JPS60153155A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
- Publication number
- JPS60153155A JPS60153155A JP59264342A JP26434284A JPS60153155A JP S60153155 A JPS60153155 A JP S60153155A JP 59264342 A JP59264342 A JP 59264342A JP 26434284 A JP26434284 A JP 26434284A JP S60153155 A JPS60153155 A JP S60153155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- power semiconductor
- frame
- conductor
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Noodles (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、良熱伝導性の絶縁基板になじみ良く結合さ
れた少なくとも一つの半導体素体と、この絶縁基板が良
熱伝導的に搭載される金属製の底板と、この低板に固定
される枠と、この枠の上部の所定位置に配置される少１
まくとも二つの接続端子のそれぞれと半導体素体とを接
続する少なくとも二つの負荷電流を導くための接続導体
と、この接続嗜１体と半導体素体とな少なくとも部分的
に被覆する注型樹脂とを倫える電力用半導体装置にかか
わる。
れた少なくとも一つの半導体素体と、この絶縁基板が良
熱伝導的に搭載される金属製の底板と、この低板に固定
される枠と、この枠の上部の所定位置に配置される少１
まくとも二つの接続端子のそれぞれと半導体素体とを接
続する少なくとも二つの負荷電流を導くための接続導体
と、この接続嗜１体と半導体素体とな少なくとも部分的
に被覆する注型樹脂とを倫える電力用半導体装置にかか
わる。
〔従来技術とそｕ＞１１ｊＪ総点〕
かかる知力用半導体装置は例えは西ドイツ国特許公開公
報第２６１７３３５号により知られている。かかる装置
では一般にケースの寸法、接続端子の相互間隔及びその
ケース上での位置が例えば規格により規定されている。
報第２６１７３３５号により知られている。かかる装置
では一般にケースの寸法、接続端子の相互間隔及びその
ケース上での位置が例えば規格により規定されている。
かかる半導体装置においては接続端子は帯状の接続導体
を経て半導体と結合されている。この接続導体は大電流
を流すために頑丈に作られている。そのために、接続導
体又は接続端子に作用する力ｉ′ｉ少なくとも部分的に
半導体に伝達されてしまう。従来は接続導体を固定する
堅い注Ｍ樹脂によりこの問題乞防止してきたが、かかる
注型樹脂は、しばしば半導体に好ずしくない電気的な作
用を及ぼすので、注型樹脂に付加的に特別な不１＃想化
層を設けなければならなかった。
を経て半導体と結合されている。この接続導体は大電流
を流すために頑丈に作られている。そのために、接続導
体又は接続端子に作用する力ｉ′ｉ少なくとも部分的に
半導体に伝達されてしまう。従来は接続導体を固定する
堅い注Ｍ樹脂によりこの問題乞防止してきたが、かかる
注型樹脂は、しばしば半導体に好ずしくない電気的な作
用を及ぼすので、注型樹脂に付加的に特別な不１＃想化
層を設けなければならなかった。
ざらにはは繭な導体のために半導体はケースの中で完全
に輩められた位ｄにしか酎くことができない。ケースの
中の半導体がこの位置からずれたり別の方法で接続する
とさは、この目「コのために特別に甘わせた接続導体を
用いなければならない。
に輩められた位ｄにしか酎くことができない。ケースの
中の半導体がこの位置からずれたり別の方法で接続する
とさは、この目「コのために特別に甘わせた接続導体を
用いなければならない。
この発明は頭韻の種鎮σ）・電力用半導体装置を。
ケースの中の半導体装置が接続端子の位置に関係なく目
出に選べるように、改良することを目的とする。この際
堅い注型材の充填もやめるようにしようとするものであ
る。
出に選べるように、改良することを目的とする。この際
堅い注型材の充填もやめるようにしようとするものであ
る。
この目的はこの発明にもとづき、各接続導体を少なくと
も二つの部分から構成し、その第１の部分を枠に固定さ
れる剛体として構成し、その第２の部分ｙ１１′μ」貌
に構成してその一端を第１の部分に他端を半導体ないし
は午導体累体ケ基板に軸付する導電ノーにそれぞれ電り
Ｌ的に接続Ｔるように一向一ることにより達成される。
も二つの部分から構成し、その第１の部分を枠に固定さ
れる剛体として構成し、その第２の部分ｙ１１′μ」貌
に構成してその一端を第１の部分に他端を半導体ないし
は午導体累体ケ基板に軸付する導電ノーにそれぞれ電り
Ｌ的に接続Ｔるように一向一ることにより達成される。
〔発明の実施例〕
つぎにこの発明の二つの実施セ１１を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
ら詳細に説明する。
第１図に示す電力用半尋体装■ぼは支持部ｄとして金Ｉ
ｉ！４製の紙板１ン一「しＣいる。底板は・し１１んば
ニッケルめっきした銅又はアルミニウムＩノ・ら戚り、
その上面ははんだ１テは口ｆ能な層馨備えている。紙板
ｌの」二面には、ａＢ久「うには絶縁性で熱伝導性のよ
い基板２が取付けられている。この着火は例えばべｌＪ
’ｌＪア磁器又はアルミナ轍器かり成る。基板の上には
、メタライズ層３．５を介して４板とはんだ付けされた
二つの半４体６．７がマウントされている。、なお％４
は接続の仲介用支持点としてのメタライスノーあるいは
基板にマソントされた４を板である。
ｉ！４製の紙板１ン一「しＣいる。底板は・し１１んば
ニッケルめっきした銅又はアルミニウムＩノ・ら戚り、
その上面ははんだ１テは口ｆ能な層馨備えている。紙板
ｌの」二面には、ａＢ久「うには絶縁性で熱伝導性のよ
い基板２が取付けられている。この着火は例えばべｌＪ
’ｌＪア磁器又はアルミナ轍器かり成る。基板の上には
、メタライズ層３．５を介して４板とはんだ付けされた
二つの半４体６．７がマウントされている。、なお％４
は接続の仲介用支持点としてのメタライスノーあるいは
基板にマソントされた４を板である。
底板１の上には絶縁枠８がかぶせられ、底板と例えば接
着されている。枠はその長壁と相互に結合された桟９，
１０．１１を備えている。この桟は枠の上縁に設けても
よく、またこの上縁より下がった位置に設けてもよい。
着されている。枠はその長壁と相互に結合された桟９，
１０．１１を備えている。この桟は枠の上縁に設けても
よく、またこの上縁より下がった位置に設けてもよい。
桟の上には第１の接続導体部分１３ 、１４ 、１５が
固定されている。第１の接続導体部分は例えば板から成
り、はぼ剛であるが、ばね弾性を有するように構成され
るのがよい。第１の接続導体部分を固定するためにプラ
スチックのだぼ１２が用いられ、このだぼにＬＬ１２接
続導体部分の水平の脚部に係合する。だぼは脚部の厚さ
よりやや高い。第１の接続導体部分は例えば接着材にま
りだぼと結合できる。枠８が熱可塑性樹脂から成るとき
は、だぼ１２を加熱しプレスしてすることにより第１の
接続導体部分を固定できる。こうして第１の接続導体部
分は枠８の桟に固定される。
固定されている。第１の接続導体部分は例えば板から成
り、はぼ剛であるが、ばね弾性を有するように構成され
るのがよい。第１の接続導体部分を固定するためにプラ
スチックのだぼ１２が用いられ、このだぼにＬＬ１２接
続導体部分の水平の脚部に係合する。だぼは脚部の厚さ
よりやや高い。第１の接続導体部分は例えば接着材にま
りだぼと結合できる。枠８が熱可塑性樹脂から成るとき
は、だぼ１２を加熱しプレスしてすることにより第１の
接続導体部分を固定できる。こうして第１の接続導体部
分は枠８の桟に固定される。
第１図及び第２図にはＭｌの接続導体部分１３゜１４
、１５と一体に作られた三種の接続端子加、 １９ 、
１８が示されている。左側の接続端子加はボルト結合用
に構成されている。中央の接続端子１９はプラグ用であ
る。また右側の接続端子はスリ、トな備えており、この
スリットの中に単ｉ＠３８を挿入してはんだ付けできる
。実際には半導体装置は図示の接続端子の内の１棟類だ
けを備えている。
、１５と一体に作られた三種の接続端子加、 １９ 、
１８が示されている。左側の接続端子加はボルト結合用
に構成されている。中央の接続端子１９はプラグ用であ
る。また右側の接続端子はスリ、トな備えており、この
スリットの中に単ｉ＠３８を挿入してはんだ付けできる
。実際には半導体装置は図示の接続端子の内の１棟類だ
けを備えている。
接続導体部分１３ 、１４ 、１５は、それぞれ半導体
素体６．７又は絶縁基板２を所属の接続端子加、 １９
、１８に結きする接続導体１３ 、１４ 、１５ 、
１６の第１の部分を構成する。接続導体の第２の部分１
６は５Ｊ碗な撚り線又は単線から成る。可撓な撚り線は
、一端が接続導体部分１３ 、１４ 、１５の貫通孔に
挿入固定され、他端が半導体素体に接続されている。半
導体素体６゜７とｒ３丁撓な撚り線１６との間の接触は
直接にされてもよく、また導電性の中間層３，５を介し
であるいは金属層から成り基板２と例えははんだ伺けさ
れた支持点４を介して行なって１）よい。支持点４と半
導体素体との間また半導体素体間はボンディングワイヤ
により電気的に結合でき、ボンディングワイヤの内の２
本が図示され２１ 、２２の符号が付けられている。
素体６．７又は絶縁基板２を所属の接続端子加、 １９
、１８に結きする接続導体１３ 、１４ 、１５ 、
１６の第１の部分を構成する。接続導体の第２の部分１
６は５Ｊ碗な撚り線又は単線から成る。可撓な撚り線は
、一端が接続導体部分１３ 、１４ 、１５の貫通孔に
挿入固定され、他端が半導体素体に接続されている。半
導体素体６゜７とｒ３丁撓な撚り線１６との間の接触は
直接にされてもよく、また導電性の中間層３，５を介し
であるいは金属層から成り基板２と例えははんだ伺けさ
れた支持点４を介して行なって１）よい。支持点４と半
導体素体との間また半導体素体間はボンディングワイヤ
により電気的に結合でき、ボンディングワイヤの内の２
本が図示され２１ 、２２の符号が付けられている。
可撓な単勝又は撚り線１６は桟の間にある開口δか又は
桟に設けられた孔を経て導かれる。この孔は第２図にお
いて各桟上に二つずつ図示されており、桟９十の孔は符
号２７ 、２８が付けられている。接続導体の可読な部
分が枠のどこから引き出されるかは、枠の巾の半導体素
体の位負゛により決まる。
桟に設けられた孔を経て導かれる。この孔は第２図にお
いて各桟上に二つずつ図示されており、桟９十の孔は符
号２７ 、２８が付けられている。接続導体の可読な部
分が枠のどこから引き出されるかは、枠の巾の半導体素
体の位負゛により決まる。
この位置は第２の接続導体１６の可撓件の故に底板１の
利用可畝な面上で自由に選択できる。したがって、特に
多数の半導体から成り場合によっては種々の機能を有す
る松雑な回路を一種類のかかる司、刃用半導体装置に紅
合できる。もう一つの長所は、ボンディングに際して剛
な接続導体がじゃまになることなく、半導体装のボンデ
ィングが可能であるという利点を有する。そのときは、
可撓な導体１６はボンデインク後に取付けるのが合理的
である。
利用可畝な面上で自由に選択できる。したがって、特に
多数の半導体から成り場合によっては種々の機能を有す
る松雑な回路を一種類のかかる司、刃用半導体装置に紅
合できる。もう一つの長所は、ボンディングに際して剛
な接続導体がじゃまになることなく、半導体装のボンデ
ィングが可能であるという利点を有する。そのときは、
可撓な導体１６はボンデインク後に取付けるのが合理的
である。
プリント配線板システムの中に組み込むときは、接続導
体１３ 、１４ 、１５又（Ｊ接続端子２０＋ １９
＊ Ｈｓの中心間隔ａを同じ大きさとしかつプリント配
線板の格子寸法に構成することが推奨される。半導体素
体を保瀾するために枠は注型樹脂３３により充填される
。
体１３ 、１４ 、１５又（Ｊ接続端子２０＋ １９
＊ Ｈｓの中心間隔ａを同じ大きさとしかつプリント配
線板の格子寸法に構成することが推奨される。半導体素
体を保瀾するために枠は注型樹脂３３により充填される
。
この注型樹脂は接続導体を固定するという役目を持って
いないので、軟かく又はゼラチン状とすることができ、
例えばシリコーンゴムとすることができる。接続の際及
び運転時に接続導体に加えられる力は、もっばら桟によ
り従って枠により受け止められる。
いないので、軟かく又はゼラチン状とすることができ、
例えばシリコーンゴムとすることができる。接続の際及
び運転時に接続導体に加えられる力は、もっばら桟によ
り従って枠により受け止められる。
枠８の上には第３図に示す絶縁ふた加がかぶせられる。
このふたはスリ、ト状の孔３ｔｌ 、 ３１を備え、こ
の孔を接続端子加、１９が貫通する。接続端子のための
穴（資）、３１の位置は図面では点線で示されている。
の孔を接続端子加、１９が貫通する。接続端子のための
穴（資）、３１の位置は図面では点線で示されている。
接続端子として接続端子ム）の形式が用いられるならば
、ふた２９の上Ｉｉにはスリッ） ３０と並べて金属製
の例えばナツト３２を端、子として鋳込むことができ、
このナツトに接続端子と接続導体や外ｓ４線とをねじ止
めできる。
、ふた２９の上Ｉｉにはスリッ） ３０と並べて金属製
の例えばナツト３２を端、子として鋳込むことができ、
このナツトに接続端子と接続導体や外ｓ４線とをねじ止
めできる。
第４図には、接続導体の枠への別のｓ虜の固定法を用い
たも′う一つの実施例を示す。枠８の側壁は案内レール
３４ 、３５を備え・、このレールの中に２字形の侘状
導体あの継手飯が挿入される。導体３６は接続導体の第
１の部分を形成する。接続導体の第２の部分は再び可撓
な単線又は撚り線３７により形成され、撚り線は＠１の
導体あの孔に挿入されそこにはんだ付けされる。撚り線
３７の他端は絶縁基板上のメタライズ層４０に結合され
、このメタライズ層４０の上に半導体素体３９がマウン
トされている。
たも′う一つの実施例を示す。枠８の側壁は案内レール
３４ 、３５を備え・、このレールの中に２字形の侘状
導体あの継手飯が挿入される。導体３６は接続導体の第
１の部分を形成する。接続導体の第２の部分は再び可撓
な単線又は撚り線３７により形成され、撚り線は＠１の
導体あの孔に挿入されそこにはんだ付けされる。撚り線
３７の他端は絶縁基板上のメタライズ層４０に結合され
、このメタライズ層４０の上に半導体素体３９がマウン
トされている。
この除部分謁と３７との相互結合部は枠８の中に充填さ
れる注型樹脂あの外であってもよく中であってもよい。
れる注型樹脂あの外であってもよく中であってもよい。
１本の撚り線では′６流を導くのに不十分なときは、第
１の接続導体】５を第２図に示すように形成し、複数の
接続電線１６ 、１７を並列に用いることができる。こ
のために伺加した電線はここでは１７で示されている。
１の接続導体】５を第２図に示すように形成し、複数の
接続電線１６ 、１７を並列に用いることができる。こ
のために伺加した電線はここでは１７で示されている。
半導体素体又は絶縁基板を接続端子に結合する接続導体
は、この発明にもとづき、枠に固定された剛体として構
成した第１の部分と、この部分と半導体系体又は絶縁基
板とを結合する可撓な撚り巌又は単一から成る第２の部
分とに分けられる。
は、この発明にもとづき、枠に固定された剛体として構
成した第１の部分と、この部分と半導体系体又は絶縁基
板とを結合する可撓な撚り巌又は単一から成る第２の部
分とに分けられる。
こうすることにより、半導体素体は接続端子とは無関係
に底板上の取付は位置を自由に選択することができ、複
数の半導体を備えて異なる機能を有する謹々の電力用半
導体装置を一種類の外部接続端子構造に統一することが
可能となる。
に底板上の取付は位置を自由に選択することができ、複
数の半導体を備えて異なる機能を有する謹々の電力用半
導体装置を一種類の外部接続端子構造に統一することが
可能となる。
また接続端子に加えられる力は直接粋により受け止めら
れるので、枠の中に充填される注型樹脂は電気的に半導
体素体に悪影響を与える恐れのある堅いものを用いる必
要はなく、軟かい例えはシリコーンゴムな用いることが
できる。
れるので、枠の中に充填される注型樹脂は電気的に半導
体素体に悪影響を与える恐れのある堅いものを用いる必
要はなく、軟かい例えはシリコーンゴムな用いることが
できる。
また半導体ないしは導電層間のポンディングは可撓な第
２の部分の取付は前に実施することにより、接続導体に
じゃまされずに行なうことができる。
２の部分の取付は前に実施することにより、接続導体に
じゃまされずに行なうことができる。
第１図はこの発明による半導体装置の実施例の長手方向
断面図、第２図は、Ｊ！１図に示す装置の平面図、第３
図は第１図に示す装置にかぶせるふたを一部断面図で示
す側面図、第４図は異なる実施例の部分平面図である。 図面にぢいて、１は底板、２は絶縁基＆、：う、４，５
．４０は導電層、６．７．３９は半導体素体、８は枠、
９．１０．１１は桟、１２は固定箇所％１３ 、１４
、１５ 、３６は接続導体の第１の部分、ＩＯ、１７、
３７は接続導体の第２の部分、１８ 、１９ 、２０は
接続端子、酋はふた、３０゜３１はスリ、ト孔、３３は
注型樹脂である。
断面図、第２図は、Ｊ！１図に示す装置の平面図、第３
図は第１図に示す装置にかぶせるふたを一部断面図で示
す側面図、第４図は異なる実施例の部分平面図である。 図面にぢいて、１は底板、２は絶縁基＆、：う、４，５
．４０は導電層、６．７．３９は半導体素体、８は枠、
９．１０．１１は桟、１２は固定箇所％１３ 、１４
、１５ 、３６は接続導体の第１の部分、ＩＯ、１７、
３７は接続導体の第２の部分、１８ 、１９ 、２０は
接続端子、酋はふた、３０゜３１はスリ、ト孔、３３は
注型樹脂である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）良熱導性の絶縁基板化なじみ良く結合された少なく
とも一つの半導体素体と、前記絶縁基板が良熱伝導的に
搭載される金属製の底板と、この底板に固定される枠と
、この枠の上部の所定位置に配置される少なくとも二つ
の接続端子のそれぞれと半導体とを接続する少なくとも
二つの負荷電流を尋くための接続導体と、この接続導体
と半導体素体とを少なくとも部分的に被覆する注型樹脂
とを備えるものにおいて、各接続導体が少なくとも二つ
の部分（１３，１４，１５；１６ ）から成り、その第
１の部分（１３，１４，１５）が枠（８）に固定される
剛体として構成され、その第２の部分（１６）が可撓に
構成されかつその一端が第１の部分に他端が半導体素体
（６，７）ないしは半導体素体を基板に結合する導電層
（３，５）にそれぞれ電気的に接続されていることとを
特徴とする電力用半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の装置において、枠（
８）が方形であり、かつその方形の長辺を互に結合する
少な（とも一つの桟（９，１０，１１）を備えることを
特徴とする電力用半導体装置。 ３）特許請求の範囲第２３Ａに記載の装置において。 桟が枠（８）の上縁の簡さにｅけられることを特徴とす
る電力用半導体装置。 ４）特許請求の範囲第２項又は第３項に記載の装置にお
いて、桟が接続導体の與１の部分（１３、１４。 １５）のための固定箇所（１２）を有し、接続導体の第
２の部分（１６）が桟（９，１０，１１）にまで達して
注型樹脂（３３）の外部で接続導体の第１の部分に結合
されることとを特徴とする電力用半導体装置。 ５）特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれかに
記載の装置において、接続導体の第１の部分が接続端子
（１８，１９，２０）に結合されていることを特徴とす
る電力用半導体装置。 ６）特許請求の範囲第５項に記載の装置において、接続
端子と接続導体の第１の部分とが一体に形成されている
ことを特徴とする電、刃用半導体装置。 ７）特許請求の範囲ｍ１．ＬＪＩに記載の装置において
、枠に接続端子（２０，１９，１８） カ挿通すレル孔
（３０゜３１）を備えたふた（四）がかぶせられること
を特徴とする電力用半導体装置− ８）時計請求の範囲第７項に記載の装置において、ふた
（２９）が上面に端子（３２）を備え、この端子が接続
端子に′電気的に結合されることを特徴とする電力用半
導体装置。 ９）特許請求の範囲第１項に記載の装置において、枠（
８）が弾性をもつ注型樹脂（３３）により充填されるこ
とを特徴とする電力用半導体装置。 １０）特許請求の範囲第１項に記載の装置において、接
続端子が相互にプリント配線板の格子寸法又はその整数
倍に等しい中心間隔（ａｌを有することを特徴とする電
力用半導体装置。 １１）特許請求の範囲第１項に記載の装置において、接
続導体の第１の部分（１３，１４，１５）が複数の撚り
巌（１６，１７）又は可撓な単線を介して半導体ないし
は半導体を基板に結合する導電ノーと結合されているこ
とを特徴とする電力用半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833345285 DE3345285A1 (de) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Leistungs-halbleiteranordnung |
| DE3345285.7 | 1983-12-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153155A true JPS60153155A (ja) | 1985-08-12 |
| JPH0345902B2 JPH0345902B2 (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=6216947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59264342A Granted JPS60153155A (ja) | 1983-12-14 | 1984-12-14 | 電力用半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0150347B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60153155A (ja) |
| DE (2) | DE3345285A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142856U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-09 | ||
| DE3717489A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls |
| DE3837920A1 (de) * | 1988-11-09 | 1990-05-10 | Semikron Elektronik Gmbh | Halbleiterelement |
| GB2249869B (en) * | 1990-09-17 | 1994-10-12 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| DE10024377B4 (de) * | 2000-05-17 | 2006-08-17 | Infineon Technologies Ag | Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement |
| DE102005039946A1 (de) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit Leistungshalbleitermodul und mit Anschlussverbinder |
| WO2007025489A1 (de) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul mit auf schaltungsträger aufgebrachten lastanschlusselementen |
| JP4894784B2 (ja) | 2008-02-27 | 2012-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332673A (en) * | 1976-09-04 | 1978-03-28 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor constituting units |
| JPS5715453A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor module |
| JPS5823469A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 複合パワ−トランジスタ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2617335A1 (de) * | 1976-04-21 | 1977-11-03 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| DE2942409A1 (de) * | 1979-10-19 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement mit mehreren halbleiterkoerpern |
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1983
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1984
- 1984-12-06 EP EP19840114843 patent/EP0150347B1/de not_active Expired
- 1984-12-06 DE DE8484114843T patent/DE3470255D1/de not_active Expired
- 1984-12-14 JP JP59264342A patent/JPS60153155A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0150347A1 (de) | 1985-08-07 |
| DE3470255D1 (en) | 1988-05-05 |
| EP0150347B1 (de) | 1988-03-30 |
| JPH0345902B2 (ja) | 1991-07-12 |
| DE3345285A1 (de) | 1985-06-27 |
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