JPS60143682A - 半導体レ−ザ波長変動補償装置 - Google Patents
半導体レ−ザ波長変動補償装置Info
- Publication number
- JPS60143682A JPS60143682A JP24843983A JP24843983A JPS60143682A JP S60143682 A JPS60143682 A JP S60143682A JP 24843983 A JP24843983 A JP 24843983A JP 24843983 A JP24843983 A JP 24843983A JP S60143682 A JPS60143682 A JP S60143682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- laser
- wavelength
- laser diode
- wave length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は半導体レーザの波長変動補償装置に係り、特に
レーザ光の一部であるモニタ光を反射させるため1反射
型ホログラムを用いた半導体レーザ波長変動補償装置に
関するものである。
レーザ光の一部であるモニタ光を反射させるため1反射
型ホログラムを用いた半導体レーザ波長変動補償装置に
関するものである。
(2)技術の背景
近年レーザ光は波長が一定で指向特性が優れている為、
各種計測器、レーダ、医療機器等に用いられている。こ
のレーザ光を発生させる装置は現在、ヘリウム、ネオン
等のガスを用いた装置、ルビー、ガラス等の固体を用い
た装置、半導体装置を用いた装置等が存在する。特にそ
の中で半導体装置を用いて作製した半導体レーザは高性
能で装置を小型にできる為、光通信、光ディバイス、ホ
ログラムスキャナ用のレーザ光として期待されている。
各種計測器、レーダ、医療機器等に用いられている。こ
のレーザ光を発生させる装置は現在、ヘリウム、ネオン
等のガスを用いた装置、ルビー、ガラス等の固体を用い
た装置、半導体装置を用いた装置等が存在する。特にそ
の中で半導体装置を用いて作製した半導体レーザは高性
能で装置を小型にできる為、光通信、光ディバイス、ホ
ログラムスキャナ用のレーザ光として期待されている。
半導体レーザはP型半導体とN型半導体tJp−N接合
して両半導体間に大きな順方向電流を流し。
して両半導体間に大きな順方向電流を流し。
P−N接合部に多量のキャリヤを注入し、半導体の上位
、下位のエネルギーレベルの反転領域をP−N接合部に
作る。さらに上位レベルにあるキャリヤが下位レベルに
落ちる時、上下のエネルギーレベル差で定まる波長の光
を送出する。同様の動作を順次繰り返すことによって最
初の光を増幅し。
、下位のエネルギーレベルの反転領域をP−N接合部に
作る。さらに上位レベルにあるキャリヤが下位レベルに
落ちる時、上下のエネルギーレベル差で定まる波長の光
を送出する。同様の動作を順次繰り返すことによって最
初の光を増幅し。
十分増幅された光をレーザ光として取り出すものである
。
。
しかし周囲温度や両半導体間に流す順方向電流に変化が
ある場合、P−N接合部へ注入されるキャリアも変化し
、エネルギーレベルも変化してレーザ光の波長が一定に
定まらない問題がある。
ある場合、P−N接合部へ注入されるキャリアも変化し
、エネルギーレベルも変化してレーザ光の波長が一定に
定まらない問題がある。
(3) 従来技術と問題点
レーザ光が波長変動を起こした場合、これを補償する為
従来第1図に示す様に半導体レーザを作るレーザダイオ
ード1のレーザ光2を放出する面と逆の面に光軸を合わ
せて集光レンズ32反射型グレーティング4を設けてい
る。そしてレーザダイオード1からレーザ光の一部であ
るモニタ光5を集光レンズ3を介して反射型グレーティ
ング4に照射する。この反射型グレーティング4に照射
された光はレーザ波長に合わせたピッチで反射型グレー
ディング4の表面に凹凸が設けられている為1反射型グ
レーディング4に照射した光の反射回折光はレーザ波長
に一致した波長の光のみとなる。この反射回折光を集光
レンズ3を介してレーザダイオード1に入射し、レーザ
ダイオード1で増幅する。さらにレーザダイオード1か
ら集光レンズ6を介して波長の変動のないレーザ光とし
て取出す装置である。
従来第1図に示す様に半導体レーザを作るレーザダイオ
ード1のレーザ光2を放出する面と逆の面に光軸を合わ
せて集光レンズ32反射型グレーティング4を設けてい
る。そしてレーザダイオード1からレーザ光の一部であ
るモニタ光5を集光レンズ3を介して反射型グレーティ
ング4に照射する。この反射型グレーティング4に照射
された光はレーザ波長に合わせたピッチで反射型グレー
ディング4の表面に凹凸が設けられている為1反射型グ
レーディング4に照射した光の反射回折光はレーザ波長
に一致した波長の光のみとなる。この反射回折光を集光
レンズ3を介してレーザダイオード1に入射し、レーザ
ダイオード1で増幅する。さらにレーザダイオード1か
ら集光レンズ6を介して波長の変動のないレーザ光とし
て取出す装置である。
しかしながら従来の波長変動補償装置において。
集光レンズ3によってモニタ光5を反射型グレーディン
グ4に照射する為反射型グレーディング4に照射する光
は平行光でなければならない。正確にモニタ光5を集光
レンズ3によって平行光にする為には集光レンズ3の位
置調整が難しく、調整に時間を要する。また量産製造さ
れたレーザダイオード1は各生産ロフトによりばらつき
があり。
グ4に照射する為反射型グレーディング4に照射する光
は平行光でなければならない。正確にモニタ光5を集光
レンズ3によって平行光にする為には集光レンズ3の位
置調整が難しく、調整に時間を要する。また量産製造さ
れたレーザダイオード1は各生産ロフトによりばらつき
があり。
レーザ光の広がり角も異なり、同一の有効径の集光レン
ズ3を用いると集光レンズ3の有効径外に広がったレー
ザ光は損失することになる。したがってモニタ光5とし
てレーザ光の一部の光量をむだにすることになり、この
光量の損失を防止する為、有効径の大きい集光レンズ3
を用いた場合。
ズ3を用いると集光レンズ3の有効径外に広がったレー
ザ光は損失することになる。したがってモニタ光5とし
てレーザ光の一部の光量をむだにすることになり、この
光量の損失を防止する為、有効径の大きい集光レンズ3
を用いた場合。
集光レンズ3は高価である為半導体レーザ装置のコスト
アンプの原因となる。
アンプの原因となる。
(4) 発明の目的
本発明は、上述の従来の欠点に鑑み、レーザダイオード
と反射型グレーディングの間に設けられていた集光レン
ズ3を削除し1反射型グレーディングとして反射型ホロ
グラムを用いることにより。
と反射型グレーディングの間に設けられていた集光レン
ズ3を削除し1反射型グレーディングとして反射型ホロ
グラムを用いることにより。
集光レンズの困難な位置調整や集光レンズによって光量
の損失をなくシ、容易かつ安価な半導体レーザ波長補償
装置を提供することを目的とする。
の損失をなくシ、容易かつ安価な半導体レーザ波長補償
装置を提供することを目的とする。
(5) 発明の要点
上記目的は、半導体レーザと、固定したいレーザ光の発
振波長を用いて1発散波と収束波により作成された反射
型ホログラムと、前記半導体レーザ光より発生されたレ
ーザ光の一部を前記反射型ホログラムに入射することに
より、レーザ光の波5− 長変動を補償することを特徴とする半導体レーザ波長変
動補償装置を提供することによって達成される。
振波長を用いて1発散波と収束波により作成された反射
型ホログラムと、前記半導体レーザ光より発生されたレ
ーザ光の一部を前記反射型ホログラムに入射することに
より、レーザ光の波5− 長変動を補償することを特徴とする半導体レーザ波長変
動補償装置を提供することによって達成される。
(6) 発明の実施例
以下9本発明の実施例を添付図面にしたがって詳述する
。
。
第2図は本発明による半導体レーザの波長変動補償装置
の一実施例を説明する構成図である。
の一実施例を説明する構成図である。
同図においてレーザ光を作るレーザダイオード7と光軸
を同じくしてレーザダイオード7の両端から一定間隔を
離して一方に反射型ホログラム8が設けられ、他方に集
光レンズ9が設けられている。集光レンズ9はレーザダ
イオード7で増幅された出力光10をレーザ光として外
部へ出力する為のレンズであり、従来の反射型グレーテ
ィングに平行光を照射する為のレンズではない。反射型
ホログラム8はレーザダイオード7からモニタ光11を
出力するモニタ口(ぐち)と反射型ホログラム8に入射
したモニタ光11の反射光12がレーザダイオード7に
入射する入射口(ぐち)を−6− 致させる為のものである。
を同じくしてレーザダイオード7の両端から一定間隔を
離して一方に反射型ホログラム8が設けられ、他方に集
光レンズ9が設けられている。集光レンズ9はレーザダ
イオード7で増幅された出力光10をレーザ光として外
部へ出力する為のレンズであり、従来の反射型グレーテ
ィングに平行光を照射する為のレンズではない。反射型
ホログラム8はレーザダイオード7からモニタ光11を
出力するモニタ口(ぐち)と反射型ホログラム8に入射
したモニタ光11の反射光12がレーザダイオード7に
入射する入射口(ぐち)を−6− 致させる為のものである。
レーザダイオード7のモニタ口に反射型グレーティング
からの反射光12が正確に入射する為には1反射型グレ
ーティングの反射面13をホログラムによる干渉縞を用
いて作成した反射型ホログラム8を用いる。
からの反射光12が正確に入射する為には1反射型グレ
ーティングの反射面13をホログラムによる干渉縞を用
いて作成した反射型ホログラム8を用いる。
第3図はホログラムを用いて反射型グレーティングを作
成することを説明する図である。反射型ホログラム8の
反射面13にA点から固定したい波長λ0のレーザの発
散光14を照射すると同時に、同様の収束光15を反射
面13に照射する。
成することを説明する図である。反射型ホログラム8の
反射面13にA点から固定したい波長λ0のレーザの発
散光14を照射すると同時に、同様の収束光15を反射
面13に照射する。
両照射光14.15により反射型ホログラム8の反射面
13に両照射光14.15の干渉縞をつくる反射型ホロ
グラム8にはフォトレジスト等を用い、干渉縞を作成し
てから金属蒸着を行なうか。
13に両照射光14.15の干渉縞をつくる反射型ホロ
グラム8にはフォトレジスト等を用い、干渉縞を作成し
てから金属蒸着を行なうか。
または基板をエツチングすることで反射型ホログラム8
が作成できる。この干渉縞を記録した反射型ホログラム
8の反射面13にA点から前述と同様の波長λ0を有す
る光を照射するとその反射光はA点に戻る。また波長λ
Uとずれた波長をA点から同様に反射型ホログラム8の
反射面13に照射するとその反射光はA点からずれた位
置に集光する。
が作成できる。この干渉縞を記録した反射型ホログラム
8の反射面13にA点から前述と同様の波長λ0を有す
る光を照射するとその反射光はA点に戻る。また波長λ
Uとずれた波長をA点から同様に反射型ホログラム8の
反射面13に照射するとその反射光はA点からずれた位
置に集光する。
したがって以上説明した反射型ホログラム8の反射面1
3に第2図に示す様にレーザダイオード7のモニタ口か
らモニタ光11を照射すると、固定したい波長の反則回
折光12は正確にモニタ口に戻る。また周囲温度の変化
やレーザダイオード7に流す順方向電流の変化によって
波長λ口が変化した場合は点線で示す様にレーザダイオ
ード7のモニタ口とずれた位置に反射型ホログラム8か
らの反射光16を集光する。この為固定したい波長から
ずれた波長の反射光がレーザダイオード7に入射するこ
とはない。 したがって必要とする波長例えば波長λ0
の光は、レーザダイオード7のモニタ口からモニタ光1
1として反射型ホログラム8の反射面13に照射し、そ
の反射光12はレーザダイオード7のモニタ口からレー
ザダイオード7内に入射する。レーザダイオード7内に
入射した反射光12の波長は正確なλ0の波長のみで、
レーザダイオード7で増幅された後集光レンズ9を介し
て正確な単一波長λ0のレーザ光を出力する。
3に第2図に示す様にレーザダイオード7のモニタ口か
らモニタ光11を照射すると、固定したい波長の反則回
折光12は正確にモニタ口に戻る。また周囲温度の変化
やレーザダイオード7に流す順方向電流の変化によって
波長λ口が変化した場合は点線で示す様にレーザダイオ
ード7のモニタ口とずれた位置に反射型ホログラム8か
らの反射光16を集光する。この為固定したい波長から
ずれた波長の反射光がレーザダイオード7に入射するこ
とはない。 したがって必要とする波長例えば波長λ0
の光は、レーザダイオード7のモニタ口からモニタ光1
1として反射型ホログラム8の反射面13に照射し、そ
の反射光12はレーザダイオード7のモニタ口からレー
ザダイオード7内に入射する。レーザダイオード7内に
入射した反射光12の波長は正確なλ0の波長のみで、
レーザダイオード7で増幅された後集光レンズ9を介し
て正確な単一波長λ0のレーザ光を出力する。
以上の様に反射型ホログラム8を用いることによって従
来用いていた反射型グレーティングの凹凸面に平行光を
照射する必要をなくシ、シたがって平行光を作る為の集
光レンズも削除することができる。
来用いていた反射型グレーティングの凹凸面に平行光を
照射する必要をなくシ、シたがって平行光を作る為の集
光レンズも削除することができる。
次に本発明による他の実施例を以下で説明する。
前述の本発明の一実施例で用いられた反射型ホログラム
8はレーザダイオード7によって作られるレーザ波長に
感光する材料を用いなければならないが、このレーザ波
長は800 nm〜1500nmであり。
8はレーザダイオード7によって作られるレーザ波長に
感光する材料を用いなければならないが、このレーザ波
長は800 nm〜1500nmであり。
この波長に感光する感剤は見つけにくい。そこで赤外波
以下の波長で反射型ホログラム8を作成し。
以下の波長で反射型ホログラム8を作成し。
赤外波以下の波長で作成された反射型ホログラム8を半
導体レーザの波長変動補償として用いるものである。
導体レーザの波長変動補償として用いるものである。
この反射型ホログラム8の作成を第4図〜第6図を用い
て説明する。
て説明する。
9−
第4図はB点からの波長λfのレーザ光17と参照光1
8によって干渉縞を作成することを示す図である。この
時B点から反射型ホログラム8までの距離はfであり、
参照光18が反射型ホログラム8を透過した場合の参照
光18の集光点から反射型ホログラム8までの距離も同
様にfである。
8によって干渉縞を作成することを示す図である。この
時B点から反射型ホログラム8までの距離はfであり、
参照光18が反射型ホログラム8を透過した場合の参照
光18の集光点から反射型ホログラム8までの距離も同
様にfである。
この時反射型ホログラム8に作成される干渉縞は波長λ
fのレーザ光がB点から照射された場合。
fのレーザ光がB点から照射された場合。
正確にB点に反射光を集光することができる。
ここで反射型ホログラム8は波長λfより短いレーザ光
に感光する感光剤を用いなければならないから、第5図
に示すような正の球面収差を有する光をレーザ光17.
参照光18として用いる。
に感光する感光剤を用いなければならないから、第5図
に示すような正の球面収差を有する光をレーザ光17.
参照光18として用いる。
球面収差はレンズの中央部と周辺部で入射光に対する屈
折角が異なることを示す。従って必要な球面収差Δfを
有するレンズを介してレーザ光17゜参照光18を反射
型ホログラム8に照射することにより必要な球面収差量
Rを得ることができる。
折角が異なることを示す。従って必要な球面収差Δfを
有するレンズを介してレーザ光17゜参照光18を反射
型ホログラム8に照射することにより必要な球面収差量
Rを得ることができる。
第6図はレンズ(図示せず)を介して反射型グレーティ
ングに入射するレーザ光19.参照光10− 20と第4図のレンズを介さないで反射型グレーティン
グに入射するレーザ光17.参照光18の関係を示す図
である。同図においては、レンズの球面収差Δfだけレ
ーザ光17.19をずらして示している。
ングに入射するレーザ光19.参照光10− 20と第4図のレンズを介さないで反射型グレーティン
グに入射するレーザ光17.参照光18の関係を示す図
である。同図においては、レンズの球面収差Δfだけレ
ーザ光17.19をずらして示している。
従って波長がλfより低いレーザ光を使って反射型ホロ
グラム8の反射光をB点に集光するためには球面収差Δ
fが解かれば良い。以下の式は球面収差Δfをめる式で
ある。
グラム8の反射光をB点に集光するためには球面収差Δ
fが解かれば良い。以下の式は球面収差Δfをめる式で
ある。
例えば必要なレーザ波長λfが760 nmである時。
干渉縞を作成するレーザ光19としてヘリウムネオン(
He−Ne)レーザを用いればその波長λは必要なレー
ザ波長λfより短い632.8 nmである。
He−Ne)レーザを用いればその波長λは必要なレー
ザ波長λfより短い632.8 nmである。
そして距離fを1011で1球面収差量Rを10111
1とすれば球面収差Δfは3.7mとなり1球面収差量
Rが15n+とすれば球面収差Δfは18.8mmとな
る。
1とすれば球面収差Δfは3.7mとなり1球面収差量
Rが15n+とすれば球面収差Δfは18.8mmとな
る。
従って球面収差Δfとレーザ光19の波長を適当に選択
しレーザ光19.参照光20をΔ1の球面収差を有する
レンズを介して反射型ホログラム8に干渉縞を記録し、
前述の本発明の一実施例と同様にして反射型ホログラム
8である感光剤を現像した反射型ホロクツJ2に波長λ
fのレーザ光を照射すると、その反射光は照射した点に
戻る。μm1ち波長λfのレーザ光は反射型ホログラム
8に照射された後、レーザダイオード7のモニタ口に正
確にその反射光を集光させることができる。従ってレー
ザダイオード7のモニタ口から出射したモニタ光11は
反射型ホログラム8で反射され、その反射光12は正確
にレーザダイオード7のモニタ口へ入射し、この入射光
はレーザダイオード7内で増幅されて波長変動のない単
一波長のレーザ光として出射される。
しレーザ光19.参照光20をΔ1の球面収差を有する
レンズを介して反射型ホログラム8に干渉縞を記録し、
前述の本発明の一実施例と同様にして反射型ホログラム
8である感光剤を現像した反射型ホロクツJ2に波長λ
fのレーザ光を照射すると、その反射光は照射した点に
戻る。μm1ち波長λfのレーザ光は反射型ホログラム
8に照射された後、レーザダイオード7のモニタ口に正
確にその反射光を集光させることができる。従ってレー
ザダイオード7のモニタ口から出射したモニタ光11は
反射型ホログラム8で反射され、その反射光12は正確
にレーザダイオード7のモニタ口へ入射し、この入射光
はレーザダイオード7内で増幅されて波長変動のない単
一波長のレーザ光として出射される。
以上の実施例によればレーザダイオード7、反射型ポロ
グラム8によりレーザ光の波長変動を従来の集光レンズ
を用いなくても補償することができる。
グラム8によりレーザ光の波長変動を従来の集光レンズ
を用いなくても補償することができる。
本発明は以上の実施例に限るわけではなく1反射型ホロ
グラム8を作成する際レンズを用いる代りに第7図に示
すようにプリズム21を光源と反射型ポログラム8の間
に入れて近似的な球面収差を用いて干渉縞を作ることも
できる。また反射型ホログラム8の利料としてフォトレ
ジストの他に写真乾板を用いても同様に反射型ホログラ
ム8を作ることができる。
グラム8を作成する際レンズを用いる代りに第7図に示
すようにプリズム21を光源と反射型ポログラム8の間
に入れて近似的な球面収差を用いて干渉縞を作ることも
できる。また反射型ホログラム8の利料としてフォトレ
ジストの他に写真乾板を用いても同様に反射型ホログラ
ム8を作ることができる。
(7)発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体レー
ザの波長変動補償に従来用いられていた集光レンズを削
除し、さらに集光レンズと対で用いられていた反射型グ
レーティングの代りに反射型ホログラムを用いてレーザ
ダイオードのレーザ光の一部をモニタ光として反射型ホ
ログラムに照射し、レーザ波長変動の補償を行なわせる
ことによって、集光レンズを用いた場合の集光レンズの
困難な位置調整や集光レンズの有効径による光量損失を
なくシ、簡単な構造で安価な半導体レーザ波長変動補償
装置を実現することができる。
ザの波長変動補償に従来用いられていた集光レンズを削
除し、さらに集光レンズと対で用いられていた反射型グ
レーティングの代りに反射型ホログラムを用いてレーザ
ダイオードのレーザ光の一部をモニタ光として反射型ホ
ログラムに照射し、レーザ波長変動の補償を行なわせる
ことによって、集光レンズを用いた場合の集光レンズの
困難な位置調整や集光レンズの有効径による光量損失を
なくシ、簡単な構造で安価な半導体レーザ波長変動補償
装置を実現することができる。
第1図は従来の半導体レーザ波長変動補償装置13−
の構成図、第2図は本発明の半導体レーザ波長変動補償
装置の構成図、第3図は反射型ホログラム作成の構成図
、第4図は他の実施例の反射型ホログラム作成の構成図
、第5図は球面収差を説明する特性図、第6図は他の実
施例の反射型ホログラム作成の構成図、第7図はプリズ
ムを用いた反射型ホログラム作成の構成図である。 7・・・レーザダイオード 8・・・反射型ホログラム 9・・・集光レンズ 10・・・出力光11・・・モニ
タ光 12.16・ ・・反射光 13・・・反射面 14.17.19・・・レーザ光 15.18.20・・・参照光 21・・・プリズム −14= 第1図 第2凶 第3図 第4図 第5図
装置の構成図、第3図は反射型ホログラム作成の構成図
、第4図は他の実施例の反射型ホログラム作成の構成図
、第5図は球面収差を説明する特性図、第6図は他の実
施例の反射型ホログラム作成の構成図、第7図はプリズ
ムを用いた反射型ホログラム作成の構成図である。 7・・・レーザダイオード 8・・・反射型ホログラム 9・・・集光レンズ 10・・・出力光11・・・モニ
タ光 12.16・ ・・反射光 13・・・反射面 14.17.19・・・レーザ光 15.18.20・・・参照光 21・・・プリズム −14= 第1図 第2凶 第3図 第4図 第5図
Claims (4)
- (1)半導体レーザと、固定したいレーザ光の発振波長
を用いて2発散波と収束波により作成された反射型ホロ
グラムと、前記半導体レーザ光より発生されたレーザ光
の一部を前記反射型ホログラムに入射することにより、
レーザ光の波長変動を補償することを特徴とする半導体
レーザ波長変動補償装置。 - (2)前記発散波と収束波は前記レーザ光の波長をパラ
メータとする球面収差を有することを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の半導体レーザ波長変動補償装置。 - (3)前記球面収差はレンズを用いてなることを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載の半導体レーザ波長変動
補償装置。 - (4)前記球面収差はプリズムを用いてなることを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の半導体レーザ波長変
動補償装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24843983A JPS60143682A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 半導体レ−ザ波長変動補償装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24843983A JPS60143682A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 半導体レ−ザ波長変動補償装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143682A true JPS60143682A (ja) | 1985-07-29 |
Family
ID=17178139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24843983A Pending JPS60143682A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 半導体レ−ザ波長変動補償装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143682A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114293A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 周波数安定化光源 |
| JPS63129686A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型発光装置 |
| RU2701854C1 (ru) * | 2019-01-21 | 2019-10-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д.Ф. Устинова (БГТУ "ВОЕНМЕХ") | Перестраиваемый лазерный резонатор |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24843983A patent/JPS60143682A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114293A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 周波数安定化光源 |
| JPS63129686A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型発光装置 |
| RU2701854C1 (ru) * | 2019-01-21 | 2019-10-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д.Ф. Устинова (БГТУ "ВОЕНМЕХ") | Перестраиваемый лазерный резонатор |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4701005A (en) | Light beam combining method and apparatus | |
| KR890007240A (ko) | 광학픽업헤드 | |
| KR870011588A (ko) | 개량된 광헤드 | |
| JPH0485978A (ja) | 端面励起型固体レーザー発振器 | |
| US3668404A (en) | Electro-optical microtransducer comprising diffractive element monolithically integrated with photoelectric device | |
| KR930008764A (ko) | 광학 레코딩 시스템용 홀로그래픽 장치 | |
| JPH04232623A (ja) | 集積光学ヘッド構造体 | |
| US5859439A (en) | Apparatus for aligning semiconductor wafer using mixed light with different wavelengths | |
| JPH0611750A (ja) | 光学装置及び光学式走査装置 | |
| US5453961A (en) | Pick-up device for optical disk readout using waveguide gratings | |
| JPH02165684A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0786594B2 (ja) | テレセントリツク光線を発生する方法及び装置 | |
| KR20000071779A (ko) | 광헤드장치 | |
| JPS60143682A (ja) | 半導体レ−ザ波長変動補償装置 | |
| EP0797121A3 (en) | Exposure apparatus | |
| KR100892017B1 (ko) | 주입동기형 펄스 레이저 장치, 간섭계측장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JPS58153388A (ja) | 半導体レ−ザ出力光モニタ−方法 | |
| Yoshida et al. | Three-beam CD optical pickup using a holographic optical element | |
| JPH0619847B2 (ja) | 光情報処理装置 | |
| US3546469A (en) | Electro-optical displacement measurer using zone plates | |
| JP2783806B2 (ja) | 光出力モニタ装置 | |
| JPH079502B2 (ja) | グレ−テイングレンズ光学系 | |
| JP4747668B2 (ja) | レーザ装置、レーザ波長検出方法およびホログラム装置 | |
| JPS6129802A (ja) | 光学素子 | |
| JPS63309815A (ja) | 光学干渉装置 |