JPS60145622A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、ドライエ
ツチング方法に関する。

〔発明の背景〕

牛導体果槓回路の高速化・高集積化のため、微細加工技
術としてのドライエツチングが主流を占めつつおる。

エツチングモードとしては、プラズマ反応による化学的
な等方性エツチングと、電極間の電界によるイオンの加
速を利用した物理的な異方性エツチングとの２つに分け
られるが、実際には両方の反応が平行して起っている。

そのため、異方性エツチングと称せられる平行平板型反
応性ドライエツチング装置においてもサイドエツチング
は避けられない。

特に、ウェーハの周辺部では反応ガスのラジカルの密度
が高い割に反応生成物が少ないためエツチング速度が速
く、逆にウェーハの中央部では反応ガスのラジカルの密
度が低い割に反応生成物が多いためエツチング速度が遅
くなる傾向を解消することはできなかった。そのため、
ガスの侃類と圧力や電極の形と距離や電力を変えたり、
基板冷却や真空ポンプの排気速度を桁違いに大きくする
などで、均一性を改善する工夫がなされているに過ぎな
い。

〔発明の目的〕

従って、本発明の目的は均一性の優れたエツチングを行
ない得る方法を提供することＫある。

〔発明の構成〕

本発明はウェーハの周囲をダミーで囲み同時にエツチン
グすることを特徴とし、これによって、容易に均一性の
優れたエツチングを実現するものである。以下、図面に
従って本発明を詳細する。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を示す。例えば第１図のよう
に、フォトレジストパターン９を有するウェーハ１に近
接して囲むようにエツチングすべき薄膜８と同−材質の
リング６を置いてドライエツチングを行なう。このとき
、リング６はフォトレジストパターンがなくてもよい代
りに、ウェーハ１の直径５の約１０分の１の幅とし、リ
ング６とウェーハ１とのギャップ４は３間以下に保ち、
厚さもできる限り段差のないようにしなければならない
。

第２図は平行平板型ドライエツチング装置を示し、半導
体ウェーハ１はエツチング室１０内のアノード１２．カ
ソード１１間におかれる。尚、１３はマツチングボード
で１４はＲＦｌｉ源である。

このようＫしてウェーハ１面内のラジカルと反応生成物
の密度を均一化し、エツチング均一性を大幅に改善する
ことにより、寸法８度の優れたサブミクロンゲートの加
工が容易になり、半導体集積回路の高速化ｅ高周波化が
可能となった。

本発明は枚葉型、一括処理型を問わないことはもちろん
のこと、一実施例ではリングを用いたが、ウェーハを載
せるサセプタそのものをエツチングすべき材質で作って
同様の効果を得ることも可能である。

さらに、治具を工夫すれば、通常の熱拡散炉で用いられ
ているボート型式のものやディップ式のウェットエツチ
ングなどにも適用することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は夫々本発明のニ実施例を示
す平面図と断面図、第２図は平行平板型ドライエツチン
グ装置の概略を示す模式図である。 １・・・・・・ウェーハ、２・・・・・・オリエンテー
ション豐フラット、３・・・・・・リング、４・・・・
・・ギャップ、５・・・・・・ウェーハ直径、６・・・
・・・リング、７・・団・サセプタ、８・・・・・・エ
ツチングすべき薄膜、９・旧・・フォトレジスト・パタ
ーン、１０・川・・エラチン／室、１１・・・・・・カ
ソード、１２・・・・・・アノード、１３・・・・・・
マツチングボックス、１４・・・・・・几Ｆ電源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. エツチング工程の際に、半導体ウェーハの周囲をエツチ
   ング対象物と同一の材質のもので囲むことを特徴とする
   半導体装置の製造方法。