JPS60162769A - 反射構造体 - Google Patents
反射構造体Info
- Publication number
- JPS60162769A JPS60162769A JP1888884A JP1888884A JPS60162769A JP S60162769 A JPS60162769 A JP S60162769A JP 1888884 A JP1888884 A JP 1888884A JP 1888884 A JP1888884 A JP 1888884A JP S60162769 A JPS60162769 A JP S60162769A
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- Japan
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- thin film
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- metal thin
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0635—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
←発明の技術分野）
本発明は真空蒸着やスパッ、タリングなどにより基板上
に形成された金属薄膜例え＋ｒＡｌ薄膜の保護に関する
。
に形成された金属薄膜例え＋ｒＡｌ薄膜の保護に関する
。
）
真空蒸着やスバ・タリング′−より金属薄膜なｉ成する
場合、ガラスやプラスチックの基板が使用され、その上
に金属薄膜を形成してｉる。
場合、ガラスやプラスチックの基板が使用され、その上
に金属薄膜を形成してｉる。
ところが、金属薄膜は面積に対する厚みの比が極端に小
さいため酸化された場合、その金属薄膜本来の特性又は
機能が失なわれ易−０特にＡｌ ｔ Ａｇ ｔＦｅ 、
Ｔｂ 、Ｇｄ 、 Ｂ ｉ 、Ｍｎなどの酸化され易い
金属薄膜はその傾向が顕著である。
さいため酸化された場合、その金属薄膜本来の特性又は
機能が失なわれ易−０特にＡｌ ｔ Ａｇ ｔＦｅ 、
Ｔｂ 、Ｇｄ 、 Ｂ ｉ 、Ｍｎなどの酸化され易い
金属薄膜はその傾向が顕著である。
本発明者らの研究によると、基板特にプラスチック基板
中に含まれる水や酸素、プラスチック基板を透過してく
る外界の水や酸素、ガラス基板表面に吸着されている水
や酸素などが金属薄膜を酸化させることが判った。
中に含まれる水や酸素、プラスチック基板を透過してく
る外界の水や酸素、ガラス基板表面に吸着されている水
や酸素などが金属薄膜を酸化させることが判った。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は基板から襲りて来る水畢酸素に
よる酸化から金属薄膜を保護することにある。
よる酸化から金属薄膜を保護することにある。
（発明の概要）
鋭意研究の結果、金属薄膜の保饅層として金属炭化物が
最適であることを見い出し、本発明を成する至った。
最適であることを見い出し、本発明を成する至った。
従って、本発明はガラスまたはプラスチック（例えはＰ
ＭＭＡ、−リカーボネート、ポリスチレン、ＣＲ−３９
樹脂、ポリ塩化ビニルｌよど）基板の上に形成された金
属薄膜例えばＡＩ 、Ａｇ 、Ｆｅ 、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｂ
ｉ、Ｇｄなどの薄膜に於いて、前記基板と金属薄膜との
間に金属炭化物の保護層を設けたことを特徴とする金属
薄膜を提供する。
ＭＭＡ、−リカーボネート、ポリスチレン、ＣＲ−３９
樹脂、ポリ塩化ビニルｌよど）基板の上に形成された金
属薄膜例えばＡＩ 、Ａｇ 、Ｆｅ 、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｂ
ｉ、Ｇｄなどの薄膜に於いて、前記基板と金属薄膜との
間に金属炭化物の保護層を設けたことを特徴とする金属
薄膜を提供する。
本発明に於いて金属炭化物としては、例えばＳｉ、Ｗ、
Ｃｒ 、Ｍｏ 、Ｔａ 、Ｔｉ 、Ｎｉ 、Ｎｂ 、Ｈ
ｆ 、 Ｂ等の炭化物が挙げられる。
Ｃｒ 、Ｍｏ 、Ｔａ 、Ｔｉ 、Ｎｉ 、Ｎｂ 、Ｈ
ｆ 、 Ｂ等の炭化物が挙げられる。
金属炭化物の保護層は、一般に１００人〜１μ好ましく
は５００＾〜工μの厚さがあれば十分である。
は５００＾〜工μの厚さがあれば十分である。
従って、保護層の形成には、蒸着源又はターゲッートと
して金属炭化物の粉末塊又は粉末焼結物を用いて真空蒸
着、イオンブレーティング、スパッタリングなどの真空
薄膜形成技術を利用することが好ましい。そのほか場合
によってはＣＶ Ｄ （ｃｂｅ＋ｎ１ｃａｌ ｖａｐｏ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を利用することも可能であ
る。
して金属炭化物の粉末塊又は粉末焼結物を用いて真空蒸
着、イオンブレーティング、スパッタリングなどの真空
薄膜形成技術を利用することが好ましい。そのほか場合
によってはＣＶ Ｄ （ｃｂｅ＋ｎ１ｃａｌ ｖａｐｏ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を利用することも可能であ
る。
金属炭化物の保護層は基板からの攻撃に対して金属薄膜
を保護することにあるので場合によっては、保護層と基
板との間に他の層例えばＳｉ０，８ｉ０１゜鳩０． 、
ＺｒＯ，、Ｔｉｅ、 、ＨｆＯ！などの無機誘電体層を
介在させてもよい。
を保護することにあるので場合によっては、保護層と基
板との間に他の層例えばＳｉ０，８ｉ０１゜鳩０． 、
ＺｒＯ，、Ｔｉｅ、 、ＨｆＯ！などの無機誘電体層を
介在させてもよい。
次いで保護層の上に金属薄膜を形成する訳であるが、形
成方法は同様に真空蒸着、イオングレーティング、スパ
ッタリングなどが用いられる。
成方法は同様に真空蒸着、イオングレーティング、スパ
ッタリングなどが用いられる。
金属薄膜の材料及び膜厚は、用途によりて異なってくる
が、本発明はＭ 、 Ａｇ、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｂｉ、Ｇｄな
どの酸化され易い金属の薄膜に有用であり、特に膜厚１
０μ以下更に特に膜厚０．０５〜２μの金属薄膜に対し
て有用である。
が、本発明はＭ 、 Ａｇ、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｂｉ、Ｇｄな
どの酸化され易い金属の薄膜に有用であり、特に膜厚１
０μ以下更に特に膜厚０．０５〜２μの金属薄膜に対し
て有用である。
また、金属薄膜の表面は必要に応じて適宜保護膜その他
で被覆してもよい。
で被覆してもよい。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。
（実施例）
厚さ２ｍのＰＭＭＡ基板（１）の上に、ターゲット：
ＳｉＣ，Ａｒガス圧：５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、成膜速度＝
２Ｌうの条件下でスパッタリングによｊ）厚すｓｏ。
ＳｉＣ，Ａｒガス圧：５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、成膜速度＝
２Ｌうの条件下でスパッタリングによｊ）厚すｓｏ。
＾のＳｉＣ保護層（２）を形成した。
続いて蒸着源： Ａ１４真空度： ２ｘ１０ Ｔｏｒｒ
、蒸着速度１０λ／秒の条件で電子ビーム加熱による真
空蒸着法で膜厚１０００λのＭ薄膜（３）を形成した。
、蒸着速度１０λ／秒の条件で電子ビーム加熱による真
空蒸着法で膜厚１０００λのＭ薄膜（３）を形成した。
Ｍ薄膜（３）は鏡面を有しており、このままミラーとし
て使用できる・ （比較例１） 比較のために、実施例と同じ基板（りの上に実施例と同
様に膜厚１０００大のＡＩ薄膜（３）を直接形成した。
て使用できる・ （比較例１） 比較のために、実施例と同じ基板（りの上に実施例と同
様に膜厚１０００大のＡＩ薄膜（３）を直接形成した。
Ｍ薄膜（３）は鏡面を有しており、実施例のものと外観
上区別で＠なかった。
上区別で＠なかった。
（比較例２）
比較のために、実施例と同じ基本（りの上に、蒸着源：
５ｉ０１．真空度２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度ｌＯ＾
／秒の条件で膜厚１０００大のＳｉｏ、保護膜（２）を
形成した後、実施例と同様に膜厚１０００＾のＭ薄膜（
３）を形成した。Ｍ薄膜（３）は鏡面を有しており、実
施例のものと外観上全く変らなかった。
５ｉ０１．真空度２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度ｌＯ＾
／秒の条件で膜厚１０００大のＳｉｏ、保護膜（２）を
形成した後、実施例と同様に膜厚１０００＾のＭ薄膜（
３）を形成した。Ｍ薄膜（３）は鏡面を有しており、実
施例のものと外観上全く変らなかった。
（酸化促進試験）
基板（１）によるＭ薄膜（３）の基板側からの酸化状況
を比較するために、実宕例及び各比較例のＭ薄膜の上に
第１図に示すように金属製真空カップをかぶせ、カップ
内を真空にした後、全体を６０℃８０％の恒温恒湿試験
槽内に入れ、６ケ月放置した。尚、放置期間中、１週間
ごとに取り出して、カップ内を真空にひいた。
を比較するために、実宕例及び各比較例のＭ薄膜の上に
第１図に示すように金属製真空カップをかぶせ、カップ
内を真空にした後、全体を６０℃８０％の恒温恒湿試験
槽内に入れ、６ケ月放置した。尚、放置期間中、１週間
ごとに取り出して、カップ内を真空にひいた。
その後、Ｍ薄膜（３）の表面を肉眼で観察すると、次の
第１表の通りであった。
第１表の通りであった。
＊金属Ｍが酸化されてＡｌ＊Ｏ，又はＡＡＩ（ＯＨ）ｓ
に変質したものと思われる。
に変質したものと思われる。
（発明の効果ン
以上の通り、本発明によれば、基板上に形成された金属
薄膜が基板側から酸化されることが防止される。
薄膜が基板側から酸化されることが防止される。
第１図は酸化促進試験に用いた金属製真空カップと金属
薄膜の断面説明図である。 〔符号の説明〕 １・・・・・・ＰＭＭＡ基板 ２・・・・・・保護層 ３・・・・・・金属薄膜 ４・・・・・・シリ）ンゴム０リング ５・・・・・・金属製真空カップ ６・・・・・・パルプ 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 第１図 Ｖａｃｕｕ′ｒｎ 畳
薄膜の断面説明図である。 〔符号の説明〕 １・・・・・・ＰＭＭＡ基板 ２・・・・・・保護層 ３・・・・・・金属薄膜 ４・・・・・・シリ）ンゴム０リング ５・・・・・・金属製真空カップ ６・・・・・・パルプ 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 第１図 Ｖａｃｕｕ′ｒｎ 畳
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１１ １ ガラスまたはプラスチック基板上に形成された金属
薄膜に於いて、曲射基板と金属薄膜との間に金属炭化物
の保饅層を設けたことを特徴とする金属炭化物で保−さ
れた金属薄膜。 ２ 前記金属炭化物力Ｚ ８ ｉ 、Ｗ、Ｃｒ 、Ｍｏ
、Ｔａ 、Ｔｉ 、Ｎｉ 。 Ｎｂ、又はＨｆの炭化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の金属薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018888A JPH0641627B2 (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 反射構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018888A JPH0641627B2 (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 反射構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60162769A true JPS60162769A (ja) | 1985-08-24 |
| JPH0641627B2 JPH0641627B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=11984102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59018888A Expired - Lifetime JPH0641627B2 (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 反射構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0641627B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5167997A (en) * | 1989-05-05 | 1992-12-01 | Gould Inc. | Protected conductive foil assemblage and procedure for preparing same using static electrical forces |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959046A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-07 | ||
| JPS5136477A (en) * | 1974-09-20 | 1976-03-27 | Toray Industries | Arufua amino ipushiron kapurorakutamu no tanriho |
| JPS52116896A (en) * | 1976-03-29 | 1977-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode plate and its preparation |
| JPS53123475A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-27 | Shiseido Co Ltd | Metallizing of plastics |
| JPS55138072A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-28 | Oike Kogyo Kk | Overlayed metallized silver layer |
| JPS5758701A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-08 | Japan National Railway | Quide way branch apparatus |
| JPS58134128A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-10 | Sadami Ito | 蒸着膜の形成方法 |
-
1984
- 1984-02-03 JP JP59018888A patent/JPH0641627B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959046A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-07 | ||
| JPS5136477A (en) * | 1974-09-20 | 1976-03-27 | Toray Industries | Arufua amino ipushiron kapurorakutamu no tanriho |
| JPS52116896A (en) * | 1976-03-29 | 1977-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode plate and its preparation |
| JPS53123475A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-27 | Shiseido Co Ltd | Metallizing of plastics |
| JPS55138072A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-28 | Oike Kogyo Kk | Overlayed metallized silver layer |
| JPS5758701A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-08 | Japan National Railway | Quide way branch apparatus |
| JPS58134128A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-10 | Sadami Ito | 蒸着膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5167997A (en) * | 1989-05-05 | 1992-12-01 | Gould Inc. | Protected conductive foil assemblage and procedure for preparing same using static electrical forces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0641627B2 (ja) | 1994-06-01 |
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