JPS60154629A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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- JPS60154629A JPS60154629A JP59010112A JP1011284A JPS60154629A JP S60154629 A JPS60154629 A JP S60154629A JP 59010112 A JP59010112 A JP 59010112A JP 1011284 A JP1011284 A JP 1011284A JP S60154629 A JPS60154629 A JP S60154629A
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- Japan
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- electrodes
- pressure
- rectifying unit
- internal electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は圧接型半導体装置に係り、特に、半導体基体に
対し、ろう材を一切用いないで′亀換等を圧接する構造
の半導体装置に関するものである。
対し、ろう材を一切用いないで′亀換等を圧接する構造
の半導体装置に関するものである。
圧接型半導体装置は二種に太別嘔れ、その第一は半導体
基体を補助支持板にろう伺しているもの（特公昭４７−
４８１８号公報）、第二は補助支持体を用いず、温度補
償板と半導体基体を圧接して□いるものである（特公昭
４６−３１９２６ 月公報）。
基体を補助支持板にろう伺しているもの（特公昭４７−
４８１８号公報）、第二は補助支持体を用いず、温度補
償板と半導体基体を圧接して□いるものである（特公昭
４６−３１９２６ 月公報）。
補助支持体としては熱膨張係数に近似したモリブデンあ
るいはタングステンが用いられ、温ｔＷ補償版としては
半導体基体上の電極膜と溶着を起し離い金柄、例えは電
極膜がアルミニウムの」）：ｉ、台タングステンが用い
られ“る。
るいはタングステンが用いられ、温ｔＷ補償版としては
半導体基体上の電極膜と溶着を起し離い金柄、例えは電
極膜がアルミニウムの」）：ｉ、台タングステンが用い
られ“る。
前方では、ろう何役に熱膨張係数の差から、彎曲を生じ
、彎曲度は半導体基体の口佳にｂＬかい太となるので、
大型のものには不向きである。
、彎曲度は半導体基体の口佳にｂＬかい太となるので、
大型のものには不向きである。
後者では、半導体基体がｔｉｉｊ助支持体とろう付芒れ
ていないので騙す曲を生ずることはないが、各部材の動
きを規制する手段が必要である。
ていないので騙す曲を生ずることはないが、各部材の動
きを規制する手段が必要である。
第１図は従来の後者に層する圧接型ダイオード１００を
示している。
示している。
セラミック円筒１０１はその両端開孔部にコノく−ル可
撓性フランジ１０２，１０３を介して銅外部奄幀１０４
，１０５が設けられ気密容器を形成している。上下外部
電極１０４，１０５間にＩ）ｎ接合が形成されているシ
リコン基体１０６が配置される。シリコン基体１０６の
上下主表面には第２図に示すようにアルミニウム電極膜
１０７゜１０８が蒸着後、シンタリング処理を施して設
けられ、また、上止表面の外周部にアルミニウムろう１
０９によりｐｎ接合を持たないシリコン環１１０が固着
嘔れている。シリコン基体１０６の傾斜面に加工された
側周にはｐｎ接合が蕗出し、弐面女走化剤としてシリコ
ンゴム１１１が塗布されている。電極膜１０７，１０８
に温度補償板１１２．１１３が接触される。その接触面
にアルミニウム層１１４．１１５が蒸着により設けられ
ている。−ト外部電極１０４の容器内上部には四部１０
４ａが設けられており、鋼板１１６が固着されている。
撓性フランジ１０２，１０３を介して銅外部奄幀１０４
，１０５が設けられ気密容器を形成している。上下外部
電極１０４，１０５間にＩ）ｎ接合が形成されているシ
リコン基体１０６が配置される。シリコン基体１０６の
上下主表面には第２図に示すようにアルミニウム電極膜
１０７゜１０８が蒸着後、シンタリング処理を施して設
けられ、また、上止表面の外周部にアルミニウムろう１
０９によりｐｎ接合を持たないシリコン環１１０が固着
嘔れている。シリコン基体１０６の傾斜面に加工された
側周にはｐｎ接合が蕗出し、弐面女走化剤としてシリコ
ンゴム１１１が塗布されている。電極膜１０７，１０８
に温度補償板１１２．１１３が接触される。その接触面
にアルミニウム層１１４．１１５が蒸着により設けられ
ている。−ト外部電極１０４の容器内上部には四部１０
４ａが設けられており、鋼板１１６が固着されている。
上外部電極１０５の容器内下部にはやはり銀板１１７が
固着されている。両銀板１１６゜１１７間に第２図に示
したシリコン基体１０６を温度補償板１１２，１１．３
を介して挟持される。
固着されている。両銀板１１６゜１１７間に第２図に示
したシリコン基体１０６を温度補償板１１２，１１．３
を介して挟持される。
容器内にはテフロンガイド＠１１８が設けられている。
これは下外部′電極１０４のフランジ部１０４ｂと下方
で係合し、上方でシリコン環１１０と係合している。
で係合し、上方でシリコン環１１０と係合している。
以上ノ々口＜、シリコン基体ｔ ０６ 、ｒ７ｉｔ１ｍ
補償板１１２．１１３は自由に動きイ４ｆるので、シリ
コン環１１０を設けたり、凹部１０４ ａ、フランジ部
１０４ｂを設け、テフロンガイド筒１１８を設置する必
豊かあり、複雑な構造となっている。
補償板１１２．１１３は自由に動きイ４ｆるので、シリ
コン環１１０を設けたり、凹部１０４ ａ、フランジ部
１０４ｂを設け、テフロンガイド筒１１８を設置する必
豊かあり、複雑な構造となっている。
上り嶌袂なことは、シリコン基板１０６等を気密容器内
に封止し、上下外部電極１０４，１０５間で加圧し、実
使用状態にしてからでないと、ｔＶＡ性試験が不可能な
ことである。
に封止し、上下外部電極１０４，１０５間で加圧し、実
使用状態にしてからでないと、ｔＶＡ性試験が不可能な
ことである。
本発明の目的は構造が単純で位置合せが容易であり、組
立途中段階で特性試験を行うことが可能な圧接型半導体
装置を提供することにある。
立途中段階で特性試験を行うことが可能な圧接型半導体
装置を提供することにある。
上記目的を達成する本発明の％徴とするところは１刻の
内部″電極間に電極膜が両主表面に設けられた半導体基
体を熱膨張係数が半導体基体に近似した温度補償板を介
して挾持し、各内部電極の外周に設けた加圧環を介して
内向部電極間に加圧力を付与してなる整流単位体を、絶
縁筒の開孔両端部に各々可撓的に外部電極を設けてなる
気密容器内に内外両電極が当接するように封止され、加
圧環は内部電極に当’４″）、：する外部電極を包囲係
合していることにある。
内部″電極間に電極膜が両主表面に設けられた半導体基
体を熱膨張係数が半導体基体に近似した温度補償板を介
して挾持し、各内部電極の外周に設けた加圧環を介して
内向部電極間に加圧力を付与してなる整流単位体を、絶
縁筒の開孔両端部に各々可撓的に外部電極を設けてなる
気密容器内に内外両電極が当接するように封止され、加
圧環は内部電極に当’４″）、：する外部電極を包囲係
合していることにある。
第３図は本発明の一実施例になる圧接型ダイオード２０
０を示している。
０を示している。
第３図において、セラミック円筒２０１、コバール可撓
性フランジ２０２，２０３、上下両銅外部電極２０４，
２０５は気密容器を形成し、その内部に本発明になる整
流単位体２０６が封止されている。整流単位体２０６゛
十第４園に分解して示すように両主表面にアルミニウム
電極膜２０７゜２０８が設けられ、傾斜加工側面に表面
安定化材２０９が設けられた端部が側面にνに出してい
るｐｎ接合を有するシリコン基体２１０にタングステン
温度補償板２１１，２１２を介して鋼内部電極２１３，
２１４が当接婆れる。内部電極２１３゜２１４の突出部
２１３ａ、２１４ａの外枠よりわずか大きい内径となっ
ている加圧ｔｊＧｔ２１５，２１６が嵌合され、テフロ
ンボルト２１７、ナツト２１８を用い第５図の如く、１
対の内部′電極２１３゜２１４間に温度補償板２１１，
２１２を介して半導体基体（シリコン基体）２１０が挾
持圧接した整流単位体２０６が組立てられる。
性フランジ２０２，２０３、上下両銅外部電極２０４，
２０５は気密容器を形成し、その内部に本発明になる整
流単位体２０６が封止されている。整流単位体２０６゛
十第４園に分解して示すように両主表面にアルミニウム
電極膜２０７゜２０８が設けられ、傾斜加工側面に表面
安定化材２０９が設けられた端部が側面にνに出してい
るｐｎ接合を有するシリコン基体２１０にタングステン
温度補償板２１１，２１２を介して鋼内部電極２１３，
２１４が当接婆れる。内部電極２１３゜２１４の突出部
２１３ａ、２１４ａの外枠よりわずか大きい内径となっ
ている加圧ｔｊＧｔ２１５，２１６が嵌合され、テフロ
ンボルト２１７、ナツト２１８を用い第５図の如く、１
対の内部′電極２１３゜２１４間に温度補償板２１１，
２１２を介して半導体基体（シリコン基体）２１０が挾
持圧接した整流単位体２０６が組立てられる。
テフロンボルト２１７、ナツト２１８を加圧環２１５．
２１６の外周４〜８ケ所に等間隔をもって設けると加圧
力は全周で均一化される。表ｉの安定化材２０９をボル
トに当接するようにしておけば、整流単位体２０６内で
シリコン基体２１０が移動することはない。内向部電＆
２１３，２１４間は絶縁する必要があるが加圧環２１５
，２１６の一方を絶縁材とすれば、ポル）２１７は絶縁
材でなしても良く、その材料の組合せは任意に選択でき
る。第５図に示す整流単位体２０６は気密容器内に封止
されていないだけで完成品に近い状態にあるので、この
段階でシリコン基体２１０の特性試験を行うことができ
、又、良品と判断されたものはそのまま清浄分界囲気下
に保管しておいても良い。
２１６の外周４〜８ケ所に等間隔をもって設けると加圧
力は全周で均一化される。表ｉの安定化材２０９をボル
トに当接するようにしておけば、整流単位体２０６内で
シリコン基体２１０が移動することはない。内向部電＆
２１３，２１４間は絶縁する必要があるが加圧環２１５
，２１６の一方を絶縁材とすれば、ポル）２１７は絶縁
材でなしても良く、その材料の組合せは任意に選択でき
る。第５図に示す整流単位体２０６は気密容器内に封止
されていないだけで完成品に近い状態にあるので、この
段階でシリコン基体２１０の特性試験を行うことができ
、又、良品と判断されたものはそのまま清浄分界囲気下
に保管しておいても良い。
良品は第３図に示すようにセラミック円筒２０１、フラ
ンジ２０２，２０３、外部電極２０４ 、２０５からな
る気密容器内に封止される。セラミック円筒２０１の下
側開孔部にフランジ２０２を介して外部電極２０４をろ
う付したものを用意し、別途用意した整流単位体２０６
をセットする。次に外部電極２０４に設けたフランジ２
０３をセラミック円筒２０１の上側開孔部にろう付して
気ヤ容器が完成すると共にその内に整流単位体２０６が
封止された形になる。ここで、外部電極２０４゜２０５
の凸部２０４ａ、２０５ａの外径を内部電極２１３，２
１４の凸部２１３ａ、２１４ａとはぽ同じ寸法とし、か
つ、加圧環２１５．２１６の内径よりわずかに小さくな
っているので、加工環２１５．２１６は外部′電極２０
４，２０５の内部電極２１３，２１４との接触部を外周
側から包囲する形となって、整流単位体２０６が気２と
容器内で接触面に平行な方向に移動することを阻止する
ことができる。
ンジ２０２，２０３、外部電極２０４ 、２０５からな
る気密容器内に封止される。セラミック円筒２０１の下
側開孔部にフランジ２０２を介して外部電極２０４をろ
う付したものを用意し、別途用意した整流単位体２０６
をセットする。次に外部電極２０４に設けたフランジ２
０３をセラミック円筒２０１の上側開孔部にろう付して
気ヤ容器が完成すると共にその内に整流単位体２０６が
封止された形になる。ここで、外部電極２０４゜２０５
の凸部２０４ａ、２０５ａの外径を内部電極２１３，２
１４の凸部２１３ａ、２１４ａとはぽ同じ寸法とし、か
つ、加圧環２１５．２１６の内径よりわずかに小さくな
っているので、加工環２１５．２１６は外部′電極２０
４，２０５の内部電極２１３，２１４との接触部を外周
側から包囲する形となって、整流単位体２０６が気２と
容器内で接触面に平行な方向に移動することを阻止する
ことができる。
第６図、第７図は各々他の実施例を示しており、第３図
〜第５図に示したものと同一物、相当物には同一符号を
付けである。
〜第５図に示したものと同一物、相当物には同一符号を
付けである。
第６図の実施例では内外両電極２０４，２０５゜２１３
．２１４の接触部に凹部が形成され、中子２１９が挿入
されている。中子２１９の設置により、整流単位体２０
６が気密容器内で回転することが防止される。
．２１４の接触部に凹部が形成され、中子２１９が挿入
されている。中子２１９の設置により、整流単位体２０
６が気密容器内で回転することが防止される。
第７図の実施例では、平坦な内部電極２１３゜２１４が
使用され、加工環２１５，２１６か内部電極２１３，２
１４の外側面に保合ケれて、整流単位体２０６と外部電
極２０４．２０５との保合部材となっている。
使用され、加工環２１５，２１６か内部電極２１３，２
１４の外側面に保合ケれて、整流単位体２０６と外部電
極２０４．２０５との保合部材となっている。
第３図、第７図の実施例で、加圧環２１５゜２１６と内
外両電極２０４，２０５，２１３゜２１４との保合部の
形状を非真円形とすれば、第６図に示す中子２１９を設
けなくても、整流単位体２０６の回転防止が可能である
。
外両電極２０４，２０５，２１３゜２１４との保合部の
形状を非真円形とすれば、第６図に示す中子２１９を設
けなくても、整流単位体２０６の回転防止が可能である
。
各実施例では加圧手段としてボルト２１７、ナツト２１
８を用いているが内部電極２１３，２１４間に加圧力を
加えられるなら、これに代るものとして如何なる手段で
もよい。
８を用いているが内部電極２１３，２１４間に加圧力を
加えられるなら、これに代るものとして如何なる手段で
もよい。
実使用状態では外部電極２０４，２０５間に正規の接触
面圧が加えられるから、ボルト２１７、ナツト２１８等
の加圧手段による整流単位体２０６の加圧は仮圧接、す
なわち、実使用時に加えられる加圧力より低い加圧力で
整流単位体２０６が構成されていれはよい。
面圧が加えられるから、ボルト２１７、ナツト２１８等
の加圧手段による整流単位体２０６の加圧は仮圧接、す
なわち、実使用時に加えられる加圧力より低い加圧力で
整流単位体２０６が構成されていれはよい。
尚、本発明は図示したダイオードだけでなく、トランジ
スタ、ザイリスタ等、各種の圧接型半導体装置に適用が
可能である。
スタ、ザイリスタ等、各種の圧接型半導体装置に適用が
可能である。
以上説明したように本発明によれば、単純な構造で゛位
置合せが容易であり、組立途中段階でも特性試験を行う
ことが可能な圧接型半導体装置を得ることかできる。
置合せが容易であり、組立途中段階でも特性試験を行う
ことが可能な圧接型半導体装置を得ることかできる。
第１図は従来の圧接型ダイオードを示す縦断面図、第２
図は第１図のダイオードの要部分解図、第３図は本発明
の一実施例になる圧接型ダイオードの縦断面図、第４図
は第３図のダイオードの要部分解図、第５図は第４図に
示した各部材を整流単位体として組立てた状態を示す縦
断面図、第６図、第７図は各々本発明の他の実施例にな
る圧接型ダイオードの縦断面図である。 ２００・・・圧接型ダイオード、２０１・・・セラミッ
ク円筒、２０２，２０３・・・フランジ、２０４，２０
５・・・外部電極、２０６・・・整流単位体、２０７，
２０８・・・金属膜、２０９・・・表面安定化材、２１
０・・・シリコン基体、２１１，２１２・・・温度補償
板、２１３゜２１４・・・内部電極、２１５，２１６・
・・加圧環、２１３７・・・ボルト、２１８・・・ナツ
ト、２１９・・・中子。 へ 代理人 弁理士 尚橋明夫 メ １ 図 躬２７ メ ３１２］
図は第１図のダイオードの要部分解図、第３図は本発明
の一実施例になる圧接型ダイオードの縦断面図、第４図
は第３図のダイオードの要部分解図、第５図は第４図に
示した各部材を整流単位体として組立てた状態を示す縦
断面図、第６図、第７図は各々本発明の他の実施例にな
る圧接型ダイオードの縦断面図である。 ２００・・・圧接型ダイオード、２０１・・・セラミッ
ク円筒、２０２，２０３・・・フランジ、２０４，２０
５・・・外部電極、２０６・・・整流単位体、２０７，
２０８・・・金属膜、２０９・・・表面安定化材、２１
０・・・シリコン基体、２１１，２１２・・・温度補償
板、２１３゜２１４・・・内部電極、２１５，２１６・
・・加圧環、２１３７・・・ボルト、２１８・・・ナツ
ト、２１９・・・中子。 へ 代理人 弁理士 尚橋明夫 メ １ 図 躬２７ メ ３１２］
Claims (1)
- １．１対の内部電極間に電極膜が両生表面に設けられた
半導体基体を熱膨張係数が半導体基体に近似した温度補
償板を介して挾持し、各内部１極の外周に設けた加圧環
を介して内向部電極間に加圧力を付与してなる整流単位
体を絶縁筒の開孔両端部に各々可撓的に外部電極を設け
てカる気密容器内に内外両電極が当接するように封止さ
れ、加圧環は内部電極に当接する外部電極を包囲係合し
ていることを特徴とする圧接型半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、内外両電極はほぼ
等しい外径の凸部を有し、この凸部の外径よりわずか大
きい内径の加圧環が当接し合う内外両ｔ４ｉｉＩＳの両
凸部を包囲係合していることを特徴とする圧接型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010112A JPS60154629A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010112A JPS60154629A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 圧接型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154629A true JPS60154629A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11741227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010112A Pending JPS60154629A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110944A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Toshiba Corp | 圧接型半導体装置 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP59010112A patent/JPS60154629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110944A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Toshiba Corp | 圧接型半導体装置 |
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