JPS60146582A - Ｃｃｄセンサの欠陥補償方法 - Google Patents
Ｃｃｄセンサの欠陥補償方法Info
- Publication number
- JPS60146582A JPS60146582A JP59003785A JP378584A JPS60146582A JP S60146582 A JPS60146582 A JP S60146582A JP 59003785 A JP59003785 A JP 59003785A JP 378584 A JP378584 A JP 378584A JP S60146582 A JPS60146582 A JP S60146582A
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- JP
- Japan
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- ccd
- sensor
- output
- area sensor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明ｔ／１ＣＣＤセンサに関するもので、特に多数の
素子が高密度で集積されてなるＣＣＤセンサに対して欠
陥を補償する方法に関するものである。
素子が高密度で集積されてなるＣＣＤセンサに対して欠
陥を補償する方法に関するものである。
〈従来技術〉
一次元に素子が配列されたりニアセンサのみならず、二
次元に素子が配列されたＣＣＤエリアセンサは、軽量、
小型、低消費電力の特徴を持ち、従来の撮像管に代るも
のとして極めて大きな注目を集めている。この種の固体
センサは、半導体基板に極めて高い密度でＣＣＤ素子等
が形成さｈた構造よりなるが、現在の半導体製造技術で
は、センサを構成する半導体基板全域を無欠陥の状態で
歩留りよく製造することは困難であり、そのためにＣＣ
Ｄセンサ自体が非常に高価なも−のになり、いまだ本格
的に撮像管にとって代るには致っていない。
次元に素子が配列されたＣＣＤエリアセンサは、軽量、
小型、低消費電力の特徴を持ち、従来の撮像管に代るも
のとして極めて大きな注目を集めている。この種の固体
センサは、半導体基板に極めて高い密度でＣＣＤ素子等
が形成さｈた構造よりなるが、現在の半導体製造技術で
は、センサを構成する半導体基板全域を無欠陥の状態で
歩留りよく製造することは困難であり、そのためにＣＣ
Ｄセンサ自体が非常に高価なも−のになり、いまだ本格
的に撮像管にとって代るには致っていない。
上記のよりなＣＣＤセンサの問題点に対して、欠陥補償
回路を付加して利用することも提案されているが複雑な
信号処理回路が必要になり、これもまた高価になり、か
ならずしも採用されていないのが実情である。
回路を付加して利用することも提案されているが複雑な
信号処理回路が必要になり、これもまた高価になり、か
ならずしも採用されていないのが実情である。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来のＣＣＤセンサの欠陥補償方法の問題
点に鑑みてなされたもので、簡単な構成を伺加すること
によって、ＣＣＤセンサに欠陥があっても撮像出力とし
てばあだかも無欠陥であるかのように動作させ得る補償
方法を提供する。
点に鑑みてなされたもので、簡単な構成を伺加すること
によって、ＣＣＤセンサに欠陥があっても撮像出力とし
てばあだかも無欠陥であるかのように動作させ得る補償
方法を提供する。
〈実施例〉
図において、ＣＣＤセンサＩ／ｉ従来公知の半導体製造
技術によって二次元にＣＣＤ素子が配列されたエリアセ
ンサからなり、該センサ領域中には欠陥素子が含まれて
いてもよい。上記ＣＣＤエリアセンサ１の出力はイメー
ジ出力とするために制御回路２に与えられて信号処理さ
れ５センサ面への入射映像に対応する画像出力信号が形
成される。
技術によって二次元にＣＣＤ素子が配列されたエリアセ
ンサからなり、該センサ領域中には欠陥素子が含まれて
いてもよい。上記ＣＣＤエリアセンサ１の出力はイメー
ジ出力とするために制御回路２に与えられて信号処理さ
れ５センサ面への入射映像に対応する画像出力信号が形
成される。
」−記制御回路２には、ＣＣＤエリアセンサ１の出力を
記憶保持するＲＡＭ３が雀叱丁れている。該ＲＡＭ３は
制御回路２を構成するＩＣに内蔵させても、或いは別体
の半導体チップによって構成してもよい。ＲＡＭ３は後
述する操作によって検出されたＣＣＤエリアセンサｌの
欠陥素子位置情報を記・腋保持し、記憶している欠陥位
置情報を、制御回路２における画像出力信号の形成時に
読み出位置の画像出力信号を近隣の正常な素子から導出
された出力に置換える。従って上記制御回路２には信号
補間のための遅延回路等が予め設けらｈ、ている。
記憶保持するＲＡＭ３が雀叱丁れている。該ＲＡＭ３は
制御回路２を構成するＩＣに内蔵させても、或いは別体
の半導体チップによって構成してもよい。ＲＡＭ３は後
述する操作によって検出されたＣＣＤエリアセンサｌの
欠陥素子位置情報を記・腋保持し、記憶している欠陥位
置情報を、制御回路２における画像出力信号の形成時に
読み出位置の画像出力信号を近隣の正常な素子から導出
された出力に置換える。従って上記制御回路２には信号
補間のための遅延回路等が予め設けらｈ、ている。
上記ＣＣＤエリアセンサｌに対して、本実施例はセンサ
１の受光面に反則体４を配置し、該反則体４は例えｒｒ
１３角柱からなり、第１の側面４、は真黒な表面、第２
の側面４□は白色の表面、第３の表面４３ｔｆｉ鏡面に
形成されている。該反射体４は回転自在に支持され、Ｃ
Ｃ’ＤＣＣＤエリアセンサ１面に対して第ｌ乃至第３の
側面で反射された光が切換えられて入射される。
１の受光面に反則体４を配置し、該反則体４は例えｒｒ
１３角柱からなり、第１の側面４、は真黒な表面、第２
の側面４□は白色の表面、第３の表面４３ｔｆｉ鏡面に
形成されている。該反射体４は回転自在に支持され、Ｃ
Ｃ’ＤＣＣＤエリアセンサ１面に対して第ｌ乃至第３の
側面で反射された光が切換えられて入射される。
即ち、撮影に先立ってＣＣＤエリアセンサ１をチェック
して欠陥位置をＲＡＭ３に保持させる。
して欠陥位置をＲＡＭ３に保持させる。
そのため［まず上記反射体４を、表面が真黒に形成さ八
だｙ；１表面４１の反則光かＣＣＤエリアセンサｌに入
射されるように回転させる。このときＣＣＤエリアセン
サ１から出力されている信号レベルについて、入射され
た黒レベルに対応する信号レベルとは異なる出力が導出
された素子について、制御回路２において該当位置の素
子は欠陥であると判定され、ＲＡＭ３ＶＣ位置情報か書
き込まれる。素子欠陥のチェックをより確実にするため
続いて反射体４を回転させて第２側面４□、即ち白色表
面から反射された光をＣＣＤＣＣエリアセンサ１．入射
させる。該白色入射光に対しても上記動作と同様に白色
入射光に対応する信号レベルとは異なる出力信号レベル
を等出しだ素子について、欠陥素子であるとしてその位
置情報かＲＡ Ｍ ３に書き込まれる。両チェック操作
によってＣＣＤＣＣエリアセンサ欠陥箇所か記憶される
。
だｙ；１表面４１の反則光かＣＣＤエリアセンサｌに入
射されるように回転させる。このときＣＣＤエリアセン
サ１から出力されている信号レベルについて、入射され
た黒レベルに対応する信号レベルとは異なる出力が導出
された素子について、制御回路２において該当位置の素
子は欠陥であると判定され、ＲＡＭ３ＶＣ位置情報か書
き込まれる。素子欠陥のチェックをより確実にするため
続いて反射体４を回転させて第２側面４□、即ち白色表
面から反射された光をＣＣＤＣＣエリアセンサ１．入射
させる。該白色入射光に対しても上記動作と同様に白色
入射光に対応する信号レベルとは異なる出力信号レベル
を等出しだ素子について、欠陥素子であるとしてその位
置情報かＲＡ Ｍ ３に書き込まれる。両チェック操作
によってＣＣＤＣＣエリアセンサ欠陥箇所か記憶される
。
撮像にあたっては反射体４か更に回転され、鏡面をもつ
第３側面４３からの反射光か映像情報としてＣＣＤエリ
アセンサ１に入射される。ＣＣＤエリアセンサ１は入射
光に対応する光電変換出力を順次制御回路２に転送し、
画像信号か形成される。ここで該画像信号の形成過程に
おいて、上記ＲＡＭ３１／Ｃ予め記録された素子位置情
報か読み出され、撮像時の画像信号に対して該当する位
置の素子から導出されたＣＣＤエリアセンサ出力は、例
えはｌライン前の素子出力或いは１素子前の出力が代用
され、撮像領域全域に亘って正・率な素子から出力され
た信号によって画像情報か形成される。
第３側面４３からの反射光か映像情報としてＣＣＤエリ
アセンサ１に入射される。ＣＣＤエリアセンサ１は入射
光に対応する光電変換出力を順次制御回路２に転送し、
画像信号か形成される。ここで該画像信号の形成過程に
おいて、上記ＲＡＭ３１／Ｃ予め記録された素子位置情
報か読み出され、撮像時の画像信号に対して該当する位
置の素子から導出されたＣＣＤエリアセンサ出力は、例
えはｌライン前の素子出力或いは１素子前の出力が代用
され、撮像領域全域に亘って正・率な素子から出力され
た信号によって画像情報か形成される。
」二記実施例は反射条件が異なる側面を備えた反射体を
用いてＣＣＤエリアセンサに夫々異なる入射光を与える
場合を挙けたか、他の実施例として入射光を遮断し得る
遮蔽板を可ω−１自在に設け、遮 光された状態てＣＣ
Ｉ）エリアセンサ１をチェックして第１の欠陥素子位置
を抽出し、次に遮蔽板を除去して外来光を遮断した状態
で例えは白色光をＣＣＤエリア セ：／ ＋ｌ−Ｉ Ｖ
Ｃ照射し、ＣＣＤ ：ｌｔ ＩＪ′７ （ンサ１をチェ
ックしで第２の欠陥素子位置を抽出する。第１及び第２
の欠陥素子位置情報は前記実施例と同様にＲＡ Ｍ ３
に記憶させ、該ＲＡ Ｍ情報を読み出して欠陥素子を補
償するための情報とする。
用いてＣＣＤエリアセンサに夫々異なる入射光を与える
場合を挙けたか、他の実施例として入射光を遮断し得る
遮蔽板を可ω−１自在に設け、遮 光された状態てＣＣ
Ｉ）エリアセンサ１をチェックして第１の欠陥素子位置
を抽出し、次に遮蔽板を除去して外来光を遮断した状態
で例えは白色光をＣＣＤエリア セ：／ ＋ｌ−Ｉ Ｖ
Ｃ照射し、ＣＣＤ ：ｌｔ ＩＪ′７ （ンサ１をチェ
ックしで第２の欠陥素子位置を抽出する。第１及び第２
の欠陥素子位置情報は前記実施例と同様にＲＡ Ｍ ３
に記憶させ、該ＲＡ Ｍ情報を読み出して欠陥素子を補
償するための情報とする。
〈効 果〉
以上本発明によれは、記憶素子として比較的入手容易１
： ＲＡ ｒｖ＋を用いてＣＣＤエリアセンサの欠に内
蔵できる程度であり、簡単な構成を伺加するのみで撮像
動作の信頼性を高め、また装置を構成するＣＣＤ基板は
欠陥をも補って有効に利用することが一〇きる。
： ＲＡ ｒｖ＋を用いてＣＣＤエリアセンサの欠に内
蔵できる程度であり、簡単な構成を伺加するのみで撮像
動作の信頼性を高め、また装置を構成するＣＣＤ基板は
欠陥をも補って有効に利用することが一〇きる。
図は木発ｌ＃−Ｊによる一冥施例全示すフロック図であ
る。 １：ＣＣＤエリアセンサ、２：制御回路、３：ＲＡＭ、
４：反射体、４１：黒色反射１ｆｉｌ−４２：白色反則
面、４３ ：鏡
る。 １：ＣＣＤエリアセンサ、２：制御回路、３：ＲＡＭ、
４：反射体、４１：黒色反射１ｆｉｌ−４２：白色反則
面、４３ ：鏡
Claims (1)
- ｉ ）Ｃ：ＣＤセンサに予め所定レベルの光を照射して
、入射光に対応する出力信号か導出されない素子位置を
記憶手段に記憶させ、ＣＣＤセンサから導出された撮像
出力に対して、上記記憶素子位置に該当する撮像出力を
、近隣の素子出力で補正することを特徴とするＣＣＤセ
ンサの欠陥補償方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003785A JPS60146582A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | Ｃｃｄセンサの欠陥補償方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003785A JPS60146582A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | Ｃｃｄセンサの欠陥補償方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60146582A true JPS60146582A (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=11566833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59003785A Pending JPS60146582A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | Ｃｃｄセンサの欠陥補償方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60146582A (ja) |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59003785A patent/JPS60146582A/ja active Pending
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