JPS60120536A - 半導体劈開面検出装置 - Google Patents
半導体劈開面検出装置Info
- Publication number
- JPS60120536A JPS60120536A JP58228931A JP22893183A JPS60120536A JP S60120536 A JPS60120536 A JP S60120536A JP 58228931 A JP58228931 A JP 58228931A JP 22893183 A JP22893183 A JP 22893183A JP S60120536 A JPS60120536 A JP S60120536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaved surface
- laser light
- light
- slit
- reflected light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装開面検出装置に関する。
たとえばレーザ光を発する半導体（具体例としてＧａＡ
ｓ、 Ｇ６Ａ７？Ａ６等直接遷移半導体を活性層とする
半導体レーザダイオード）は、その璧開面からレーザ光
を発することはよく知られている。したゲバってこのよ
うな半導体のウェファにストライプパターンを形成する
場合−ホトレジ工程においてウェファの臂開面を基準線
に対して所望の精彦で相対的な位置関係にセットする必
要≠；ある。或ｆｌ−ｉｖ−ザ光を発する半導体チップ
をパッケージに組立てるような場合、パッケージに設置
されであるレンズ等の光軸と璧開面と全正しく位置合わ
せする必要がある。
ｓ、 Ｇ６Ａ７？Ａ６等直接遷移半導体を活性層とする
半導体レーザダイオード）は、その璧開面からレーザ光
を発することはよく知られている。したゲバってこのよ
うな半導体のウェファにストライプパターンを形成する
場合−ホトレジ工程においてウェファの臂開面を基準線
に対して所望の精彦で相対的な位置関係にセットする必
要≠；ある。或ｆｌ−ｉｖ−ザ光を発する半導体チップ
をパッケージに組立てるような場合、パッケージに設置
されであるレンズ等の光軸と璧開面と全正しく位置合わ
せする必要がある。
ｂずれにしても臂開面を検出してこれを所望の位置関係
を満足するように位置合わせ介する必要７５；ある。し
かし従来に訃すては顕微鏡等を用−て目視観察によって
臂開面を検出するようにして込るので一検出精彦は十分
でな（−シかもその検出による位置合せ−ＡＥ［めて面
倒であった。
を満足するように位置合わせ介する必要７５；ある。し
かし従来に訃すては顕微鏡等を用−て目視観察によって
臂開面を検出するようにして込るので一検出精彦は十分
でな（−シかもその検出による位置合せ−ＡＥ［めて面
倒であった。
この発明は半導体の璧開面分高精度でしかも容易に検出
できるようにすることを目的とす込。
できるようにすることを目的とす込。
この発明の実施例を因によって税明する、図は半導体ウ
ェファの璧開面′ｆ＃出する場合を示し、１は半導体ウ
ェファで２はその臂開面とする。この発明では璧開面の
検出にレーザ光を使用するものであり、そのためにレー
ザ光源３を用意する。
ェファの璧開面′ｆ＃出する場合を示し、１は半導体ウ
ェファで２はその臂開面とする。この発明では璧開面の
検出にレーザ光を使用するものであり、そのためにレー
ザ光源３を用意する。
４けスリット支持板で、ここに孔５が形成されてある。
又このスリット支持板４にはウェファｌ側に孔５の中心
軸（レーザー光の光軸）をはさんで対をなす少（とも２
個の光感応素子６．７が設置されである。光感応素子６
．７は、ジャンクション面が襞間面を有するものを用ｂ
、孔５よりも小さな孔を形成しこれによってスリット８
を構成する（第１． ′＄、２図）。光感応素子６．７
の受光面６Ａ、７Ａ はウェファｌの襞間面に向す合ら
ようにしである。光感応素子は複数対でもよく−−ずれ
も孔５の中心軸をはさんで対称に配置すればより０ レーザ光源８とスリット支持板４との相対的位置関係は
固宇されてあり、この固定状部において、レーザ光源８
づ１らの平行光線であるレーザ光Ｐはスリット８の中心
軸を通過するように設定されである。今レーザ光の照射
方向と直交する方向にのびる線を所望の基準線と定め、
この基準線に襞間面が平行するようにウェファｌを位１
置設定する場合につ層て鮮明する６まずウェファ１を適
当な位置にセットし、その襞間面２にスリット８を通っ
たレーザ光を照射する。照射されたレーザ光は剪開面２
で反射されて再びスリット支持板４に向かって反射して
（る。
軸（レーザー光の光軸）をはさんで対をなす少（とも２
個の光感応素子６．７が設置されである。光感応素子６
．７は、ジャンクション面が襞間面を有するものを用ｂ
、孔５よりも小さな孔を形成しこれによってスリット８
を構成する（第１． ′＄、２図）。光感応素子６．７
の受光面６Ａ、７Ａ はウェファｌの襞間面に向す合ら
ようにしである。光感応素子は複数対でもよく−−ずれ
も孔５の中心軸をはさんで対称に配置すればより０ レーザ光源８とスリット支持板４との相対的位置関係は
固宇されてあり、この固定状部において、レーザ光源８
づ１らの平行光線であるレーザ光Ｐはスリット８の中心
軸を通過するように設定されである。今レーザ光の照射
方向と直交する方向にのびる線を所望の基準線と定め、
この基準線に襞間面が平行するようにウェファｌを位１
置設定する場合につ層て鮮明する６まずウェファ１を適
当な位置にセットし、その襞間面２にスリット８を通っ
たレーザ光を照射する。照射されたレーザ光は剪開面２
で反射されて再びスリット支持板４に向かって反射して
（る。
もしレーザ光の照射方向と襞間面２とがＩｆ−Ｑしてい
るとすれば１反射光は照射光と同じ光路を通って反射し
て（る。そのためスリット８の中心を通る。このとき光
感応素子６．７が受光する各光量は軍又は僅少であり、
かつ互すに等ｊ、Ｌｎ、 Ｌかし投射方向と襞間面と７
３Ｘ直交してＬｎｆｘＬｎとすれば。
るとすれば１反射光は照射光と同じ光路を通って反射し
て（る。そのためスリット８の中心を通る。このとき光
感応素子６．７が受光する各光量は軍又は僅少であり、
かつ互すに等ｊ、Ｌｎ、 Ｌかし投射方向と襞間面と７
３Ｘ直交してＬｎｆｘＬｎとすれば。
反射光はスリット８の中心を一通ることカニな（−１ｔ
ｈずれかにかたよってもどって（る。そのため光感応素
子６．７の受光量に差が生じるようになる。
ｈずれかにかたよってもどって（る。そのため光感応素
子６．７の受光量に差が生じるようになる。
各光感応素子６．７はその受光量に応じた電気信号を発
するものであるから、これからの電気信号の大小から一
反射光がどの方向にかたよってもどってきてｈるかを知
ることができる、そこでウェファ１を適当に移動させて
１両感応素子６．７の受光量が同じになるように位ｆ＃
調整する。このようにしてウェファ１を位置調整したと
き、その位置は照射されたレーザ光の照射方向に襞間面
が直交した位置である。前記照射方向と直交する方向に
基準線を定めているので−した≠ζつて襞間−面は基準
線と平行していることになる。
するものであるから、これからの電気信号の大小から一
反射光がどの方向にかたよってもどってきてｈるかを知
ることができる、そこでウェファ１を適当に移動させて
１両感応素子６．７の受光量が同じになるように位ｆ＃
調整する。このようにしてウェファ１を位置調整したと
き、その位置は照射されたレーザ光の照射方向に襞間面
が直交した位置である。前記照射方向と直交する方向に
基準線を定めているので−した≠ζつて襞間−面は基準
線と平行していることになる。
以上の実施例はウェファについてその襞間１酊を設定し
た場合であったが−これに代えて半導体チップについて
の、臂開面の設定も全（Ｉ同様にして可能である。
た場合であったが−これに代えて半導体チップについて
の、臂開面の設定も全（Ｉ同様にして可能である。
以上詳述したよりにこの発明によれば一従来のような顕
微鏡等による目視による方法に比較して逼るかに高精度
の襞間面の検出２１１玉可能であり、≠１つ光感応素子
の出力から検出できるので、その位置調整は極めて精廖
が高（、再現性があり力・つ容易であるといった効果を
奏する。
微鏡等による目視による方法に比較して逼るかに高精度
の襞間面の検出２１１玉可能であり、≠１つ光感応素子
の出力から検出できるので、その位置調整は極めて精廖
が高（、再現性があり力・つ容易であるといった効果を
奏する。
第１図はこの発明の実施例を示す配置図、第２図は一部
の平面図である。 ３・・・・・・レーザ光源−４・・・・・・スリット支
持板−５・・・・・・孔、６．７・・・・・・光感応素
子＋ ６Ａ、＋７Ａ・・・・・受光面。
の平面図である。 ３・・・・・・レーザ光源−４・・・・・・スリット支
持板−５・・・・・・孔、６．７・・・・・・光感応素
子＋ ６Ａ、＋７Ａ・・・・・受光面。
Claims (1)
- レーザ光を発するレーザ光源と一前記し−ザ光？ｗ−ｈ
−らのレーザ光が中心軸を通るスリットを備えたスリッ
ト支持板と一前記スリットを通過したレーザ光が、半導
体チップにより反射されてもどってくる反射光を受資す
る少くとも一対の光感応素子とからなり、前記光感応素
子を前記レーザー光の中心軸をはさんでその両側にスリ
ットを形成するように設置して々る半導体璧開面検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58228931A JPS60120536A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 半導体劈開面検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58228931A JPS60120536A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 半導体劈開面検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60120536A true JPS60120536A (ja) | 1985-06-28 |
Family
ID=16884097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58228931A Pending JPS60120536A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 半導体劈開面検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60120536A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105347A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Apparatus for scribing single-crystal wafer |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP58228931A patent/JPS60120536A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105347A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Apparatus for scribing single-crystal wafer |
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