JPS60115941A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60115941A JPS60115941A JP22225583A JP22225583A JPS60115941A JP S60115941 A JPS60115941 A JP S60115941A JP 22225583 A JP22225583 A JP 22225583A JP 22225583 A JP22225583 A JP 22225583A JP S60115941 A JPS60115941 A JP S60115941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrophotographic photoreceptor
- dark
- type
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真感光体に関するものである。
従来技術
電子写真の感光体は、一般に真空蒸着するがまたは光導
電体の分散液を塗膜するかにより、導電性基板に光導電
材料の薄膜を形成させて作られることは周知である。こ
のような光導電層は、その性質上、暗所で良好な絶縁体
であり、電荷を表面に保持できるものでなければならな
いし、一方、光照射されて電気抵抗が減少し、表面電荷
を早く散逸させるものでなければならない。
電体の分散液を塗膜するかにより、導電性基板に光導電
材料の薄膜を形成させて作られることは周知である。こ
のような光導電層は、その性質上、暗所で良好な絶縁体
であり、電荷を表面に保持できるものでなければならな
いし、一方、光照射されて電気抵抗が減少し、表面電荷
を早く散逸させるものでなければならない。
現在、電子写真の感光体材料（光導電材料）としては、
Ｓｅ 、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ等の無機系光導電材料が
一般に用いられているが、機械的強度や耐熱性、光感度
の点で問題があり、数万枚の複写で交換する必要がある
など寿命の点でも問題があり、さらに使用材料の点から
公害などの問題を残している。
Ｓｅ 、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ等の無機系光導電材料が
一般に用いられているが、機械的強度や耐熱性、光感度
の点で問題があり、数万枚の複写で交換する必要がある
など寿命の点でも問題があり、さらに使用材料の点から
公害などの問題を残している。
最近、新しい電子写真感光体材料として、機械的強度、
耐熱性、光感度が上記既存の感光体材料に比べて著しく
硬れ、また無公害であるアモルファス・シリコン（以下
、ａ−５ｉと略称する）が注目を浴びている。このα−
５ｉのビッカース強度は約１５００〜２ｏｏｏｋｙＡ−
であり、従来の感光体材料の強度、例えばａ −５ｔ
３Ｑｋｇ／ｍｍ” 。
耐熱性、光感度が上記既存の感光体材料に比べて著しく
硬れ、また無公害であるアモルファス・シリコン（以下
、ａ−５ｉと略称する）が注目を浴びている。このα−
５ｉのビッカース強度は約１５００〜２ｏｏｏｋｙＡ−
であり、従来の感光体材料の強度、例えばａ −５ｔ
３Ｑｋｇ／ｍｍ” 。
ａ −５ｔ −Ｔａ ６０ｋ１７ｍｍ” 、 ａ −Ａ
ｓ、Ｓｇ Ｉ ５０ｋｌ／ｍｍ” Ｌ比べてかなり高い
。しかしながら、α−５ｉは上記のような利点を有する
反面、α−５ｉそのものでは暗時の抵抗率が１０９〜１
０１１Ωｃｍと比較的低く、電子写真として鮮明なｒＲ
像形成に必要な数百ｒという表面電位を保持するために
は、数十ミクロンの膜厚を要し、この点が製造の面から
の問題となっている。すなわち、α−５ｉの上記所要膜
厚は厚すぎ、１時間で約１０ミクロンという現在の積層
技術からみて、製造に長時間を要し、生産性やコストの
点で問題である。
ｓ、Ｓｇ Ｉ ５０ｋｌ／ｍｍ” Ｌ比べてかなり高い
。しかしながら、α−５ｉは上記のような利点を有する
反面、α−５ｉそのものでは暗時の抵抗率が１０９〜１
０１１Ωｃｍと比較的低く、電子写真として鮮明なｒＲ
像形成に必要な数百ｒという表面電位を保持するために
は、数十ミクロンの膜厚を要し、この点が製造の面から
の問題となっている。すなわち、α−５ｉの上記所要膜
厚は厚すぎ、１時間で約１０ミクロンという現在の積層
技術からみて、製造に長時間を要し、生産性やコストの
点で問題である。
発明の背景
本発明者らは、前記のような優れた物性を有する反面、
暗時の抵抗率が低いというα−別の欠点が、不純物（炭
素及び硼素）をドーピングすることにより、改善される
ことを見い出した。
暗時の抵抗率が低いというα−別の欠点が、不純物（炭
素及び硼素）をドーピングすることにより、改善される
ことを見い出した。
これは、α−５ｉに不純物（Ｃ、’Ｂ ） ｗドーピン
グすることにより、α−５ｉ光導電膜の高抵抗化を図り
、電子写真感光体の機能を満足しうる範囲で膜厚を大巾
に低減させ得たものであるが、炭素のドーピングによる
バンドギャップの増大に伴なう分光感度の短波長化、不
純物準位による光生成キャリアの捕獲など、光感度の劣
化という現象が新たな問題点となった。
グすることにより、α−５ｉ光導電膜の高抵抗化を図り
、電子写真感光体の機能を満足しうる範囲で膜厚を大巾
に低減させ得たものであるが、炭素のドーピングによる
バンドギャップの増大に伴なう分光感度の短波長化、不
純物準位による光生成キャリアの捕獲など、光感度の劣
化という現象が新たな問題点となった。
発明の目的
従って、本発明の目的は、前記のような優れた物性を有
する反面、暗時の抵抗率が低いと１／１うα−５ｉの欠
点を改善し、高抵抗で、かつ光感度に優れると共に、わ
ずかな膜厚の光導電材料層で電子写真の機能を充分に満
足する電子写真感光体を提供することにある。
する反面、暗時の抵抗率が低いと１／１うα−５ｉの欠
点を改善し、高抵抗で、かつ光感度に優れると共に、わ
ずかな膜厚の光導電材料層で電子写真の機能を充分に満
足する電子写真感光体を提供することにある。
発明の構成
本発明に係る電子写真感光体は、導電性基板上に硼素を
ドーピングしたＰ型ａ−５ｉ膜、炭素をドーピングした
α−５ｉＣ膜及び純粋なα−５ｉ膜を順次積層してなる
ことを特徴とするものであり、Ｐ型σ−５ｉ膜とα−５
ｉＣ膜との積層により、高抵抗で、かつ暗時の表面１ｕ
位の半減衰時間が長い光導電層が得られ、膜厚を大巾に
低減可能とする一方、上記Ｐ型α−５ｉ膜とα−５ｉＣ
膜の積層構造の上にさらに不純物をドーピングしていな
い光感度に優れたα−５ｉ膜を積層することにより、上
記不純物ドーピングにより劣化され易い光感度を補償す
るものである。
ドーピングしたＰ型ａ−５ｉ膜、炭素をドーピングした
α−５ｉＣ膜及び純粋なα−５ｉ膜を順次積層してなる
ことを特徴とするものであり、Ｐ型σ−５ｉ膜とα−５
ｉＣ膜との積層により、高抵抗で、かつ暗時の表面１ｕ
位の半減衰時間が長い光導電層が得られ、膜厚を大巾に
低減可能とする一方、上記Ｐ型α−５ｉ膜とα−５ｉＣ
膜の積層構造の上にさらに不純物をドーピングしていな
い光感度に優れたα−５ｉ膜を積層することにより、上
記不純物ドーピングにより劣化され易い光感度を補償す
るものである。
本発明に係る他の電子写真感光体は、前記のように導電
性基板上に７）型α−別膜、α−５ｉＣ膜及び純粋なα
−５ｉ膜を積層した上に、ざらにα−５ｉＣ膜を積層す
ることを特徴とするものであり、前記のような積層構造
の電子写真感光体の特性をそのまま維持してなおかつ、
純粋なα−５ｉ膜に比べて機械的強度に優れると共に暗
時の抵抗率が格段に高いａ −ＳｉＣ膜を最外層に存在
せしめることにより、さらに高抵抗化を図り、表面の機
械的強度を改善するものである。
性基板上に７）型α−別膜、α−５ｉＣ膜及び純粋なα
−５ｉ膜を積層した上に、ざらにα−５ｉＣ膜を積層す
ることを特徴とするものであり、前記のような積層構造
の電子写真感光体の特性をそのまま維持してなおかつ、
純粋なα−５ｉ膜に比べて機械的強度に優れると共に暗
時の抵抗率が格段に高いａ −ＳｉＣ膜を最外層に存在
せしめることにより、さらに高抵抗化を図り、表面の機
械的強度を改善するものである。
発明の態様及び作用
本発明に係る電子写真感光体の＠層構造を第１図及び第
２図に示す。第１図において、１は導電性基板であり、
通常はアルミニウム基板が使用される。２は硼素をドー
ピングしたＰ型α−５ｉ膜、３は炭素をドーピングした
α−５ｔＣ瞑、４に純粋なα−５ｉ膜である。第２図に
おいては、上記第１図に示す積層構造の上にさらにａ−
５ｉＣ膜３が積層されている。
２図に示す。第１図において、１は導電性基板であり、
通常はアルミニウム基板が使用される。２は硼素をドー
ピングしたＰ型α−５ｉ膜、３は炭素をドーピングした
α−５ｔＣ瞑、４に純粋なα−５ｉ膜である。第２図に
おいては、上記第１図に示す積層構造の上にさらにａ−
５ｉＣ膜３が積層されている。
次に、本発明に係る電子写真感光体の製造方法の一例を
説明すると、まずアルミニウム基板上に硼素ＣＢ＞のド
ーピング濃度、通常約数士〃Ｍ〜数万ＰＰＭのいわゆる
Ｐ型ａ−５ｉ膜全グロ一放電分解法により約０．０１〜
数ミクロン、好ましくは０．５ ミクロンイ゛々層し、
その上に炭素（Ｃ）のドーピング濃度約２０〜８０チの
ａ−５ｉＣ膜を同じくグロー放電分解法により約数ミク
ロン〜十数ミクロン成膜させる。最後に、純粋なａ−５
ｉ膜を同様にグロー放電分解法により積Ｊ仔さぜる。
説明すると、まずアルミニウム基板上に硼素ＣＢ＞のド
ーピング濃度、通常約数士〃Ｍ〜数万ＰＰＭのいわゆる
Ｐ型ａ−５ｉ膜全グロ一放電分解法により約０．０１〜
数ミクロン、好ましくは０．５ ミクロンイ゛々層し、
その上に炭素（Ｃ）のドーピング濃度約２０〜８０チの
ａ−５ｉＣ膜を同じくグロー放電分解法により約数ミク
ロン〜十数ミクロン成膜させる。最後に、純粋なａ−５
ｉ膜を同様にグロー放電分解法により積Ｊ仔さぜる。
純粋なα−５ｉ膜は、光キャリアを発生する役゛−Ａを
担うもので、吸収係数からその膜厚は１〜２ミクｐンで
充分である。本発明の他の電子写真感光体の製造方法も
基本的には上記と同様であり、上記のようにＰ型α−５
ｉ膜、α−５ｉＣ膜及び純粋なα−５ｉ膜を積層した後
、さらに上記と同様にグロー放電分解法によりα−５ｉ
Ｃ膜を成膜させる。
担うもので、吸収係数からその膜厚は１〜２ミクｐンで
充分である。本発明の他の電子写真感光体の製造方法も
基本的には上記と同様であり、上記のようにＰ型α−５
ｉ膜、α−５ｉＣ膜及び純粋なα−５ｉ膜を積層した後
、さらに上記と同様にグロー放電分解法によりα−５ｉ
Ｃ膜を成膜させる。
本発明者らの研究によると、α−５ｉ膜の抵抗率は、炭
素をドーピングすることにより１０１２〜１０１Ωａｍ
に変化することが見い出された。これは、α−５ｉ膜の
バンドギャップが炭素のドーピングにより広がることに
帰因する。このことを第３図に示す。第３図は、α−５
ｉ膜への炭素のドーピング濃度の変化が暗電導度及びバ
ンドギャップに及ぼす影響を示す。暗電導度が低い程抵
抗が大きいわけであるが、第３図から、バンドギャップ
が大きい程暗電導度が低くな一す、すなわち抵抗が大き
くなり、また炭素のドーピング濃度が高い程バンドギャ
ップが広がり、従って抵抗が大きくなることが解る。
素をドーピングすることにより１０１２〜１０１Ωａｍ
に変化することが見い出された。これは、α−５ｉ膜の
バンドギャップが炭素のドーピングにより広がることに
帰因する。このことを第３図に示す。第３図は、α−５
ｉ膜への炭素のドーピング濃度の変化が暗電導度及びバ
ンドギャップに及ぼす影響を示す。暗電導度が低い程抵
抗が大きいわけであるが、第３図から、バンドギャップ
が大きい程暗電導度が低くな一す、すなわち抵抗が大き
くなり、また炭素のドーピング濃度が高い程バンドギャ
ップが広がり、従って抵抗が大きくなることが解る。
また、本発明では、Ｐ型α−５ｉ膜上へのα−５ｉＣ膜
の積層により、ＰＮ接合に類似する効果が得られ、暗時
の表面電位の半減衰時間が長くなる。周知のように、静
電潜像を現像したときの濃度のコントラストは、露光後
における表面電荷密度のコントラストによって決まる。
の積層により、ＰＮ接合に類似する効果が得られ、暗時
の表面電位の半減衰時間が長くなる。周知のように、静
電潜像を現像したときの濃度のコントラストは、露光後
における表面電荷密度のコントラストによって決まる。
ところが、帯電した光導電性紬緑膜を露光し表面電位を
減衰させるときは、光による減衰の他に膜の暗電導度に
よる電荷の減衰もその中に含まれている。従って、コロ
ナ放電中止後の暗減衰が小さくなる程、すなわち暗時の
表面電位の半減衰時間が長くなる程、鮮明な画像が形成
される。
減衰させるときは、光による減衰の他に膜の暗電導度に
よる電荷の減衰もその中に含まれている。従って、コロ
ナ放電中止後の暗減衰が小さくなる程、すなわち暗時の
表面電位の半減衰時間が長くなる程、鮮明な画像が形成
される。
本発明では、Ｐ型α−５ｉ膜とα−５ｉＣ膜との積層に
よって半導体のＰＭ接合に類似する効果が得られ、暗時
の表面電位の半減衰時間が長くなるという効果が得られ
る。しかしながら、このような効果が得られる反面、前
記したように、炭素のドーピングによるバンドギャップ
の増大に伴う分光感度の短波長化、不純物準位による光
生成りヤリアの捕獲など、光感度の劣化という現象が問
題となる。本発明では、Ｐ型α−５ｉ膜とα−５ｉＣ膜
の上にさらに、光感度に優れた純粋なα−５ｉ膜全積層
し、光感度を補償するものである。
よって半導体のＰＭ接合に類似する効果が得られ、暗時
の表面電位の半減衰時間が長くなるという効果が得られ
る。しかしながら、このような効果が得られる反面、前
記したように、炭素のドーピングによるバンドギャップ
の増大に伴う分光感度の短波長化、不純物準位による光
生成りヤリアの捕獲など、光感度の劣化という現象が問
題となる。本発明では、Ｐ型α−５ｉ膜とα−５ｉＣ膜
の上にさらに、光感度に優れた純粋なα−５ｉ膜全積層
し、光感度を補償するものである。
ここで、積層構造の種類と光感度の関係を下記表−１に
示す。
示す。
表−１
ｐｏｐ ａ −Ｓｉ／ａ −ＳｉＣ＋数〜ｌ１士Ｌｗｘ
ａｚｇｔｙＰ型ａ−５ｉ／ａ −ＳｉＣ／ａ −Ｓｉ
数Ｌｔｂｘ＊ｚｔｃ上記表−１より、α−５ｉ膜の積層
による効果が明らかであろう。
ａｚｇｔｙＰ型ａ−５ｉ／ａ −ＳｉＣ／ａ −Ｓｉ
数Ｌｔｂｘ＊ｚｔｃ上記表−１より、α−５ｉ膜の積層
による効果が明らかであろう。
また、本発明の他の電子写真感光体においては、その最
外層にα−５ｉＣ膜が存在する。このα−５ｉＣ膜は前
記第３図から明らかなように暗時の抵抗率が高いと共に
ビッカース強度もα−５ｉ膜より高い。従って、α−５
ｉＣ膜が最外層に存在することによって、電子写真感光
体表面の高抵抗化が図れると共に、機械的強度がさらに
向上する。
外層にα−５ｉＣ膜が存在する。このα−５ｉＣ膜は前
記第３図から明らかなように暗時の抵抗率が高いと共に
ビッカース強度もα−５ｉ膜より高い。従って、α−５
ｉＣ膜が最外層に存在することによって、電子写真感光
体表面の高抵抗化が図れると共に、機械的強度がさらに
向上する。
実施例
以下、実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する
。
。
実施例１
アルミニウム基板上に、グロー放電分解法によりＰ ５
ｐ ａ −５ｉｅ ｏ、ｓ ／Ｉ、ａ−５ｉＣ膜６μ、
ａ−５ｉ膜１μを順次積層し、電子写衷感光体Ａ？製造
した。
ｐ ａ −５ｉｅ ｏ、ｓ ／Ｉ、ａ−５ｉＣ膜６μ、
ａ−５ｉ膜１μを順次積層し、電子写衷感光体Ａ？製造
した。
実施例２
アルミニウム基板上に、グロー放電分解法によりＰ型ａ
−５ｉ膜０．５μ、ａ−５ｉＣ膜６μ、ａ−５ｉ膜１μ
及びａ −ＳｉＣ膜０．５μを順次積層し、電子写真感
光体Ｂを製造した。
−５ｉ膜０．５μ、ａ−５ｉＣ膜６μ、ａ−５ｉ膜１μ
及びａ −ＳｉＣ膜０．５μを順次積層し、電子写真感
光体Ｂを製造した。
上記実施例１及び２で得られた感光体Ａ及びＢについて
特性を測定した。その結果全表−２に示す。なお、アル
ミニウム基板上にＰ型ａ−５ｉ膜０．５μ及びα−５ｉ
Ｃ膜６μを順次積層して得られた感光体Ｃ′についての
結果も、参照用として併せて示す。
特性を測定した。その結果全表−２に示す。なお、アル
ミニウム基板上にＰ型ａ−５ｉ膜０．５μ及びα−５ｉ
Ｃ膜６μを順次積層して得られた感光体Ｃ′についての
結果も、参照用として併せて示す。
表−２
六Ｔ社〒房閂逮
餐１）表面電位：コロナ放電（６，３Ｋｙ）で帯電させ
た時の試料表面電位であり、感 光体材料としては高い程望まし い。
た時の試料表面電位であり、感 光体材料としては高い程望まし い。
葺２）暗時半減期二上記表面電位が生滅するまでの時間
である。
である。
セ３）半減露光量：表面電位を半減させるまでの露光量
である。
である。
感光体材料の特性としては、表面電位が高く（膜の抵抗
が大きいということ）、暗時半減期が長く、半減露光量
が小さいことが望ま°しいが、上記表−２に示ず結果が
ら明らがなように、感光体Ａ及びＢはいずれの特性にお
いても感光体Ｃよりも優れている。また、感光体Ａの場
合は半減露光」において、感光体Ｂの場合は入面電位及
び暗時半減期において特に鉦れていることが解る。
が大きいということ）、暗時半減期が長く、半減露光量
が小さいことが望ま°しいが、上記表−２に示ず結果が
ら明らがなように、感光体Ａ及びＢはいずれの特性にお
いても感光体Ｃよりも優れている。また、感光体Ａの場
合は半減露光」において、感光体Ｂの場合は入面電位及
び暗時半減期において特に鉦れていることが解る。
発明の効果
以上のように、本発明に係る電子写真感光体では、導電
性基板上に硼素をト°−ピングしたＰ型α−５ｉ膜、炭
素をドーピングしたａ −、ＳｉＣ膜及び純粋なα−５
ｉ膜が順次積層されており、該Ｐ型α−５ｉ膜とα−５
ｉＣ膜との積層によう膜の抵抗率が大きくなり（表面電
位が高くなり）、また暗時の表面電位の半減衰時間が長
くなるという効果が得られると共に、α−５ｉ膜の積層
により光感度が高く維持される。従って、光導電層の膜
厚を大巾に低減でき、生産性やコストの点で格別の利点
が得られる。さらに本発明の他の電子写真感光体では、
上記積層構造の上にさらに最外層としてα−５ｉＣ膜が
積層されているため、暗時の表面電位をさらに高く維持
できると共に、該α−５ｉＣ膜は純粋なα−５ｉ膜や既
存の感光体材料に比べて機械的強度が高いため、寿命が
極めて長くなるという格別の利点が得られる。
性基板上に硼素をト°−ピングしたＰ型α−５ｉ膜、炭
素をドーピングしたａ −、ＳｉＣ膜及び純粋なα−５
ｉ膜が順次積層されており、該Ｐ型α−５ｉ膜とα−５
ｉＣ膜との積層によう膜の抵抗率が大きくなり（表面電
位が高くなり）、また暗時の表面電位の半減衰時間が長
くなるという効果が得られると共に、α−５ｉ膜の積層
により光感度が高く維持される。従って、光導電層の膜
厚を大巾に低減でき、生産性やコストの点で格別の利点
が得られる。さらに本発明の他の電子写真感光体では、
上記積層構造の上にさらに最外層としてα−５ｉＣ膜が
積層されているため、暗時の表面電位をさらに高く維持
できると共に、該α−５ｉＣ膜は純粋なα−５ｉ膜や既
存の感光体材料に比べて機械的強度が高いため、寿命が
極めて長くなるという格別の利点が得られる。
第１図及び第２図は本発明に係る電子写真感光体の積層
構造を示す部分縦断面図、第３図はα−５ｉ膜への炭素
のドーピング濃度の変化が暗電導度及びバンドギャップ
に及ぼす影響を示すグラフである。 １は導電性基板、２はＰ型α−５ｉ膜、３はα−５ｉＣ
膜、４はα−５ｉ膜。 出願人 株式会社小松製作所 代理人 弁理上米 原 正 章 弁理士銹 本 忠 （八ｇ）、ｌｌ−へ、〜、（ぐ、Ｓ／ ａつ 沫
構造を示す部分縦断面図、第３図はα−５ｉ膜への炭素
のドーピング濃度の変化が暗電導度及びバンドギャップ
に及ぼす影響を示すグラフである。 １は導電性基板、２はＰ型α−５ｉ膜、３はα−５ｉＣ
膜、４はα−５ｉ膜。 出願人 株式会社小松製作所 代理人 弁理上米 原 正 章 弁理士銹 本 忠 （八ｇ）、ｌｌ−へ、〜、（ぐ、Ｓ／ ａつ 沫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基板上に、硼素をドーピングしたＰ型α−５
ｉ膜、炭素をドーピングしたａ−５ｉＣ膜及び純粋なα
−５ｉ膜を順次積層してなることを特徴とする電子写真
感光体。 ２ 導電性基板上に、硼素をドーピングしたＰ型α−５
ｉ膜、炭素をドーピングしたａ−５ｉＣ膜、純粋なα−
５ｉ膜及び炭素をドーピングしたα−５ｉＣ膜を順次積
層してなることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22225583A JPS60115941A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22225583A JPS60115941A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115941A true JPS60115941A (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=16779523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22225583A Pending JPS60115941A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115941A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166352A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-22 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS63210864A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Canon Inc | 画像形成装置 |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP22225583A patent/JPS60115941A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166352A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-22 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS63210864A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Canon Inc | 画像形成装置 |
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