JPS60132321A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60132321A JPS60132321A JP24031183A JP24031183A JPS60132321A JP S60132321 A JPS60132321 A JP S60132321A JP 24031183 A JP24031183 A JP 24031183A JP 24031183 A JP24031183 A JP 24031183A JP S60132321 A JPS60132321 A JP S60132321A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- displacement
- sensor
- controller
- core tube
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に気相成長法
で絶縁膜又はエピタキシャル層を形成するにあたシ、膜
厚を所定の厚さに形成する半導体装置の製造方法に関す
る。
で絶縁膜又はエピタキシャル層を形成するにあたシ、膜
厚を所定の厚さに形成する半導体装置の製造方法に関す
る。
（従来技術）
従来の絶縁膜又はエピタキシャル層を形成する方法を第
１図に基き説明する。第１図に示すように、絶縁膜又は
エピタキシャル層を形成する成長装情の炉心管１の中に
半導体基板を並べたトレー２をセットする。次いで、ヒ
ーター４で成長温度まで加熱した状態で配管５からミッ
クスガスを流し、ディフュザー６から炉心管内にガスを
流す。
１図に基き説明する。第１図に示すように、絶縁膜又は
エピタキシャル層を形成する成長装情の炉心管１の中に
半導体基板を並べたトレー２をセットする。次いで、ヒ
ーター４で成長温度まで加熱した状態で配管５からミッ
クスガスを流し、ディフュザー６から炉心管内にガスを
流す。
そして炉心管終端からダクト８により未反応ガスを排気
しながら半導体基板３上に絶縁膜あるいはエピタキシャ
ル層を成長させる。このときダンパー７は手動で調製で
きる形になっているが、通常は調整したあとは固定した
状態で成長を行なっていた。
しながら半導体基板３上に絶縁膜あるいはエピタキシャ
ル層を成長させる。このときダンパー７は手動で調製で
きる形になっているが、通常は調整したあとは固定した
状態で成長を行なっていた。
従って、メインタクト９に接ワ１：されている他のダク
ト１０等の影響により、タクト８の排気量が変化してし
まう。そのため半導体基板３上に成長される膜厚を初め
膜買等に変化を生ずるという欠点があった。
ト１０等の影響により、タクト８の排気量が変化してし
まう。そのため半導体基板３上に成長される膜厚を初め
膜買等に変化を生ずるという欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、以上の問題点を除去し、炉心管外の外
部条件が変化する条件下でも、気相成長膜の膜厚の安定
と歩留りの優れた半導体装置の製造方法を提供するにあ
る。
部条件が変化する条件下でも、気相成長膜の膜厚の安定
と歩留りの優れた半導体装置の製造方法を提供するにあ
る。
（発明の構成）
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に気相
成長法によシ絶縁膜あるいはエピタキシャル層を形成す
る半導体装−の製造方法において、炉心管の終端からの
排気量を自動的に一足輌に制御することにより、外部か
らの影も・による排気蓋の変化をなくシ、成長される絶
縁膜あるいはエピタキシャル層の岸さのバラツキを抑え
ることによシ構成される。
成長法によシ絶縁膜あるいはエピタキシャル層を形成す
る半導体装−の製造方法において、炉心管の終端からの
排気量を自動的に一足輌に制御することにより、外部か
らの影も・による排気蓋の変化をなくシ、成長される絶
縁膜あるいはエピタキシャル層の岸さのバラツキを抑え
ることによシ構成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例を説明するだめの気相成長装
置の一例の構成図である。
置の一例の構成図である。
第２図において、１〜６に示す気相成長装置及び半導体
基板の設置等は従来の第１図と同様である。本発明に於
ては炉の直接の排気ダクト８′にわｌ。
基板の設置等は従来の第１図と同様である。本発明に於
ては炉の直接の排気ダクト８′にわｌ。
気倉を検知する１ｃめのセンサー１１を取り伺ける。
センサー１Ｆはコントローラ１２に接続する。コントロ
ーラ１２はコントローラに設定された値とセンサー１１
が検知した値を比較し、そのずれ分に相当する信号を＃
１動部１３にフィードバックし、ダンパー７′を自動的
に調整し、排気量を一定に維持する。
ーラ１２はコントローラに設定された値とセンサー１１
が検知した値を比較し、そのずれ分に相当する信号を＃
１動部１３にフィードバックし、ダンパー７′を自動的
に調整し、排気量を一定に維持する。
従って、メインダクト１４に接続されている他の夕゛ク
ト１５，１６の排気量：が変化しメインタクトの排気条
件に変化が生じてもダクト８′の排気１では一定に維持
できるので、十得体基板に成長される膜厚は格に一定に
維持することが出来、膜ｊ早のバラツキのすくない半導
体装（至）を製造することが出来る。
ト１５，１６の排気量：が変化しメインタクトの排気条
件に変化が生じてもダクト８′の排気１では一定に維持
できるので、十得体基板に成長される膜厚は格に一定に
維持することが出来、膜ｊ早のバラツキのすくない半導
体装（至）を製造することが出来る。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の半導体装す−の製造方法
によれば、炉心管を用いた気相成長法によシ絶縁膜ある
いはエピタキシャル層を成長させる際に常に膜厚のバラ
ツキのすくない半導体装置を製造することができ、製品
の歩怪りを上昇させることができる。
によれば、炉心管を用いた気相成長法によシ絶縁膜ある
いはエピタキシャル層を成長させる際に常に膜厚のバラ
ツキのすくない半導体装置を製造することができ、製品
の歩怪りを上昇させることができる。
第１図は従来の半導体装置の製造方法に用いる気相成長
膜りの一例の構成図、第２図は本発明の一実施例を説明
するための気相成長装置の構成図である。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・トレー、３・・
・・・・半導体基板、４・・・・・・加熱部、５・・・
・・・ミックスガス導入部、６・・・・・・ディフュー
ザー、７，７′・・・・・・ダンパー、８゜８′・・・
・・・炉心管に接続されている排気ダクト、９・・・・
°・メインタクト、１０，１５．１６・・・・・・メイ
ンタクトに接続されている他のダクト、１１・旧・・排
気量検知センサー、１２・・・・・排気量コントローラ
、１３・・・・・・久ンパー躯動部。
膜りの一例の構成図、第２図は本発明の一実施例を説明
するための気相成長装置の構成図である。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・トレー、３・・
・・・・半導体基板、４・・・・・・加熱部、５・・・
・・・ミックスガス導入部、６・・・・・・ディフュー
ザー、７，７′・・・・・・ダンパー、８゜８′・・・
・・・炉心管に接続されている排気ダクト、９・・・・
°・メインタクト、１０，１５．１６・・・・・・メイ
ンタクトに接続されている他のダクト、１１・旧・・排
気量検知センサー、１２・・・・・排気量コントローラ
、１３・・・・・・久ンパー躯動部。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に気相成長法によシ絶縁膜あるいは
エピタキシャル層を形成する半導体装置の製造方法にお
いて、炉心管の終端からの拶１気ｔえを自動的に一定量
に制御することによシ、外部からの影曽によるお卜気量
の変化をなくシ、成長される絶縁膜あるいはエピタキシ
ャル層の厚さのバラツキを抑えることを栖徴とする半導
体装置の製造方法。 - （２）炉心管の終端からの排気量を自動的に一定量に制
御する手段が、炉心管の終端に接続された排気ダクトに
設置された排気量を検知するためのセンサーと、該セン
サーからの信号を読み取り設定した値と比較し制御信号
を出すコントローラと、該コントローラよシ出された信
号によシダンパーを駆動させる駆動部と、ｉ動部によ多
制御されるダンパーにより構成される特許請求の範囲第
（１）項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24031183A JPS60132321A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24031183A JPS60132321A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132321A true JPS60132321A (ja) | 1985-07-15 |
Family
ID=17057566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24031183A Pending JPS60132321A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132321A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4748135A (en) * | 1986-05-27 | 1988-05-31 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device by vapor phase deposition using multiple inlet flow control |
| US20160042984A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate Heating Device, Substrate Heating Method and Computer-Readable Storage Medium |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP24031183A patent/JPS60132321A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4748135A (en) * | 1986-05-27 | 1988-05-31 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device by vapor phase deposition using multiple inlet flow control |
| US20160042984A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate Heating Device, Substrate Heating Method and Computer-Readable Storage Medium |
| US9991140B2 (en) * | 2014-08-08 | 2018-06-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate heating device, substrate heating method and computer-readable storage medium |
| US10256122B2 (en) | 2014-08-08 | 2019-04-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate heating method |
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