JPS60154582A - ホ−ル素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明はホール素子の構造に関するものである。

（従来技術） ホール素子は磁電変換素子としてＶ’ｌ’Ｒ，プレーヤ
ー等に使用されるモーターに最近非常に多く使われてい
る。

ホール素子の形状は通常、第１図に示すように半導体を
十字形状に形成したもので、素子に垂直な外部磁場Ｂの
下で端部Ａ−Ａ’に入力電流を流すと端部Ｃ−Ｃ’にホ
ール出力電圧ＶＨが得られる。この場ｆｒ、ホール出力
電圧ＶＨの大きさは、よく知られ１いるように下式で表
わされる。

””ＢＩ／ｅＮｄ ここでＢは外部磁場、■は入力電流、Ｎはキャリア濃度
、ｄは素子厚さ、ｅは電子の電荷量である。

通常出力電圧ＶＨの大きさと入力抵抗あるいは消費ＴＪ
Ｌ　力を考慮して、Ｎ−１×１０１１−３ｄ＝ｏ、２〜
０．３μｍＫ選ぶのが適当である。

しかしながら、実際の結晶製作の際には、濃度及び厚さ
がウェハー間はもちろんのことウェハー面内でもかなシ
ばらつき、この為前記の式からも明らかなように同一の
電流、磁場の下でも各素子によシ出力紙圧がかなシ違う
という事態が生ずる。

（発明の目的） 本発明の目的は出力電圧のバラツキの少いホール素子を
得る仁とにある。

（発明の構成） 本発明によれは、入力電流通路上にシｇｙｙトキ接合あ
るいはＰＮ接合を設け、との接合に外部よりバイアス電
圧を加え素子の厚さｄを加減することにより、出力電、
圧を一定としたホール素子を得る。かかるホール素子に
よれば濃度、厚さのばらつきによシ出力電圧が違ってく
るという従来の欠点を解消できる。

（発明の実施例） 以下、本発明と図面を参照してよシ詳細に説明する。

第２図は本発明の一実施例によるボール素子断面の略図
である。領域１は不純物濃度Ｉ　Ｘ　１０１’１３ ぼ　のＮ型単結晶層であり領域２はＮ型単結晶層の領域
１とショットキー接合を形成するようなショットキーメ
タルである。領域３はショットキー接合による空乏層で
あり、この長さｌは外部よシ印加する逆バイアス電圧Ｖ
によって変化させることがｆ％る。従って入力電流工の
通路の厚さｄ−ｊが、逆バイアス電圧によって可変であ
シ、前記式よシわかるようにホール出力電圧ＶＨを外部
バイアス電圧■によって制御できることになる。

本発明によるホール素子の実際の構造の平面を第３図に
示す。図中斜線で示した部分がショットキーメタルであ
る。辷れは上記説明から明らかなように入力電流通路の
うち、出力電圧を取り出す一部のみに形成すれば充分で
ある。ショットキーメタルの代わシにＰ層を形成しても
目的が達成されるととも上記説明から明白である。また
出力電圧の温度による変動も外部電圧によって補正でき
る。

以上のように本発明によればホール出力電圧を外部バイ
アス電圧によっ°Ｃ制御でき、素子間のばらつきあるい
は温度による変動を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のホール素子を示す斜視図でおυ。 第２図は本発明の一実施例によるホール素子の断、、、
Ｔよ、あ、、□３よ。よ。−□６よ、オ　□ニール素子
の斜視図である。 １・・・・・・Ｎ型単結晶層、２・・・・・・ショット
キメタル。 ３・・・・・・空乏層。 代理人　弁理士　内　原　晋 ｈ１図 筋１図 第３　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 入力電流通路の・一部にショットキ接合あるいはＰＮ接
   合を設け、該接合部にバイアス電圧を印加し前記入力電
   流通路の厚さを変化させ得るようにしたことを特徴とす
   るホール素子。