JPS60144971A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60144971A JPS60144971A JP59001581A JP158184A JPS60144971A JP S60144971 A JPS60144971 A JP S60144971A JP 59001581 A JP59001581 A JP 59001581A JP 158184 A JP158184 A JP 158184A JP S60144971 A JPS60144971 A JP S60144971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- drain
- shift register
- cod
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電荷の転送機能を有する半導体装置に関するも
のであネ。
のであネ。
従来例の構成とその問題点
昨今電荷転送機能を有するＣ０Ｄ（電荷結合素子）の開
発が進み、その応用としてＣＯＤイメージセンサの開発
が活発に進められている。
発が進み、その応用としてＣＯＤイメージセンサの開発
が活発に進められている。
第１図は従来の一次元ＣＯＤ固体撮像装置の概略図を示
したものである。入射した光は光電変換部１で光の強弱
に応じた電荷に変換され、ある一定の期間蓄積された後
、光電変換部１内の奇数番目の画素に蓄積された電荷は
、シフトゲ−）２ａを通じて奇数側のＣＣＤシフトレジ
スタ３ａに転送され、偶数番目の画素に蓄積された電荷
は、シフトゲート２ｂを通じて偶数側のＣＣＤシフトレ
ジスタ３ｂに転送され、偶奇各々のシフトレジスタ内の
電荷はＣＯＤ転送により、出力ゲート４を通じて出力部
５に転送される。
したものである。入射した光は光電変換部１で光の強弱
に応じた電荷に変換され、ある一定の期間蓄積された後
、光電変換部１内の奇数番目の画素に蓄積された電荷は
、シフトゲ−）２ａを通じて奇数側のＣＣＤシフトレジ
スタ３ａに転送され、偶数番目の画素に蓄積された電荷
は、シフトゲート２ｂを通じて偶数側のＣＣＤシフトレ
ジスタ３ｂに転送され、偶奇各々のシフトレジスタ内の
電荷はＣＯＤ転送により、出力ゲート４を通じて出力部
５に転送される。
以上の様な従来の構造では、ＣＣＤシフトレジスタ内で
常に全画素の電荷を転送しなければならず、−ラインの
走査時間（蓄積時間）は一段当シの転送時間に画素数を
乗じたものとなり、上記の様なＣＣＤシフトレジスタを
奇数と偶数に分けた構造のものでも上記走査時間の半分
にしかならない。
常に全画素の電荷を転送しなければならず、−ラインの
走査時間（蓄積時間）は一段当シの転送時間に画素数を
乗じたものとなり、上記の様なＣＣＤシフトレジスタを
奇数と偶数に分けた構造のものでも上記走査時間の半分
にしかならない。
昨今情報の一部を高速に認識したいという要望が高まっ
てお９、上記従来構造の装置では上記要望を満たすこと
ができない、。そこで以上の問題点を解決すべく一つの
構造が提案されている。第２図は改善された従来構造で
あシ、第１図の構造の偶奇各々の転送用ＣＣＤシフトレ
ジスタ３ａ。
てお９、上記従来構造の装置では上記要望を満たすこと
ができない、。そこで以上の問題点を解決すべく一つの
構造が提案されている。第２図は改善された従来構造で
あシ、第１図の構造の偶奇各々の転送用ＣＣＤシフトレ
ジスタ３ａ。
３ｂの横にドレインゲート６ａ及び６ｂを介してドレイ
ン用ＣＣＤシフトレジスタ７ａ及び７ｂを設け、転送用
ＣＯＤシフトレジスタ３ａ及び３ｂ内の不要となった信
号を、ドレイン用Ｃ’ＣＤシフトレジスタ７ａ及び７ｂ
に移し、末端に設けられたドレイン８ａ及び８ｂに電荷
を捨て去る構造となっている。従って第２図の構造では
、ドレインゲー）６ａ及び６ｂに加えるパルスのタイミ
ングを適当に選ぶことによシ、必要な画素数を選択する
ことが出来、それに従って一ラインの走査時間を任意に
選択することができる。
ン用ＣＣＤシフトレジスタ７ａ及び７ｂを設け、転送用
ＣＯＤシフトレジスタ３ａ及び３ｂ内の不要となった信
号を、ドレイン用Ｃ’ＣＤシフトレジスタ７ａ及び７ｂ
に移し、末端に設けられたドレイン８ａ及び８ｂに電荷
を捨て去る構造となっている。従って第２図の構造では
、ドレインゲー）６ａ及び６ｂに加えるパルスのタイミ
ングを適当に選ぶことによシ、必要な画素数を選択する
ことが出来、それに従って一ラインの走査時間を任意に
選択することができる。
しかし、第２図の従来構造では、転送用ＣＯＤシフトレ
ジスタ３ａ及び３ｂとドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ
７ａ及び７ｂとはポテンシャルに差をつけておかねばＣ
ＣＤ間の転送が完全にできない。
ジスタ３ａ及び３ｂとドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ
７ａ及び７ｂとはポテンシャルに差をつけておかねばＣ
ＣＤ間の転送が完全にできない。
第３図ａは第２図の従来構造のＡ−Ａ’面の断面構造を
表しだものであり、基板１０はＰ型で、転送用ＣＯＤシ
フトレジスタ３ｂは、ゲート１１、ゲート酸化膜１６及
び埋込みチャンイ・ルのためのＮウェル１３で構成され
ている。ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂは、ゲー
ト１２、ゲート酸化膜１６及びＮウェル１４で構成され
ており、転送用及びドレイン用各ＣＯＤシフトレジスタ
３ｂ。
表しだものであり、基板１０はＰ型で、転送用ＣＯＤシ
フトレジスタ３ｂは、ゲート１１、ゲート酸化膜１６及
び埋込みチャンイ・ルのためのＮウェル１３で構成され
ている。ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂは、ゲー
ト１２、ゲート酸化膜１６及びＮウェル１４で構成され
ており、転送用及びドレイン用各ＣＯＤシフトレジスタ
３ｂ。
７ｂは、ドレインゲート６ｂを介して相隣９合っている
。１７は転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂを駆動するド
ライバーであり、１９はドライバーの電源である。一方
１８はドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂを１駆動す
るドライバーで、２０はドライバーの電源である。この
第３図ａの構造に於て、転送用ＣＯＤシフトレジスタｓ
ｂ内の電荷をドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂへ転
送するには同図すの様に転送状態に於て、ドレインゲー
ト６をローのポテンシャルＡからハイのポテンシャルＢ
へ移行した時、転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂのポテ
ンシャルＣよシも、ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７
ｂのポテンシャルＤの方カ深くなければならない。しか
し第３図ａの従来構造では転送用ＣＯＤシフトレジスタ
３ｂのＮウェル１３とドレイン用ＣＯＤのＮウェル１４
は同じ濃度であシ、各ＣＣＤゲート１１及び１２のロー
レベル状態でのポテンシャルは同図Ｃの様に全く同じで
ある。従って、ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂを
駆動するドライバー１８の電源２０は転送用ＣＯＤシフ
トレジスタ３ｂを駆動するドライバー１７の電源１９よ
シも高い電圧が必要となる。従ってドライバー用の電源
を共用することが出来ず、回路がその分複雑となる。
。１７は転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂを駆動するド
ライバーであり、１９はドライバーの電源である。一方
１８はドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂを１駆動す
るドライバーで、２０はドライバーの電源である。この
第３図ａの構造に於て、転送用ＣＯＤシフトレジスタｓ
ｂ内の電荷をドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂへ転
送するには同図すの様に転送状態に於て、ドレインゲー
ト６をローのポテンシャルＡからハイのポテンシャルＢ
へ移行した時、転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂのポテ
ンシャルＣよシも、ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７
ｂのポテンシャルＤの方カ深くなければならない。しか
し第３図ａの従来構造では転送用ＣＯＤシフトレジスタ
３ｂのＮウェル１３とドレイン用ＣＯＤのＮウェル１４
は同じ濃度であシ、各ＣＣＤゲート１１及び１２のロー
レベル状態でのポテンシャルは同図Ｃの様に全く同じで
ある。従って、ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂを
駆動するドライバー１８の電源２０は転送用ＣＯＤシフ
トレジスタ３ｂを駆動するドライバー１７の電源１９よ
シも高い電圧が必要となる。従ってドライバー用の電源
を共用することが出来ず、回路がその分複雑となる。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、転送及び
ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタの電源を共用すること
のできる半導体装置を提供するものである。
ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタの電源を共用すること
のできる半導体装置を提供するものである。
発明の構成
本発明はゲートを介してあい隣り合う転送及びドレイン
用ＣＯＤの表面あるいは表面近傍の濃度がｆｉｉ１１互
いに異なる様に構成し、転送及びドレイン用ＣＣＤシフ
トレジスタの電源を共用せんとするものである。
用ＣＯＤの表面あるいは表面近傍の濃度がｆｉｉ１１互
いに異なる様に構成し、転送及びドレイン用ＣＣＤシフ
トレジスタの電源を共用せんとするものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
本実施例では第２図Ａ−Ａ’断面部分が第４図の様な構
成になっている。
成になっている。
第４図ａは、本発明の一実施例に於ける要部の断面構造
を表わしたものであるが、基板１０はＰ型で、転送用Ｃ
ＯＤシフトレジスタ３ｂはゲート１１、ゲート酸化膜１
６及び埋込みチャンネルのためのＮウェル１３で構成さ
れている。ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂは、ゲ
ート１２、ゲート酸化膜１６及びＮウェル１４で構成さ
れており、１４のＮウェルの濃度は転送用ＣＯＤシフ小
レジスタ３ｂのＮウェル１３よりも高くなっている。従
って転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂ及びドレイン用Ｃ
ＣＤシフトレジスタ７ｂの各々のゲート１１及び１２傾
接続する駆動用ドライバー１７及び１８の電源２１は共
通にすることが出来る。また、転送用及びドレイン用各
ＣＯＤシフトレジスタのドライバー自身をも共通にする
ことが可能である。第４図すは断面図ａの転送時のポテ
ンシャルを示したもので、転送及びドレイン用ＣＣＤシ
フトレジスタ３及び７の各ゲート１１及び１２に同じハ
イレベルの電圧を供給した時のポテンシャルを示したも
ので、同図すよシ、ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７
ｂのポテンシャルＤが転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂ
のポテンシャルＣよりも深いことを示しており、この状
態でドレインゲ−１−６ヲローレベルのポテンシャルＡ
からハイレベルのポテンシャルにした時に、転送用ＣＯ
Ｄシフトレジスタ３内の電荷が、ドレイン用ＣＣＤシフ
トレジスタ７ｂへ転送される。なお同図Ｃは転送及びド
レイン用ＣＣＤシフトレジスタ３ｂ及び７ｂのローレベ
ルに於けるポテンシャルを示している。
を表わしたものであるが、基板１０はＰ型で、転送用Ｃ
ＯＤシフトレジスタ３ｂはゲート１１、ゲート酸化膜１
６及び埋込みチャンネルのためのＮウェル１３で構成さ
れている。ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７ｂは、ゲ
ート１２、ゲート酸化膜１６及びＮウェル１４で構成さ
れており、１４のＮウェルの濃度は転送用ＣＯＤシフ小
レジスタ３ｂのＮウェル１３よりも高くなっている。従
って転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂ及びドレイン用Ｃ
ＣＤシフトレジスタ７ｂの各々のゲート１１及び１２傾
接続する駆動用ドライバー１７及び１８の電源２１は共
通にすることが出来る。また、転送用及びドレイン用各
ＣＯＤシフトレジスタのドライバー自身をも共通にする
ことが可能である。第４図すは断面図ａの転送時のポテ
ンシャルを示したもので、転送及びドレイン用ＣＣＤシ
フトレジスタ３及び７の各ゲート１１及び１２に同じハ
イレベルの電圧を供給した時のポテンシャルを示したも
ので、同図すよシ、ドレイン用ＣＣＤシフトレジスタ７
ｂのポテンシャルＤが転送用ＣＯＤシフトレジスタ３ｂ
のポテンシャルＣよりも深いことを示しており、この状
態でドレインゲ−１−６ヲローレベルのポテンシャルＡ
からハイレベルのポテンシャルにした時に、転送用ＣＯ
Ｄシフトレジスタ３内の電荷が、ドレイン用ＣＣＤシフ
トレジスタ７ｂへ転送される。なお同図Ｃは転送及びド
レイン用ＣＣＤシフトレジスタ３ｂ及び７ｂのローレベ
ルに於けるポテンシャルを示している。
発明の効果
本発明の半導体装置は共通のドライ、６−電源もしくは
共通のドライバーにより、一つの電荷転送装置の電荷を
他の電荷転送装置へと転送することができ、その実用的
効果は大きい。
共通のドライバーにより、一つの電荷転送装置の電荷を
他の電荷転送装置へと転送することができ、その実用的
効果は大きい。
第１図は従来の一次元ＣＯＤ固体撮像装置の概略図、第
２図は改良された一次元ＣＯＤ固体撮像装置の平面図、
第３図Ｃ５第４図ａはそれぞれ従来５本発明における第
２図のＡ−Ａ′断面図で、第３図す、第４図すはそれぞ
れの動作時に於けるポテンシャル図、第３図Ｃ５第４図
Ｃはそれぞれ゛の不純物濃度分布図である。 １ｏ・・・・・・基板、１１．１２・・・・・・ゲート
１，１３゜１４・川・Ｎウェル、１５・・・・・・チャ
ンネルストッパ、１６・・・・・・ゲート酸化膜、１７
．１８・川・ドライバー、２１・・・・・・ドライバー
用電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ８工 第３図 ・”１０ 第４図
２図は改良された一次元ＣＯＤ固体撮像装置の平面図、
第３図Ｃ５第４図ａはそれぞれ従来５本発明における第
２図のＡ−Ａ′断面図で、第３図す、第４図すはそれぞ
れの動作時に於けるポテンシャル図、第３図Ｃ５第４図
Ｃはそれぞれ゛の不純物濃度分布図である。 １ｏ・・・・・・基板、１１．１２・・・・・・ゲート
１，１３゜１４・川・Ｎウェル、１５・・・・・・チャ
ンネルストッパ、１６・・・・・・ゲート酸化膜、１７
．１８・川・ドライバー、２１・・・・・・ドライバー
用電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ８工 第３図 ・”１０ 第４図
Claims (1)
- ゲートを介してあい隣り合う転送及びドレイン用ＣＯＤ
の表面あるいは表面近傍の濃度が、互いに異なることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001581A JPS60144971A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001581A JPS60144971A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144971A true JPS60144971A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11505478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001581A Pending JPS60144971A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144971A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020155973A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120555A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP59001581A patent/JPS60144971A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120555A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020155973A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の制御方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60157800A (ja) | 電荷結合装置 | |
| JPS5875382A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05283670A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の電荷読出し方法 | |
| JPH05283666A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH022793A (ja) | ２次元ｃｃｄ撮像素子の駆動方法 | |
| JPS63155962A (ja) | Ｃｃｄ撮像装置及びそれを備えたカメラ | |
| JPH02309877A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05308575A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3330403B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3658178B2 (ja) | 電荷転送装置の駆動方法 | |
| JP3241828B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3185230B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0723299A (ja) | 駆動パルス生成回路 | |
| JPH0697206A (ja) | 電荷転送装置 | |
| JP4269701B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPS59154882A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2000196964A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
| JPH03171771A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
| JPS60257565A (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPH0212967A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2907841B2 (ja) | ラインセンサ | |
| JPH06268923A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH03116841A (ja) | 電荷結合素子 | |
| JPS59132655A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6088459A (ja) | 半導体装置 |