JPS6016097B2 - ほう素含有被膜の除去方法 - Google Patents
ほう素含有被膜の除去方法Info
- Publication number
- JPS6016097B2 JPS6016097B2 JP59107525A JP10752584A JPS6016097B2 JP S6016097 B2 JPS6016097 B2 JP S6016097B2 JP 59107525 A JP59107525 A JP 59107525A JP 10752584 A JP10752584 A JP 10752584A JP S6016097 B2 JPS6016097 B2 JP S6016097B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron
- film
- containing film
- silicon
- remove boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコン結晶（Ｓｉ）に高濃度ほう素（Ｂ）
を拡散した結果生ずる、雛溶性のＢ２０３−Ｓｉ０２一
Ｂ一Ｓｉ膜（以下、難溶性被膜と略す）を除去する方法
に関するものである。
を拡散した結果生ずる、雛溶性のＢ２０３−Ｓｉ０２一
Ｂ一Ｓｉ膜（以下、難溶性被膜と略す）を除去する方法
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
シリコン結晶にほう素を高濃度に拡散導入するには、一
般に、ジボラン（年日６）窒化ほう素（ＢＮ）あるいは
ハロゲン化ほう素（ＢＣ１３、ＢＢｒ３など）を拡散源
として拡散される。
般に、ジボラン（年日６）窒化ほう素（ＢＮ）あるいは
ハロゲン化ほう素（ＢＣ１３、ＢＢｒ３など）を拡散源
として拡散される。
これらのＺＨ６、ＢＮ、ＢＢｒ３は、拡散後Ｂ２０３一
Ｓｉ０２一Ｂ一Ｓｉの形で表面に形成され、この膜をＨ
Ｆ溶液で食刻することはきわめて困難である。たとえば
、従来の代表的な食刻方法をのべると、あらかじめ硝酸
で試料体を煮沸後、水蒸気を含んだ酸素もしくは酸素の
みの気流にさらし、Ｓｉ結晶表面を酸化して、食刻され
にくいＢ−Ｓｉを、Ｂ２０３−Ｓｉ０３の形に変えたの
ち、ＨＦ溶液にて食刻していた。しかし、この方法をも
ちいても完全に除去することは、困難であるのみならず
、酸化の過程でシリコン結晶中の拡散プロフアィルが変
化するおそれがある。また、この雛溶性被膜が厚い場合
、もしくは、非常に高濃度である場合、この上にホトェ
・ッチング法をもちいて、窓あげ形成をすると、食刻速
度が遅く長時間必要であり、工業的に実施するのはきわ
めて不適当であり、加えて完全に食刻除去されないため
に、いまいま接触不良などの発生の原因となった。
Ｓｉ０２一Ｂ一Ｓｉの形で表面に形成され、この膜をＨ
Ｆ溶液で食刻することはきわめて困難である。たとえば
、従来の代表的な食刻方法をのべると、あらかじめ硝酸
で試料体を煮沸後、水蒸気を含んだ酸素もしくは酸素の
みの気流にさらし、Ｓｉ結晶表面を酸化して、食刻され
にくいＢ−Ｓｉを、Ｂ２０３−Ｓｉ０３の形に変えたの
ち、ＨＦ溶液にて食刻していた。しかし、この方法をも
ちいても完全に除去することは、困難であるのみならず
、酸化の過程でシリコン結晶中の拡散プロフアィルが変
化するおそれがある。また、この雛溶性被膜が厚い場合
、もしくは、非常に高濃度である場合、この上にホトェ
・ッチング法をもちいて、窓あげ形成をすると、食刻速
度が遅く長時間必要であり、工業的に実施するのはきわ
めて不適当であり、加えて完全に食刻除去されないため
に、いまいま接触不良などの発生の原因となった。
発明の目的
本発明は、これらの問題点を解決した高濃度ホウ素含有
の鍵熔性被膜の除去方法を提案するものである。
の鍵熔性被膜の除去方法を提案するものである。
発明の構成
本発明の方法は、シリコン結晶に、ほう素を用いて、高
濃度のＰ型不純物領域を拡散形成したのち、この拡散で
生じた、Ｂ２０３一Ｓｉ０２−Ｂ−Ｓｉ系成分の難熔性
被膜を除去するにあたり、上記簸溶性被膜上に、たとえ
ばシラン（ＳｉＨ４）アンモニア（Ｎ比）の反応により
、Ｓｉ３Ｎ４膜をたとえば約１００〜１０００Ａに形成
し、たとえば温度１５０〜２００℃の熱りン酸にて食刻
を行なうものである。
濃度のＰ型不純物領域を拡散形成したのち、この拡散で
生じた、Ｂ２０３一Ｓｉ０２−Ｂ−Ｓｉ系成分の難熔性
被膜を除去するにあたり、上記簸溶性被膜上に、たとえ
ばシラン（ＳｉＨ４）アンモニア（Ｎ比）の反応により
、Ｓｉ３Ｎ４膜をたとえば約１００〜１０００Ａに形成
し、たとえば温度１５０〜２００℃の熱りン酸にて食刻
を行なうものである。
本発明の方法によれば、シリコン結晶表面における高濃
度ホウ素に、窒素（Ｎ）が導入されることによって、Ｈ
Ｆ溶液又は熱リン酸によって食刻されやすくなるものと
推定される。実施例の説明 本発明の一実施例として、たとえばシリコン基体へ、ジ
ボラン（弦日６）を用いてＰ型不純物の拡散導入を行な
った後、温度６７０ｑＣ、窒素７．５そ／ｍｉｎ、アン
モニア４．８夕／ｍｉｎ ＳｉＨ４．５ｃｃ′ｍｉｎの
条件で、約５００ＡのＳＩＮ４膜を形成し、温度１８０
つ０の熱リン酸（日３Ｐ０４）にて食刻を行なった。
度ホウ素に、窒素（Ｎ）が導入されることによって、Ｈ
Ｆ溶液又は熱リン酸によって食刻されやすくなるものと
推定される。実施例の説明 本発明の一実施例として、たとえばシリコン基体へ、ジ
ボラン（弦日６）を用いてＰ型不純物の拡散導入を行な
った後、温度６７０ｑＣ、窒素７．５そ／ｍｉｎ、アン
モニア４．８夕／ｍｉｎ ＳｉＨ４．５ｃｃ′ｍｉｎの
条件で、約５００ＡのＳＩＮ４膜を形成し、温度１８０
つ０の熱リン酸（日３Ｐ０４）にて食刻を行なった。
この結果、きれいな表面がえられた。尚、本実施例は上
記難溶性被膜が１０００Ａ以下の膜厚である場合有効で
ある。発明の効果 以上のように、本発明によれば容易に上記競落性被膜が
除去できるので工業的価値が高いものである。
記難溶性被膜が１０００Ａ以下の膜厚である場合有効で
ある。発明の効果 以上のように、本発明によれば容易に上記競落性被膜が
除去できるので工業的価値が高いものである。
Claims (1)
- １ 半導体結晶にほう素を拡散導入する際に生ずる酸化
ほう素（Ｂ＿２Ｏ＿３）、酸化けい素（ＳｉＯ＿２）、
ほう素（Ｂ）およびけい素（Ｓｉ）を有する難溶性被膜
を除去するにあたり、上記難溶性被膜上に窒化けい素（
Ｓｉ＿３Ｎ＿４）膜を形成し、その後上記窒化けい素膜
と上記難溶性被膜を熱リン酸にて食刻するほう素含有被
膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107525A JPS6016097B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ほう素含有被膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107525A JPS6016097B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ほう素含有被膜の除去方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13537075A Division JPS5943821B2 (ja) | 1975-11-10 | 1975-11-10 | ホウソガンユウヒマクノジヨキヨホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605525A JPS605525A (ja) | 1985-01-12 |
| JPS6016097B2 true JPS6016097B2 (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=14461399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59107525A Expired JPS6016097B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ほう素含有被膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016097B2 (ja) |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP59107525A patent/JPS6016097B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS605525A (ja) | 1985-01-12 |
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