JPS60143418A - 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 - Google Patents
多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置Info
- Publication number
- JPS60143418A JPS60143418A JP24780983A JP24780983A JPS60143418A JP S60143418 A JPS60143418 A JP S60143418A JP 24780983 A JP24780983 A JP 24780983A JP 24780983 A JP24780983 A JP 24780983A JP S60143418 A JPS60143418 A JP S60143418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant current
- head
- power supply
- magnetic
- head device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/105—Mounting of head within housing or assembling of head and housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/17—Construction or disposition of windings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気抵抗効果素子（以下Ｍ）を素子という
）を用いた多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置
に係わる。
）を用いた多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置
に係わる。
背景技術とその問題点
Ｍ几素子を用いた磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドという）
においては、各チャンネルに関するＭ几素子が、これに
対する外部磁界、すなわち磁気記録媒体上の記録によっ
て得られる信号磁界によって出力を得るためには、この
ＭｆＬ素子に定電流を流してこのＭ几素子における外部
磁界による抵抗変化に基づく電圧変化によって出力を取
出す必要がある。この種ＭＲ，素子による多チャンネル
磁気ヘッドにおいては、簡単な構成にするために、外部
の定電圧電源から各ＭＲ素子を並列にして定電流を供給
するようにすることが望まれる。このため各チャンネル
のＭ几素子にはこれに直列に定電流を得るための高抵抗
を接続する必要がある。
においては、各チャンネルに関するＭ几素子が、これに
対する外部磁界、すなわち磁気記録媒体上の記録によっ
て得られる信号磁界によって出力を得るためには、この
ＭｆＬ素子に定電流を流してこのＭ几素子における外部
磁界による抵抗変化に基づく電圧変化によって出力を取
出す必要がある。この種ＭＲ，素子による多チャンネル
磁気ヘッドにおいては、簡単な構成にするために、外部
の定電圧電源から各ＭＲ素子を並列にして定電流を供給
するようにすることが望まれる。このため各チャンネル
のＭ几素子にはこれに直列に定電流を得るための高抵抗
を接続する必要がある。
まず、第１図を参照して従来のＭＦＬヘッド装置の電気
的構成を説明するに、図においてＨはＭ几ヘッドであっ
て、このＭｆＬヘッドＨ内のＭＲ８１，ＭＲｌ。
的構成を説明するに、図においてＨはＭ几ヘッドであっ
て、このＭｆＬヘッドＨ内のＭＲ８１，ＭＲｌ。
ＭＲ２・・・・・・ＭＲｎ、Ｍ〜２は各チャンネルに対
応して設けられたＭＲ，素子で、両端のＭＲ素子Ｍ Ｒ
ｓ ！及びＭＲｆ３２は、゛磁気記録媒体の幅方向の位
置を検出するものであシ、ＭＲｌ、ＭＲ２・・・・・・
ＭＲｎは、各記録ト２ツク上の記録信号を読み出すもの
である。これらＭＲ素子は外部信号磁界すなわち磁気記
録媒体よりの記録信号磁界に応じてその抵抗値が変化し
、各ＭＲ素子の一端に定゛屯流用の高抵抗の抵抗素子Ｒ
が直列に接続され、その接続中点から各チャンネルに対
応する出力端子ｔｓｉ ｌ ｔｉ ＋ ’２・・・・・
・’ｎ ｒ ’８２が導出される。各ＭＲ素子の各他端
は接地され、また各抵抗素子Ｒの他端は電源端子ｔｂを
介して定電圧直流電源Ｓに接続されて一定の電圧が与え
られるようになされるものである。抵抗素子Ｒは各ＭＲ
素子の抵抗値の２〜３倍程度の抵抗値に設定される。尚
、ＭＲ素子の固定抵抗値は１００Ω程度で、この抵抗値
が外部磁界によって、１’１程度変化する。
応して設けられたＭＲ，素子で、両端のＭＲ素子Ｍ Ｒ
ｓ ！及びＭＲｆ３２は、゛磁気記録媒体の幅方向の位
置を検出するものであシ、ＭＲｌ、ＭＲ２・・・・・・
ＭＲｎは、各記録ト２ツク上の記録信号を読み出すもの
である。これらＭＲ素子は外部信号磁界すなわち磁気記
録媒体よりの記録信号磁界に応じてその抵抗値が変化し
、各ＭＲ素子の一端に定゛屯流用の高抵抗の抵抗素子Ｒ
が直列に接続され、その接続中点から各チャンネルに対
応する出力端子ｔｓｉ ｌ ｔｉ ＋ ’２・・・・・
・’ｎ ｒ ’８２が導出される。各ＭＲ素子の各他端
は接地され、また各抵抗素子Ｒの他端は電源端子ｔｂを
介して定電圧直流電源Ｓに接続されて一定の電圧が与え
られるようになされるものである。抵抗素子Ｒは各ＭＲ
素子の抵抗値の２〜３倍程度の抵抗値に設定される。尚
、ＭＲ素子の固定抵抗値は１００Ω程度で、この抵抗値
が外部磁界によって、１’１程度変化する。
更に、電源Ｓには、その信号周波数に対するインピーダ
ンスを低下させて動作を安定させるために、バイパスコ
ンデンサＣｂが並列に接続される。
ンスを低下させて動作を安定させるために、バイパスコ
ンデンサＣｂが並列に接続される。
各出力端子ｔＳｌ ＋ ｔｌ”’−ｊｒｌ ＋ ｔ８２
は、それぞれ信号導出用コンデンサＣを介して、対応す
る高利得前置増幅器Ａの各入力側に接続される。これら
の増幅器は、図示を省略した並列／直列変換器等と共に
、すべて１個のモノリシック半導体集積回路（以下ＩＣ
と言う）内に構成され、後述のように、合成樹脂製のケ
ーシング内に、各信号導出用コンデンサＣの集合体であ
るコンデンサアレイＣＡと共に収容され、またＭＲヘッ
ドＨと一体化されて、全体としてＭＲヘッド装置が構成
される。
は、それぞれ信号導出用コンデンサＣを介して、対応す
る高利得前置増幅器Ａの各入力側に接続される。これら
の増幅器は、図示を省略した並列／直列変換器等と共に
、すべて１個のモノリシック半導体集積回路（以下ＩＣ
と言う）内に構成され、後述のように、合成樹脂製のケ
ーシング内に、各信号導出用コンデンサＣの集合体であ
るコンデンサアレイＣＡと共に収容され、またＭＲヘッ
ドＨと一体化されて、全体としてＭＲヘッド装置が構成
される。
なお、ＩＣには、ＭＲヘッド用の電源Ｓとは別に一用意
された、外部電源Ｂから所要の直方が供給されるが、こ
の電源Ｂにも安定化用コンデンサＣｂｂか並列に接続さ
れている。
された、外部電源Ｂから所要の直方が供給されるが、こ
の電源Ｂにも安定化用コンデンサＣｂｂか並列に接続さ
れている。
ここで、第２図及び第３図を参照しながら、従来のＭＲ
ヘッド装置の機械的構成例について説明する。
ヘッド装置の機械的構成例について説明する。
両図において、ＭｌヘッドＨは、上述のようなＭＲ素子
及び抵抗素子其の他を搭載した磁性基板（１）と、ＭＲ
素子等を保護するために接着された、耐摩耗性の保護基
板（ＩＰ）から構成される。（２αは合成樹脂製のケー
シングであって、このケーシング（イ）の一方の端部に
突出したヘッドマウント部（２１）にＭＲヘッドＨが取
シ付けられる。ケーシング■の他方の端部には複数のリ
ード（２２１が埋設されている。（ハ）はＩＣであって
、リード（２りがケーシング（２（］Ｉ内で幅広になっ
ているＩＣ取付部（２２Ａ）に載置される。ＩＣ取付部
（２２Ａ）の裏側には、熱伝導度の高い金属放熱体（２
滲の一方の面（２４ａ）が固着される。放熱体（財）の
他方の面（２４ｂ）はケーシングＣ１！０）の外部に露
出しておシ、その中央部にはネジ孔（ハ）が設けられ、
ＭＲヘッド装置の取付及びＩＣの放熱の便が図られる。
及び抵抗素子其の他を搭載した磁性基板（１）と、ＭＲ
素子等を保護するために接着された、耐摩耗性の保護基
板（ＩＰ）から構成される。（２αは合成樹脂製のケー
シングであって、このケーシング（イ）の一方の端部に
突出したヘッドマウント部（２１）にＭＲヘッドＨが取
シ付けられる。ケーシング■の他方の端部には複数のリ
ード（２２１が埋設されている。（ハ）はＩＣであって
、リード（２りがケーシング（２（］Ｉ内で幅広になっ
ているＩＣ取付部（２２Ａ）に載置される。ＩＣ取付部
（２２Ａ）の裏側には、熱伝導度の高い金属放熱体（２
滲の一方の面（２４ａ）が固着される。放熱体（財）の
他方の面（２４ｂ）はケーシングＣ１！０）の外部に露
出しておシ、その中央部にはネジ孔（ハ）が設けられ、
ＭＲヘッド装置の取付及びＩＣの放熱の便が図られる。
ケーシング００）のへラドマウント部（２１）と放熱体
（２４１の間には凹部（イ）が設けられ、コンデンサア
レイ（２７）が収容される。
（２４１の間には凹部（イ）が設けられ、コンデンサア
レイ（２７）が収容される。
（至）は印刷配線板であって、例えばガラスエポキシ積
層板を基材とし、その上下両面（３０ａ）及び（３０ｂ
）に所要の印刷配線が形成されている。例えば、コンデ
ンサアレイ（２７）の各コンデンサは２列に配列されて
おシ、その正、負の電極端子（２８）及び（２）もそれ
ぞれ２列に整列している。従って、印刷配線板（至）の
下面（３０ｂ）には、上述の電極端子（至）及び（２澱
に対向して、複数対のランドＯυ及び０７Ｊが配設され
、対応する電極端子とランドとがそれぞれに予め被着さ
れた半田のりフローによって接続される。
層板を基材とし、その上下両面（３０ａ）及び（３０ｂ
）に所要の印刷配線が形成されている。例えば、コンデ
ンサアレイ（２７）の各コンデンサは２列に配列されて
おシ、その正、負の電極端子（２８）及び（２）もそれ
ぞれ２列に整列している。従って、印刷配線板（至）の
下面（３０ｂ）には、上述の電極端子（至）及び（２澱
に対向して、複数対のランドＯυ及び０７Ｊが配設され
、対応する電極端子とランドとがそれぞれに予め被着さ
れた半田のりフローによって接続される。
また、印刷配線板（至）の上面（３０ａ）の両端縁部に
は、コンデンサアレイ（２７）の各コンデンサをＩＣ（
ハ）並びにＭＲヘッドＨとボンディングワイヤＷによっ
て接続するために、ビンディングパッド（至）及び図が
配設される。なお、ランド０υ、（３カと対応するポン
ディングパッド（２）、ｔ３４Ｉとを接続するため、適
宜のスルーホール（図示を省略）が設けられる。また、
（至）は電源パッドであって、定電圧電源Ｓからの導線
が接続される。（２）はアースパッドである。
は、コンデンサアレイ（２７）の各コンデンサをＩＣ（
ハ）並びにＭＲヘッドＨとボンディングワイヤＷによっ
て接続するために、ビンディングパッド（至）及び図が
配設される。なお、ランド０υ、（３カと対応するポン
ディングパッド（２）、ｔ３４Ｉとを接続するため、適
宜のスルーホール（図示を省略）が設けられる。また、
（至）は電源パッドであって、定電圧電源Ｓからの導線
が接続される。（２）はアースパッドである。
次に、第４図ないし第６図を参照してこのようなＭＲヘ
ッドＨの機械的構成例を更に詳細に説明する。第４図は
このＭＲヘッドの路線的平面図を示し、第５図及び第６
図は第４図中ｖ−ｖ’及びＭ −Ｍ’線上の夫々の断面
図を示す。
ッドＨの機械的構成例を更に詳細に説明する。第４図は
このＭＲヘッドの路線的平面図を示し、第５図及び第６
図は第４図中ｖ−ｖ’及びＭ −Ｍ’線上の夫々の断面
図を示す。
第４図〜第６図において（１）は磁性基板を示し、この
磁性基板（１）が例えばＭｎ −Ｚｎ系フェライトのよ
うな導電性を有する場合には５ｉ０２等の絶縁層（３）
を被覆する。この絶縁層（３）下には金属層例えばＡ１
１層（２）を１００〜２０００ Ｘ程度の厚さにスパッ
タ等によつて被着し、この金属層（２）の介在によって
絶縁層（３）をＭｎ −Ｚｎ系７エライト等の基板（１
）に良好に密着できるようにする。そして磁性基板（１
）上に形成された絶縁層（３）上に各記録トラックに対
応するチャンネルｃｈ１ 、 ｃｈ２・・・・・・ｃｂ
Ｈとその両側に配置される磁気媒体の幅方向の位置検出
用のチャンネルｃｈＢ１ 、 ｃｂＨ２の各ＭＲ素子に
対して共通にバイアス磁界を与えるバイアス磁界発生用
の電流を通ずるバイアス導体（４）を各チャンネルの配
列方向に沿って延在被着すると共に各配線導体（５）を
被着形成する。これら導体（４）及び（５）は金属層を
全面的に蒸着、スパッタリング等によって形成し、リン
グラフィ技術によってこれを選択的にエツチング除去し
て、夫々所定のＡ？ターンに形成し得る。また配線導体
（５）としては、後述する各ＭＲ素子の一端と、同様に
後述する定電流用抵抗素子凡の一端とを接続するに供す
る配線導体（５ａ）と、この配線導体（５ａ）から外部
に各出力端子を導出するに供する信号とシ出し用の配線
導体（５ｂ）と、更に各ＭＲ素子の他端とこれに所定の
電位、例えば接地電位を印加する給電配線とを接続する
に供する配線導体（５Ｃ）と、更に必要に応じて定電流
用抵抗素子Ｒの他端に接続される島状導体（５ｄ）とを
設けてなる。そしてこれらバイアス導体（４）及び配線
導体（５）を覆って、５ｔ０２等の絶縁層（６）を被覆
し、この絶縁層（６）に同様にリソグラフィによって各
チャンネルのＭＲ，素子の両端が夫々接続される配線導
体（５ａ）及び（５Ｇ）の端部上に夫々ＭＲ素子の両端
を接続するに供するコンタクト用窓（７ａ）及び（７Ｃ
）を穿設すると同時に同様に配線導体（５ａ）の他端と
島状導体（５ｄ）上に夫々後述する定電流用抵抗素子凡
の各両端を接続するに供するコンタクト用窓（７ａつ及
び（７ｄ）を穿設する。
磁性基板（１）が例えばＭｎ −Ｚｎ系フェライトのよ
うな導電性を有する場合には５ｉ０２等の絶縁層（３）
を被覆する。この絶縁層（３）下には金属層例えばＡ１
１層（２）を１００〜２０００ Ｘ程度の厚さにスパッ
タ等によつて被着し、この金属層（２）の介在によって
絶縁層（３）をＭｎ −Ｚｎ系７エライト等の基板（１
）に良好に密着できるようにする。そして磁性基板（１
）上に形成された絶縁層（３）上に各記録トラックに対
応するチャンネルｃｈ１ 、 ｃｈ２・・・・・・ｃｂ
Ｈとその両側に配置される磁気媒体の幅方向の位置検出
用のチャンネルｃｈＢ１ 、 ｃｂＨ２の各ＭＲ素子に
対して共通にバイアス磁界を与えるバイアス磁界発生用
の電流を通ずるバイアス導体（４）を各チャンネルの配
列方向に沿って延在被着すると共に各配線導体（５）を
被着形成する。これら導体（４）及び（５）は金属層を
全面的に蒸着、スパッタリング等によって形成し、リン
グラフィ技術によってこれを選択的にエツチング除去し
て、夫々所定のＡ？ターンに形成し得る。また配線導体
（５）としては、後述する各ＭＲ素子の一端と、同様に
後述する定電流用抵抗素子凡の一端とを接続するに供す
る配線導体（５ａ）と、この配線導体（５ａ）から外部
に各出力端子を導出するに供する信号とシ出し用の配線
導体（５ｂ）と、更に各ＭＲ素子の他端とこれに所定の
電位、例えば接地電位を印加する給電配線とを接続する
に供する配線導体（５Ｃ）と、更に必要に応じて定電流
用抵抗素子Ｒの他端に接続される島状導体（５ｄ）とを
設けてなる。そしてこれらバイアス導体（４）及び配線
導体（５）を覆って、５ｔ０２等の絶縁層（６）を被覆
し、この絶縁層（６）に同様にリソグラフィによって各
チャンネルのＭＲ，素子の両端が夫々接続される配線導
体（５ａ）及び（５Ｇ）の端部上に夫々ＭＲ素子の両端
を接続するに供するコンタクト用窓（７ａ）及び（７Ｃ
）を穿設すると同時に同様に配線導体（５ａ）の他端と
島状導体（５ｄ）上に夫々後述する定電流用抵抗素子凡
の各両端を接続するに供するコンタクト用窓（７ａつ及
び（７ｄ）を穿設する。
そして、ＭＲ効果を有する金属層例えばＮｉ−Ｆｅ系合
金或いはＮｉ −Ｃｏ系合金薄膜を蒸着、ス・ヤツタリ
ンク等ニヨッてこれら６窓（７ａ） 、（７ａ’） 、
（７ｃ） 。
金或いはＮｉ −Ｃｏ系合金薄膜を蒸着、ス・ヤツタリ
ンク等ニヨッてこれら６窓（７ａ） 、（７ａ’） 、
（７ｃ） 。
（７ｄ）上を含んで全面的に形成し、同様にリソグラフ
ィ技術によって選択的にエツチング除去して各チャンネ
ルに対応するＭＲ素子ＭＲ，Ｓｉ、ＭＲｌ、ＭＲ，２・
・・・・・Ｍ、Ｒｎ、 ｊｄＲｓ２を共通の・ぐイアス
導体（４）上に形成すると共に、その両端から各配線導
体（５ａ）及び（５Ｃ）の端部上に形成したコンタクト
窓（７ａ）及び（７Ｃ）に延在させてこれら各ＭＲ素子
の両端を夫々の対応する配線導体（５ａ）及び（５Ｃ）
に電気的に接続させる。ＭＲ２〜ＭＲｎはＭＲｌと同一
構成であるので、以下の説明及び−面では記載を省略す
る。一方この各ＭＲ素子の形成と同時に導体（５ａ）及
び（５ｄ）の各コンタクト窓（７ａ’）及び（７ｄ’）
間に差し渡って例えば帯状パターンに定電流用抵抗素子
Ｒを形成する。
ィ技術によって選択的にエツチング除去して各チャンネ
ルに対応するＭＲ素子ＭＲ，Ｓｉ、ＭＲｌ、ＭＲ，２・
・・・・・Ｍ、Ｒｎ、 ｊｄＲｓ２を共通の・ぐイアス
導体（４）上に形成すると共に、その両端から各配線導
体（５ａ）及び（５Ｃ）の端部上に形成したコンタクト
窓（７ａ）及び（７Ｃ）に延在させてこれら各ＭＲ素子
の両端を夫々の対応する配線導体（５ａ）及び（５Ｃ）
に電気的に接続させる。ＭＲ２〜ＭＲｎはＭＲｌと同一
構成であるので、以下の説明及び−面では記載を省略す
る。一方この各ＭＲ素子の形成と同時に導体（５ａ）及
び（５ｄ）の各コンタクト窓（７ａ’）及び（７ｄ’）
間に差し渡って例えば帯状パターンに定電流用抵抗素子
Ｒを形成する。
そして更にこれら各１’ｔ４Ｒ素子及び定電流用抵抗素
子Ｒ上を含んで５ｉ０２等の絶縁層（８）を全面的に被
着形成する。そして基板（１）上に積層形成された各絶
縁層、特に基板（１）の前方端繰上に臨む各チャンネル
の形成部において、必要に応じてこれら絶縁層の積層部
を所要の厚さすなわち最終的に得る磁気ギャップ長に対
応・する厚さにエツチング除去し、更に各ＭＲ素子ＭＲ
ｓ１．ＭＲ１，・・−・・ＭＲｓ２の各両端、すなわち
図においてコ字状パターンの端部間に挟まれる部分にお
ける基板（１）上の金属層（２）或いは絶縁層（３１、
（６１、（８）を必要に応じてエツチング除去して後述
する上部磁性体層の基板（１１に対するコンタクト用の
窓（９）を穿設する。そしてこのコンタクト窓（９）、
更に磁気ギャップ部を含んで各ＭＲ素子上を跨ぐように
例えば／Ｊ？−マロイ、センダスト等の高透磁率磁性合
金層をスパッタリング等によって被着しフォトリングラ
フィによってこれをパターン化して各チャンネルｃｈｓ
１ 、 ｃｈｌ 、 ｃｈ２− ｃｈｎ。
子Ｒ上を含んで５ｉ０２等の絶縁層（８）を全面的に被
着形成する。そして基板（１）上に積層形成された各絶
縁層、特に基板（１）の前方端繰上に臨む各チャンネル
の形成部において、必要に応じてこれら絶縁層の積層部
を所要の厚さすなわち最終的に得る磁気ギャップ長に対
応・する厚さにエツチング除去し、更に各ＭＲ素子ＭＲ
ｓ１．ＭＲ１，・・−・・ＭＲｓ２の各両端、すなわち
図においてコ字状パターンの端部間に挟まれる部分にお
ける基板（１）上の金属層（２）或いは絶縁層（３１、
（６１、（８）を必要に応じてエツチング除去して後述
する上部磁性体層の基板（１１に対するコンタクト用の
窓（９）を穿設する。そしてこのコンタクト窓（９）、
更に磁気ギャップ部を含んで各ＭＲ素子上を跨ぐように
例えば／Ｊ？−マロイ、センダスト等の高透磁率磁性合
金層をスパッタリング等によって被着しフォトリングラ
フィによってこれをパターン化して各チャンネルｃｈｓ
１ 、 ｃｈｌ 、 ｃｈ２− ｃｈｎ。
ｃｂＨ２に対応して各ＭＲ素子ＭＲｓ１．ＭＲ１−・・
ＭＲｓ２上に所要の間隙ｄを保持して対向する対の磁気
コア部となる上部磁性体（１０ａ）及び（１０ｂ）を例
えば帯状に形成する。この上部磁性体（１０ａ）及び（
１０ｂ）は夫々ＭＲ素子を横切る方向に延長して形成さ
れ、前方の上部磁性体（１０ａ） ｉｆ磁性基板（１）
の前方端から各ＭＲ素子上に跨がシ、また後方の上部磁
性体（ｉｏｂ）はＭＲ素子上からコンタクト窓（９）を
通じて基板（１）に磁気的に密に結合される。このよう
にして各チャンネルに関して基板（１）と上部磁性体（
１０ａ）及び（ｉｏｂ）によってＭＲ素子ＭＲ８１、Ｍ
Ｒｌ・−−−−−ＭＲＢ２を含んで夫々の閉磁路が形成
される。一方、抵抗素子Ｒの他端上の絶縁層（８）にコ
ンタクト窓（ｌｉｄ）を穿設し、また配線導体（５Ｃ）
の他端上の絶縁層（８）とこれの下の絶縁層（６）にコ
ンタクト窓（ｌｌｃ）を穿設し各窓（ｌｌｃ）及び（ｌ
ｉｄ）に対応して夫々各チャンネル部を横切るように共
通の給電配線導体（【２Ｊ及び［１３を例えば全面蒸着
、フォトリソグラフィによるエツチングによる／ぐター
ン化によって形成する。
ＭＲｓ２上に所要の間隙ｄを保持して対向する対の磁気
コア部となる上部磁性体（１０ａ）及び（１０ｂ）を例
えば帯状に形成する。この上部磁性体（１０ａ）及び（
１０ｂ）は夫々ＭＲ素子を横切る方向に延長して形成さ
れ、前方の上部磁性体（１０ａ） ｉｆ磁性基板（１）
の前方端から各ＭＲ素子上に跨がシ、また後方の上部磁
性体（ｉｏｂ）はＭＲ素子上からコンタクト窓（９）を
通じて基板（１）に磁気的に密に結合される。このよう
にして各チャンネルに関して基板（１）と上部磁性体（
１０ａ）及び（ｉｏｂ）によってＭＲ素子ＭＲ８１、Ｍ
Ｒｌ・−−−−−ＭＲＢ２を含んで夫々の閉磁路が形成
される。一方、抵抗素子Ｒの他端上の絶縁層（８）にコ
ンタクト窓（ｌｉｄ）を穿設し、また配線導体（５Ｃ）
の他端上の絶縁層（８）とこれの下の絶縁層（６）にコ
ンタクト窓（ｌｌｃ）を穿設し各窓（ｌｌｃ）及び（ｌ
ｉｄ）に対応して夫々各チャンネル部を横切るように共
通の給電配線導体（【２Ｊ及び［１３を例えば全面蒸着
、フォトリソグラフィによるエツチングによる／ぐター
ン化によって形成する。
給電配線導体α２には接地電位を与え、他方の配線導体
［＋３１は外部の定電圧電源Ｓに接続して所定の電位を
与える。また磁性基板（１）の前方縁とこれに臨む上部
磁性体（１０ａ）の前方部とを全体的に研磨して磁気媒
体との対接面α船を形成する。このようにして磁気媒体
との対接面Ｉに臨んで上部磁性体（１０ａ）と基板（１
）との間に金属層（２）或いは絶縁層（３）等によって
規制されるギヤツブ長尼を有する磁気ギャップｇが夫々
形成される。
［＋３１は外部の定電圧電源Ｓに接続して所定の電位を
与える。また磁性基板（１）の前方縁とこれに臨む上部
磁性体（１０ａ）の前方部とを全体的に研磨して磁気媒
体との対接面α船を形成する。このようにして磁気媒体
との対接面Ｉに臨んで上部磁性体（１０ａ）と基板（１
）との間に金属層（２）或いは絶縁層（３）等によって
規制されるギヤツブ長尼を有する磁気ギャップｇが夫々
形成される。
上述のように、従来のＭＲヘッド装置のＭＲヘッドはＭ
Ｒ素子と薄膜抵抗素子Ｒとの２種の熱発生源を持ってい
るので、多チャンネル（例えば２４チヤンネル）の場合
、ヘッドの温度上昇が例えば５０ｔｒと顕著であり、Ｍ
Ｒヘッドに対接する磁気記録媒体を損傷する虞れがあっ
た。
Ｒ素子と薄膜抵抗素子Ｒとの２種の熱発生源を持ってい
るので、多チャンネル（例えば２４チヤンネル）の場合
、ヘッドの温度上昇が例えば５０ｔｒと顕著であり、Ｍ
Ｒヘッドに対接する磁気記録媒体を損傷する虞れがあっ
た。
発明の目的
かかる点に鑑み、本発明の目的は温度上昇を抑制した多
チャンネルＭＲヘッド装置を提供することにある。
チャンネルＭＲヘッド装置を提供することにある。
発明の概要
本発明は複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵
抗効果素子と夫々各別に直列接続された定電流用抵抗器
と、この各定電流用抵抗器及び各磁気抵抗効果素子の各
接続中点に夫々接続された複数の信号導出用コンデンサ
とを具備する多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド装
置において、複数の定電流用抵抗器及び複数の信号導出
用コンデンサが複数の磁気抵抗効果素子とは別体に一体
化されてなる多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド装
置である。
抗効果素子と夫々各別に直列接続された定電流用抵抗器
と、この各定電流用抵抗器及び各磁気抵抗効果素子の各
接続中点に夫々接続された複数の信号導出用コンデンサ
とを具備する多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド装
置において、複数の定電流用抵抗器及び複数の信号導出
用コンデンサが複数の磁気抵抗効果素子とは別体に一体
化されてなる多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド装
置である。
かかる本発明によれば、熱源の分散によってＭＲヘッド
の温度上昇を抑制することができて、対接する磁気記録
媒体を損傷する虞がない。
の温度上昇を抑制することができて、対接する磁気記録
媒体を損傷する虞がない。
実施例
以下、第７図及び第８図を参照しながら、本発明による
磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の一実施例について説明
する。
磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の一実施例について説明
する。
第７図に本発明によるＭＲヘッド装置の一実施例を示す
。第７図において、第３図に対応する部分には同一の符
号を付して重複説明を省略する。
。第７図において、第３図に対応する部分には同一の符
号を付して重複説明を省略する。
第７図において、コンデンサアレイ（２７つは収容する
コンデンサ素子数を従来例よシも少くとも２個増やし、
それぞれを上述の定電流用電源Ｓ及びＩＣ用電源Ｂの安
定化用コンデンサＣｂ及びＣｂｂとして用いる。この際
、印刷配線板（３０’）の配線パターンは、ＩＣ電源用
の端子を設ける等、所要の如く変更される。（４０は抵
抗器ブロックを全体として示し、この抵抗器ブロック（
４０はセラミック基板（４１）の一方の面に、前述と同
様な定電流用抵抗素子Ｒ′が所要数配設されると共に、
電源端子（４２１及び定電流供給端子（４３Ｉが基板（
４１）のＩＣ側及びヘッド側に配設される。
コンデンサ素子数を従来例よシも少くとも２個増やし、
それぞれを上述の定電流用電源Ｓ及びＩＣ用電源Ｂの安
定化用コンデンサＣｂ及びＣｂｂとして用いる。この際
、印刷配線板（３０’）の配線パターンは、ＩＣ電源用
の端子を設ける等、所要の如く変更される。（４０は抵
抗器ブロックを全体として示し、この抵抗器ブロック（
４０はセラミック基板（４１）の一方の面に、前述と同
様な定電流用抵抗素子Ｒ′が所要数配設されると共に、
電源端子（４２１及び定電流供給端子（４３Ｉが基板（
４１）のＩＣ側及びヘッド側に配設される。
従って、本実施例において、ＭＲヘッドＨ′の磁性基板
（１勺には前述の定電流用抵抗素子Ｒを設けない。
（１勺には前述の定電流用抵抗素子Ｒを設けない。
抵抗器ブロック（４０）の詳細な構成を第８図に示す。
第８図において、セラミック基板（４１１のＩＣ側の端
縁（４１ａ）及びヘッド側の端＃ （４１ｂ）には、電
源端子（４２１及びヘッドＨ′のチャンネル数ｍ （＝
ｎ＋２ ）と同数の電流供給端子（４３１（（４３１）
、 （４３２）・・・・・・（４３ｍ） ：）が例え
ばＡｇ −Ｐｄの印刷・焼成によって設けられる。次に
、電源端子（４２に接続される電源配線Ｇ！滲と電流供
給端子（４３ｚ） 、（４３２）・・・・・・（４３ｍ
）にそれぞれ接続される導体（４５１） 、 （４５２
）・・・・・・（４５ｍ）とが、Ａｇ −Ｐｄの印刷・
焼成によって設けられる。そして、電源配線（４４）と
各導体（４５１） 、 （４５２）・・・・・・（４５
ｍ）との間をそれぞれ差し渡して、酸化ルテニウムＲｕ
Ｏを印刷・焼成して厚膜抵抗器（４６１） 、 （４６
２）・・・・・・（４６ｍ）が形成され、各厚膜抵抗器
は、必要に応じて、レーザートリミングによってその抵
抗値が調整される。調整済の抵抗器ブロック（４〔は、
端子（４Ｚ 、 （４３）を露出して、適宜の保護層・
によって被榎された後、各端子（４２、（４３）に半田
が被着される。そして、抵抗器ブロック（４ｔ）の端子
面と印刷配線板（至）の上面（３０ａ）とを所定位置で
対接させて、各端子に被着された半田をリフローすれば
、所要の接続状態が得られる。
縁（４１ａ）及びヘッド側の端＃ （４１ｂ）には、電
源端子（４２１及びヘッドＨ′のチャンネル数ｍ （＝
ｎ＋２ ）と同数の電流供給端子（４３１（（４３１）
、 （４３２）・・・・・・（４３ｍ） ：）が例え
ばＡｇ −Ｐｄの印刷・焼成によって設けられる。次に
、電源端子（４２に接続される電源配線Ｇ！滲と電流供
給端子（４３ｚ） 、（４３２）・・・・・・（４３ｍ
）にそれぞれ接続される導体（４５１） 、 （４５２
）・・・・・・（４５ｍ）とが、Ａｇ −Ｐｄの印刷・
焼成によって設けられる。そして、電源配線（４４）と
各導体（４５１） 、 （４５２）・・・・・・（４５
ｍ）との間をそれぞれ差し渡して、酸化ルテニウムＲｕ
Ｏを印刷・焼成して厚膜抵抗器（４６１） 、 （４６
２）・・・・・・（４６ｍ）が形成され、各厚膜抵抗器
は、必要に応じて、レーザートリミングによってその抵
抗値が調整される。調整済の抵抗器ブロック（４〔は、
端子（４Ｚ 、 （４３）を露出して、適宜の保護層・
によって被榎された後、各端子（４２、（４３）に半田
が被着される。そして、抵抗器ブロック（４ｔ）の端子
面と印刷配線板（至）の上面（３０ａ）とを所定位置で
対接させて、各端子に被着された半田をリフローすれば
、所要の接続状態が得られる。
本実施例はＭＲ素子に定電流を供給するための抵抗器を
、抵抗器ブロックにまとめて、ＭＲヘッドＨから分離し
たので、熱源の分散によってＭＲヘッドの温度上昇を例
えば約２０Ｃに抑制することができる。
、抵抗器ブロックにまとめて、ＭＲヘッドＨから分離し
たので、熱源の分散によってＭＲヘッドの温度上昇を例
えば約２０Ｃに抑制することができる。
また、電源安定化用コンデンサＣｂ及びＣｂｂをＭＲヘ
ッド装置のコンデンサアレイ（２７’）に組込むことに
よって、導線を含めた電源インピーダンスが低下し、外
部からの高周波ノイズの侵入を信号系の先頭部で抑圧す
ることができる。また、部品点数が低下し、装置の製造
工数が低下する。
ッド装置のコンデンサアレイ（２７’）に組込むことに
よって、導線を含めた電源インピーダンスが低下し、外
部からの高周波ノイズの侵入を信号系の先頭部で抑圧す
ることができる。また、部品点数が低下し、装置の製造
工数が低下する。
上述の実施例では、定電流供給用抵抗器をブロックにま
とめたので、印刷配線板（至）の他に、セラミック基板
０υが必要となシ、ヘッド装置の小型化を制限する處が
あった。
とめたので、印刷配線板（至）の他に、セラミック基板
０υが必要となシ、ヘッド装置の小型化を制限する處が
あった。
この点を改良した本発明の他の実施例の要部を第９図に
示す。この第９図において、前出第２図に対応する部分
には同一の符号を付して重複説明を省略する。
示す。この第９図において、前出第２図に対応する部分
には同一の符号を付して重複説明を省略する。
第９図において、＋５０１は多層印刷配線板を全体とし
て示し、この多層印刷配線板６ωはセラミック基板６１
）の上面（５１ａ）に３層、下面（５１ｂ）に１層の配
線パターンを有する。これらの配線ノ９ターンのうち、
上面（５１ａ）の第１層及び下面（５１ｂ）に形成され
るパターン（５１Ａ）及び（５１Ｂ）は、基本的には上
述の実施例の印刷配線板（至）と同一であるが、その形
成に厚膜印刷技法を用いるために、上述の実施例におけ
る抵抗器ブロック（４（Ｉと同様に、Ａｇ −Ｐｄの印
刷・焼成によって、下面（５１ｂ）に（図示を省略する
が）コンデンサアレイ接続用ランドＣ３１） 、 Ｌ３
ａが形成され、上面（５１ａ）の第２層パターン（５１
Ａ）にはイ＝号導出用及び電流供給用のボンディングパ
ッドｃ３．３１． 図並びにこれらのノぐラドとランド
間を接続するための配線導体（３３１り 、 （３４４
りが形成される。
て示し、この多層印刷配線板６ωはセラミック基板６１
）の上面（５１ａ）に３層、下面（５１ｂ）に１層の配
線パターンを有する。これらの配線ノ９ターンのうち、
上面（５１ａ）の第１層及び下面（５１ｂ）に形成され
るパターン（５１Ａ）及び（５１Ｂ）は、基本的には上
述の実施例の印刷配線板（至）と同一であるが、その形
成に厚膜印刷技法を用いるために、上述の実施例におけ
る抵抗器ブロック（４（Ｉと同様に、Ａｇ −Ｐｄの印
刷・焼成によって、下面（５１ｂ）に（図示を省略する
が）コンデンサアレイ接続用ランドＣ３１） 、 Ｌ３
ａが形成され、上面（５１ａ）の第２層パターン（５１
Ａ）にはイ＝号導出用及び電流供給用のボンディングパ
ッドｃ３．３１． 図並びにこれらのノぐラドとランド
間を接続するための配線導体（３３１り 、 （３４４
りが形成される。
こうして形成された上面第１層（５１Ａ）の上に厚膜印
刷によって５ｉ０２の第１絶縁層（図示を省略）を形成
し、この第１絶縁層の上に上面第２層ノ！ターン（５１
Ｃ）を形成する。第２層パターン（５１Ｃ）はＡｇ −
Ｐｄの印刷・焼成によって形成され、電源端子（５の及
び電源配線（５２句並びに電流供給用配線−Ｃ（５３１
） 、・・・・・・（５３ｍ） ：］から構成される。
刷によって５ｉ０２の第１絶縁層（図示を省略）を形成
し、この第１絶縁層の上に上面第２層ノ！ターン（５１
Ｃ）を形成する。第２層パターン（５１Ｃ）はＡｇ −
Ｐｄの印刷・焼成によって形成され、電源端子（５の及
び電源配線（５２句並びに電流供給用配線−Ｃ（５３１
） 、・・・・・・（５３ｍ） ：］から構成される。
第２層ノやターン（５１Ｃ）の上に、５ｉ０２の第２絶
縁層（図示を省略）が形成され、この第２絶縁層の上に
上面第３層／４’ターン（５１Ｄ）が形成される。第２
層パターン（５１Ｄ）は、上述の実施例と同様に、酸化
ルテニウムＲｕＯの印刷・焼成によって形成された厚膜
抵抗器（ト）（（５６１） 、 （５６２）・曲・（５
６ｍ） 〕から構成される。
縁層（図示を省略）が形成され、この第２絶縁層の上に
上面第３層／４’ターン（５１Ｄ）が形成される。第２
層パターン（５１Ｄ）は、上述の実施例と同様に、酸化
ルテニウムＲｕＯの印刷・焼成によって形成された厚膜
抵抗器（ト）（（５６１） 、 （５６２）・曲・（５
６ｍ） 〕から構成される。
上述の第１層〜第３層パターン（５１Ａ） 、 （５１
Ｃ）及び（５１Ｄ）の形成時、所定の精度で位置合わせ
がなされることは勿論である。また、各層間の接続ハス
ヘテスルーホール技法を用いて行なわれておシ、例えは
、第３層□４ ター ｙ （５１Ｄ）の抵抗器（５６ｍ
）の両端部は、第２層パターン（５１Ｃ）の電源配線（
５２１りの端部及び電流供給用配線（５３ｍ）の一方の
端部とそれぞれ重なっておシ、この重なった部分でスル
ーホール接続される。更に、第２層パターン（ｓｉｃ）
の電源供給用配線（５３ｍ）の他方の端部及び電源端子
（５２は、第１層／４’ターン（５１Ａ）の配線導体（
３４ｆｆｉ）及び電源端子（至）とそれぞれ重なってお
シ、この重なった部分でスルーホール接続される。かく
て抵抗器（ｓ６ｍ）は所定の如く接続され、ヘッドＨ′
のＭＲ素子に定電流を供給する。他の抵抗器についても
同様である。
Ｃ）及び（５１Ｄ）の形成時、所定の精度で位置合わせ
がなされることは勿論である。また、各層間の接続ハス
ヘテスルーホール技法を用いて行なわれておシ、例えは
、第３層□４ ター ｙ （５１Ｄ）の抵抗器（５６ｍ
）の両端部は、第２層パターン（５１Ｃ）の電源配線（
５２１りの端部及び電流供給用配線（５３ｍ）の一方の
端部とそれぞれ重なっておシ、この重なった部分でスル
ーホール接続される。更に、第２層パターン（ｓｉｃ）
の電源供給用配線（５３ｍ）の他方の端部及び電源端子
（５２は、第１層／４’ターン（５１Ａ）の配線導体（
３４ｆｆｉ）及び電源端子（至）とそれぞれ重なってお
シ、この重なった部分でスルーホール接続される。かく
て抵抗器（ｓ６ｍ）は所定の如く接続され、ヘッドＨ′
のＭＲ素子に定電流を供給する。他の抵抗器についても
同様である。
本実施例では、熱源の分散によってＭＲヘッドの温度上
昇を抑制することができる。また、定電流用抵抗器をコ
ンデンサアレイ搭載基板上に一体に形成したので、ＭＲ
ヘッド装置をよシ小型化することができると共に、部品
点数の減少にょシ、組立工数が低減される。
昇を抑制することができる。また、定電流用抵抗器をコ
ンデンサアレイ搭載基板上に一体に形成したので、ＭＲ
ヘッド装置をよシ小型化することができると共に、部品
点数の減少にょシ、組立工数が低減される。
発明の効果
以上詳述のように、本発明によれば定電流用抵抗器をコ
ンデンサアレイと一体化したので、熱源の分散によって
、ＭＲヘッドの温度上昇を抑制することができて、対接
する磁気記録媒体を損傷する虞がない。
ンデンサアレイと一体化したので、熱源の分散によって
、ＭＲヘッドの温度上昇を抑制することができて、対接
する磁気記録媒体を損傷する虞がない。
第１図は従来のＭＲヘッド装置の電気的構成を示す結線
図、第２図及び第３図は従来のＭＲヘッド装置の路線的
平面図及び断面図、第４図は従来のＭＲヘッドの平面図
、第５図及び第６図は第４図のｖ−ｖ’線及びＬＶＩ’
線上の断面図、第７図及び第８図は本発明によるＭＲヘ
ッド装置の一実施例を示す路線的断面図及び要部斜視図
、第９図は本発明の他の実施例の要部を示す路線分解図
である。 Ｈ及びＨ′はＭＲヘッド、Ｍ”８１ ＋ ＭＲ８２＋Ｍ
Ｒ１・・・・・・ＭＲｉｌはＭＲ素子、Ｒ、（４６）及
び側は定電流用抵抗器、■はケーシング、０η及び（２
７’）はフンデンサアレイ、備及び（３０’）は印刷配
線板、（４０は抵抗器ブロック、５０＋は多層印刷配線
板である。 第１図 阿 第７図 第８図 第９図
図、第２図及び第３図は従来のＭＲヘッド装置の路線的
平面図及び断面図、第４図は従来のＭＲヘッドの平面図
、第５図及び第６図は第４図のｖ−ｖ’線及びＬＶＩ’
線上の断面図、第７図及び第８図は本発明によるＭＲヘ
ッド装置の一実施例を示す路線的断面図及び要部斜視図
、第９図は本発明の他の実施例の要部を示す路線分解図
である。 Ｈ及びＨ′はＭＲヘッド、Ｍ”８１ ＋ ＭＲ８２＋Ｍ
Ｒ１・・・・・・ＭＲｉｌはＭＲ素子、Ｒ、（４６）及
び側は定電流用抵抗器、■はケーシング、０η及び（２
７’）はフンデンサアレイ、備及び（３０’）は印刷配
線板、（４０は抵抗器ブロック、５０＋は多層印刷配線
板である。 第１図 阿 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- 複数の磁気抵抗効果素子と、該複数の磁気抵抗効果素子
と夫々各別に直列接続された定電流用抵抗器と、該告示
電流用抵抗器及び上記各磁気抵抗効果素子の各接続中点
に夫々接続された複数の信号導出用コンデンサとを具備
する多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置におい
て、上記複数の定電流用抵抗器及び上記複数の信号導出
用コンデンサが上記複数の磁気抵抗効果素子とは別体に
一体化されてなることを特徴とする多チヤンネル磁気抵
抗効果型磁気ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247809A JPH0640372B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247809A JPH0640372B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143418A true JPS60143418A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH0640372B2 JPH0640372B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=17168979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58247809A Expired - Lifetime JPH0640372B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640372B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161118U (ja) * | 1981-03-31 | 1982-10-09 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58247809A patent/JPH0640372B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161118U (ja) * | 1981-03-31 | 1982-10-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0640372B2 (ja) | 1994-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20000029928A (ko) | 자기전류센서 | |
| EP0107982B1 (en) | Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect | |
| JPH09223304A (ja) | 磁気ヘッド装置 | |
| JPH05159234A (ja) | 変化する厚さのコイルを備えた薄膜ヘッド | |
| US4072993A (en) | Multi-element magnetic head | |
| US5312644A (en) | Method of making a magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer | |
| WO1986000456A1 (fr) | Dispositif de tete magnetique composite | |
| US4320428A (en) | Multitrack thin-film magnetic head with stacked electric leads | |
| JPS60143418A (ja) | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS6177114A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH02238372A (ja) | 電流検出器 | |
| US6563674B1 (en) | Thin-film magnetic head | |
| JPS6113414A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS61126618A (ja) | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド | |
| JPH06222082A (ja) | 電流検出装置 | |
| US5933940A (en) | Method of manufacturing a recording/reading matrix magnetic head | |
| JPS60143419A (ja) | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS59221823A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH10228610A (ja) | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド | |
| JPS58205780A (ja) | 感熱印字ヘツド | |
| JPS58182120A (ja) | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2602203B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| KR920001130B1 (ko) | 다채널 자기저항효과형 자기헤드 | |
| JPH071528B2 (ja) | 磁気ヘツド装置 | |
| US20040125512A1 (en) | Thin-film magnetic head with electrostatic damage protection and magnetic recording and playback apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |