JPS60164385A - 半導体レ−ザのチツプ製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザのチツプ製造方法

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Publication number
JPS60164385A
JPS60164385A JP59020339A JP2033984A JPS60164385A JP S60164385 A JPS60164385 A JP S60164385A JP 59020339 A JP59020339 A JP 59020339A JP 2033984 A JP2033984 A JP 2033984A JP S60164385 A JPS60164385 A JP S60164385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
adhesive sheet
scratches
roller
cleavage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59020339A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruo Tanaka
田中 治夫
Masahito Mushigami
雅人 虫上
Masayoshi Muranishi
正好 村西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP59020339A priority Critical patent/JPS60164385A/ja
Publication of JPS60164385A publication Critical patent/JPS60164385A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202Cleaving

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体レーザのチップを製造する方法の改良
に関する。
半導体レーザのチップは、ウェハがら、ヘト開分断され
た細長い小月を更にその長手方向に適当ピンチで細断し
てイυられるものであり、従来は第1図に示すように、
ウェハ1の一端縁上にダイヤモンドスクライバ−等で所
定ピッチのケガキ傷2を形成し、そのケガキ傷2が露呈
するようにウェハ1を銅板3に接着剤4で貼着固定した
後、銅板3を第2図に示すように凸曲湾曲させ、これに
より各ケカ゛キ傷2を起点として、へき開を行なってチ
ンプ形成用の小片5群を形成する方法がとられていた。
しかし、このような方法では次のような欠点があった。
即ち、この方法でへき開処理した後には、接着剤4を洗
浄除去して、小片5群を取り外すのであるが、銅板3の
変形作用なウニ/Xlに伝えるために用いる接着剤4は
、強力な接着力を有するものが選択され、かつこのよう
な接着剤4は洗浄が困難で、小片取り出しに手間取るも
のであった。
また、洗浄処理によって、銅板3から分離可能となった
小片5は、バラバラになって、元のウェハ1に対する配
列順序が不明となり、ウエノ11の中央側の良質のもの
と、不良品の発生確率が高い外端部分のものとの区別が
わからなくなって、品質管理上の取り扱いに問題が生じ
やすり・とり・う欠点があった。また、バラバラになっ
た小片群が互いに触れ合える状態になるために、反射面
となるへき開面に傷が付くような不具合も生しやくなっ
ていた。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであって、
・\外聞手段に改良を加えて前記した欠点を一掃できる
ようにすることを目的とする。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。先ず、第3図に示すように、一端縁上に、へき開
起点用のケガキ傷2群が形成されたウェハ1を、片面が
粘着面Aに形成された軟質プラスチック製の粘着シート
6(例えば、ビニールシー))上に、ケガキ傷2が露呈
するように貼着するか、もしくはウェハ1を粘着シート
6に貼着してからケガキ傷2を形成する。
次に、第4図に示すように、ウェハ1が下になる姿勢に
して、この粘着シート6をゴム製の偏平シートからなる
弾性部相マ上に載置した後、tji陪シート6の外面か
ら抑圧部材としての小径ローラ8を抑圧転勤させる。そ
うすると、f55図に示すように、ウェハ1はローラ作
用部において、下方に局部的に加圧されて湾曲し、ケガ
キ傷2を起点として、へき開か進んでローラ通過跡にお
いて小片5群が形成される。なお、この場合、第6図に
示すようにケガキ傷2の存在側を弾性部材7に近付けた
傾斜姿勢でローラ8を抑圧作用させると、ケガキ傷2に
応力が集中して、へき開が円滑かつ確実に進行する。ま
た、抑圧部材8として、ローラに代えて、先端を丸くし
た棒材、例えばピンセントなどを粘着テープ外面にこす
りつけても同様に、へき開処理することができる。さら
にまた、より高能率化を図る手段としては、第7図およ
びvJB図に示すように、ローラ状に構成した弾性部材
7と抑圧部材としての小径ローラ8との間に、粘着シー
ト6に貼着したウェハ1を通過させるものが考えられる
。そして、この場合も、抑圧ローラ8を第9図に示すよ
うに、少し傾斜させておくとよい。前記粘着シート6の
ベースはプラスチックの池、紙、布、金属フィルムなど
、いかなるものを用いてもよいが、伸展性のある飼料の
ベースを用いると、へき開処理後にシート6を伸展して
各小片5をシート6から剥がし取る場合に、隣接する小
片間で、・\き開面をすって、傷刊けることがなくなり
、取り扱いが容易となる。
以上のように、本発明によれば1、へき開処理後に各小
片を収り外すのに、洗浄処理が全(不要となり、粘着シ
ートから直接剥離して簡単に1つずつ取り外すことかで
き、しかも元のウェハに対する小片の位置(=1けを容
易に確認しながら、取りケ(す − シ ^C71鞍 
入 す・h 、P、、暫 等1p L ブS11 シ 
t? −す・また、簡単に取り外せ乞ために、次の]1
程への移行時にも、粘着シートに小片群を貼着したまま
、ウェハ板単位で処理でき、取り扱い」二からも有益で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来のへき開手段を示し、第1図
は処理前、第2図は処理後の状態を示す。 tj43図は本発明の実施例による処理111ノの状態
を示すウェハの斜視図、第4図は−・・\き開処理手段
を示す一部切欠斜視図、第5しlはその作用状態を示す
側面図、第6図はその正面図、第7し1は池の−き開処
理手段を示す斜視図、第33図はその一部を示す側面図
、第9図はその正面図である。 1はウェハ、2はケガキ傷、6は粘λ′1シー)、■は
弾性部材、8は抑圧部祠。 出願人 口 −ム株式会利 代理人 弁理士 岡III 和秀 第6図 第8図 策9図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一端縁表面に、へき開起点用のケガキ傷を所定ピ
    ッチで形成したウェハを、前記ケガキ傷が露呈される歌
    態で粘着シート上に貼着し、弾性部材上にウェハが該弾
    性部材側となるように位置させて、前記粘着シート外面
    から弾性部材側に向けて局部的に外力を加える抑圧部材
    を、ウェハ全面にわたって順次作用させることを特徴と
    する半導体レーザのチップ製造方法。
  2. (2)前記弾性部材が偏平なゴムシートであり、前記抑
    圧部材がローラである特許請求の範囲第1項に記載の半
    導体レーザのチップ製造方法。
  3. (3)前記弾性部材が大径のゴムローラであり、前記抑
    圧部材が、このゴムローラに対向する小径のローラであ
    る特許請求の範囲第1項に記載の半導体レーザのチップ
    製造方法。
  4. (4)前記粘着シートのベースが伸展自在な材料で構成
    されている特許請求の範囲第1項ないし第3項のうちの
    いずれかに記載の半導体レーザのチップ製造方法。
JP59020339A 1984-02-06 1984-02-06 半導体レ−ザのチツプ製造方法 Pending JPS60164385A (ja)

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Cited By (3)

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