JPS60152076A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
- Publication number
- JPS60152076A JPS60152076A JP59007013A JP701384A JPS60152076A JP S60152076 A JPS60152076 A JP S60152076A JP 59007013 A JP59007013 A JP 59007013A JP 701384 A JP701384 A JP 701384A JP S60152076 A JPS60152076 A JP S60152076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- amorphous silicon
- silicon solar
- boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン太陽電池に関する。さら
に詳しくは、ｐ−１−ｎ接合を用いたアモルファスシリ
コン太陽電池において、Ｐ−’に合界面におけるｐ型不
純物元素であるホウ素の分布する一定レベルに規定する
ことを特徴とする太陽電池に胸する。
に詳しくは、ｐ−１−ｎ接合を用いたアモルファスシリ
コン太陽電池において、Ｐ−’に合界面におけるｐ型不
純物元素であるホウ素の分布する一定レベルに規定する
ことを特徴とする太陽電池に胸する。
シランガスのプラズマ分解法により得られるアモルファ
スシリコン膜８膜は、半４犀の性負をもち、しかも、ホ
スフィン（ＰＢｓ）やジボラン（Ｂｔ Ｉ’ｓ ）等の
ドーパントあるいはそれらの希釈ガスを共存させること
によりイ曲紙子制御全行い、ｎ型またはｐ型のアモルフ
ァスシリコン膜を容易に製造することができる。しかも
、これらと無ドーゾのｉ型アモルファスシリコン膜との
接合を形成することによシ、結晶シリコンに比べて大面
積、薄膜化した太陽電池を容易に製造することができる
。これまでのところ、その接合様式には、ショットキー
型、ｐ−１−ｎ型、ＭＩＳ型、ヘテロ接合型筒が提案さ
れているが、そのうちｐ−１−ｎ型が主流をなしている
。
スシリコン膜８膜は、半４犀の性負をもち、しかも、ホ
スフィン（ＰＢｓ）やジボラン（Ｂｔ Ｉ’ｓ ）等の
ドーパントあるいはそれらの希釈ガスを共存させること
によりイ曲紙子制御全行い、ｎ型またはｐ型のアモルフ
ァスシリコン膜を容易に製造することができる。しかも
、これらと無ドーゾのｉ型アモルファスシリコン膜との
接合を形成することによシ、結晶シリコンに比べて大面
積、薄膜化した太陽電池を容易に製造することができる
。これまでのところ、その接合様式には、ショットキー
型、ｐ−１−ｎ型、ＭＩＳ型、ヘテロ接合型筒が提案さ
れているが、そのうちｐ−１−ｎ型が主流をなしている
。
ｐ−１−ｎ型のアモルファスシリコン太陽電池について
は、これまで多くの研究がなされ、変換効率もかなり高
いレベルにまで達している。しかしながら、これらはす
べて、その成膜速度が数Ａ／ｓｅｃ以下であυ、１つの
太陽電池を製造するためには少なくとも１時間以上を要
していた。それ故、この成膜速度を高め、よシ効率的に
太陽電池を製造することが今後の発展をもたらすための
大きな課題となっていた。このような状況下において、
本発明者らは、シランガスとしてジシラン（”＊Ｂａ）
なとの高次シランガスを用いることによって成膜速度を
飛躍的に増大させ得ることを見出し、かかる知見にもと
づいてＳｉ、Ｅ、によるアモルファスシリコン太陽電池
の製造およびその評価について検討してきた。しかして
、Ｓｉ、Ｈ６を原料としたアモルファスシリコン膜につ
いては、その膜質等において従来のモノシラン（ＳｉＥ
、）を用いｆｃ場合と種々異方る点が見出されておシ、
アモルファスシリコン太陽電池の製造にあたっても問題
点が多々見出されている。しかしながら、Ｓｉ、Ｈ６を
用いたｉ型アモルファスシリコン膜の膜質に関しては、
成膜速度を高めた際にも、本発明者らが提案しているよ
うに放電電力密度を高めることによｐ良好な結果が得ら
れるようになシ、ｐ−１−ｎ型アモルファスシリコン太
陽電池を構成する最も厚いｉＮ（通常５ｏｏｏＡ前後で
あり、厚みのほとんどを占める）を作製する原料として
十分なものとなることが期待できるようになり、従来筐
での５ｔＨ４を用いた場合に要していた製造時間を鴇以
下に短縮できるようになシ、しかも、５６Ｈ６を用いて
作製されたｉ膜の光電特性〔σ、ｈ／σＤ恍導電率／暗
導電率／暗導電率れる〕は、成膜速度としテ１０ Ａ／
８ｔｉＣ以上で’７’ｈ”Ｄ＞ １０’ 〜１ ｇｓ
が倚られることになった。
は、これまで多くの研究がなされ、変換効率もかなり高
いレベルにまで達している。しかしながら、これらはす
べて、その成膜速度が数Ａ／ｓｅｃ以下であυ、１つの
太陽電池を製造するためには少なくとも１時間以上を要
していた。それ故、この成膜速度を高め、よシ効率的に
太陽電池を製造することが今後の発展をもたらすための
大きな課題となっていた。このような状況下において、
本発明者らは、シランガスとしてジシラン（”＊Ｂａ）
なとの高次シランガスを用いることによって成膜速度を
飛躍的に増大させ得ることを見出し、かかる知見にもと
づいてＳｉ、Ｅ、によるアモルファスシリコン太陽電池
の製造およびその評価について検討してきた。しかして
、Ｓｉ、Ｈ６を原料としたアモルファスシリコン膜につ
いては、その膜質等において従来のモノシラン（ＳｉＥ
、）を用いｆｃ場合と種々異方る点が見出されておシ、
アモルファスシリコン太陽電池の製造にあたっても問題
点が多々見出されている。しかしながら、Ｓｉ、Ｈ６を
用いたｉ型アモルファスシリコン膜の膜質に関しては、
成膜速度を高めた際にも、本発明者らが提案しているよ
うに放電電力密度を高めることによｐ良好な結果が得ら
れるようになシ、ｐ−１−ｎ型アモルファスシリコン太
陽電池を構成する最も厚いｉＮ（通常５ｏｏｏＡ前後で
あり、厚みのほとんどを占める）を作製する原料として
十分なものとなることが期待できるようになり、従来筐
での５ｔＨ４を用いた場合に要していた製造時間を鴇以
下に短縮できるようになシ、しかも、５６Ｈ６を用いて
作製されたｉ膜の光電特性〔σ、ｈ／σＤ恍導電率／暗
導電率／暗導電率れる〕は、成膜速度としテ１０ Ａ／
８ｔｉＣ以上で’７’ｈ”Ｄ＞ １０’ 〜１ ｇｓ
が倚られることになった。
しかしながら、かかる光電荷性の優れた薄膜を使用して
アモルファスシリコン太陽電池を組み立ててみると、そ
の′［電池の光電笈換効率（以下、変換効率とも略す）
は、予想に反し、従来までのものに比らべて低いものし
か得られ々かった。このような現象は、単室グラズマＣ
’ＶＤ装置により作製されたｐ−ｔ−ｎ太陽電池におい
て（・ま、ＳｉＢ。
アモルファスシリコン太陽電池を組み立ててみると、そ
の′［電池の光電笈換効率（以下、変換効率とも略す）
は、予想に反し、従来までのものに比らべて低いものし
か得られ々かった。このような現象は、単室グラズマＣ
’ＶＤ装置により作製されたｐ−ｔ−ｎ太陽電池におい
て（・ま、ＳｉＢ。
を用いた場合にも認められており、この場合は三室分＝
ｉＵプラズマ（、’ Ｖ Ｄ装置を用いることで容易に
改午仝される。しかるに、Ｓｉ、Ｈ６を用いた場合には
、王室分離プラズマＣＶＤ装置を用いてｐ層、ｉ層、ｎ
Ｎを別々の室で形成しても、得られる太陽電池の変換効
率はほとんど改善されないのである。本発明者等は、そ
の原因を追求すべく種々の検討を行なった結果、王室分
離型の装首では、はとんどないと考えていた、ｉ層内へ
の２層不純物（ドーノソント）であるホウ素のしみ込み
が、実はジシランによる高速製膜の場合に起っているこ
とが二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いることに
より見出された。
ｉＵプラズマ（、’ Ｖ Ｄ装置を用いることで容易に
改午仝される。しかるに、Ｓｉ、Ｈ６を用いた場合には
、王室分離プラズマＣＶＤ装置を用いてｐ層、ｉ層、ｎ
Ｎを別々の室で形成しても、得られる太陽電池の変換効
率はほとんど改善されないのである。本発明者等は、そ
の原因を追求すべく種々の検討を行なった結果、王室分
離型の装首では、はとんどないと考えていた、ｉ層内へ
の２層不純物（ドーノソント）であるホウ素のしみ込み
が、実はジシランによる高速製膜の場合に起っているこ
とが二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いることに
より見出された。
しかも、その大きさが太陽電池の変換効率の良否を判定
する重要なノそラメータとなることが分かったのである
。すなわち、ホウ素のｐ−ｉ界面での分布が変換効率に
対して支配的因子となっており、その大きさを制価１す
ることによシ、高性能アモルファスシリコン太陽電池が
得られることを見出し、本発明に到達した。
する重要なノそラメータとなることが分かったのである
。すなわち、ホウ素のｐ−ｉ界面での分布が変換効率に
対して支配的因子となっており、その大きさを制価１す
ることによシ、高性能アモルファスシリコン太陽電池が
得られることを見出し、本発明に到達した。
斯くして、本発明によれは、ｐ層、ｉ層およびｎ 層ｉ
＋胆次イ貞層して成るｐ−１−ｙｎｎ型アモルファス
シリコン太陽電池おいて、少なくとも該ｉ層がジシラン
のグロー放電分解により形成されておシ、かつ該ｐ層の
ドーパントであるホウ素の該ｉ層へのしみ込み深さが５
００Ａ以下となるように該ｉ層の初期成膜部分を１ｌｔ
ｌ制御して形成されたものであることを特徴とするｐ−
１−ｎ型アモルファスシリコン太陽電池が提供される。
＋胆次イ貞層して成るｐ−１−ｙｎｎ型アモルファス
シリコン太陽電池おいて、少なくとも該ｉ層がジシラン
のグロー放電分解により形成されておシ、かつ該ｐ層の
ドーパントであるホウ素の該ｉ層へのしみ込み深さが５
００Ａ以下となるように該ｉ層の初期成膜部分を１ｌｔ
ｌ制御して形成されたものであることを特徴とするｐ−
１−ｎ型アモルファスシリコン太陽電池が提供される。
添付図１ｒｉｉに従ってさらに詳しく述べると、第１図
にみられるように、本発明のｐ−１−ｎｆＪ）アモルフ
ァス太陽汁：池においては、ｐ−ｉ界面におけるホウ素
の濃度分布がその最大濃度Ｃ，ＩｎｃＬｚの位置を原点
とし、そこからｉ層側へ広がるホウ素の分布曲線におい
てホウ素濃度がｌＸｌ０”原子／備８となる位置までの
厚み（ホウ素の４Ｎへのしみ込み深さ）を△とすると、
このように定義されたΔを５００Ａ以下にすることによ
り高い変換効率のアモルファス太陽電池が得られるので
ある。
にみられるように、本発明のｐ−１−ｎｆＪ）アモルフ
ァス太陽汁：池においては、ｐ−ｉ界面におけるホウ素
の濃度分布がその最大濃度Ｃ，ＩｎｃＬｚの位置を原点
とし、そこからｉ層側へ広がるホウ素の分布曲線におい
てホウ素濃度がｌＸｌ０”原子／備８となる位置までの
厚み（ホウ素の４Ｎへのしみ込み深さ）を△とすると、
このように定義されたΔを５００Ａ以下にすることによ
り高い変換効率のアモルファス太陽電池が得られるので
ある。
本発明の太陽電池の好ましい作製方法に従えば、ガラス
上に透明導電性薄膜として、ＩＴＯやＳｎ、０゜あるい
はＩＴＵの上にさらに５ｎＵ２を蒸着したものを基板と
し、その上にｐ層、１ｒｅＳｎｒ＝の順に成膜し、ｐ−
１−ｎ接合を構成する。本発明における製造方法におい
ては、ｐ層を成膜したのちｉ／ｌ！Ｊ’ｉＨ形成させる
が、その際のｉＲの初期成膜条件設定によシ、上述した
ような良好なホウ素の濃度分布、すなわちその大きさを
制御してアモルファスシリコン太陽電池を製造すること
ができる。たとえば、ｉ贋作製における放電電力密度に
ついて少々くとも初期成膜部分において好ましくは放電
開始時から１分以上のあいだ０．２ Ｆ ／ ６ｎ”以
下に好ましくは０．０５ Ｆ／ｃｍ”以下に、保ち、ｉ
層を形成する。この条件でｉ層のみを作製した場合には
形成速度も比較的遅く必ずしもＳｉ、Ｈ６を用いた成膜
速度としては最適なものではないが、これでも従来の５
ｉｌｌ、を用いた場合の成膜速度に比らべれは十分に速
いものである。このような初期状態に続いてのｉ層成膜
の大部分の条件は、必ずしも初期成膜部分を維持する必
要はなく、ｉ層成膜に適したより高速化した成膜速度（
たとえば、６Ａ／秒以上、好ましくはｌＯＡ／秒以上、
更に好ましくは２０Ａ／秒以上）をその大部分について
維持することができる。たとえば、放電電力密度につい
てもさらに畠めることができ、約５０００，４のｉ層の
形成に装する時間を全体として大幅に短縮することがで
き、実質的な成膜速度としては、放電電力密度の上昇速
度やその最終電力密度にも依存するが、オーバーオール
として少くとも１゜Ａ／ｓｅｃ以上の高速成膜が５Ｊ能
になる。
上に透明導電性薄膜として、ＩＴＯやＳｎ、０゜あるい
はＩＴＵの上にさらに５ｎＵ２を蒸着したものを基板と
し、その上にｐ層、１ｒｅＳｎｒ＝の順に成膜し、ｐ−
１−ｎ接合を構成する。本発明における製造方法におい
ては、ｐ層を成膜したのちｉ／ｌ！Ｊ’ｉＨ形成させる
が、その際のｉＲの初期成膜条件設定によシ、上述した
ような良好なホウ素の濃度分布、すなわちその大きさを
制御してアモルファスシリコン太陽電池を製造すること
ができる。たとえば、ｉ贋作製における放電電力密度に
ついて少々くとも初期成膜部分において好ましくは放電
開始時から１分以上のあいだ０．２ Ｆ ／ ６ｎ”以
下に好ましくは０．０５ Ｆ／ｃｍ”以下に、保ち、ｉ
層を形成する。この条件でｉ層のみを作製した場合には
形成速度も比較的遅く必ずしもＳｉ、Ｈ６を用いた成膜
速度としては最適なものではないが、これでも従来の５
ｉｌｌ、を用いた場合の成膜速度に比らべれは十分に速
いものである。このような初期状態に続いてのｉ層成膜
の大部分の条件は、必ずしも初期成膜部分を維持する必
要はなく、ｉ層成膜に適したより高速化した成膜速度（
たとえば、６Ａ／秒以上、好ましくはｌＯＡ／秒以上、
更に好ましくは２０Ａ／秒以上）をその大部分について
維持することができる。たとえば、放電電力密度につい
てもさらに畠めることができ、約５０００，４のｉ層の
形成に装する時間を全体として大幅に短縮することがで
き、実質的な成膜速度としては、放電電力密度の上昇速
度やその最終電力密度にも依存するが、オーバーオール
として少くとも１゜Ａ／ｓｅｃ以上の高速成膜が５Ｊ能
になる。
この方法により作表された太陽電池は、従来までの尚効
率太陽電池の製造法である５ｉｌ１４を用いてＩＡ／ａ
ｇｃ程度の非常に低速度の成膜速度で製造した太陽電池
の変換効率と比べほぼ四等であり、しかも製造時間とし
ては殉以下という短時間で得られるのである。
率太陽電池の製造法である５ｉｌ１４を用いてＩＡ／ａ
ｇｃ程度の非常に低速度の成膜速度で製造した太陽電池
の変換効率と比べほぼ四等であり、しかも製造時間とし
ては殉以下という短時間で得られるのである。
また、本発明は、アモルファス太ｌ＠電池のほか、’Ｕ
−ｆ−力Ａ感九体の感光ドラムをはじめとするｐ−ｉ接
会部をもつ他のデバイスに対しても利用できるものであ
る。
−ｆ−力Ａ感九体の感光ドラムをはじめとするｐ−ｉ接
会部をもつ他のデバイスに対しても利用できるものであ
る。
次に、実施例および比較例によって本発明を具体的に説
明する。
明する。
実施例１〜６
Ｓ ｉｌｌ、 、 ＣＭ、 、 Ｂ２Ｈ２、Ｉｔ、 ヲ
５ｉｌｌ、 ／Ｃ１１４＝ ７ ／３、Ｓ ｉｌｌ、
／Ｈ，＝ １７５の流量比とし１がっＢ２ｎ６をＳｉ７
／４に対して０，１襲の割合で添加して、三Ｖ分Ｍ型の
平０゛平板型プラズマＣＶ ｌ）装「を用い、そのｐ増
作製型において、まずｐ層を１００〜２００Ａで脱脂等
ノ処ｔＷ ’ｋ シｒｃ Ｓ ｎｕｔ ／ Ｉ Ｔ（Ｊ
／ Ｎラス基板上に成膜した。ｐ漕形成続、独立した
別のｉ ｆｉｌｌ ｉ・「製型においてひき続きｉ層を
第１衣に示す各種条Ｈ：によシ作製した。さらにｎ鳩を
５ｉｌｌ、、ｐＨ３、九をＳ １ｌ１４７Ｂ、 ＝−１
／ ｇ、ｐｌｉ、を５ｉｌｉ、に対して約０．５％の割
合で添加し、別のｎ贋作製電において作製した。この一
連の操作によりｐ−１−ｎ接合を形成したのち、ｎ層上
部にアルミニウムＮ膜を蒸着して太陽電池を形成し、Ａ
Ｍ−１ソ−ラーシュミレータによる光電変換効率をめた
。
５ｉｌｌ、 ／Ｃ１１４＝ ７ ／３、Ｓ ｉｌｌ、
／Ｈ，＝ １７５の流量比とし１がっＢ２ｎ６をＳｉ７
／４に対して０，１襲の割合で添加して、三Ｖ分Ｍ型の
平０゛平板型プラズマＣＶ ｌ）装「を用い、そのｐ増
作製型において、まずｐ層を１００〜２００Ａで脱脂等
ノ処ｔＷ ’ｋ シｒｃ Ｓ ｎｕｔ ／ Ｉ Ｔ（Ｊ
／ Ｎラス基板上に成膜した。ｐ漕形成続、独立した
別のｉ ｆｉｌｌ ｉ・「製型においてひき続きｉ層を
第１衣に示す各種条Ｈ：によシ作製した。さらにｎ鳩を
５ｉｌｌ、、ｐＨ３、九をＳ １ｌ１４７Ｂ、 ＝−１
／ ｇ、ｐｌｉ、を５ｉｌｉ、に対して約０．５％の割
合で添加し、別のｎ贋作製電において作製した。この一
連の操作によりｐ−１−ｎ接合を形成したのち、ｎ層上
部にアルミニウムＮ膜を蒸着して太陽電池を形成し、Ａ
Ｍ−１ソ−ラーシュミレータによる光電変換効率をめた
。
また、ＳＩＭＳによるｐ−ｉ界面におけるホウ素羨ｊ皮
分布は、ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ−３Ｆ型イオンマイクロ
アナライザーによシ内蔵のイン・デグス・グロフィル・
プログラムを利用し、ス／ぞツタリングに伴なうホウ素
の濃度の経時変化を測定した。ＳＩＭＳ測定条件は、−
次イオンビームに１２−５ＫｅＶのＯ，ヲ用い深さ方向
分析におけるクレータ−効果を除くために、２５０Ｘ２
５０μｍのラスターをかけ、スパッタリング速度として
１０〜５０Ａ／ｍ１ｆＬで行々つた。また、装置条件の
変化を補正するために”ＳｉとｌＩＢを同時に各々１秒
／ポイント、ｌＯ秒／ポイントで積算した。
分布は、ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ−３Ｆ型イオンマイクロ
アナライザーによシ内蔵のイン・デグス・グロフィル・
プログラムを利用し、ス／ぞツタリングに伴なうホウ素
の濃度の経時変化を測定した。ＳＩＭＳ測定条件は、−
次イオンビームに１２−５ＫｅＶのＯ，ヲ用い深さ方向
分析におけるクレータ−効果を除くために、２５０Ｘ２
５０μｍのラスターをかけ、スパッタリング速度として
１０〜５０Ａ／ｍ１ｆＬで行々つた。また、装置条件の
変化を補正するために”ＳｉとｌＩＢを同時に各々１秒
／ポイント、ｌＯ秒／ポイントで積算した。
なお、ホウ素濃度は、イオン注入によるじ準試料におけ
るｌｌＢ／８０Ｓｊの強度比から算出した。各条件下で
作製されたｐ−１−ｎ太陽電池のｐ−４界面におけるホ
ウ素の濃度分布曲線を第２図に示す。
るｌｌＢ／８０Ｓｊの強度比から算出した。各条件下で
作製されたｐ−１−ｎ太陽電池のｐ−４界面におけるホ
ウ素の濃度分布曲線を第２図に示す。
比較例１〜４
１層作製条件を下表に示すように設定した以外は実施例
と同様にして電池をつくった。それらのＳＩＭＳ測定結
果を第３図に示す。
と同様にして電池をつくった。それらのＳＩＭＳ測定結
果を第３図に示す。
上衣および第１〜３図から明らかなように、ｐ−ｉ界面
のしみ込み深さ△が５００Ａ以下のときには良好な光電
変換動車が得られるが、△が５００を越えると、変換効
率は急激に低下することがわかる。
のしみ込み深さ△が５００Ａ以下のときには良好な光電
変換動車が得られるが、△が５００を越えると、変換効
率は急激に低下することがわかる。
第１図はｐ−ｉ界面のホウ素濃度分布としみ込み深さ△
を示すグラフである。図において、横軸はホウ素最大儂
度Ｃなる点を原点とするｉ層ａｘ 側への厚み（距離）（Ａ）を示し、縦軸はホウ素濃匿（
原子／ｃｒｎ”）を示す。 第２図は実施例の各条件下で作製された太陽電池につい
てのホウ素濃度分布曲線のグラフである。 図において、番号１〜６は実施例番号を示す。 第３図は比較例の各条件下で作製された太陽電池につい
てのホウ素濃度分布曲線のグラフである。 図において、番号１〜４は比較例番号′を示す。
を示すグラフである。図において、横軸はホウ素最大儂
度Ｃなる点を原点とするｉ層ａｘ 側への厚み（距離）（Ａ）を示し、縦軸はホウ素濃匿（
原子／ｃｒｎ”）を示す。 第２図は実施例の各条件下で作製された太陽電池につい
てのホウ素濃度分布曲線のグラフである。 図において、番号１〜６は実施例番号を示す。 第３図は比較例の各条件下で作製された太陽電池につい
てのホウ素濃度分布曲線のグラフである。 図において、番号１〜４は比較例番号′を示す。
Claims (1)
- ｐ層、ｉ層およびｎ層を順次積層して成るｐ−１−ｎ型
アモルファスシリコン太陽電池において、少なくとも該
ｉ層がジシランのグロー放電分解により形成されておシ
、がっ該ｐ層のドーパントであるオウ素の該ｉ層へ。し
み込み深さが、。ＯＡ以下となるように該ｉＪ−の初期
成膜部分を制御して形成されたものであることを特徴と
するｐ−１−ｎ型アモルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007013A JPS60152076A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007013A JPS60152076A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152076A true JPS60152076A (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=11654157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59007013A Pending JPS60152076A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225078A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP59007013A patent/JPS60152076A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225078A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
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