JPS60131969A - 化学気相成長処理装置 - Google Patents
化学気相成長処理装置Info
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- JPS60131969A JPS60131969A JP23954083A JP23954083A JPS60131969A JP S60131969 A JPS60131969 A JP S60131969A JP 23954083 A JP23954083 A JP 23954083A JP 23954083 A JP23954083 A JP 23954083A JP S60131969 A JPS60131969 A JP S60131969A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- reaction chamber
- heater
- chemical vapor
- Prior art date
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化学気相成長処理装置に関し、一層詳細には、
シリコン基板等の被処理基板を必要処理温度まで迅速に
加熱昇温させ、かつ被処理基板表面を均一に加熱して、
生産性良く被処理基板表面に所望の皮膜を均一に被着形
成することのできる化学気相成長処理装置に関するもの
である。
シリコン基板等の被処理基板を必要処理温度まで迅速に
加熱昇温させ、かつ被処理基板表面を均一に加熱して、
生産性良く被処理基板表面に所望の皮膜を均一に被着形
成することのできる化学気相成長処理装置に関するもの
である。
化学気相成長処理装置は半導体基板またはセラミック基
板等の被処理基板上に二酸化シリコン（Ｓｉ０ｚ）膜、
窒化シリコン（ＳｉＪＮ＋ ）膜、リンシリケートガラ
ス（ＰＳＧ ）膜、多結晶シリコン膜等を被着形成処理
する目的で提供される。
板等の被処理基板上に二酸化シリコン（Ｓｉ０ｚ）膜、
窒化シリコン（ＳｉＪＮ＋ ）膜、リンシリケートガラ
ス（ＰＳＧ ）膜、多結晶シリコン膜等を被着形成処理
する目的で提供される。
これら装置においては一層の生産効率の向上と、被着形
成される皮膜が精度良く均一厚さに形成されることが要
望される。
成される皮膜が精度良く均一厚さに形成されることが要
望される。
このような気相成長処理に使用される化学気相成長用装
置は従′来より、例えば第１図に示す縦型構造および第
２図に示す横型構造のものがある。
置は従′来より、例えば第１図に示す縦型構造および第
２図に示す横型構造のものがある。
これらの装置においては、反応室１１．２１内に目的、
の皮膜被着処理のための原料ガス、例えばモノシラン（
ＳＩＩ１４）、ホスフィン（ＰＨａ ） 、酸素（０ｚ
）等を反応ガス導入管１２．２２より導入し、これを排
気管１３．２３により排気しながら反応室を加工のため
の適当な温度に保っている。そしてこの反応室１１．２
１内に処理すべき半導体基板またはセラミック基板１’
４．２４を支持台１５゜２５に載置して配設しておくこ
とにより、該被処理基板の表面に例えばシリコン化合物
膜、多結晶シリコン膜等の皮膜の被着形成処理をするこ
とができる。
の皮膜被着処理のための原料ガス、例えばモノシラン（
ＳＩＩ１４）、ホスフィン（ＰＨａ ） 、酸素（０ｚ
）等を反応ガス導入管１２．２２より導入し、これを排
気管１３．２３により排気しながら反応室を加工のため
の適当な温度に保っている。そしてこの反応室１１．２
１内に処理すべき半導体基板またはセラミック基板１’
４．２４を支持台１５゜２５に載置して配設しておくこ
とにより、該被処理基板の表面に例えばシリコン化合物
膜、多結晶シリコン膜等の皮膜の被着形成処理をするこ
とができる。
なお第１図において、１０はヒーターカバー、１６は加
熱体（ヒータ）、１７は反応ガス源、１８は冷却板、１
９はガス流バッファであり、また第２図において、２０
は圧力検知器、２６は加熱体、２７は反応ガス源、２８
は石英ガラス管である。
熱体（ヒータ）、１７は反応ガス源、１８は冷却板、１
９はガス流バッファであり、また第２図において、２０
は圧力検知器、２６は加熱体、２７は反応ガス源、２８
は石英ガラス管である。
上記第１図に示す縦型のものにあっては、主として加熱
体（ヒータ）１６からの熱輻射により支持台１５が加熱
され、その支持台１５からの熱伝導により、被処理基板
１４が所望温度に加熱される。そして被処理基板１４が
支持台１５に密着していることから被処理基板１４の温
度の均一制御が容易であるという利点がある。
体（ヒータ）１６からの熱輻射により支持台１５が加熱
され、その支持台１５からの熱伝導により、被処理基板
１４が所望温度に加熱される。そして被処理基板１４が
支持台１５に密着していることから被処理基板１４の温
度の均一制御が容易であるという利点がある。
しかしながら上記の場合、被処理基板１４は支持台１５
を介して加熱されるため、被処理基板１４表面で所望温
度を得ようとすれば、加熱体１６自体の温度は該所望温
度よりも１００℃〜２００℃高く設定せねばならず、し
かも輻射熱のみを利用するものであるから効率的でない
。また熱応答が遅いため、被処理基板１４を設置してか
ら所望温度に回復するのに１０〜２０分程度を程度、生
産性が著しく劣るという難点がある。さらにまた、被処
理基板１４は当然に支持台１５の一面側にしか設置でき
ず、両面に設置することは不可能であり、処理量的にも
生産性が劣る。さらには、被処理基板１４が大口径化さ
れるにつれ、加熱体１６を大型化せねばならず、加熱体
１６の高価格化をまぬがれ得ない。また加熱体１６が反
応室１１内に設置されるときは、例えばタンタル線等か
ら成る加熱体１６自体が、半導体装置の製造で最もきら
うアルカリ金属汚染やピンホールの原因となる粒子汚染
の発生源となる難点がある。
を介して加熱されるため、被処理基板１４表面で所望温
度を得ようとすれば、加熱体１６自体の温度は該所望温
度よりも１００℃〜２００℃高く設定せねばならず、し
かも輻射熱のみを利用するものであるから効率的でない
。また熱応答が遅いため、被処理基板１４を設置してか
ら所望温度に回復するのに１０〜２０分程度を程度、生
産性が著しく劣るという難点がある。さらにまた、被処
理基板１４は当然に支持台１５の一面側にしか設置でき
ず、両面に設置することは不可能であり、処理量的にも
生産性が劣る。さらには、被処理基板１４が大口径化さ
れるにつれ、加熱体１６を大型化せねばならず、加熱体
１６の高価格化をまぬがれ得ない。また加熱体１６が反
応室１１内に設置されるときは、例えばタンタル線等か
ら成る加熱体１６自体が、半導体装置の製造で最もきら
うアルカリ金属汚染やピンホールの原因となる粒子汚染
の発生源となる難点がある。
上記第２図に示される従来例における加熱体２６は、高
周波誘導加熱や抵抗加熱方式が採用しうる。
周波誘導加熱や抵抗加熱方式が採用しうる。
しかしながら高周波誘導加熱方式は、発振機が大型かつ
高価なこと、操作に危険が伴うこと、冷却水を多量に要
するなど種々の難点がある。また抵抗加熱方式も装置が
大型化する難点に加えて、石英ガラス管２８を被処理基
板２４より１０〜２０℃程高温に加熱するから、被処理
基板２４より石英ガラス管２８の方により多（皮膜が形
成されてしまうという難点がある。
高価なこと、操作に危険が伴うこと、冷却水を多量に要
するなど種々の難点がある。また抵抗加熱方式も装置が
大型化する難点に加えて、石英ガラス管２８を被処理基
板２４より１０〜２０℃程高温に加熱するから、被処理
基板２４より石英ガラス管２８の方により多（皮膜が形
成されてしまうという難点がある。
本発明は上記様々の難点を解消すべくなされ、その目的
とするところは、装置の小型化が図れると共に、生産性
良く被処理基板表面に所望の皮膜を均一に被着形成する
ことのできる化学気相成長処理装置を提供するにあり、
その特徴とするところは、反応ガス等を加熱手段を備え
た反応室内に導入し、反応室内に収容した被処理基板に
所望物質の皮膜を被着形成する化学気相成長処理装置に
おいて、前記加熱手段が、セラミック等から成る支持部
の表層もしくは表層近傍に抵抗体を敷設した、前記被処
理基板を密着支持する支持台兼用の加熱体であるところ
にある。
とするところは、装置の小型化が図れると共に、生産性
良く被処理基板表面に所望の皮膜を均一に被着形成する
ことのできる化学気相成長処理装置を提供するにあり、
その特徴とするところは、反応ガス等を加熱手段を備え
た反応室内に導入し、反応室内に収容した被処理基板に
所望物質の皮膜を被着形成する化学気相成長処理装置に
おいて、前記加熱手段が、セラミック等から成る支持部
の表層もしくは表層近傍に抵抗体を敷設した、前記被処
理基板を密着支持する支持台兼用の加熱体であるところ
にある。
以下添付図面に基づき本発明の好適な実施例を詳細に説
明する。
明する。
第３図に本発明に係る化学気相成長処理装置の概略の構
成を示す。
成を示す。
図において３０は本発明の主要構成となるセラミックヒ
ータである。セラミックヒータ３０はアルミナのシート
に抵抗体をプリントし、その上に絶縁保護層をコーティ
ングして、アルミナシート、抵抗体およびアルミナ保護
層を同時に高温で一体焼結されて成る。このセラミック
ヒータ３０上に被処理基板３１が保持される。３２は反
応ガス源であり、この反応ガス源３２からの反応ガスは
、バルブ３３を介してガス導入管３４を経由してメソシ
ュ状フィルタ３５から反応室３６内に導入される。未反
応ガスおよび未反応生成物は排気パイプ３７から排出さ
れる。なお３８および３９は金メッキされた反射板であ
り、セラミックヒータ３０の背後に配置され、輻射熱の
損失を防止している。
ータである。セラミックヒータ３０はアルミナのシート
に抵抗体をプリントし、その上に絶縁保護層をコーティ
ングして、アルミナシート、抵抗体およびアルミナ保護
層を同時に高温で一体焼結されて成る。このセラミック
ヒータ３０上に被処理基板３１が保持される。３２は反
応ガス源であり、この反応ガス源３２からの反応ガスは
、バルブ３３を介してガス導入管３４を経由してメソシ
ュ状フィルタ３５から反応室３６内に導入される。未反
応ガスおよび未反応生成物は排気パイプ３７から排出さ
れる。なお３８および３９は金メッキされた反射板であ
り、セラミックヒータ３０の背後に配置され、輻射熱の
損失を防止している。
この反射板３８．３９と前記のセラミックヒータ３０と
はスペーサ４１を介して所定の間隔をおいて固定配置さ
れ、これによってセラベックヒータ３０は反応室３６内
空間の所定位置に配置されているものである。セラミッ
クヒータ３０への給電は、上記のスペーサ４１中を貫通
して設けた電極取り出し線４０によってなされる。
はスペーサ４１を介して所定の間隔をおいて固定配置さ
れ、これによってセラベックヒータ３０は反応室３６内
空間の所定位置に配置されているものである。セラミッ
クヒータ３０への給電は、上記のスペーサ４１中を貫通
して設けた電極取り出し線４０によってなされる。
上記の化学気相成長処理装置を用いて、被処理基板３１
表面にリンシリケートガラス（ＰＳＧ ）を被着形成さ
せた実施例を以下に示す。
表面にリンシリケートガラス（ＰＳＧ ）を被着形成さ
せた実施例を以下に示す。
被処理基板としてシリコン基板を用い、セラミックヒー
タ３０上に保持する。セラミックヒータ３０に給電して
シリコン基板を４２０℃に加熱する。
タ３０上に保持する。セラミックヒータ３０に給電して
シリコン基板を４２０℃に加熱する。
モノシラン（Ｎ２ガスをベースとした４％ＳｉＨい流量
２００ｃｃ／ｍｉｎ ） 、ホスフィン（Ｎｚガスをベ
ースとした０、１％ＰＨｊ、流量６００ｃｃ／ｍｉｎ
） 、酸素（０２、流量２００ｃｃ ／ｗｉｎ’ ）を
窒素＜Ｎ！、流量３６／ｗｉｎ）をキ中リアガスとして
反応ガス源３２から、バルブ３３を介して、ガス導入管
３４、メツシュ状フィルタ３５を経由□して反応室３６
内に導入したところ、反応時間１０分間でシリコン基板
表面にリンシリケートガラス膜が３９００人の均一厚さ
で形成された。
２００ｃｃ／ｍｉｎ ） 、ホスフィン（Ｎｚガスをベ
ースとした０、１％ＰＨｊ、流量６００ｃｃ／ｍｉｎ
） 、酸素（０２、流量２００ｃｃ ／ｗｉｎ’ ）を
窒素＜Ｎ！、流量３６／ｗｉｎ）をキ中リアガスとして
反応ガス源３２から、バルブ３３を介して、ガス導入管
３４、メツシュ状フィルタ３５を経由□して反応室３６
内に導入したところ、反応時間１０分間でシリコン基板
表面にリンシリケートガラス膜が３９００人の均一厚さ
で形成された。
本発明においては、加熱体を、被処理基板３１を支持す
る支持台兼用のセラミックヒータに形成したことによっ
て、抵抗体がセラミックか６成る支持部および被処理基
板３１を直接伝達熱で加温することとなるから、熱応答
が速く、支持部および被処理基板３１の必要温度までの
昇温時間が、従来輻射熱で加温する場合には前記のごと
＜１０〜２０分も要していたのが、２〜３分程度の短時
間で済み、処理サイクルが短縮され、それだけ生産能率
が向上する。また被処理基板３１がセラミックヒータ３
０に密着することから被処理基板３１が均一温度に加温
され、得られる皮膜が理想的に均一厚さとなる。もちろ
ん支持部たるセラミックの昇温速度は、抵抗体自体の昇
温速度よりも若干遅いが、最終的には抵抗体の温度とほ
とんど一致する温度まで昇温するので、温度制御が電流
制御のみでも容易かつ正確に行える利点を有する。また
抵抗体の熱エネルギーが、支持部たるセラミックおよび
被処理基板３１を加温するのにのみ有効に利用されるか
ら、輻射熱として損失される度合は少なく、効率の良い
加熱が行える。そして支持部たるセラミックから失われ
る輻射熱は反射板３８゜３９によって有効に回収され、
したがってまた反応室３６の壁その他の部材をほとんど
加温することがないから、これら壁等には皮膜が化学気
相成長するのを阻止できる。
る支持台兼用のセラミックヒータに形成したことによっ
て、抵抗体がセラミックか６成る支持部および被処理基
板３１を直接伝達熱で加温することとなるから、熱応答
が速く、支持部および被処理基板３１の必要温度までの
昇温時間が、従来輻射熱で加温する場合には前記のごと
＜１０〜２０分も要していたのが、２〜３分程度の短時
間で済み、処理サイクルが短縮され、それだけ生産能率
が向上する。また被処理基板３１がセラミックヒータ３
０に密着することから被処理基板３１が均一温度に加温
され、得られる皮膜が理想的に均一厚さとなる。もちろ
ん支持部たるセラミックの昇温速度は、抵抗体自体の昇
温速度よりも若干遅いが、最終的には抵抗体の温度とほ
とんど一致する温度まで昇温するので、温度制御が電流
制御のみでも容易かつ正確に行える利点を有する。また
抵抗体の熱エネルギーが、支持部たるセラミックおよび
被処理基板３１を加温するのにのみ有効に利用されるか
ら、輻射熱として損失される度合は少なく、効率の良い
加熱が行える。そして支持部たるセラミックから失われ
る輻射熱は反射板３８゜３９によって有効に回収され、
したがってまた反応室３６の壁その他の部材をほとんど
加温することがないから、これら壁等には皮膜が化学気
相成長するのを阻止できる。
さらにまた本発明においては、セラミックヒータ３０を
反応室３６内空間に適宜部材によって支持することによ
って、セラミックヒータ３０の裏面側にも被処理基板３
１を保持して皮膜を化学気相成長させることが可能とな
る。この場合には必要に応じてセラミックの両面に抵抗
体を設けることができる。なお支持部たるセラミックは
厚さ約５１−程度の薄板に形成しうるから装置の小型化
が図れる。また上記の実施例においては加熱体の支持部
としてアルミナを使用する場合について説明したが、本
発明はこれに限られず、硬質ガラス、二酸化シリコン、
窒化シリコン等が有効に使用しうる。支持部の材質は処
理条件によって適宜選択される。
反応室３６内空間に適宜部材によって支持することによ
って、セラミックヒータ３０の裏面側にも被処理基板３
１を保持して皮膜を化学気相成長させることが可能とな
る。この場合には必要に応じてセラミックの両面に抵抗
体を設けることができる。なお支持部たるセラミックは
厚さ約５１−程度の薄板に形成しうるから装置の小型化
が図れる。また上記の実施例においては加熱体の支持部
としてアルミナを使用する場合について説明したが、本
発明はこれに限られず、硬質ガラス、二酸化シリコン、
窒化シリコン等が有効に使用しうる。支持部の材質は処
理条件によって適宜選択される。
第４図は他の実施例を示す。
図において５２は反応室であり、反応ガス源４２とバル
ブ４３を介して連結されている。４４は排気バルブ、４
５は圧力検知器である。
ブ４３を介して連結されている。４４は排気バルブ、４
５は圧力検知器である。
本実施例においては、反応室５２底部に配置した支持板
４６上に、前記と同様に構成したセラミックヒータ４７
を、多数枚所定間隔をおいて平行に起立して固設してい
る。被処理基板４８はこのセラミックヒータ４７の両面
に保持する。この場合において、セラミックヒータ４７
の両面を傾斜面に形成し、かつ該傾斜面上に被処理基板
４８の下縁を支持する突ピン（図示せず）等を設けてお
くことによって、被処理基板４８を傾斜面上に立て掛け
て保持しうる。
４６上に、前記と同様に構成したセラミックヒータ４７
を、多数枚所定間隔をおいて平行に起立して固設してい
る。被処理基板４８はこのセラミックヒータ４７の両面
に保持する。この場合において、セラミックヒータ４７
の両面を傾斜面に形成し、かつ該傾斜面上に被処理基板
４８の下縁を支持する突ピン（図示せず）等を設けてお
くことによって、被処理基板４８を傾斜面上に立て掛け
て保持しうる。
セラミックヒータ４７への給電は、支持板４６中を貫通
して引き出した電極取り出し線４９が電源５０に接続さ
れて行われる。なお５１は金メ・ツキされた反射板であ
る。
して引き出した電極取り出し線４９が電源５０に接続さ
れて行われる。なお５１は金メ・ツキされた反射板であ
る。
本実施例においても前記の実施例と同様の作用効果を奏
することは明白であろう。
することは明白であろう。
以下に、上記装置により、被処理基板４８の表面に、多
結晶シリコン層を被着形成された実施例を示す。
結晶シリコン層を被着形成された実施例を示す。
被処理基板としてシリコン基板を用いて、セラミックヒ
ータ４７の正面に保持し、加熱して７００℃に昇温させ
る。次に排気バルブ４４を開け、排気装置（図示せず）
によって排気しながら、バルブ４３を開けて反応室５２
内に反応ガス源４２から２０％のモノシラン（，５ｉｔ
ｌ＋）を含む窒素ガスを導入し、反応室５２内圧力を０
．５７ｏｒｒに保って、２０分間気相成長処理を行った
ところ、シリコン基板表面に４０００人の均一な厚さを
有する多結晶シリコン膜が得られた。なお反射板５１と
反応室５２との間を水冷することによって、反応室５２
内壁に多結晶シリコンがほとんど被着形成されなかった
。
ータ４７の正面に保持し、加熱して７００℃に昇温させ
る。次に排気バルブ４４を開け、排気装置（図示せず）
によって排気しながら、バルブ４３を開けて反応室５２
内に反応ガス源４２から２０％のモノシラン（，５ｉｔ
ｌ＋）を含む窒素ガスを導入し、反応室５２内圧力を０
．５７ｏｒｒに保って、２０分間気相成長処理を行った
ところ、シリコン基板表面に４０００人の均一な厚さを
有する多結晶シリコン膜が得られた。なお反射板５１と
反応室５２との間を水冷することによって、反応室５２
内壁に多結晶シリコンがほとんど被着形成されなかった
。
また上記の場合反応室内を減圧せずに行うこともできる
。
。
他の実施例としては図示しないが、反応室内に、セラミ
ックヒータを垂直方向に適宜間隔をおいて複数枚棚段状
に設け、各セラミックヒータの上下面に適宜保持手段に
よって被処理基板を保持するように構成することもでき
、垂直方向の空間を有効に利用することが可能となる。
ックヒータを垂直方向に適宜間隔をおいて複数枚棚段状
に設け、各セラミックヒータの上下面に適宜保持手段に
よって被処理基板を保持するように構成することもでき
、垂直方向の空間を有効に利用することが可能となる。
以上のように本発明に係る化学気相成長処理装置によれ
ば、加熱体を、被処理基板を支持する支持台兼用のヒー
タに形成したことによって、装置の小型化が図れると共
に、抵抗体の支持部および被処理基板を抵抗体からの直
接の伝達熱で加熱するから昇温速度が早く、生産効率が
大幅に増大する。また加熱体の両面に被処理基板を保持
することによる生産効率の向上も図れ、さらには加熱体
の温度制御が容易かつ正確に行え、均一な厚さの皮膜を
得ることができる。またさらには加熱体が周辺の部材を
無駄に加熱する度合が少ないから、周辺の部材への皮膜
形成を防止できる。
ば、加熱体を、被処理基板を支持する支持台兼用のヒー
タに形成したことによって、装置の小型化が図れると共
に、抵抗体の支持部および被処理基板を抵抗体からの直
接の伝達熱で加熱するから昇温速度が早く、生産効率が
大幅に増大する。また加熱体の両面に被処理基板を保持
することによる生産効率の向上も図れ、さらには加熱体
の温度制御が容易かつ正確に行え、均一な厚さの皮膜を
得ることができる。またさらには加熱体が周辺の部材を
無駄に加熱する度合が少ないから、周辺の部材への皮膜
形成を防止できる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第１図、第２図は従来の化学気相成長処理装置を示す説
明図である。 第３図は本発明に係る化学気相成長処理装置を示す説明
図、第４図は他の実施例を示す説明図である。 １０・・・ヒーターカバー、 １１・・・反応室、 １
２・・・反応ガス導入管、 １３・・・排気管、１４・
・・被処理基板、 １５・・・支持台、 １６・・・加
熱体（ヒータ）、１７・・・反応ガス源、 １Ｂ・・・
冷却板、 １９・・・ガス流バッファ、２０・・・圧力
検知器。 ２１・・・反応室、２２・・・反応ガス導入管。 ２３・・・排気管、２４・・・被処理基板。 ２５・・・支持台、２６・・・加熱体、２７・・・反応
ガス源、２８・・・石英ガラス管。 ３０・・・セラミックヒータ、３１・・・被処理基板、
３２・・・反応ガス源、３３・・・バルブ、３４・・・
ガス導入管、３５・・・メツシュ状フィルタ、３６・・
・反応室。 ３７・・・排気パイプ、 ３８．３９・・・反射板、４
０・・・電極取り出し線、４１・・・スペーサ、４２・
・・反応ガス源、４３・・・バルブ、４４・・・ｔＪＦ
気バルーｙ’、 ４５・・・圧力検知器、４６・・・
支持板、４７・・・セラミックヒータ、４８・・・被処
理基板。 ４９・・・電極取り出し線、５０・・・電源。 ５１・・・反射板、５２・・・反応室。 特許出願人 アプライド・マテリアルズ・ ジャパン株式会社 代表者岩崎哲夫 第１図 第２図 ６ 第３図 第４図
明図である。 第３図は本発明に係る化学気相成長処理装置を示す説明
図、第４図は他の実施例を示す説明図である。 １０・・・ヒーターカバー、 １１・・・反応室、 １
２・・・反応ガス導入管、 １３・・・排気管、１４・
・・被処理基板、 １５・・・支持台、 １６・・・加
熱体（ヒータ）、１７・・・反応ガス源、 １Ｂ・・・
冷却板、 １９・・・ガス流バッファ、２０・・・圧力
検知器。 ２１・・・反応室、２２・・・反応ガス導入管。 ２３・・・排気管、２４・・・被処理基板。 ２５・・・支持台、２６・・・加熱体、２７・・・反応
ガス源、２８・・・石英ガラス管。 ３０・・・セラミックヒータ、３１・・・被処理基板、
３２・・・反応ガス源、３３・・・バルブ、３４・・・
ガス導入管、３５・・・メツシュ状フィルタ、３６・・
・反応室。 ３７・・・排気パイプ、 ３８．３９・・・反射板、４
０・・・電極取り出し線、４１・・・スペーサ、４２・
・・反応ガス源、４３・・・バルブ、４４・・・ｔＪＦ
気バルーｙ’、 ４５・・・圧力検知器、４６・・・
支持板、４７・・・セラミックヒータ、４８・・・被処
理基板。 ４９・・・電極取り出し線、５０・・・電源。 ５１・・・反射板、５２・・・反応室。 特許出願人 アプライド・マテリアルズ・ ジャパン株式会社 代表者岩崎哲夫 第１図 第２図 ６ 第３図 第４図
Claims (1)
- ■１反応ガス等を加熱手段を備えた反応室内に導入し、
反応室内に収容した被処理基板に所望物質の皮−を被着
形成する化学気相成長処理装置において、前記加熱手段
が、セラミック等から成る支持部の表層もしくは表層近
傍に抵抗体を敷設した、前記被処理基板を密着支持する
支持台兼用の加熱体であることを特徴とする化学気相成
長処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23954083A JPS60131969A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 化学気相成長処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23954083A JPS60131969A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 化学気相成長処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131969A true JPS60131969A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=17046324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23954083A Pending JPS60131969A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 化学気相成長処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131969A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119926A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JPS6383275A (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
| JPH07278816A (ja) * | 1994-12-14 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP23954083A patent/JPS60131969A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119926A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JPS6383275A (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
| JPH07278816A (ja) * | 1994-12-14 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理方法 |
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