JPS60143786A - 非線形素子介入抵抗測定装置 - Google Patents

非線形素子介入抵抗測定装置

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JPS60143786A
JPS60143786A JP25148283A JP25148283A JPS60143786A JP S60143786 A JPS60143786 A JP S60143786A JP 25148283 A JP25148283 A JP 25148283A JP 25148283 A JP25148283 A JP 25148283A JP S60143786 A JPS60143786 A JP S60143786A
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JP
Japan
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constant voltage
measured
switch
resistance
voltages
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JP25148283A
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JPH045145B2 (ja
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Saburo Ikeda
池田 三郎
Yoshimasa Tokui
得井 慶昌
Tetsuhiko Hirose
廣瀬 哲彦
Koji Inoue
井上 浩次
Naohiro Kimura
直弘 木村
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Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
NEC Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
NTT Inc
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Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS60143786A publication Critical patent/JPS60143786A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ダイオード等の非線形素子が直列に接続され
た抵抗の抵抗値を測定する抵抗測定方式非線形素子9例
えばダイオードが直列に挿入接続された抵抗の抵抗値を
測定することは、ダイオードの電圧降下の影響を受けて
一般に困難である。
従来、この種の抵抗を測定する場合、定電流による方法
が実現されている。これを第1図を参照して説明する。
同図において、ダイオードD及び被測定抵抗2が直列に
挿入されている被測定物に、定電流源凰1を接続すると
、該被測定物全体の電圧降下Vs1は、定電流を11と
して(1)式Oようにおられされる。
VS1! il Z + VD ”−・・・−(1)つ
いで、定電流源を12に切替えると、電圧降下Vstは
、(2)式のようKなる。
VS2 = i 2 Z + VD −−−−・・・−
・(2)ここで、上記(1) 、 +21式のVDは、
ダイオードDの電圧降下分であるので、一般には一定電
圧値を示す。従って、(2)式及び(1)式からVDを
除去することができる。すなわち、(1) 、 +21
式から、VS2−VSl = (12−it )Zよっ
て、 とナル。ソシテ、(31弐K kイテ、VS2 、 V
sl。
12 、11は、いずれも既知であるので、被測定抵抗
2の値をめることができる。
しかしながら、この従来の方式は、定電流源を用いてい
るため種々の問題がある。即ち、定電流源は、アナログ
回路的要素が極端に強く、回路構成が複雑になると共に
、電源部での電力消費が大きくなる欠点があり、又、装
置が大型化する欠点がある。
本発明は、斯かる欠点に鑑みてなされたもので、定電圧
源を用いることによシ、回路構成を簡単化すると共に、
電源部での電力消費を少なくシ、更に、装置を小型化で
きる非線形素子介入抵抗測定方式を提供することを目的
とする。
上記目的を達成するため、本発明は次の原理に基づいて
構成される。第2図を参照して、本発明の詳細な説明す
る。
ダイオードDに直列に挿入されている被測定抵抗2に定
電圧E1 を印加すると(4)式となる。
次に同様に定電圧E2を印加すると(5)式となる。
ここで、VDはダイオード電圧降下分であるので、一定
電圧値を一般には示すから、(5)式−(4)式によシ
、■刀を除去することができ−1(6)式となる。
(6)式は、(7番式のように変形される。
すなわち、Vs2によびVSlは、それぞれ定電圧B1
シよびB2 を内部抵抗Zoで印加した時の被測定物の
電圧降下測定値であるから、被測定抵抗2の値を除き、
すべて既知であるので、被測定抵抗2の値をめることが
出来る。
以下、上記原理による本発明を図面に示す実施例に基づ
いて説明する。
第3図は本発明抵抗測定方式の一実施例を示すブ目ツク
図である。図において本発明は、非線形′素子としてダ
イオードDを直列接続した被測定物Kit’続して電圧
を印加する電源手段と、被測定物の電圧降下を検出する
測定手段と、これらを制御すると共に、被測定値から被
測定物抵抗値を算出する処理手段とを備えて構成される
電源手段は、定電圧源E1及びB2と、既知の抵抗値か
ら成る内部抵抗Zoと、該定電圧源E1及びB2の出力
を切替えて内部抵抗Zoと接続するスイッチSW1 と
、該内部抵抗Zoの他端を被測定物Kl!続するスイッ
チSWo とを有して成る。
ここで、定電圧源E1 とB2 とは、内部インピーダ
ンスを無視すべく、入力インピーダンス無限大のバッフ
ァアンプAoを介して内部抵抗Zoに接続しである。こ
れは、電源手段の内部抵抗が既知のZOであることを明
示するための回路手段を示したもので、回路構成を具体
的に明記したものではない。
上記定電圧源E1及びB2の切替は、スイッチSW1で
行なわれ、被測定物、本実施例ではダイオードDと被測
定抵抗2の直列接続されたものへの定電圧111E1.
B2の印加は、スイッチSWo で行なわれる。これら
のスイッチSWo及びSW1の制御は、後述する処理手
段のマイクロプロセッサCPUICて制御される出力装
置0UToと接続吏れる継電器RO+ R1の電流オン
オフにて行なわれる。
測定手段は、バッファアンプA1 を介して入力される
被測定電圧を、後述する処理手段から供艇される比較信
号と比較するコンパレータCと、上記比較信号をデジタ
ル−アナログ変換するD/A変換器DACとから成る。
又、処理手段は、上記スイッチS Wo a S Wl
 の継電器Ro 、 R1を駆動する出力装置0UTo
と、上記D/A変換器DACにデジタルの比較信号を出
力する出力装置0UT1 と、上記コンパレータCの出
力を入力させる入力装置INと、測定値等を記憶するメ
モリMMと、測定結果を出力する出力装置OU T2と
、 これらの付属装置を介して上記電源手段及び測定手
段を制御すると共に測定値の演算処理を行なうマイクロ
プロセッサCPUとをこのような構成にお込て、本発明
測定方式による抵抗値測定は、次のように行なう。
まず、スイッチS We 開放時、定電圧源E1及びR
2の値を、入力インピーダンス無限大のバッファアンプ
人1を介してコンパレータCに入力せしめる。一方、マ
イクロプロセッサCPUKよ多制御される出力装置0U
T1から出力される比較信号を、D/A変換器DACK
てアナログ電圧に変換して、上記コンパレータCの他の
入力端子に入力せしめる。コンパレータCは、両者の電
圧の一致、不一致を検出する。マイクロプロセッサCP
Uは、入力装置INKて上記コンパレータCの出力状態
を監視し、定電圧源の電圧と比較信号電圧が不一致であ
れば、出力装置0UT1の比較信号のデジタル値を変化
させ、両電圧が合致した時、その時のデジタル値を、そ
の定電圧源E、 、 R2の電圧として、iイク四プロ
セッサCPU内又ハメモリMMK記憶させる。
次に、スイッチS W(+ を閉成し、スイッチSW1
を切替えて定電圧源E1 とR2とを各々被測定物に印
加する。そして、上記同様の測定方法によシ、定電圧源
E1 印加時のデジタル値をVS1として、又定電圧源
E2印加詩のデジタル値をVS2として、マイクロプロ
セッサCPU又はメモリMMに記憶させる。又、内部抵
抗Z、は、抵抗値をデジタル値として予めメモリMMに
記憶せしめておく。
iイクロプロセッサCPUは、これらのデータを基にし
て、上記(7)式の演算を実行し、被測定抵抗2の値を
める。そして、出力装置OU T2を介してこの測定結
果を出力する。
以上説明したように1本発明は、定電圧源を用いること
によシ、従来定電流源を用いて複雑であった回路構成を
簡単化すると共に、電源部での電力消費を少なくシ、更
に、装置を小型化できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
111図は従来の抵抗測定方式の原理を示す回路図、第
2図は本発明抵抗測定方式の原理を示す回路図、第3図
は本発明抵抗測定方式の一実施例を示すブロック図であ
る。 D・・・ダイオード 2・・・被測定抵抗20・・・内
部抵抗 El、R2・・・定電圧源SWO,SWl・・
・スイッチ Ao、A1・・、バッファアンプC・・・
コンパレータ DAC・・・D/A変m器CPU・・・
マイクロプロセッサIN・・・入力装置0UTo、 0
UTI、 0UT2 ・・・出力装置 MM−・・メそ
すRO、R1川継電器 出願人 日本電気株式会社外4名 第1図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ダイオード等の非線形素子が直列に挿入された被測定物
    の抵抗値を測定する方式において、異なった電圧の定電
    圧源E1及びE2を、各々切替えて被測定物に内部抵抗
    zOを介して印加する電源手段と、 上記定電圧源E1. 、 E2 印加に伴なう被測定物
    の対応する電圧降下分を測定する測定手段と、上記測定
    値Vs1. VS2 、上記定電圧源E1 。 E2の電圧及び内部抵抗Zoの抵抗値を記憶すると共に
    、これらのデータによル、被沖」定抵抗値2を、で示さ
    れる弐にて演算してめる処理“手段とを設けたことを特
    徴とする非線形素子介入抵抗測定方式。
JP25148283A 1983-12-29 1983-12-29 非線形素子介入抵抗測定装置 Granted JPS60143786A (ja)

Priority Applications (1)

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JP25148283A JPS60143786A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 非線形素子介入抵抗測定装置

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JP25148283A JPS60143786A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 非線形素子介入抵抗測定装置

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JPS60143786A true JPS60143786A (ja) 1985-07-30
JPH045145B2 JPH045145B2 (ja) 1992-01-30

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JP25148283A Granted JPS60143786A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 非線形素子介入抵抗測定装置

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