JPS60136276A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60136276A JPS60136276A JP24341283A JP24341283A JPS60136276A JP S60136276 A JPS60136276 A JP S60136276A JP 24341283 A JP24341283 A JP 24341283A JP 24341283 A JP24341283 A JP 24341283A JP S60136276 A JPS60136276 A JP S60136276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- laser
- semiconductor laser
- phase
- end surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は元へトロダイン通信、光へゾロダイン計測用の
光源に係り、半導体し−ザ元源の縦モード巾を狭く出来
かつ波便変動ケ制何するためのモニタ元を簡易に得るこ
とが出来る半導体レーザ装置に関する。
光源に係り、半導体し−ザ元源の縦モード巾を狭く出来
かつ波便変動ケ制何するためのモニタ元を簡易に得るこ
とが出来る半導体レーザ装置に関する。
（ｂ）′従来技術と問題点
半導体レーザな、元へテロタ１ン通信２元へテロダイン
針側に用いるためには該半導体レーザの縦モード巾の減
少及び発振波長の安定化が必要である。従来、縦モード
巾を減少するのには反射光の帰還を行ない、又発振波長
の安定化の為には、光を一部モニタしＡＦＣ回路を用い
てＶ長制御を行なっていた。しかしこの実現プ法として
、少なくとも一方は、信号用の元の一部を用いている為
送信パワーが減少し長距離伝送には不利であり、又これ
等の機能を満足するのには一つの装置とせねばならず大
形になると共ｌこ光学系の、、ｌＳ錆等が困難で歩留り
が悪く実用に耐えるものではなかった。
針側に用いるためには該半導体レーザの縦モード巾の減
少及び発振波長の安定化が必要である。従来、縦モード
巾を減少するのには反射光の帰還を行ない、又発振波長
の安定化の為には、光を一部モニタしＡＦＣ回路を用い
てＶ長制御を行なっていた。しかしこの実現プ法として
、少なくとも一方は、信号用の元の一部を用いている為
送信パワーが減少し長距離伝送には不利であり、又これ
等の機能を満足するのには一つの装置とせねばならず大
形になると共ｌこ光学系の、、ｌＳ錆等が困難で歩留り
が悪く実用に耐えるものではなかった。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、半導体レーザの縦
モード巾の減少及び発振波長の安定化を、信号光の強度
７略とさすかつ小形で藺牟に出来る半導体レーザ装置の
提供にある。
モード巾の減少及び発振波長の安定化を、信号光の強度
７略とさすかつ小形で藺牟に出来る半導体レーザ装置の
提供にある。
（ｄＪ 発明の構成
本発明は上記の目的な達成するために、半導体レーザの
レーザ光出射片端面側に光ファイバを置き、出射光をモ
ニタ元として該光ファイバに入射させると共に該元ファ
イバ端面からの反射光な該半導体レーザ内の元の位相と
合致するよう該−レーザ元出射端面側に帰還させ縦モー
ド巾を狭くすることを可能にし、又該モニタ元を外部の
ＡＦＣ又はＡ２０回路に入射し其の出力を該半導体レー
ザのバイアスζこ帰還して波長制御を行なうことが出来
るようにしたものである。
レーザ光出射片端面側に光ファイバを置き、出射光をモ
ニタ元として該光ファイバに入射させると共に該元ファ
イバ端面からの反射光な該半導体レーザ内の元の位相と
合致するよう該−レーザ元出射端面側に帰還させ縦モー
ド巾を狭くすることを可能にし、又該モニタ元を外部の
ＡＦＣ又はＡ２０回路に入射し其の出力を該半導体レー
ザのバイアスζこ帰還して波長制御を行なうことが出来
るようにしたものである。
（ｅ） 発明の実施例
下
以１本発明の実施例につき図に従って説明する。
第１図〜第３図は本発明の実施例のブロック図である。
図中１は半導体レーザ、２はヒートシンクを兼ねる半導
体レーザのマウント部、３，４．５は元ファイバ、６は
信号光として用いる前方出力光、７は後方出力光、８は
受光器、９．１０は反射面、１１は形状加工部を示す。
体レーザのマウント部、３，４．５は元ファイバ、６は
信号光として用いる前方出力光、７は後方出力光、８は
受光器、９．１０は反射面、１１は形状加工部を示す。
第１図〜第３図共半導体レーザーの前方出力光６は信号
光として用い、後方出力光７を元ファイバ３〜５に入射
させ、受光器８にて元をモニタ出来ろようにしている。
光として用い、後方出力光７を元ファイバ３〜５に入射
させ、受光器８にて元をモニタ出来ろようにしている。
第１図では短い元ファイバ３の先端を凸面にし℃レンズ
効果を持たせ、元ファイバ３に入射した九を反射面１０
１こて反射させ、半導体レーザｌに帰還させている。こ
の場合半導体レーザ１に帰還しん元の位相と半導体レー
ザ１内の元の位相を同位相ｌこするのは半導体レーザ１
の温度又はバイアス電流透わずか変化させることで可能
であり、このようにすることにより縦モード巾を狭くす
ることか出来る。
効果を持たせ、元ファイバ３に入射した九を反射面１０
１こて反射させ、半導体レーザｌに帰還させている。こ
の場合半導体レーザ１に帰還しん元の位相と半導体レー
ザ１内の元の位相を同位相ｌこするのは半導体レーザ１
の温度又はバイアス電流透わずか変化させることで可能
であり、このようにすることにより縦モード巾を狭くす
ることか出来る。
第２図では元ファイバ４の先端乞凹面にし、凹面になっ
た反射面９１こて後方出力光７を反射させ半導体レーザ
ｌに帰還している。この場合必要に応じてミラーコーテ
ィングをする事Ｏこより反射率Ｒを５０％程度ｌこする
ことも出来る。この場合半導体１１こ帰還した元の位相
と牛専体し−サｌ内の光の位相な同位相にするのは元フ
ァイバ４と半導体レーザｌとの距離をかえることによっ
て可能であり、縦モード巾を狭くすることが出来る。
た反射面９１こて後方出力光７を反射させ半導体レーザ
ｌに帰還している。この場合必要に応じてミラーコーテ
ィングをする事Ｏこより反射率Ｒを５０％程度ｌこする
ことも出来る。この場合半導体１１こ帰還した元の位相
と牛専体し−サｌ内の光の位相な同位相にするのは元フ
ァイバ４と半導体レーザｌとの距離をかえることによっ
て可能であり、縦モード巾を狭くすることが出来る。
第３図は第２図の場合で反射面９を半導体レーザ１の後
方出射面に近づけるために形状加工部１１にて元ファイ
バ５のクラッド部分を加工した例である。
方出射面に近づけるために形状加工部１１にて元ファイ
バ５のクラッド部分を加工した例である。
上記受光器８にて受光した元は外部のＡｌｌ’Ｃ又はＡ
ＦＣ回路等に導かれ半導体レーザ１のバイアス電流を可
変することで波長制御を行なうことが出来る。以上の場
合はいづれも後方出力光を用いているので信号に用いる
元パワーを減少することはなく又Ａｆ’Ｃ又はＡ２０回
路と一体にすることはンλ＜ｌｘるので光学形の調整は
容易となり又小形化可能となる。
ＦＣ回路等に導かれ半導体レーザ１のバイアス電流を可
変することで波長制御を行なうことが出来る。以上の場
合はいづれも後方出力光を用いているので信号に用いる
元パワーを減少することはなく又Ａｆ’Ｃ又はＡ２０回
路と一体にすることはンλ＜ｌｘるので光学形の調整は
容易となり又小形化可能となる。
（ｆｌ 発明の効果
以上詳細に説明せる如く、本発明によれは、半導体レー
ザの後方出力光を元ファイバ（ごて反射させると共にモ
ニタ元を受光器ｔこて受光することで縦モード巾の減少
及び発振ｆＢＬ長の安定化かＩｊＪ能となるので、半導
体レーザの縦モードｌ］の減少及び発振波長の安定化を
信号光の強度を洛とさず小形で簡易１こ出来る効果があ
る。
ザの後方出力光を元ファイバ（ごて反射させると共にモ
ニタ元を受光器ｔこて受光することで縦モード巾の減少
及び発振ｆＢＬ長の安定化かＩｊＪ能となるので、半導
体レーザの縦モードｌ］の減少及び発振波長の安定化を
信号光の強度を洛とさず小形で簡易１こ出来る効果があ
る。
第１図〜第３図は本発明の実施例のブロック図である。
図中１は半導体レーザ、２はマウント部、３〜５は元フ
ァイバ、６は信号光として用いる前方出力光、７は後方
出力光、８は受光器、９．１０は反射面、１１は形状加
工部を示″ｆ。
ァイバ、６は信号光として用いる前方出力光、７は後方
出力光、８は受光器、９．１０は反射面、１１は形状加
工部を示″ｆ。
Claims (1)
- 半導体レーザのレーザ光出射片端面側に元ファイバを置
き、出射光をモニタ元として眼光ファイバに入射させる
と共に該元フィイバ端面からの反射光を該半導体レーザ
内の元の位相と合致するよう該レーザ光出射片端面側に
帰還させることを可能にしたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24341283A JPS60136276A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24341283A JPS60136276A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136276A true JPS60136276A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17103476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24341283A Pending JPS60136276A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136276A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279889A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Nec Corp | Semiconductor laser device for high speed modulation |
| JPS5595389A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
| JPS5680193A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24341283A patent/JPS60136276A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279889A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Nec Corp | Semiconductor laser device for high speed modulation |
| JPS5595389A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
| JPS5680193A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
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