JPS60130008A - 透明導電性膜の形成方法 - Google Patents
透明導電性膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60130008A JPS60130008A JP23498183A JP23498183A JPS60130008A JP S60130008 A JPS60130008 A JP S60130008A JP 23498183 A JP23498183 A JP 23498183A JP 23498183 A JP23498183 A JP 23498183A JP S60130008 A JPS60130008 A JP S60130008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- indium
- film
- transparent conductive
- gas
- oxygen gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 4
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 25
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 101100114416 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) con-10 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電性膜の形成方法に関し、更に詳しくは
、透明高分子フィルム上に透明な導電性酸化インジウム
・錫薄膜を形成せしめる方ｌ去（・こ関する。
、透明高分子フィルム上に透明な導電性酸化インジウム
・錫薄膜を形成せしめる方ｌ去（・こ関する。
高透明導電性フィルムは、その透明性、導電性、柔軟性
、易加工性を利用した分野例えば液晶ディスプレー用電
極、電子写真用フィルム、面発熱体ブラウン前各種精密
測定器窓部分の透明導電性膜へい膜、帯−電防止層等の
電気電子分野に広く用いられている。このように透明導
電性フィルムのエレクトロニクス、画像情報材料分野で
の今後の伸びは予ｉ１！１１できないほどのものがある
。また、以上の如ぎ分野のみならず、光の選択透過性能
詳しくは、可視光は透過するが、赤外線は反射する性能
を利用して透明断熱相即ち建築物の窓材等に使用するこ
とができる。このような特質を加味すると透明導電性フ
ィルムの今後の需要は膨大なものが予測される。またこ
の需要の伸びとはウラハラに、品質的には均質で高性能
な膜が生産性については安価に且つ大計に供給されるこ
とが当該業Ｗからは強く要望されているが、この要望に
答えきれていないのが現状である。
、易加工性を利用した分野例えば液晶ディスプレー用電
極、電子写真用フィルム、面発熱体ブラウン前各種精密
測定器窓部分の透明導電性膜へい膜、帯−電防止層等の
電気電子分野に広く用いられている。このように透明導
電性フィルムのエレクトロニクス、画像情報材料分野で
の今後の伸びは予ｉ１！１１できないほどのものがある
。また、以上の如ぎ分野のみならず、光の選択透過性能
詳しくは、可視光は透過するが、赤外線は反射する性能
を利用して透明断熱相即ち建築物の窓材等に使用するこ
とができる。このような特質を加味すると透明導電性フ
ィルムの今後の需要は膨大なものが予測される。またこ
の需要の伸びとはウラハラに、品質的には均質で高性能
な膜が生産性については安価に且つ大計に供給されるこ
とが当該業Ｗからは強く要望されているが、この要望に
答えきれていないのが現状である。
従来透明導電性薄膜を得る方法としては真空蒸着法、イ
オンブレーティング法、スバ・ツタリンク法等の真空中
おける薄膜形成法が採用さ）ｔている。
オンブレーティング法、スバ・ツタリンク法等の真空中
おける薄膜形成法が採用さ）ｔている。
酸化インジウム、酸化錫又は酸化錫をドーピングした酸
化インジウム（呻吟酸化インジウム・錫と言う）等の半
導体薄膜も前述の方法で一般に形成されているが、膜の
生成速度が著るしく遅くなるばかりでなく肝心の膜質に
ついても酸化反応が進み過ぎて、高透明ではあるが導電
率が著るしく上列したり、逆に酸化不足のため導電率も
良くない十に透明性が極端に劣った膜質が得られたりし
安定しない。
化インジウム（呻吟酸化インジウム・錫と言う）等の半
導体薄膜も前述の方法で一般に形成されているが、膜の
生成速度が著るしく遅くなるばかりでなく肝心の膜質に
ついても酸化反応が進み過ぎて、高透明ではあるが導電
率が著るしく上列したり、逆に酸化不足のため導電率も
良くない十に透明性が極端に劣った膜質が得られたりし
安定しない。
インジウム、賜あるいは酸化インジウム・錫を真空蒸着
法あるいはイオンブレーティング法にて蒸着する時には
インジウムと錫の融点のちがいにより蒸発速度が異なり
蒸発源のインジウム・錫の比率と＄着薄膜の比率が変化
し組成比のコントロールが難しい。
法あるいはイオンブレーティング法にて蒸着する時には
インジウムと錫の融点のちがいにより蒸発速度が異なり
蒸発源のインジウム・錫の比率と＄着薄膜の比率が変化
し組成比のコントロールが難しい。
一方蒸発物質としての酸化インジウム・錫の組成比と蒸
着薄膜の組成比がほぼ一致する方法として低温高速スパ
ッタリング法が提案されている。。
着薄膜の組成比がほぼ一致する方法として低温高速スパ
ッタリング法が提案されている。。
しかしながら、この方法によってもインジウムと錫の組
成比はほぼ均一化するとはいえ、その酸化状態はスパッ
タリングチャンバー内のプラズマ状態によって変動する
。特にプラズマ中の酸素ガスａ変換言すればスパックリ
ング中にチャンバー内に供給される酸素ガス流量によっ
て蒸着層の酸化状態は大きく変化する。即ちプラズマ雰
囲気中の酸素ガス濃度が低いとスパックリングされた酸
化インジウム・錫粒子が還元され、蒸着薄膜がメタリッ
ク色を帯びて透明性が著るしく損われる。又プラズマ雰
囲気中の酸素ガス濃度が高いと酸化インジウム・錫粒子
が懸酸化され、透明性は良いが導電性の極端に損われた
膜質が得られる。
成比はほぼ均一化するとはいえ、その酸化状態はスパッ
タリングチャンバー内のプラズマ状態によって変動する
。特にプラズマ中の酸素ガスａ変換言すればスパックリ
ング中にチャンバー内に供給される酸素ガス流量によっ
て蒸着層の酸化状態は大きく変化する。即ちプラズマ雰
囲気中の酸素ガス濃度が低いとスパックリングされた酸
化インジウム・錫粒子が還元され、蒸着薄膜がメタリッ
ク色を帯びて透明性が著るしく損われる。又プラズマ雰
囲気中の酸素ガス濃度が高いと酸化インジウム・錫粒子
が懸酸化され、透明性は良いが導電性の極端に損われた
膜質が得られる。
本発明者等が酸化インジウム・錫薄膜の特性について鋭
意検討した結果、高透明、低抵抗の酸化インジウム・錫
薄膜を生成するためにはインジウム、錫の酸化状態を限
定された領域にコントロールする必要のあることが判明
した。酸化インジウム・錫薄膜をスパッタリング法にて
生成させる場合には一般に真空ポンプで連続排ゴンガク
および＠量の酸素ガスを連続して流しながら行われるが
、この時の酸素ガス流量の変動が薄膜の膜質を大きく左
右する。即ち基準値を」―廻った酸素ガスが系内に流入
するとスパックリングされた酸化インジウム・錫粒子が
過酸化されて導電性不良の膜質が、又下廻った量しか流
入しなかった場合には逆に還元され透明性の好るしく損
われた膜質が得られる。従って高透明低抵抗の膜質を連
続して得るためには真空チャンバー内に導入する酸素ガ
ス流量を非常に精度良くコントロールしなければならな
い。しかるに市販のガス流量計では流量の数％程度はコ
ン１０−ル誤差として有している。市販ガスの 流＠旧では前述した微量の酸素ガス流量のコン１−ロー
ルができないため安定した高透明低抵抗の膜質を得るこ
とができなかった。
意検討した結果、高透明、低抵抗の酸化インジウム・錫
薄膜を生成するためにはインジウム、錫の酸化状態を限
定された領域にコントロールする必要のあることが判明
した。酸化インジウム・錫薄膜をスパッタリング法にて
生成させる場合には一般に真空ポンプで連続排ゴンガク
および＠量の酸素ガスを連続して流しながら行われるが
、この時の酸素ガス流量の変動が薄膜の膜質を大きく左
右する。即ち基準値を」―廻った酸素ガスが系内に流入
するとスパックリングされた酸化インジウム・錫粒子が
過酸化されて導電性不良の膜質が、又下廻った量しか流
入しなかった場合には逆に還元され透明性の好るしく損
われた膜質が得られる。従って高透明低抵抗の膜質を連
続して得るためには真空チャンバー内に導入する酸素ガ
ス流量を非常に精度良くコントロールしなければならな
い。しかるに市販のガス流量計では流量の数％程度はコ
ン１０−ル誤差として有している。市販ガスの 流＠旧では前述した微量の酸素ガス流量のコン１−ロー
ルができないため安定した高透明低抵抗の膜質を得るこ
とができなかった。
それ故高分子フィルムの如き連続巻取りロール状で取り
扱われることの多い物質上にかかる透明導電性薄膜を゛
連続安定して形成させることが非常に困難であった。
扱われることの多い物質上にかかる透明導電性薄膜を゛
連続安定して形成させることが非常に困難であった。
本発明者らは前述した問顯点を克服するため・、特別な
装置を設備することなく使用している酸素ガスを従来の
純酸素ガスをアルゴンがスで２〜５０倍（好ましくは３
倍から２０倍）に希釈したラインとこれとは別に純アル
ゴンガスの２つのラインを併せて使用することを考案し
た。
装置を設備することなく使用している酸素ガスを従来の
純酸素ガスをアルゴンがスで２〜５０倍（好ましくは３
倍から２０倍）に希釈したラインとこれとは別に純アル
ゴンガスの２つのラインを併せて使用することを考案し
た。
本発明により酸素ガスのコン１−ロール精度を数倍から
数十倍に上げ安定した膜質の高透明導電性薄膜を得るこ
とができた。
数十倍に上げ安定した膜質の高透明導電性薄膜を得るこ
とができた。
以下図面を用いて本発明を詳述する。
第１図ｔこおいてアンワインダ−１に巻き取ら」ｔだ高
分子フィルム例えばポリエチレンテレツクレートフィル
ム（以下ＰＥＴと略す）２をり一リングドラム３を介し
てワインダ−４に巻き取りながらインジウム・錫合金あ
るいはそれらの不十分な酸化物ターゲット５をスパッタ
リング陰極とし、陽極６、ガス導入管７より導入された
アルゴンガスを電界中でイオン化し、イオフ化されたア
ルゴンガスによりターゲット表面を激しくただくことに
よりはじき出された微細核金属粒子あるいは該金属の不
十分酸化状態粒子を飛行中に酸素ガスにより好しい状態
にまで酸化さぜＰＥＴフィルム上に透明電極として成膜
させる。この時導入管７に導入されるガス径路を更に詳
しく示したものが第２図である。アルゴンガス１００％
径路８、アルゴンガス希釈酸素ガス径路９、流量計１０
、ガスボンベ１１、スハンタリング時使用量の多いアル
ゴンガスで、使用量は少いが膜質に与える影響度の大き
い酸素ガスを希釈することにより酸素ガス流量のコント
ロール精度を上げるものである。
分子フィルム例えばポリエチレンテレツクレートフィル
ム（以下ＰＥＴと略す）２をり一リングドラム３を介し
てワインダ−４に巻き取りながらインジウム・錫合金あ
るいはそれらの不十分な酸化物ターゲット５をスパッタ
リング陰極とし、陽極６、ガス導入管７より導入された
アルゴンガスを電界中でイオン化し、イオフ化されたア
ルゴンガスによりターゲット表面を激しくただくことに
よりはじき出された微細核金属粒子あるいは該金属の不
十分酸化状態粒子を飛行中に酸素ガスにより好しい状態
にまで酸化さぜＰＥＴフィルム上に透明電極として成膜
させる。この時導入管７に導入されるガス径路を更に詳
しく示したものが第２図である。アルゴンガス１００％
径路８、アルゴンガス希釈酸素ガス径路９、流量計１０
、ガスボンベ１１、スハンタリング時使用量の多いアル
ゴンガスで、使用量は少いが膜質に与える影響度の大き
い酸素ガスを希釈することにより酸素ガス流量のコント
ロール精度を上げるものである。
実施例 １
２輔延伸ポリエステルフィルム（以下ＰＥＴと略す）、
厚みＬ ２５ ／Ａ Ｉｎ、２４７龍巾Ｘ１００ ｍ巻
ロールを乾燥語中で１００℃３日間乾燥し反応直流低温
高速ヌパノタリング装置（ＵＬＶＡＣ連続巻取式スパッ
タリング装置）に装着し、２ ｍ ／ ｍｉｎのフィル
ム速度で表面清浄化のため−にイオンボンバードを行い
、純アルゴンガス（純度９９．９９％以上）および純酸
素ガス（純度９９９９％以上）を純アルゴンガスで２０
倍に希釈した混合ガスを夫々２０ ＣＣ／ｎ＋ｉｎ お
よび６０ ＣＣ／ｍｉｎ ｔＤ流速でチャンバー内に導
入し圧力を３ Ｘ １０’Ｔｏｒｒにした。ターゲット
には酸化錫のドーグ量、が５％の酸化インジウム・錫を
用いプラズマが安定するまで約２０分間のプレスパツタ
リングを行った後、ＰＥＴフイ／Ｌ／ ムをＱ、 ５
ｍ ／／ｆｒＩｉｎで走行させながら表面に酸化インジ
ウム・錫をスパッタリングさせた。得られた透明導電性
フィルムの可視光線（波長５５０ｎｍ）透過率、表面抵
抗値を５ｍ間隔で測定した結果を別表−１に記載する。
厚みＬ ２５ ／Ａ Ｉｎ、２４７龍巾Ｘ１００ ｍ巻
ロールを乾燥語中で１００℃３日間乾燥し反応直流低温
高速ヌパノタリング装置（ＵＬＶＡＣ連続巻取式スパッ
タリング装置）に装着し、２ ｍ ／ ｍｉｎのフィル
ム速度で表面清浄化のため−にイオンボンバードを行い
、純アルゴンガス（純度９９．９９％以上）および純酸
素ガス（純度９９９９％以上）を純アルゴンガスで２０
倍に希釈した混合ガスを夫々２０ ＣＣ／ｎ＋ｉｎ お
よび６０ ＣＣ／ｍｉｎ ｔＤ流速でチャンバー内に導
入し圧力を３ Ｘ １０’Ｔｏｒｒにした。ターゲット
には酸化錫のドーグ量、が５％の酸化インジウム・錫を
用いプラズマが安定するまで約２０分間のプレスパツタ
リングを行った後、ＰＥＴフイ／Ｌ／ ムをＱ、 ５
ｍ ／／ｆｒＩｉｎで走行させながら表面に酸化インジ
ウム・錫をスパッタリングさせた。得られた透明導電性
フィルムの可視光線（波長５５０ｎｍ）透過率、表面抵
抗値を５ｍ間隔で測定した結果を別表−１に記載する。
表−１
実施例 比較例
５５０ ｎ ｍ光線透過率＊１
平均値 ８２．５１ ８１．９３
最大値 ８２，９ ８３．４
最小値 ８１８ ７８．８
実施例 比較例
表１＋￥１抵抗（Ω／口）＊２
平均値 ２４５ ２７１
最大（ｌｌ￥ ２８０ ４２０
最小１Ｆｊ ２１０ １７０
＊１ 日光分光工業■製ＵＶＩＤＥＣ５０５にて測定−
４：２ １１’Ｍ気＃製１ｔＪＪ７ｔｉｌｌｌ定ＨＭＯ
ＤＥＬ ＶＡ３０Ａにて４（１１定 実施例 ２ Ｊ） Ｅ Ｔフィルム厚み１２５μ口ｌ ２４７ｆｌ巾
Ｘ １０ Ｑ ｕ＋巻ロールを１００℃で３日間乾燥し
た後反応直流高速スパッタリング装置に装置し２０１／
口旨１１の速度でイオンボンバ−ドを行い、純アルゴン
ガスおよび純酸素ガスを純アルゴンガスで３倍に希釈し
た混合ガスを夫々３０ ＣＣ７ｍ ｉ ｎ および７０
ＣＣ／１ｎｉｎの流速でチャンバー内に導入し圧力を
３ Ｘ １０’−”Ｔｏｒｒにした。ターゲットには錫
のドーグ量５％のインジウム・錫合金ターゲフトを用い
プラズマが安定する迄約２０分間プレスパツタリングを
行った後ＰＥＴフィルムを０．５ ｍ／ｍｉｎで走行さ
せながら表面に酸化インジウム、錫をスパッタリングさ
せた、得られた透明導電性フィルムの可視光線透過率表
面抵抗値を５（７）間隔で測定した結果を別表−２に記
載する。
４：２ １１’Ｍ気＃製１ｔＪＪ７ｔｉｌｌｌ定ＨＭＯ
ＤＥＬ ＶＡ３０Ａにて４（１１定 実施例 ２ Ｊ） Ｅ Ｔフィルム厚み１２５μ口ｌ ２４７ｆｌ巾
Ｘ １０ Ｑ ｕ＋巻ロールを１００℃で３日間乾燥し
た後反応直流高速スパッタリング装置に装置し２０１／
口旨１１の速度でイオンボンバ−ドを行い、純アルゴン
ガスおよび純酸素ガスを純アルゴンガスで３倍に希釈し
た混合ガスを夫々３０ ＣＣ７ｍ ｉ ｎ および７０
ＣＣ／１ｎｉｎの流速でチャンバー内に導入し圧力を
３ Ｘ １０’−”Ｔｏｒｒにした。ターゲットには錫
のドーグ量５％のインジウム・錫合金ターゲフトを用い
プラズマが安定する迄約２０分間プレスパツタリングを
行った後ＰＥＴフィルムを０．５ ｍ／ｍｉｎで走行さ
せながら表面に酸化インジウム、錫をスパッタリングさ
せた、得られた透明導電性フィルムの可視光線透過率表
面抵抗値を５（７）間隔で測定した結果を別表−２に記
載する。
表−２
実施例 比較例
５５０ ｎ ｍ光線透過率（％）
平均値 ８１９６ ８２．１３
最大値 ８２．８ ８３．５
最小値 ８０．５ ７８．１
表面抵抗値（Ω／口）
平均値 ２６３ ．２７５
最大値 ３４０ ５１０
最小値 １９０ １５０
比較例 １
実施例−１と同様条件即ち１２５μｍ厚、２４７顛幅、
１００ｍ巻、ＰＥＴフィ）ｖ Ａを１００℃３日間乾燥
器中で乾燥した後反応直流低温高速スパッタリング装置
に装着し、２ ｍ ７ｍ ｉ ｎの速度てイオンボンバ
ードを行った。但しチャンバー内に導入するガスについ
ては希釈した酸素ガスは用いず純アルゴンガス（純度９
９９９％）および純酸素ガス（９９，９９％）を用いた
。純アルゴンガス７７ ＣＣ／■ｉｐ 、純酸素ガｙ、
３ （：Ｃ／＋ｎｉｎ をチャンバー内に導入し圧力
を３ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに調整した後実施例−１と
同一の方法でスパッタリングしフィルム評価を行った。
１００ｍ巻、ＰＥＴフィ）ｖ Ａを１００℃３日間乾燥
器中で乾燥した後反応直流低温高速スパッタリング装置
に装着し、２ ｍ ７ｍ ｉ ｎの速度てイオンボンバ
ードを行った。但しチャンバー内に導入するガスについ
ては希釈した酸素ガスは用いず純アルゴンガス（純度９
９９９％）および純酸素ガス（９９，９９％）を用いた
。純アルゴンガス７７ ＣＣ／■ｉｐ 、純酸素ガｙ、
３ （：Ｃ／＋ｎｉｎ をチャンバー内に導入し圧力
を３ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに調整した後実施例−１と
同一の方法でスパッタリングしフィルム評価を行った。
比較例 ２
純酸素ガスを純アルゴンガスで希釈したいわゆる混合ガ
スの代りに純酸素ガスを用いること以外は全て実施例−
２と同じ方法で行った。
スの代りに純酸素ガスを用いること以外は全て実施例−
２と同じ方法で行った。
即ち、スパッタリング装置にフィルムを装着した後、純
アルゴンガスおよび純酸素ガスを夫々７７ ＣＣ／＋ｎ
ｉ ｎおよび２３ ＣＣ／ｍｉｎ の流速でチャンバ
ー内に導入し後は実施例２と同一の方法を適用した。
アルゴンガスおよび純酸素ガスを夫々７７ ＣＣ／＋ｎ
ｉ ｎおよび２３ ＣＣ／ｍｉｎ の流速でチャンバ
ー内に導入し後は実施例２と同一の方法を適用した。
第１図はヌパ、タリングチャンバーの状況を説明するた
めの同断面略示図て、 第２図はクーゲット近傍へのガスの導入径路を示す説明
図である。 １ アンワインダ− ２、ＰＥＴ ） イ ル ム ３ クーリングドラム ４、 ワ イ ン ダ − ５ クーゲット（陰極） ６ 陽極 ７ ガス配管 ８ リ１気系 ９、 チャソバ− １０アルゴンガスライン １１ アルゴン＋酸素ガスライン １２ 流量計 １３−１アルゴンガスポンベ １３−２アルゴン＋酸素ガスボンベ
めの同断面略示図て、 第２図はクーゲット近傍へのガスの導入径路を示す説明
図である。 １ アンワインダ− ２、ＰＥＴ ） イ ル ム ３ クーリングドラム ４、 ワ イ ン ダ − ５ クーゲット（陰極） ６ 陽極 ７ ガス配管 ８ リ１気系 ９、 チャソバ− １０アルゴンガスライン １１ アルゴン＋酸素ガスライン １２ 流量計 １３−１アルゴンガスポンベ １３−２アルゴン＋酸素ガスボンベ
Claims (1)
- 不十分な酸化状態の酸化インジウム・錫又はインジウム
・錫合金のターゲットを使用して高分子フィルム上にス
パック法で透明導電性酸化インジウム・錫薄膜を形成せ
しめるに当りアルゴンで希釈した酸素とアルゴンとの混
合によって酸素濃度を調節した混合ガスをターゲット近
傍に導入することを特徴とする透明導電性膜の形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23498183A JPS60130008A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 透明導電性膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23498183A JPS60130008A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 透明導電性膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130008A true JPS60130008A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=16979270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23498183A Pending JPS60130008A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 透明導電性膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130008A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353260A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 反応性スパツタ装置 |
| JPH0170864U (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-11 | ||
| US5762768A (en) * | 1995-08-18 | 1998-06-09 | W.C. Heraeus Gmbh | Target for cathodic sputtering and method for producing the target |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23498183A patent/JPS60130008A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353260A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 反応性スパツタ装置 |
| JPH0170864U (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-11 | ||
| US5762768A (en) * | 1995-08-18 | 1998-06-09 | W.C. Heraeus Gmbh | Target for cathodic sputtering and method for producing the target |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4065600A (en) | Metal oxide films | |
| US6630980B2 (en) | Transparent flexible barrier for liquid crystal display devices and method of making the same | |
| JPS5939381B2 (ja) | 透明電導皮膜の形成方法 | |
| JPH02306223A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US5013416A (en) | Process for manufacturing transparent, conductive film | |
| WO2011048663A1 (ja) | 透明導電性フィルムロール及びその製造方法 | |
| CN101495303A (zh) | 透明多层膜及其制造方法以及液体透镜 | |
| JPH01283357A (ja) | 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 | |
| JP2002180247A (ja) | 透明導電積層体の製造方法および製造装置 | |
| JP2002060929A (ja) | Ｉｔｏ膜の成膜方法及び成膜装置 | |
| JPS58206008A (ja) | 透明導電性積層体の形成方法 | |
| JP3101962B2 (ja) | 半導体素子の製法 | |
| JPH0618908A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2004052078A (ja) | 透明導電性フィルム製造用ロールコーター式連続スパッタリング装置 | |
| JP3152249B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法及び測定装置 | |
| JPS647445B2 (ja) | ||
| US3805128A (en) | Cadmium sulfide thin film sustained conductivity device with cermet schottky contact | |
| JPH0817268A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| US4040927A (en) | Cadmium tellurite thin films | |
| JPS62222518A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0644836A (ja) | 透明導電薄膜の製造方法および装置 | |
| JPH0370326B2 (ja) | ||
| JP2725442B2 (ja) | 複合酸化物薄膜の製造方法及び空間光変調素子の製造方法 | |
| JPS60258460A (ja) | 透明導電性フイルムの製造方法 | |
| JPS6069834A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法およびその装置 |