JPS60157794A - 磁気バブル素子 - Google Patents
磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS60157794A JPS60157794A JP59011925A JP1192584A JPS60157794A JP S60157794 A JPS60157794 A JP S60157794A JP 59011925 A JP59011925 A JP 59011925A JP 1192584 A JP1192584 A JP 1192584A JP S60157794 A JPS60157794 A JP S60157794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- ion implantation
- transfer path
- bubble
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブル素子に係わり、特にバブルが転送す
るパターンをイオン打込みによって形成する磁気バブル
転送方式において、その動作バイアス磁界マージンを拡
大し、かつより高密度化を実現するために好適な磁気バ
ブル素子に関する。
るパターンをイオン打込みによって形成する磁気バブル
転送方式において、その動作バイアス磁界マージンを拡
大し、かつより高密度化を実現するために好適な磁気バ
ブル素子に関する。
従来のイオン打込み方式の磁気バブル素子用転送路は、
第１図に示すように、転送路用のイオン打込みマスク１
の間の部分２に一様にイオンを打込んで形成していた。
第１図に示すように、転送路用のイオン打込みマスク１
の間の部分２に一様にイオンを打込んで形成していた。
このため、同一バブル径の材料を用いてセルサイズを縮
小していくとバブル３は転送路の軌道４をはずれて隣接
した転送路へ飛び移る誤動作を生じやすいという問題が
あった。
小していくとバブル３は転送路の軌道４をはずれて隣接
した転送路へ飛び移る誤動作を生じやすいという問題が
あった。
また、この誤動作を改善するために第２図に示したよう
な転送路間でバブルが通過しない部分に薄目のマスク５
を形成した後にイオン打込みを行ない良好な結果を得た
との報告（篠原他；第６回応用磁気学会術講演会予稿集
Ｐ６９）がある。しかし、上記のマスクを形成するには
、まず全屈Ｍ。
な転送路間でバブルが通過しない部分に薄目のマスク５
を形成した後にイオン打込みを行ない良好な結果を得た
との報告（篠原他；第６回応用磁気学会術講演会予稿集
Ｐ６９）がある。しかし、上記のマスクを形成するには
、まず全屈Ｍ。
を被着し、表面を酸化して膜厚７００八程度のＭｏ酸化
物を残す過程で、イオン打込みマスクとの間の約１μｍ
だけＭｏを除去するといった複雑なプロセスを行なう必
要があり、特性の再現性に問題があった。
物を残す過程で、イオン打込みマスクとの間の約１μｍ
だけＭｏを除去するといった複雑なプロセスを行なう必
要があり、特性の再現性に問題があった。
本発明の目的は、イオン打込み転送路においてセルサイ
ズの縮小に適した良好な動作特性を与える転送路間分離
パターンを提供することにある。
ズの縮小に適した良好な動作特性を与える転送路間分離
パターンを提供することにある。
本発明は、磁性ガーネットの一部にイオンを打込んだ際
にバブル状がこの境界近傍において、イオン打込み部分
からは吸引されるが非イオン打込み部分からは反撥され
るという性質から案出したものである。この性質は、イ
オン打込みされた部分の磁性ガーネットの結晶格子が非
打込み部分より大きく歪んでいることに起因している。
にバブル状がこの境界近傍において、イオン打込み部分
からは吸引されるが非イオン打込み部分からは反撥され
るという性質から案出したものである。この性質は、イ
オン打込みされた部分の磁性ガーネットの結晶格子が非
打込み部分より大きく歪んでいることに起因している。
一般に歪が小から大に変わる方向でバブルは反撥される
ので、転送路間の一様イオン打込み領域の一部にさらに
多量のイオン打込み領域を設ければバブルはこの領域か
ら反撥力を受け隣りの転送路に飛び移るような誤動作は
なくなるといえる。
ので、転送路間の一様イオン打込み領域の一部にさらに
多量のイオン打込み領域を設ければバブルはこの領域か
ら反撥力を受け隣りの転送路に飛び移るような誤動作は
なくなるといえる。
以下、本発明の実施例を第３図ないし第５図により説明
する。
する。
第３図はまず第１図Ｃｂ）に示したプロセスでイオン打
込み転送路を形成し、その後で、さらに 、。
込み転送路を形成し、その後で、さらに 、。
レジストを塗布して第３図のようにレジストが転送路間
で薄くなった状態を作り出し、この上から再びイオンを
打込み分離パターン６を形成したものである。このよう
にして作製したセルサイズが３．０μｍ Ｘ ３ 、５
μｍのイオン打込み転送路において、１μｍφμｍ用の
動作バイアス磁界マージンが１１％と良好な特性が再現
性よく得られた。
で薄くなった状態を作り出し、この上から再びイオンを
打込み分離パターン６を形成したものである。このよう
にして作製したセルサイズが３．０μｍ Ｘ ３ 、５
μｍのイオン打込み転送路において、１μｍφμｍ用の
動作バイアス磁界マージンが１１％と良好な特性が再現
性よく得られた。
第４図は、やはり第１図（ｂ）に示した従来通りのプロ
セスでイオン打込み転送路を形成した後に、転送路用の
マスク１を除去し、新たに分離パターン用のマスク７を
形成して、再びイオンを打込み分離パターン８を形成し
たものである。このときに分離パターン用のマスク７と
して用いた形状は第５図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）に示す
ものである。いずれの場合もセルサイズが３．０μｍ×
３．５μｍの転送路での１μｍφμｍ用の動作バイアス
磁界マージンが１１％と良好な特性が再現性よく得られ
た。
セスでイオン打込み転送路を形成した後に、転送路用の
マスク１を除去し、新たに分離パターン用のマスク７を
形成して、再びイオンを打込み分離パターン８を形成し
たものである。このときに分離パターン用のマスク７と
して用いた形状は第５図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）に示す
ものである。いずれの場合もセルサイズが３．０μｍ×
３．５μｍの転送路での１μｍφμｍ用の動作バイアス
磁界マージンが１１％と良好な特性が再現性よく得られ
た。
本発明によれば、同一バブル径の材料を用いた場合にお
いて、より有利に高密度なイオン打込み転送路を形成す
ることができる。すなわち、これまでバブル径ｄに対し
てセルサイズ１６ｄ２が一般的であったが、本発明によ
って１０ｄ２程度までセルサイズを縮小して動作が可能
となるものである。このように磁気バブル素子の高密度
化に大きな効果がある。
いて、より有利に高密度なイオン打込み転送路を形成す
ることができる。すなわち、これまでバブル径ｄに対し
てセルサイズ１６ｄ２が一般的であったが、本発明によ
って１０ｄ２程度までセルサイズを縮小して動作が可能
となるものである。このように磁気バブル素子の高密度
化に大きな効果がある。
第１図（ａ）はイオン打込み転送路の平面図、第１図（
ｂ）はその断面図、第２図は公知例のループ間分離パタ
ーンの断面図、第３図および第４図は本発明の実施例の
作製方法を示した断面図、第５図は各種形状の分離パタ
ーンの平面図である。 １・・イオン打込み転送路用マスク、２・・・転送路用
の一様イオン打込み領域、３・・・磁気バブル、４・・
・転送路の軌道、５・・・分離パターン用の薄いマスク
、６・・・分離パターン、７・・・レジスト、８・・分
離パタ不 １ 図 （１２−） （ｂ） ′￥Ｊ Ｚ 図
ｂ）はその断面図、第２図は公知例のループ間分離パタ
ーンの断面図、第３図および第４図は本発明の実施例の
作製方法を示した断面図、第５図は各種形状の分離パタ
ーンの平面図である。 １・・イオン打込み転送路用マスク、２・・・転送路用
の一様イオン打込み領域、３・・・磁気バブル、４・・
・転送路の軌道、５・・・分離パターン用の薄いマスク
、６・・・分離パターン、７・・・レジスト、８・・分
離パタ不 １ 図 （１２−） （ｂ） ′￥Ｊ Ｚ 図
Claims (1)
- 一軸異方性を有しその面に垂直に磁界を印加してバルブ
磁区を発生する磁性媒体と、その磁性媒体の一部にイオ
ン打込みで形成された領域を有し、その磁性媒体に生じ
る磁区を回転磁界の印加のもとに転送させる手段とを備
えた磁気バブル素子において、バブルの転゛送路間のイ
オン打込みされた部分で転送路から離Ｊした位置に、周
囲より歪が大きい領域を設けたことを特徴とする磁気バ
ブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011925A JPS60157794A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011925A JPS60157794A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157794A true JPS60157794A (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=11791257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011925A Pending JPS60157794A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157794A (ja) |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP59011925A patent/JPS60157794A/ja active Pending
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