JPS60133652A - 蛍光ランプ - Google Patents
蛍光ランプInfo
- Publication number
- JPS60133652A JPS60133652A JP23988283A JP23988283A JPS60133652A JP S60133652 A JPS60133652 A JP S60133652A JP 23988283 A JP23988283 A JP 23988283A JP 23988283 A JP23988283 A JP 23988283A JP S60133652 A JPS60133652 A JP S60133652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluorescent lamp
- fluorescent
- resistance value
- conductive coating
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/54—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting
- H01J61/545—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting using an auxiliary electrode inside the vessel
Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は粒径が小さい螢光体を用いた螢光膜を有し、ク
リプトン捷たはキセノンを封入した螢光１ランプに関す
るものである。
リプトン捷たはキセノンを封入した螢光１ランプに関す
るものである。
６波長域発光形螢光ランプなどのように粒径が１０μｍ
以下の小さな螢光体を使用する螢光ラングでは、通常の
螢光ランプのように封入ガスとじてアルゴンを用いる場
合は問題ないが、省電力形とするためにクリプトンまた
はキセノ／を含む希ガスを封入する場合には螢光ランプ
の起動性が悪くなり、特に低温下においては商用電源電
圧で点灯しないという欠点があった。ガラス管内面に透
明の導電被膜（ネサ膜）を有するラピッドスタート形螢
光ランプの起動は、まず電極と電極近傍の導電被膜との
間でグロー放電が発生し、このグロー放電が螢光ランプ
の両端の電極から管中央に進展゛してつながるとアーク
放電に移行し螢光ランプが・起動することにカる。６波
長域発光形螢光ランプなどのように上記導電被膜の上に
塗布した螢光体の粒径が小さくなると、螢光膜がち密に
なるだめ導電被膜への電流が流れにくくなり、さらにク
リプトンまたはキセノン等を含むガスはアルゴンガ１ス
に較べて電離しにくいので、上記グロー放電は管中央の
方に進展しにくく、このため起動性が悪くなる。この対
策として従来螢光ランプ内の導電被膜の抵抗を低くする
ことや、導電被膜上にアルミナ保護膜を厚く塗布するこ
とが試みられているが、上記起動性の悪さを完全に解決
するには至っていない。
以下の小さな螢光体を使用する螢光ラングでは、通常の
螢光ランプのように封入ガスとじてアルゴンを用いる場
合は問題ないが、省電力形とするためにクリプトンまた
はキセノ／を含む希ガスを封入する場合には螢光ランプ
の起動性が悪くなり、特に低温下においては商用電源電
圧で点灯しないという欠点があった。ガラス管内面に透
明の導電被膜（ネサ膜）を有するラピッドスタート形螢
光ランプの起動は、まず電極と電極近傍の導電被膜との
間でグロー放電が発生し、このグロー放電が螢光ランプ
の両端の電極から管中央に進展゛してつながるとアーク
放電に移行し螢光ランプが・起動することにカる。６波
長域発光形螢光ランプなどのように上記導電被膜の上に
塗布した螢光体の粒径が小さくなると、螢光膜がち密に
なるだめ導電被膜への電流が流れにくくなり、さらにク
リプトンまたはキセノン等を含むガスはアルゴンガ１ス
に較べて電離しにくいので、上記グロー放電は管中央の
方に進展しにくく、このため起動性が悪くなる。この対
策として従来螢光ランプ内の導電被膜の抵抗を低くする
ことや、導電被膜上にアルミナ保護膜を厚く塗布するこ
とが試みられているが、上記起動性の悪さを完全に解決
するには至っていない。
本発明はろ波長域発光形螢光ランプなどのように粒径が
小さい螢光体を使用し、かつ省電力形とするためにクリ
プトンまたはキセノンを含む希ガスを封入したラピッド
スタート形螢光ランプの起動性を改善することを目的と
する。
小さい螢光体を使用し、かつ省電力形とするためにクリ
プトンまたはキセノンを含む希ガスを封入したラピッド
スタート形螢光ランプの起動性を改善することを目的と
する。
螢光膜は製造工程において通常ガラス管を鉛直に保持し
て上部から螢光体塗料を流し込んで塗布するので、その
膜厚は上部が薄く下部が厚くなる螢光膜が厚いのは問題
ないが、螢光ランプの電極近傍に」上記のような螢光膜
が薄い部分があると、その部分は電極と導電被膜との間
に電流が流れや１すくなり、電極→導電被膜分電極と流
れる螢光ランプ起動前のグロー放電電流は螢光膜が薄い
部分に集中してしまい、グロー放電が螢光ランプ中央に
進展してアーク放電に移行しない。この状態を防止する
だめに本発明による螢光ランプは、導電被膜上に平均粒
径が１０μｍ以］ミの粒子を５重量係以上含む螢光膜を
有し、クリプトン捷だはキセノンを含む希ガスを封入し
た螢光ランプにおいて、螢光膜が薄い側の電極近傍領域
の透明導電被膜の平均抵抗値を螢光ラングの中央部領域
の透明導電被膜抵抗値の５倍以上にしたことにより、グ
ロー放電電流が螢光膜が薄い電極近傍領域に集中するの
を防ぎ螢光ランプの起動性を改善したものである。
て上部から螢光体塗料を流し込んで塗布するので、その
膜厚は上部が薄く下部が厚くなる螢光膜が厚いのは問題
ないが、螢光ランプの電極近傍に」上記のような螢光膜
が薄い部分があると、その部分は電極と導電被膜との間
に電流が流れや１すくなり、電極→導電被膜分電極と流
れる螢光ランプ起動前のグロー放電電流は螢光膜が薄い
部分に集中してしまい、グロー放電が螢光ランプ中央に
進展してアーク放電に移行しない。この状態を防止する
だめに本発明による螢光ランプは、導電被膜上に平均粒
径が１０μｍ以］ミの粒子を５重量係以上含む螢光膜を
有し、クリプトン捷だはキセノンを含む希ガスを封入し
た螢光ランプにおいて、螢光膜が薄い側の電極近傍領域
の透明導電被膜の平均抵抗値を螢光ラングの中央部領域
の透明導電被膜抵抗値の５倍以上にしたことにより、グ
ロー放電電流が螢光膜が薄い電極近傍領域に集中するの
を防ぎ螢光ランプの起動性を改善したものである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する第１図は
本発明による省電力形ラビッドスター１・螢光ランプの
一実施例を示す部分断面図、第２図は螢光体中に粒径１
０μｍ以下の粒子が含せれる割合と放電開始電圧との関
係を示す図、第６図は電１極から対向電極の方へＸ離れ
た点Ｐを含む位置と管端との間の導電被膜を除いた場合
におけるＸの距離と放電開始電圧との関係を示す図、第
４図は螢光ランプの電極近傍領域の導電被膜抵抗Ｒと螢
光ランプ中央部領域の導電被膜抵抗Ｒ８との比と放電開
始電圧との関係を示す図である。第１図に示すように本
実施例による省電力形ラピッドスタート螢光ランプは、
ガラス管１の内面に酸化すずを主成分とした透明な導電
被膜２を設け、この上に形成した微粒のアルミナからな
る保護膜６上に螢光膜４を塗布して電極５を封着し、水
銀および希ガスとしてクリプトンを主成分としたガスを
封入している。上記省電力形ラピッドスタート螢光ラン
プを用いて、螢光体粒子の粒径比率、導電被膜の状態お
よび抵抗値を変えた場合の放電開始電圧の変化をつきに
示す。第２図は螢光膜中における粒径１０μｎｌ以下の
粒子の重量係と放電開始電圧（■３）との関係を示すも
ので、平均粒径が１０μｍ１１以下の粒子が５重量饅未
満では放電開始電圧の上昇が見られないが、５重量係以
上になると放電量１始電圧が急速に上昇する。第６図は
上記螢光ランプの螢光膜の膜厚が薄い側の端部において
、第１図に示すように電極５かも対向電極の方向への距
離がＸである点をＰとしたとき、このＰ点を含む位置か
ら管端までの長さｌの間に導電被膜２がない場合につい
て距離Ｘと放電開始電圧との関係を測定した結果を示す
図である。図において導電被膜２がない領域がｘ ）
５Ｑ ｍｍ、すなわち電極５の前方（対向電極の方向）
５０＋ｎｒｎをこえた場合には放電開始電圧が上昇する
。これにより螢光膜４が薄い方の電極５から約５９ 、
ｍ ｍ以内の距離範囲の電極近傍領域の導電被膜２の抵
抗を高くすることによって、放電開始電圧の上昇を防止
できることが判明した。」上記電極５の近傍領域の導電
被膜２の抵抗値が螢光ランプの中央部領域の導電被膜２
の！抵抗値に対してどの位高ぐずればよいかを知るため
に、前者をＲｋΩ／ｃｍ、後者をＲ６１９７ｃｍとしＲ
／Ｒｏを変化させて放電開始電圧を得た結果を第４図に
示す。第４図から明らかなようにＲ／ ｉｔ 。
本発明による省電力形ラビッドスター１・螢光ランプの
一実施例を示す部分断面図、第２図は螢光体中に粒径１
０μｍ以下の粒子が含せれる割合と放電開始電圧との関
係を示す図、第６図は電１極から対向電極の方へＸ離れ
た点Ｐを含む位置と管端との間の導電被膜を除いた場合
におけるＸの距離と放電開始電圧との関係を示す図、第
４図は螢光ランプの電極近傍領域の導電被膜抵抗Ｒと螢
光ランプ中央部領域の導電被膜抵抗Ｒ８との比と放電開
始電圧との関係を示す図である。第１図に示すように本
実施例による省電力形ラピッドスタート螢光ランプは、
ガラス管１の内面に酸化すずを主成分とした透明な導電
被膜２を設け、この上に形成した微粒のアルミナからな
る保護膜６上に螢光膜４を塗布して電極５を封着し、水
銀および希ガスとしてクリプトンを主成分としたガスを
封入している。上記省電力形ラピッドスタート螢光ラン
プを用いて、螢光体粒子の粒径比率、導電被膜の状態お
よび抵抗値を変えた場合の放電開始電圧の変化をつきに
示す。第２図は螢光膜中における粒径１０μｎｌ以下の
粒子の重量係と放電開始電圧（■３）との関係を示すも
ので、平均粒径が１０μｍ１１以下の粒子が５重量饅未
満では放電開始電圧の上昇が見られないが、５重量係以
上になると放電量１始電圧が急速に上昇する。第６図は
上記螢光ランプの螢光膜の膜厚が薄い側の端部において
、第１図に示すように電極５かも対向電極の方向への距
離がＸである点をＰとしたとき、このＰ点を含む位置か
ら管端までの長さｌの間に導電被膜２がない場合につい
て距離Ｘと放電開始電圧との関係を測定した結果を示す
図である。図において導電被膜２がない領域がｘ ）
５Ｑ ｍｍ、すなわち電極５の前方（対向電極の方向）
５０＋ｎｒｎをこえた場合には放電開始電圧が上昇する
。これにより螢光膜４が薄い方の電極５から約５９ 、
ｍ ｍ以内の距離範囲の電極近傍領域の導電被膜２の抵
抗を高くすることによって、放電開始電圧の上昇を防止
できることが判明した。」上記電極５の近傍領域の導電
被膜２の抵抗値が螢光ランプの中央部領域の導電被膜２
の！抵抗値に対してどの位高ぐずればよいかを知るため
に、前者をＲｋΩ／ｃｍ、後者をＲ６１９７ｃｍとしＲ
／Ｒｏを変化させて放電開始電圧を得た結果を第４図に
示す。第４図から明らかなようにＲ／ ｉｔ 。
≧５、すなわち電極近傍領域の導電被膜の抵抗値が中央
部領域の導電被膜の抵抗値の５倍以上の場合には放電開
始電圧を十分に低下させることができるが、電極近傍領
域の導電被膜抵抗値が中央部領域の導電被膜抵抗値の５
倍未満であるときは放電開始電圧を低下させることがで
きない。なお、第４図における曲線の点線で示しだ部分
６は前記第５図に示した電極近傍領域に導電被膜が存在
しない場合の放電開始電圧である。上記の結果によｐ４
０Ｗ用のガラス管を用い、螢光膜４が薄くなる側の管端
から電極５の前方５Ｑ ｍｍの範囲にわたる電極近傍領
域の導電被膜２の平均抵抗値が、螢光ランプ中央部領域
の導電被膜抵抗値の５倍以上になるように形成した導電
被膜２上に粒径１０μｍ以下の粒子を５重量係以上含む
螢光膜４を塗布し、封入ガスとしてクリプトンを含む希
ガスを用い、通常の工程にしだがって４０Ｗの５波長域
発光形の省電力形ラピッドスタート螢光ランプを製造し
た。
部領域の導電被膜の抵抗値の５倍以上の場合には放電開
始電圧を十分に低下させることができるが、電極近傍領
域の導電被膜抵抗値が中央部領域の導電被膜抵抗値の５
倍未満であるときは放電開始電圧を低下させることがで
きない。なお、第４図における曲線の点線で示しだ部分
６は前記第５図に示した電極近傍領域に導電被膜が存在
しない場合の放電開始電圧である。上記の結果によｐ４
０Ｗ用のガラス管を用い、螢光膜４が薄くなる側の管端
から電極５の前方５Ｑ ｍｍの範囲にわたる電極近傍領
域の導電被膜２の平均抵抗値が、螢光ランプ中央部領域
の導電被膜抵抗値の５倍以上になるように形成した導電
被膜２上に粒径１０μｍ以下の粒子を５重量係以上含む
螢光膜４を塗布し、封入ガスとしてクリプトンを含む希
ガスを用い、通常の工程にしだがって４０Ｗの５波長域
発光形の省電力形ラピッドスタート螢光ランプを製造し
た。
その結果、０℃における放電開始電圧は１８０〜１９０
■であった。従来この種螢光ランプのＱ℃における放電
開始電圧は１９０〜２０５■であったため低温時に点灯
しない場合があったが、本発明による螢光ランプは０℃
においても商用電源電圧２００■で点灯することが十分
可能になった。
■であった。従来この種螢光ランプのＱ℃における放電
開始電圧は１９０〜２０５■であったため低温時に点灯
しない場合があったが、本発明による螢光ランプは０℃
においても商用電源電圧２００■で点灯することが十分
可能になった。
上記のように本発明による螢光ラングは、導電被膜上に
形成した平均粒径が１ｏμｍ以下の粒子を５重量％以上
含む螢光膜を有し、クリブトノまたはキセノンを含む希
ガスを封入した螢光ランプにおいて、螢光膜が薄い側の
電極近傍領域の導電被膜の平均抵抗値を螢光ランプ中央
部領域の導電被膜抵抗値の５倍以上にしたことによって
、螢光膜が薄い側の電極近傍で生じるグロー放電の集中
を防ぎグロー放電からアーク放電への移行を容易にした
ため、上記螢光ランプの放電開始電圧を低下させること
ができ、０℃の低温でも容易に点灯ｐＪ’１能な６波長
域発光形の省電力形ラピッドスター１・螢光ランプを製
造することができる。
形成した平均粒径が１ｏμｍ以下の粒子を５重量％以上
含む螢光膜を有し、クリブトノまたはキセノンを含む希
ガスを封入した螢光ランプにおいて、螢光膜が薄い側の
電極近傍領域の導電被膜の平均抵抗値を螢光ランプ中央
部領域の導電被膜抵抗値の５倍以上にしたことによって
、螢光膜が薄い側の電極近傍で生じるグロー放電の集中
を防ぎグロー放電からアーク放電への移行を容易にした
ため、上記螢光ランプの放電開始電圧を低下させること
ができ、０℃の低温でも容易に点灯ｐＪ’１能な６波長
域発光形の省電力形ラピッドスター１・螢光ランプを製
造することができる。
第１図は本発明による省電力形ラピノドスクート螢光ラ
ンプの一実施例を示す部分断面図、第２図は螢光体中に
粒径１ｏμｍ以下の粒子が含捷れる割合と放電開始電圧
との関係を示す図、第６図は電極から対向電極の方へＸ
離れた点Ｐを含む位置と管端との間の導電被膜を除いた
場合におけるＸの距離と放電開始電圧との関係を示す図
、第４図は螢光ランプの電極近傍領域の導電被膜抵抗と
中央部領域の導電被膜抵抗との比と放電開始電圧との関
係を示す図である。 ２・・・導電被膜 ４・・螢光膜 ５ ・電極 代理人弁理士 中イ」純之助
ンプの一実施例を示す部分断面図、第２図は螢光体中に
粒径１ｏμｍ以下の粒子が含捷れる割合と放電開始電圧
との関係を示す図、第６図は電極から対向電極の方へＸ
離れた点Ｐを含む位置と管端との間の導電被膜を除いた
場合におけるＸの距離と放電開始電圧との関係を示す図
、第４図は螢光ランプの電極近傍領域の導電被膜抵抗と
中央部領域の導電被膜抵抗との比と放電開始電圧との関
係を示す図である。 ２・・・導電被膜 ４・・螢光膜 ５ ・電極 代理人弁理士 中イ」純之助
Claims (1)
- 導電被膜上に形成した平均粒径が１０μｍ以下の粒子を
５重量係以上含む螢光膜を有し、クリプトン捷たはキセ
ノンを含む希ガスを封入した螢光ランプにおいて、上記
螢光膜が薄い側の電極近傍領域における導電被膜の平均
抵抗値を、螢光ランプ・中央部領域における導電被膜の
平均抵抗値の５倍１以上としたことを特徴とする螢光ラ
ンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23988283A JPS60133652A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 蛍光ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23988283A JPS60133652A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 蛍光ランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133652A true JPS60133652A (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=17051279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23988283A Pending JPS60133652A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 蛍光ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133652A (ja) |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP23988283A patent/JPS60133652A/ja active Pending
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