められた。
なガラス状であることが認められた。
更に蒸着層のＡ、Ｌ基板に接した部分の一部を基体から
はぎとりＸ線回折測定を行なったところ、ヘキサゴナル
な結晶構造を示す回折ピークが認められた。これは基板
ＶＣ接した部分が比較的長時間高い温度に置かれたため
に結晶化が促進したことを示している。
はぎとりＸ線回折測定を行なったところ、ヘキサゴナル
な結晶構造を示す回折ピークが認められた。これは基板
ＶＣ接した部分が比較的長時間高い温度に置かれたため
に結晶化が促進したことを示している。
次いで蒸着層の表面に実施例１と同じく絶縁層を設け、
−成帯電として表面を一様に負帯電し、次いで光像照射
と同時に正帯電し、必要に応じて全面照射を行なって静
電ａ像を形成する電子写真プロセスを適用したところ、
感光層全体がＸ線回折測定で結晶化のピークを殆んど示
でないカラス質である感光体く例えは’ｒｅ全１全１金
有するＳｅ−＃合金層）に比較して極めて大きな静電フ
ントラストを示した。
−成帯電として表面を一様に負帯電し、次いで光像照射
と同時に正帯電し、必要に応じて全面照射を行なって静
電ａ像を形成する電子写真プロセスを適用したところ、
感光層全体がＸ線回折測定で結晶化のピークを殆んど示
でないカラス質である感光体く例えは’ｒｅ全１全１金
有するＳｅ−＃合金層）に比較して極めて大きな静電フ
ントラストを示した。
尚本発明により製造される感光体においては絶縁層３と
の境界での電荷保持を強固にするために、間 絶縁層８と感光層２とのｔに電荷保持層とじてＺｎＳ等
のｎ型広バンド巾光導電体層を設は王もよく又金色性と
するために短波長に感する層の下に長波長に感する層（
例えは短波長に感度がある薄いＳｅ層の丁に、長波長に
感度があるＴｏを１５重量％含有するＳｅ．Ｔｅ合金層
を形成する等）を設けてもよく、その他の多層構成とす
ることも可能である〇
の境界での電荷保持を強固にするために、間 絶縁層８と感光層２とのｔに電荷保持層とじてＺｎＳ等
のｎ型広バンド巾光導電体層を設は王もよく又金色性と
するために短波長に感する層の下に長波長に感する層（
例えは短波長に感度がある薄いＳｅ層の丁に、長波長に
感度があるＴｏを１５重量％含有するＳｅ．Ｔｅ合金層
を形成する等）を設けてもよく、その他の多層構成とす
ることも可能である〇
第１図は本発明により製造でれた感光体の構成説明図、
第２図は本発明により製造てれた感光体と従来公知の感
光体の表面電位変化曲線図、第８図は第２図に対応する
電荷移動説明図である。 出願人 キャノン株式会社
第２図は本発明により製造てれた感光体と従来公知の感
光体の表面電位変化曲線図、第８図は第２図に対応する
電荷移動説明図である。 出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 基体上に光導電材料を蒸着して電子写真感光層を製造す
る方法において、形成される蒸着層が結晶化の進んだ状
態になるような温度に基坏湛度を保持して光導電材料と
してＳｅ又はＳｓを主体とする合金を蒸着させ、次いで
形成される蒸着層が非晶質の状態になる温度に基体温度
を低下式せて光導電材料としてＳｓ又はＳｅを主体とす
る合金を蒸着ζせること全特徴とする電子写真感光層の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP192179A JPS60111254A (ja) | 1979-01-11 | 1979-01-11 | 電子写真感光層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP192179A JPS60111254A (ja) | 1979-01-11 | 1979-01-11 | 電子写真感光層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111254A true JPS60111254A (ja) | 1985-06-17 |
Family
ID=11515049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP192179A Pending JPS60111254A (ja) | 1979-01-11 | 1979-01-11 | 電子写真感光層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60111254A (ja) |
-
1979
- 1979-01-11 JP JP192179A patent/JPS60111254A/ja active Pending
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