JPS6015254B2 - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
- Publication number
- JPS6015254B2 JPS6015254B2 JP12019380A JP12019380A JPS6015254B2 JP S6015254 B2 JPS6015254 B2 JP S6015254B2 JP 12019380 A JP12019380 A JP 12019380A JP 12019380 A JP12019380 A JP 12019380A JP S6015254 B2 JPS6015254 B2 JP S6015254B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin plate
- polarized light
- layer
- light component
- phase matching
- Prior art date
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- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透明な電気光学結晶薄板中を光ビームが反射
を繰返しながら導波され、かつ該反射によって生じるＰ
偏光成分とＳ偏光成分との位相ずれを実質上等しくする
ようにした光スイッチ特にその電極構成に関するもので
ある。
を繰返しながら導波され、かつ該反射によって生じるＰ
偏光成分とＳ偏光成分との位相ずれを実質上等しくする
ようにした光スイッチ特にその電極構成に関するもので
ある。
従来から電気光学結晶の光導波体を用いて例えば光スイ
ッチを含む光変調器を構成することが行なわれる。
ッチを含む光変調器を構成することが行なわれる。
第１図はその概略構成を示し、１は電気光学結晶薄板、
２，２′は該薄板の例えば上下表面に設けた電極、３は
電源、４は偏光子、５は検光子である。このような光変
調器は、電極２，２′間に電圧Ｖを印加することによっ
て簿板１の屈折率を変え、偏光を制御する。
２，２′は該薄板の例えば上下表面に設けた電極、３は
電源、４は偏光子、５は検光子である。このような光変
調器は、電極２，２′間に電圧Ｖを印加することによっ
て簿板１の屈折率を変え、偏光を制御する。
例えば光スイッチの場合は偏光子４で入射光を所定方行
の偏光とし、薄板１でその偏光方向を変え、ある方向の
偏光とそれとは９ぴをなす他の方向の偏光を分離する検
光子５により薄板１を通って来た偏光をスイッチングす
る。この場合薄板１で所望の偏光を得るためには、薄板
１の厚さｄを小にして電界を大にするか、長手方向（光
導波方向）の距離１を大にするか、或いは電源３の電圧
Ｖを大に選ぶ必要がある。一般にはこの種の素子は数千
Ｖで動作させるが、装置の小型化、低廉化などのために
は電源電圧Ｖは可及的に低いことが望まれる。電源電圧
を小にして上記所望の偏光を得ようとすると、例えば厚
さｄを６０〃机、距離１を２伽程度に選ぶことが必要と
なり、値１／ｄが非常に大となる。この様な条件下で光
ビームＬを薄板１の端面ｌａに対して直角に入射すると
、光ビームの入射蓬に反比例して導波過程のビーム径が
拡大する煩向をもつので、必然的に薄板１の上、下両表
面に衝突し、そこで反射し、これを繰り返すことになる
。そして、この反射時に光ビーム中に含まれるＰ偏光成
分とＳ偏光成分の位相ずれに差が生じる。なおこの理由
で本素子では厚みｄを４・にすることは止むを得ないと
しても、幅Ｗは充分大にしておく。第２図は入射角を横
軸にとって示したＰ偏光成分とＳ偏光成分の各入射光と
反射光との位相ずれを表わしている。上記簿板１内にお
いて生じる反射は入射角が９０ｏ近傍になるものである
が、第２図から判る如く、入射角が８７程度であるとし
ても、１回の反射によってＰ偏光成分とＳ偏光成分との
各位相差には差△が生じ、そして反射回数が増加するに
つれて上記影響が大となる。このため第１図の構造では
上記値１／ｄを大に選ぶことに限界があり、位相制御量
を増加するためには上記電源電圧を大にする必要が生じ
る。
の偏光とし、薄板１でその偏光方向を変え、ある方向の
偏光とそれとは９ぴをなす他の方向の偏光を分離する検
光子５により薄板１を通って来た偏光をスイッチングす
る。この場合薄板１で所望の偏光を得るためには、薄板
１の厚さｄを小にして電界を大にするか、長手方向（光
導波方向）の距離１を大にするか、或いは電源３の電圧
Ｖを大に選ぶ必要がある。一般にはこの種の素子は数千
Ｖで動作させるが、装置の小型化、低廉化などのために
は電源電圧Ｖは可及的に低いことが望まれる。電源電圧
を小にして上記所望の偏光を得ようとすると、例えば厚
さｄを６０〃机、距離１を２伽程度に選ぶことが必要と
なり、値１／ｄが非常に大となる。この様な条件下で光
ビームＬを薄板１の端面ｌａに対して直角に入射すると
、光ビームの入射蓬に反比例して導波過程のビーム径が
拡大する煩向をもつので、必然的に薄板１の上、下両表
面に衝突し、そこで反射し、これを繰り返すことになる
。そして、この反射時に光ビーム中に含まれるＰ偏光成
分とＳ偏光成分の位相ずれに差が生じる。なおこの理由
で本素子では厚みｄを４・にすることは止むを得ないと
しても、幅Ｗは充分大にしておく。第２図は入射角を横
軸にとって示したＰ偏光成分とＳ偏光成分の各入射光と
反射光との位相ずれを表わしている。上記簿板１内にお
いて生じる反射は入射角が９０ｏ近傍になるものである
が、第２図から判る如く、入射角が８７程度であるとし
ても、１回の反射によってＰ偏光成分とＳ偏光成分との
各位相差には差△が生じ、そして反射回数が増加するに
つれて上記影響が大となる。このため第１図の構造では
上記値１／ｄを大に選ぶことに限界があり、位相制御量
を増加するためには上記電源電圧を大にする必要が生じ
る。
しかし、低電圧化は勿論重要なことである。この低電圧
化についてはシングルモードの光に対しては光集積回路
が開発されており、これには数Ｖの電圧で駆動できるも
のがある。しかし、これを本発明が意図するマルチモー
ルドの光に適用することは困難なので、他の方法により
低電圧化を図る必要が生じる。本発明者等は先にマルチ
モードに適用できる低電圧駆動型の光導波装置を提案し
た。
化についてはシングルモードの光に対しては光集積回路
が開発されており、これには数Ｖの電圧で駆動できるも
のがある。しかし、これを本発明が意図するマルチモー
ルドの光に適用することは困難なので、他の方法により
低電圧化を図る必要が生じる。本発明者等は先にマルチ
モードに適用できる低電圧駆動型の光導波装置を提案し
た。
これは電気光学結晶薄板の上下両表面に多層構造の位相
整合膜を付着してＰ波、Ｓ波の各位相ずれに差がないよ
うにしたものである。この原理は特脇昭５５−４０７７
６号の明細書に記載してあるが、概述すると次のように
なる。第３図に示す如く屈折率ｎ，の物質と屈折率ｎ２
（ｎ，＞払）の物質との境界６に対して入射角のをもっ
て入射されたＰ偏光成分とＳ偏光成分との夫夫の全反射
による位相ずれ△ｐと△ｓとは次の如く表わされる。
整合膜を付着してＰ波、Ｓ波の各位相ずれに差がないよ
うにしたものである。この原理は特脇昭５５−４０７７
６号の明細書に記載してあるが、概述すると次のように
なる。第３図に示す如く屈折率ｎ，の物質と屈折率ｎ２
（ｎ，＞払）の物質との境界６に対して入射角のをもっ
て入射されたＰ偏光成分とＳ偏光成分との夫夫の全反射
による位相ずれ△ｐと△ｓとは次の如く表わされる。
（但しｓｉｎの。
ｉｎ２／ｎ．）一方第４図図示の如く、屈折率〜の透
明体１に対して屈折率ｎ，（ｎ，＞〜）の薄膜７を厚さ
ｔだけ設けかつその上に屈折率ｗ（山＜比＜ｎ，）の薄
膜８を被着させたときに生じる１往復反射時の光行格長
付加による位相ずれ△′は、ビームの進行方向を垂直に
同位相面があるとして、△′：物｛器〆今−他ｎのＳｉ
ｎ◇／令｝ ．・・．・物となり、
ｎｏｓｊｎＪ＝ｎ．ｓｉｎのなる関係式を代入して整理
すれば、△′＝今穿２侭の ……【３１ となる。
明体１に対して屈折率ｎ，（ｎ，＞〜）の薄膜７を厚さ
ｔだけ設けかつその上に屈折率ｗ（山＜比＜ｎ，）の薄
膜８を被着させたときに生じる１往復反射時の光行格長
付加による位相ずれ△′は、ビームの進行方向を垂直に
同位相面があるとして、△′：物｛器〆今−他ｎのＳｉ
ｎ◇／令｝ ．・・．・物となり、
ｎｏｓｊｎＪ＝ｎ．ｓｉｎのなる関係式を代入して整理
すれば、△′＝今穿２侭の ……【３１ となる。
この場鍔‐ｏ《１として１次式で近似すると、ｔａｎの
、ｃｏｓの、ｓｉｎＪは定数と見なせる。上記０１式で
与えられる位相ずれと剛式等で与えられる位相ずれの合
成を、Ｐ偏光成分について６ｐ、Ｓ偏光成分について６
ｓとする。これらはぐごｗ／２のとき、比、ｎ，、ｎ２
、ｔで定まる。更にＰ偏光成分とＳ偏光成分との振幅反
射係数ｒｐ・ｒＳはで与えられ、 ◇＝芸−８（８《１） とすると、８の１次まで考えて第｛４１式はとなる。
、ｃｏｓの、ｓｉｎＪは定数と見なせる。上記０１式で
与えられる位相ずれと剛式等で与えられる位相ずれの合
成を、Ｐ偏光成分について６ｐ、Ｓ偏光成分について６
ｓとする。これらはぐごｗ／２のとき、比、ｎ，、ｎ２
、ｔで定まる。更にＰ偏光成分とＳ偏光成分との振幅反
射係数ｒｐ・ｒＳはで与えられ、 ◇＝芸−８（８《１） とすると、８の１次まで考えて第｛４１式はとなる。
なお上記ｋｐおよびｋｓはｎｏ／ｎ，で定まる定数であ
る。上記は第４図図示の反射に関して１往復の反射につ
いて基本的な係数を説明するものであるが、実際には図
示の如く薄膜７内で複数回の反射が繰返される。
る。上記は第４図図示の反射に関して１往復の反射につ
いて基本的な係数を説明するものであるが、実際には図
示の如く薄膜７内で複数回の反射が繰返される。
したがって、これら複数回の反射にもとづいて得られる
全反射光について考えるべきであり、入射光の振幅を「
１」とすると全反射光の振幅ＬはＰ偏光、Ｓ偏光それぞ
れに対しＬ＝ｒ十三三ご 肌‘６’ で与えられるこの全反射光の振幅値（複素数）Ｌの位相
角の正接ｔａｎを（実数部を虚数部の比）をみると、Ｌ
＝公十（１十ｒ２にｏｓ６十ｉ（１一ぶちｉｎ６１十ｒ
２十公ｃｏｓ６であるから、 ｋａｓｉｎ６ ……【７｝ねｎさ＝び
ａ−・）（１−ｃｏｓ６）となり、８《１とすると競７
１式は 松ｎｆ＝Ｃ毒 襲撃士‐８ ‐‐‐‐‐‐‘８｝とな
る。
全反射光について考えるべきであり、入射光の振幅を「
１」とすると全反射光の振幅ＬはＰ偏光、Ｓ偏光それぞ
れに対しＬ＝ｒ十三三ご 肌‘６’ で与えられるこの全反射光の振幅値（複素数）Ｌの位相
角の正接ｔａｎを（実数部を虚数部の比）をみると、Ｌ
＝公十（１十ｒ２にｏｓ６十ｉ（１一ぶちｉｎ６１十ｒ
２十公ｃｏｓ６であるから、 ｋａｓｉｎ６ ……【７｝ねｎさ＝び
ａ−・）（１−ｃｏｓ６）となり、８《１とすると競７
１式は 松ｎｆ＝Ｃ毒 襲撃士‐８ ‐‐‐‐‐‐‘８｝とな
る。
Ｐ偏光成分に対応したｋｐやＳ偏光成分に対応したｋｓ
を導入して両偏光成分に対応する上記正藤ｔａｎｆが等
しいつまり位相ずれが等しくなる条件を求ると、生−ｓ
ｉｎ６卒１‐ｃｏｓ８ｐ） ……【９１ｋ
Ｓ一ｓｉｎ６ｐ（１−ｃｏｓ６Ｓ）となる。
を導入して両偏光成分に対応する上記正藤ｔａｎｆが等
しいつまり位相ずれが等しくなる条件を求ると、生−ｓ
ｉｎ６卒１‐ｃｏｓ８ｐ） ……【９１ｋ
Ｓ一ｓｉｎ６ｐ（１−ｃｏｓ６Ｓ）となる。
ここで左辺はｎｏ／ｎ，で定まり、右辺は比／ｎ，、リ
ノｎ，、ｎ、ｔで定まるので、Ｑ、ｔを選択して上記【
９｝式を満足させることができる。一例としては次のも
のが考えられる。比三２，２・ｎｌニ２，６ ｎ２ニ２
，１ｉ ＾ニ１，３〆の、ｄ＝３６１５Ａ。
ノｎ，、ｎ、ｔで定まるので、Ｑ、ｔを選択して上記【
９｝式を満足させることができる。一例としては次のも
のが考えられる。比三２，２・ｎｌニ２，６ ｎ２ニ２
，１ｉ ＾ニ１，３〆の、ｄ＝３６１５Ａ。
の如くなる。
第５図は上述した原理に基づく光導波装置である。
最外層には電極２，２′を設けられ、これらの電極に印
加する電圧Ｖを変えて光スイッチとして動作する。この
光スイッチは前述した値１／ｄを大にしてもＰ偏光とＳ
偏光との間に位相ずれが生じないので（位相ずれが生じ
ると特性上種々不具合を生じる）、電源電圧Ｖを低くす
ることができる。例えばｄ＝５０仏凧、１＝１仇、Ｖ＝
２０〜３０Ｖが可能である。第６図は、第５図に示す２
層構造の位相整合膜７，８（伍＜〜＜ｎ，）による間・
題点（波長依存性）を解決した光スイッチであり、山＞
〜＞ｎ，、ｎ３なる関係の３層構造の位相整合膜７〜９
を有する。ところで第５図、第６図の光スイッチはいず
れも金属電極２，２′を最外層に付着した構造であるた
め、位相整合膜７〜９のいずれか又は全部の絶縁抵抗が
高いと薄板１に充分な電界が加わらない欠点がある。
加する電圧Ｖを変えて光スイッチとして動作する。この
光スイッチは前述した値１／ｄを大にしてもＰ偏光とＳ
偏光との間に位相ずれが生じないので（位相ずれが生じ
ると特性上種々不具合を生じる）、電源電圧Ｖを低くす
ることができる。例えばｄ＝５０仏凧、１＝１仇、Ｖ＝
２０〜３０Ｖが可能である。第６図は、第５図に示す２
層構造の位相整合膜７，８（伍＜〜＜ｎ，）による間・
題点（波長依存性）を解決した光スイッチであり、山＞
〜＞ｎ，、ｎ３なる関係の３層構造の位相整合膜７〜９
を有する。ところで第５図、第６図の光スイッチはいず
れも金属電極２，２′を最外層に付着した構造であるた
め、位相整合膜７〜９のいずれか又は全部の絶縁抵抗が
高いと薄板１に充分な電界が加わらない欠点がある。
例えば第６図の構造では第１層７と第３層９がシリコン
酸化膜（Ｓｉ０２）であってその絶縁抵抗が薄板１より
数桁高いので、容量効果によって電圧Ｖの印加初期には
薄板１内に電界が生じるものの、時間が経過する（充電
が進行する）と該電界は弱いものになってしまう（ドリ
フトを生じる）。本発明はこの点を電極構成面から解決
しようとするものであり、その特徴とするところは厚さ
に対し光導波方向の長さを大に選んだ電気光学結晶薄板
を用い、該薄板の端面から光ビームを導入し、該薄板の
対向する両表面に対して電極を配置し、かつ該両表面に
は透明材質からなる多層構造の位相整合膜を被着して、
該薄板の両表面および該整合膜で反射を繰り返しながら
進行する前記光ビームのＰ偏光成分とＳ偏光成分の各位
相ずれを実質的に等しくした光スイッチにおいて、該多
層構造の位相整合膜の少なくとも一層を透明導電性材料
で作って前記電極に兼用し、かつその電極となる位相整
合膜と該薄板との間には絶縁材料層が介在しないように
してなる点にある。
酸化膜（Ｓｉ０２）であってその絶縁抵抗が薄板１より
数桁高いので、容量効果によって電圧Ｖの印加初期には
薄板１内に電界が生じるものの、時間が経過する（充電
が進行する）と該電界は弱いものになってしまう（ドリ
フトを生じる）。本発明はこの点を電極構成面から解決
しようとするものであり、その特徴とするところは厚さ
に対し光導波方向の長さを大に選んだ電気光学結晶薄板
を用い、該薄板の端面から光ビームを導入し、該薄板の
対向する両表面に対して電極を配置し、かつ該両表面に
は透明材質からなる多層構造の位相整合膜を被着して、
該薄板の両表面および該整合膜で反射を繰り返しながら
進行する前記光ビームのＰ偏光成分とＳ偏光成分の各位
相ずれを実質的に等しくした光スイッチにおいて、該多
層構造の位相整合膜の少なくとも一層を透明導電性材料
で作って前記電極に兼用し、かつその電極となる位相整
合膜と該薄板との間には絶縁材料層が介在しないように
してなる点にある。
以下図面を参照しながらこれを詳細に説明する。第７図
は本発明の一実施例を示す断面構造図で、３層構造の位
相整合膜を有した光スイッチを例としたものである。
は本発明の一実施例を示す断面構造図で、３層構造の位
相整合膜を有した光スイッチを例としたものである。
３層の位相整合膜７〜９の各屈折率ｎ，〜比と電気光学
結晶薄板１の屈折率ｎｏとの間には第６図と同様に−＞
〜〉ｎ，、叱の関係があるが、第１層の位相整合膜７に
良導電性で透明な素材、例えばｌｎ２０３（或いはＳｎ
０２）を用いた点が異なる。
結晶薄板１の屈折率ｎｏとの間には第６図と同様に−＞
〜〉ｎ，、叱の関係があるが、第１層の位相整合膜７に
良導電性で透明な素材、例えばｌｎ２０３（或いはＳｎ
０２）を用いた点が異なる。
ｌｎ２０３はｎ，＝２．０であるから、薄板１がＢｉ，
ぶｉ０２ｏの場合瓜＝２．４（ＺｎＴｅではｎ＝３．０
）、第２層８がＳｉＨの場合ｎ２＝３．ふ第３層９がＳ
ｉ０２の場合ｎ３＝１．４５であり、上記関係ｎ２＞ｎ
ｏ＞ｎ，、ｎ３が満たされる。しかもＳｎ０２の良導電
極により第１層７，７を電極として兼用できるので、薄
板１には電圧Ｖが直接印加されることになり、従って薄
板１内に発生する電界は一定の高電界に保ち、安定した
スイッチング特性が得られる。尚、第７図の構造は、光
導波装置としては第１層の位相整合膜７をｎ，＝１．４
５のＳｉ０２（第６図）からｎ．＝２．０のｌｎ２０３
に変えたものであるから、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の位
相ずれを等しくするためには補正する必要があるが、こ
れは層７の膜厚ｄ，および層８の膜厚もの調整により行
なうことができる。一例として波長１．３仏机の場合の
第７図の素子はｄ，＝２６００Ａ、ら＝１１００Ａに設
定する。なお、第２層８のＳｉＨは日の添加量によって
比の値を調整することができる。尚、薄板１は１三２弧
、ｄニ６０仏のである。上記実施例では第１層７を電極
兼用の位相整合膜としたが、これは第２層以下にしても
よく、これにより設計の自由度が増す。
ぶｉ０２ｏの場合瓜＝２．４（ＺｎＴｅではｎ＝３．０
）、第２層８がＳｉＨの場合ｎ２＝３．ふ第３層９がＳ
ｉ０２の場合ｎ３＝１．４５であり、上記関係ｎ２＞ｎ
ｏ＞ｎ，、ｎ３が満たされる。しかもＳｎ０２の良導電
極により第１層７，７を電極として兼用できるので、薄
板１には電圧Ｖが直接印加されることになり、従って薄
板１内に発生する電界は一定の高電界に保ち、安定した
スイッチング特性が得られる。尚、第７図の構造は、光
導波装置としては第１層の位相整合膜７をｎ，＝１．４
５のＳｉ０２（第６図）からｎ．＝２．０のｌｎ２０３
に変えたものであるから、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の位
相ずれを等しくするためには補正する必要があるが、こ
れは層７の膜厚ｄ，および層８の膜厚もの調整により行
なうことができる。一例として波長１．３仏机の場合の
第７図の素子はｄ，＝２６００Ａ、ら＝１１００Ａに設
定する。なお、第２層８のＳｉＨは日の添加量によって
比の値を調整することができる。尚、薄板１は１三２弧
、ｄニ６０仏のである。上記実施例では第１層７を電極
兼用の位相整合膜としたが、これは第２層以下にしても
よく、これにより設計の自由度が増す。
但し、この場合には電極兼用の位相整合膜と薄板１の間
にＳｉＱの如き層が介在してはならない。従って、例え
ば第２層８を電極兼用の層とした場合には上記関係式を
満たす範囲内で第１層７を電気抵抗の低い素材で形成し
なければならない。いずれの場合でも電極兼用の位相整
合膜の外層にＳｉ０２を用いることは勿論、支障にはな
らない（例えば第７図の第３層９）。以上述べたように
本発明によれば、光スイッチを低電圧で駆動でき、しか
もドリフトによる経時的な電界低下のない安定した動作
が期待される利点がある。
にＳｉＱの如き層が介在してはならない。従って、例え
ば第２層８を電極兼用の層とした場合には上記関係式を
満たす範囲内で第１層７を電気抵抗の低い素材で形成し
なければならない。いずれの場合でも電極兼用の位相整
合膜の外層にＳｉ０２を用いることは勿論、支障にはな
らない（例えば第７図の第３層９）。以上述べたように
本発明によれば、光スイッチを低電圧で駆動でき、しか
もドリフトによる経時的な電界低下のない安定した動作
が期待される利点がある。
第１図は光変調器の一例を示す概略構成図、第２図は反
射時に生じるＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相ずれの説
明図、第３図は屈折率を異にする境界での全反射によっ
てＰ偏光成分とＳ偏光成分に生じる位相ずれの説明図、
第４図は位相ずれを防止する反射部構成の説明図、第５
図および第６図は多層構造の位相整合膜を有する光スイ
ッチの断面構造図、第７図は本発明の一実施例を示す断
面構造図である。 図中、１は電気光学結晶薄板、７〜９は第１〜第３層の
位相整合膜である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
射時に生じるＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相ずれの説
明図、第３図は屈折率を異にする境界での全反射によっ
てＰ偏光成分とＳ偏光成分に生じる位相ずれの説明図、
第４図は位相ずれを防止する反射部構成の説明図、第５
図および第６図は多層構造の位相整合膜を有する光スイ
ッチの断面構造図、第７図は本発明の一実施例を示す断
面構造図である。 図中、１は電気光学結晶薄板、７〜９は第１〜第３層の
位相整合膜である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- １ 厚さに対し光導波方向の長さを大に選んだ電気光学
結晶薄板を用い、該薄板の端面から光ビームを導入し、
該薄板の対向する両表面に対して電極を配置し、かつ該
両表面には透明材質からなる多層構造の位相整合膜を被
着して、該薄板の両表面および該整合膜で反射を繰り返
しながら進行する前記光ビームのＰ偏光成分とＳ偏光成
分の各位相ずれを実質的に等しくした光スイツチにおい
て、 該多層構造の位相整合膜の少なくとも一層を透明
導電性材料で作つて前記電極に兼用し、かつその電極と
なる位相整合膜と該薄板との間には絶縁材料層が介在し
ないようにしてなることを特徴とする、電気光学結晶を
用いた光スイツチ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12019380A JPS6015254B2 (ja) | 1980-08-30 | 1980-08-30 | 光スイッチ |
| CA000373260A CA1158082A (en) | 1980-03-28 | 1981-03-18 | Optical waveguide device |
| EP81301333A EP0037263B1 (en) | 1980-03-28 | 1981-03-27 | Optical waveguide device |
| DE198181301333T DE37263T1 (de) | 1980-03-28 | 1981-03-27 | Optische wellenleitervorrichtung. |
| DE8181301333T DE3175396D1 (en) | 1980-03-28 | 1981-03-27 | Optical waveguide device |
| US06/249,014 US4387953A (en) | 1980-03-28 | 1981-03-30 | Optical waveguide device with phase matching layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12019380A JPS6015254B2 (ja) | 1980-08-30 | 1980-08-30 | 光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5745518A JPS5745518A (en) | 1982-03-15 |
| JPS6015254B2 true JPS6015254B2 (ja) | 1985-04-18 |
Family
ID=14780206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12019380A Expired JPS6015254B2 (ja) | 1980-03-28 | 1980-08-30 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015254B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6248196U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-25 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526292B2 (ja) * | 1989-08-29 | 1996-08-21 | 日本碍子株式会社 | 光部品及びその製造法 |
-
1980
- 1980-08-30 JP JP12019380A patent/JPS6015254B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6248196U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5745518A (en) | 1982-03-15 |
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