JPS60165733A - ストロボ走査型電子顕微鏡装置 - Google Patents
ストロボ走査型電子顕微鏡装置Info
- Publication number
- JPS60165733A JPS60165733A JP59020983A JP2098384A JPS60165733A JP S60165733 A JPS60165733 A JP S60165733A JP 59020983 A JP59020983 A JP 59020983A JP 2098384 A JP2098384 A JP 2098384A JP S60165733 A JPS60165733 A JP S60165733A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- card
- measured
- probe card
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えば半導体デバイスの回路動作を解析す
る時に用いられるストロゴ走査型電子顕微鏡装置に関す
る。
る時に用いられるストロゴ走査型電子顕微鏡装置に関す
る。
従来、半導体デバイスの回路動作を解析する場合、半導
体デバイスの電極や測定しようとする配線等に金線のプ
ローブを当てて電位を測定していたが、この金線のプロ
ーブの容量が測定誤差を生むとともに、金線を細く形成
するのにも限界があり、半導体デバイスの高集積化に対
応できないため、近年、低容量で且つ高空間分解能なス
トロボ走査型電子顕微鏡装置（以下ストロｙｆｓＥＭと
略記する）が使用されるに至っている。
体デバイスの電極や測定しようとする配線等に金線のプ
ローブを当てて電位を測定していたが、この金線のプロ
ーブの容量が測定誤差を生むとともに、金線を細く形成
するのにも限界があり、半導体デバイスの高集積化に対
応できないため、近年、低容量で且つ高空間分解能なス
トロボ走査型電子顕微鏡装置（以下ストロｙｆｓＥＭと
略記する）が使用されるに至っている。
第１図は、このようなストロｙｌ？ｓＥＭの概略構成を
示すものである。図において、１ノは本体で、この本体
１１内の上方には電子銃１２が配設される。上記電子銃
１２から発生された電子ビームハ、ブランキングコント
ローラ１３によって制御されるブランキングプレート１
４によジノ９ルス化され、コンデンサレンズ１５および
対物レンズ１６によって集束ちれて、被測定試料として
の半導体デバイス１７に照射される。
示すものである。図において、１ノは本体で、この本体
１１内の上方には電子銃１２が配設される。上記電子銃
１２から発生された電子ビームハ、ブランキングコント
ローラ１３によって制御されるブランキングプレート１
４によジノ９ルス化され、コンデンサレンズ１５および
対物レンズ１６によって集束ちれて、被測定試料として
の半導体デバイス１７に照射される。
１Ｂ＞ｒ１８２はそれぞれ、Ｘ方向走査コイルおよびＹ
方向走査コイルで、これら走査コイル１８１＊１８２に
はそれぞれ、走査回路１９から制御信号が供給され、パ
ルス状電子ビームによって半導体デバイス１７０表面を
走査するようになっている。上記半導体デバイス１７の
各電極（ボンディングｉｊ ｙド）には、グローブカー
ド２０のプローブ２０１が接触されており、このプロー
ブカード２０を介して供給されるノ９ターン発生器２ノ
の出力（テスト信号）により、上記半導体デ／Ｊイス１
７が作動される。上記・ぐターン発生器２１は、前記ブ
ランキングコントローラ１３の出力が供給されており、
ノクルス状の電子ビームに同期してテスト・！ターン信
号を発生する。上記半導体デバイス１７への電子ビーム
の照射によ多発生された二次電子は、二次電子検出器２
２によって検出され、この二次電子検出器２２の出力が
信号増幅器２３によって増幅され、その増幅出力がＣＲ
Ｔ ２４の輝度端子に供給される。１だ、上記ＣＲＴ
２４の走査端子には、前記走査回路１９の出力が供給さ
れるようになっている。なお、２５は真空ポンプで、本
体１ノ内を真空状態にするためのものである。
方向走査コイルで、これら走査コイル１８１＊１８２に
はそれぞれ、走査回路１９から制御信号が供給され、パ
ルス状電子ビームによって半導体デバイス１７０表面を
走査するようになっている。上記半導体デバイス１７の
各電極（ボンディングｉｊ ｙド）には、グローブカー
ド２０のプローブ２０１が接触されており、このプロー
ブカード２０を介して供給されるノ９ターン発生器２ノ
の出力（テスト信号）により、上記半導体デ／Ｊイス１
７が作動される。上記・ぐターン発生器２１は、前記ブ
ランキングコントローラ１３の出力が供給されており、
ノクルス状の電子ビームに同期してテスト・！ターン信
号を発生する。上記半導体デバイス１７への電子ビーム
の照射によ多発生された二次電子は、二次電子検出器２
２によって検出され、この二次電子検出器２２の出力が
信号増幅器２３によって増幅され、その増幅出力がＣＲ
Ｔ ２４の輝度端子に供給される。１だ、上記ＣＲＴ
２４の走査端子には、前記走査回路１９の出力が供給さ
れるようになっている。なお、２５は真空ポンプで、本
体１ノ内を真空状態にするためのものである。
第２図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ、上記第１図にお
けるプローブカード２０を拡大して示している。
けるプローブカード２０を拡大して示している。
（、）図は平面図、（ｂ）図は（、）図のｘ −ｘ’線
に沿った断面構成図である。グローブカードには、測定
する半導体デバイスの種類や電極数等に応じて種々の形
状（丸型や角型）やビン数のものかあシ、第２図には４
８ピンで角型のプローブカードを示している。プローブ
カード２０の一辺には、前記第１図におけるパターン発
生器２１からのテスト信号を受けるためのコネクタ部２
０ｂが形成されており、このコネクタ部２０ｂには／４
’ターン配線２０ａを介してグローブ２０ｍが接続され
る。なお、２０ｄはグローブ２０ｍの固定部材（樹脂製
）である。
に沿った断面構成図である。グローブカードには、測定
する半導体デバイスの種類や電極数等に応じて種々の形
状（丸型や角型）やビン数のものかあシ、第２図には４
８ピンで角型のプローブカードを示している。プローブ
カード２０の一辺には、前記第１図におけるパターン発
生器２１からのテスト信号を受けるためのコネクタ部２
０ｂが形成されており、このコネクタ部２０ｂには／４
’ターン配線２０ａを介してグローブ２０ｍが接続され
る。なお、２０ｄはグローブ２０ｍの固定部材（樹脂製
）である。
上記のような構成において、電子ビームの照射によって
発生される二次電子の量は、照射点の電位によって異な
るため、半導体デバイス１７の表面上を電子ビームで走
査することによシ、ＣＲＴ２４には半導体デバイス１７
の電位分布に対応したコントラスト（電位コントラスト
と言われる）の画像が得られる。これは、電子ビームの
照射によって発生される二次電子のエネルギが小さく（
５０・Ｖ以下で平均２・Ｖ程度）、照射点の電位が高電
位であると放出された二次電子がこの高電位によって引
き戻され、二次電子の量が減少するためである。ここで
、プラン５− キングプレート１４およびパターン発生器２１はそれぞ
れ、ブランキングコントローラ１３の出力により制御さ
れ、パルス状電子ビームの発生周期と半導体デバイス１
７の動作との同期が取られているので、高速動作中の半
導体デバイス１７の位相を止めた状態でその電位分布を
測定できる。
発生される二次電子の量は、照射点の電位によって異な
るため、半導体デバイス１７の表面上を電子ビームで走
査することによシ、ＣＲＴ２４には半導体デバイス１７
の電位分布に対応したコントラスト（電位コントラスト
と言われる）の画像が得られる。これは、電子ビームの
照射によって発生される二次電子のエネルギが小さく（
５０・Ｖ以下で平均２・Ｖ程度）、照射点の電位が高電
位であると放出された二次電子がこの高電位によって引
き戻され、二次電子の量が減少するためである。ここで
、プラン５− キングプレート１４およびパターン発生器２１はそれぞ
れ、ブランキングコントローラ１３の出力により制御さ
れ、パルス状電子ビームの発生周期と半導体デバイス１
７の動作との同期が取られているので、高速動作中の半
導体デバイス１７の位相を止めた状態でその電位分布を
測定できる。
ところで、ＳＥＭにおける二次電子の検出方法は、二次
電子の捕集のための二次電子検出器２２ ノ：Ｉ Ｖフ
タに高電圧（３００Ｖ 〜４００ Ｖ ）を印加し、こ
れによって発生する高電界にょシエネルギの小さい二次
電子を引き込むものである。従って、ストロｙｊ？ Ｓ
ＥＭにおいては局所電界効果として良く知られているよ
うに、近接の電界の影響を受け易く、検出信号が３０チ
以上も変化することがある。上述したようにグローブカ
ード２０は、二次電子の放出場所（半導体デ、バイス１
７）と二次電子検出器２２との間にあり、二次電子の軌
道に影響を及ぼす。特に、ス６一 トロポ像を紐察する場合は、放出場所による影響も一様
ではない。これは、プローブカード２θのコネクタ部２
０ｂには、・ｅターン発生器２ノから例えば第３図に示
すようなビームブランキングタイミングＬ１ ｒ Ｌ２
ｒ・・・に同期したテスト信号（入力１〜人力ｎ）が
供給されているため、・母ターン配線２０ｃに印加され
る電位が刻々と変化するためである。このため、供給す
るテスト信号の状態や測定する場所、時間等によって得
られた画像のコントラストが変化スる欠点がある。
電子の捕集のための二次電子検出器２２ ノ：Ｉ Ｖフ
タに高電圧（３００Ｖ 〜４００ Ｖ ）を印加し、こ
れによって発生する高電界にょシエネルギの小さい二次
電子を引き込むものである。従って、ストロｙｊ？ Ｓ
ＥＭにおいては局所電界効果として良く知られているよ
うに、近接の電界の影響を受け易く、検出信号が３０チ
以上も変化することがある。上述したようにグローブカ
ード２０は、二次電子の放出場所（半導体デ、バイス１
７）と二次電子検出器２２との間にあり、二次電子の軌
道に影響を及ぼす。特に、ス６一 トロポ像を紐察する場合は、放出場所による影響も一様
ではない。これは、プローブカード２θのコネクタ部２
０ｂには、・ｅターン発生器２ノから例えば第３図に示
すようなビームブランキングタイミングＬ１ ｒ Ｌ２
ｒ・・・に同期したテスト信号（入力１〜人力ｎ）が
供給されているため、・母ターン配線２０ｃに印加され
る電位が刻々と変化するためである。このため、供給す
るテスト信号の状態や測定する場所、時間等によって得
られた画像のコントラストが変化スる欠点がある。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、プローブカードに供給される
（１号レベルによる二次電子検出信号への影響を軽減で
きるすぐれたストロが走査型電子顕微鏡装置を提供する
ことである。
その目的とするところは、プローブカードに供給される
（１号レベルによる二次電子検出信号への影響を軽減で
きるすぐれたストロが走査型電子顕微鏡装置を提供する
ことである。
すなわち、この発明においては、上記の目的を達成する
ために、前記第１図におけるプローブカード２０と二次
電子検出器２２との間、および上記プローブカード２０
と被測定試料（半導体ｒ）々イス１７）との間に、上記
プローブカード２０に生成される電界の二次電子への影
響を遮断するシールド手段を配設したものである。
ために、前記第１図におけるプローブカード２０と二次
電子検出器２２との間、および上記プローブカード２０
と被測定試料（半導体ｒ）々イス１７）との間に、上記
プローブカード２０に生成される電界の二次電子への影
響を遮断するシールド手段を配設したものである。
以丁、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第４図は、ストロｙｌ−’ＳＥＭのグローブカー
ドを示している。（ａ）図は上方から見た平面図、（ｂ
）図は（ａ）図のＹ −Ｙ’線に沿った断面図、（Ｃ）
図け」ニカから見た平面図である。電子ビームの透過用
の開口２６ａを有するガラスエポキシ製の基板２６ｂの
一方の表面には、シールド手段としての金属層２６ｃが
形成され、他方の表面上にはパターン配線２６ｄが形成
される。
する。第４図は、ストロｙｌ−’ＳＥＭのグローブカー
ドを示している。（ａ）図は上方から見た平面図、（ｂ
）図は（ａ）図のＹ −Ｙ’線に沿った断面図、（Ｃ）
図け」ニカから見た平面図である。電子ビームの透過用
の開口２６ａを有するガラスエポキシ製の基板２６ｂの
一方の表面には、シールド手段としての金属層２６ｃが
形成され、他方の表面上にはパターン配線２６ｄが形成
される。
−上記・９ターン配線２６ｄの一端はそれぞれコネクタ
部２６ｅに導出され、他端にはプローブ２６ｆがそれぞ
れ接続される。上記グローブ２６ｆは樹脂製の固定部材
２６ｇによって位置決めされており、この固定部材２６
ｇ上にシールド手段としての金属層２６ｈが形成される
。
部２６ｅに導出され、他端にはプローブ２６ｆがそれぞ
れ接続される。上記グローブ２６ｆは樹脂製の固定部材
２６ｇによって位置決めされており、この固定部材２６
ｇ上にシールド手段としての金属層２６ｈが形成される
。
そして、上記金属）（ｊＪ ２６ ｃおよび２６ｈはそ
れぞれ、コネクタ部２６ｅに導出され、このコネクタ部
２６ｅを介して接地点に接続されるようにして成る。
れぞれ、コネクタ部２６ｅに導出され、このコネクタ部
２６ｅを介して接地点に接続されるようにして成る。
上記のようなグローブカード２６を前記第１図に示した
ストロがＳＩ！８Ｍに用いれば、プローブカード２６の
配線・ンターン２６ｄに印加される信号電圧によって発
生する電界は、金属層２６Ｃ１２６ｈによってシールド
されるｆｃめ、半導体デバイス１７から発生される二次
電子へ影響を与えることはない。
ストロがＳＩ！８Ｍに用いれば、プローブカード２６の
配線・ンターン２６ｄに印加される信号電圧によって発
生する電界は、金属層２６Ｃ１２６ｈによってシールド
されるｆｃめ、半導体デバイス１７から発生される二次
電子へ影響を与えることはない。
なお、角型のグローブカードを例に取って説明したが、
元型や他の形状であっても良いのはもちろんである。
元型や他の形状であっても良いのはもちろんである。
また、上記実施例ではプローブカード２６の上面および
下面に金属層２６ｃ、２６ｂを設け、これら金属層２６
ｃ、２６ｈを接地点に接続するように構成したが、第５
図に示すようにストロＴＩ？ＳＥＭを構成しても良い。
下面に金属層２６ｃ、２６ｂを設け、これら金属層２６
ｃ、２６ｈを接地点に接続するように構成したが、第５
図に示すようにストロＴＩ？ＳＥＭを構成しても良い。
図において、前記９−
第１図と同一構成部には回じｒｌりを付１−てその説明
は省略する。すなわち、グローブカード９２６と二次電
子検出器２２との間、および上記グローブカード２６と
半導体デバイス（被ａｔ１＋定試料）１７との間にそれ
ぞれ、電子ビーム透過用の開孔部２７ａ、２８ａを有し
、導電性材料から成るシールド板２７．２８を設けたも
ので、これらシールド板２７．２８をそれぞれ接地１−
ている。このような構成においても上記実施例と同様な
効果が得られるのはもちろんである。
は省略する。すなわち、グローブカード９２６と二次電
子検出器２２との間、および上記グローブカード２６と
半導体デバイス（被ａｔ１＋定試料）１７との間にそれ
ぞれ、電子ビーム透過用の開孔部２７ａ、２８ａを有し
、導電性材料から成るシールド板２７．２８を設けたも
ので、これらシールド板２７．２８をそれぞれ接地１−
ている。このような構成においても上記実施例と同様な
効果が得られるのはもちろんである。
さらに、上記各実施例においては、プローブカード２６
と二次電子検出器２２との間、および上記グローブカー
ド２６と半導体デバイス１７との間それぞれにシールド
手段を設けたがストロ〆ＳＥＭの構成や！ローブカード
２６の構造等からいずれか一方の影響が少ないと考えら
れる場合には、片面のみシールドするようにしても良い
。
と二次電子検出器２２との間、および上記グローブカー
ド２６と半導体デバイス１７との間それぞれにシールド
手段を設けたがストロ〆ＳＥＭの構成や！ローブカード
２６の構造等からいずれか一方の影響が少ないと考えら
れる場合には、片面のみシールドするようにしても良い
。
以上説明したようにこの発明によれば、ノロ１０−
−ブカードに供給される信号レベルによる二次電子検出
信号への影譬を軽減できるすぐれたメトロが走査型電子
顕微鏡装置が得られる。
信号への影譬を軽減できるすぐれたメトロが走査型電子
顕微鏡装置が得られる。
第１図は従来のストロが走査型電子顕微鏡装置の概略構
成図、第２図は上記第１図のストロボ走査型電子顕微鏡
装置におけるプローブカードを拡大して示す図、第３図
は上記第２図のプローブカードに供給される信号および
ビームブランキングタイミングを示すタイミングチャー
ト、第４図はこの発明の一実施例に係るストロが走査型
電子顕微鏡装置におけるプローブカードを拡大して示す
図、第５図はこの発明の他の実施例を説明するための図
である。 １２・・・電子銃・ １７・・・半導体デバイス（被測
定試料）、２２・・・二次電子検出器、２６・・・プロ
ーブカード、２６ｃ、２６ｈ・・・金属層（シールド手
段）、２７，２８・・・シールド板（シールド手段）。 １１− ［！ へ １７ １ 〉 ト、′Ａ く １） ８ ５． ．０
成図、第２図は上記第１図のストロボ走査型電子顕微鏡
装置におけるプローブカードを拡大して示す図、第３図
は上記第２図のプローブカードに供給される信号および
ビームブランキングタイミングを示すタイミングチャー
ト、第４図はこの発明の一実施例に係るストロが走査型
電子顕微鏡装置におけるプローブカードを拡大して示す
図、第５図はこの発明の他の実施例を説明するための図
である。 １２・・・電子銃・ １７・・・半導体デバイス（被測
定試料）、２２・・・二次電子検出器、２６・・・プロ
ーブカード、２６ｃ、２６ｈ・・・金属層（シールド手
段）、２７，２８・・・シールド板（シールド手段）。 １１− ［！ へ １７ １ 〉 ト、′Ａ く １） ８ ５． ．０
Claims (3)
- （１）被測定試料に・ぐルス状の電子ビームを照射し、
上記被測定試料から発生される二次電子を検出して被測
定試料の電位分布を測定するメトロが走査型電子顕微鏡
装置において、上記被測定試料にテスト信号を与えるプ
ローブカードと二次電子検出器との間および上記プロー
ブカードと被測定試料との間に、上記プローブカードに
生成される電界の二次電子への影響を遮断するシールド
手段を配設したことを特徴とするストロゴ走査型電子顕
微鏡装置。 - （２）前記シールド手段は、プローブカードと二次電子
検出器との間および上記グローブカードと被測定試料と
の間に配設され、被測定試料に対応した開孔を有し、接
地電位に設定されるシールド板から成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のストロが走査型電子顕微
鏡装置。 - （３）前記シールド手段は、グローブカードの両面に絶
縁層を介して形成され、接地電位に設定される金属層か
ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のス
トロが走査型電子顕微鏡装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020983A JPS60165733A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020983A JPS60165733A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165733A true JPS60165733A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12042385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59020983A Pending JPS60165733A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165733A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276848A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-12-01 | フエアチヤイルド セミコンダクタコ−ポレ−シヨン | 電子ビームテストプローブ方法及び装置 |
| JPS63131059U (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-26 | ||
| US7024259B1 (en) * | 1999-01-21 | 2006-04-04 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | System and method for evaluating the quality of multi-channel audio signals |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59020983A patent/JPS60165733A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276848A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-12-01 | フエアチヤイルド セミコンダクタコ−ポレ−シヨン | 電子ビームテストプローブ方法及び装置 |
| JPS63131059U (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-26 | ||
| US7024259B1 (en) * | 1999-01-21 | 2006-04-04 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | System and method for evaluating the quality of multi-channel audio signals |
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