JPS6016712A - 弾性表面波応用素子 - Google Patents
弾性表面波応用素子Info
- Publication number
- JPS6016712A JPS6016712A JP12533483A JP12533483A JPS6016712A JP S6016712 A JPS6016712 A JP S6016712A JP 12533483 A JP12533483 A JP 12533483A JP 12533483 A JP12533483 A JP 12533483A JP S6016712 A JPS6016712 A JP S6016712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric substrate
- acoustic wave
- waves
- wave
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
- H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(Jl)発明の技術分野
本発明は弾性表面波応用素子に係り、特に所望の弾性表
面波のみを伝播させることが出来、スプリアス抑圧可能
な弾性表面波応用素子に関する。
面波のみを伝播させることが出来、スプリアス抑圧可能
な弾性表面波応用素子に関する。
fb) 従来技術と問題点
半無限の固体を伝播する代表的な弾性波には、■Ray
leigh WaV&+■Bulk 5hear wa
ve、■Bulk Jongitudinal wav
e等があり、UHF、VHF等の素子には上記■、■の
モードがよく利用されている。
leigh WaV&+■Bulk 5hear wa
ve、■Bulk Jongitudinal wav
e等があり、UHF、VHF等の素子には上記■、■の
モードがよく利用されている。
しかしトランスジューサの構造や基板のカント等によっ
ては、■〜■が混在し望ましくない信号が伝播するため
、不要な波を抑圧して使用するメ・要がある。
ては、■〜■が混在し望ましくない信号が伝播するため
、不要な波を抑圧して使用するメ・要がある。
従来ののみを使用したい場合には、multi 5tr
ipcouplerを使用して伝播路を変更することに
よってバルク波を除外したり、基板の板厚を薄くしてバ
ルク波を減衰させる等の手段が用いられていた。
ipcouplerを使用して伝播路を変更することに
よってバルク波を除外したり、基板の板厚を薄くしてバ
ルク波を減衰させる等の手段が用いられていた。
しかしこれらは装置が複雑となる。或いは製作が困難と
なる等の問題点があり、いずれも十分に満足し得るもの
とは言い難かった。
なる等の問題点があり、いずれも十分に満足し得るもの
とは言い難かった。
(C1発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して、望ましくない波
を十分に抑圧することが出来、しかも製作容易で且つ良
好な再現性を有する弾性表面波応用素子を提供すること
にある。
を十分に抑圧することが出来、しかも製作容易で且つ良
好な再現性を有する弾性表面波応用素子を提供すること
にある。
fd+ 発明の構成
本発明の特徴は、弾性表面波用圧電基板と、該圧電基板
表面に互いに離隔して形成された一対の入出カドランス
ジューサと、該一対の人出カドランスジユーザ間の伝播
路に設けられた表面波抑圧手段とを具備してなることに
ある。
表面に互いに離隔して形成された一対の入出カドランス
ジューサと、該一対の人出カドランスジユーザ間の伝播
路に設けられた表面波抑圧手段とを具備してなることに
ある。
(01発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
第1図〜第3図の斜視図に本発明の第1.第2゜第3の
実施例を示す。
実施例を示す。
上記第1図〜第3図において、Jば弾性表面波用圧電基
板で、本実施例ではタンタル酸リチウム(LiTa03
)よりなる凡そ400(μm)の厚さの40°回転y板
を用いた。弾性表面波用圧電基板lとしてはこれ以外に
ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、或いはセラミック
ス等を用いることができる。
板で、本実施例ではタンタル酸リチウム(LiTa03
)よりなる凡そ400(μm)の厚さの40°回転y板
を用いた。弾性表面波用圧電基板lとしてはこれ以外に
ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、或いはセラミック
ス等を用いることができる。
2.2”は入力及び出力側の1−ランスジューサで、例
えばアルミニウム(AQ)或いは金(Au)を范着法あ
るいはスパッタ法等によって前記圧電基板1表面にすだ
れ状に被着形成した15対の導電1模よりなる。該すだ
れ状の導電膜は交互に共通接続され、それぞれ」−1一
端子に接続される。該導電膜の配設ピッチpは、伝播さ
せる弾性表面波の波長をλ。とじたとき、p−λo /
2とする。波長λ0は音速■(几そ4150m /
sec ) /周波数f。
えばアルミニウム(AQ)或いは金(Au)を范着法あ
るいはスパッタ法等によって前記圧電基板1表面にすだ
れ状に被着形成した15対の導電1模よりなる。該すだ
れ状の導電膜は交互に共通接続され、それぞれ」−1一
端子に接続される。該導電膜の配設ピッチpは、伝播さ
せる弾性表面波の波長をλ。とじたとき、p−λo /
2とする。波長λ0は音速■(几そ4150m /
sec ) /周波数f。
であるから、f o # 100 (Mllz)とする
と、λ0# 41.5 Cμm〕、従ってp # 20
.8 Cμm〕とする。
と、λ0# 41.5 Cμm〕、従ってp # 20
.8 Cμm〕とする。
導電膜の厚さは例えば2000〜3000 (人〕1幅
は配設ピッチpの1/2即ち約10.4(μm〕とする
。
は配設ピッチpの1/2即ち約10.4(μm〕とする
。
3は伝播路、また4、5. 6はそれぞれ表面波抑圧手
段の例で、4は溝、5は圧電基板1表面に吹き付は加工
法或いはラッピング研磨法を施して形成した粗面、6は
圧電基板1表面にエポキシ樹脂等を塗布して形成した吸
音拐である。
段の例で、4は溝、5は圧電基板1表面に吹き付は加工
法或いはラッピング研磨法を施して形成した粗面、6は
圧電基板1表面にエポキシ樹脂等を塗布して形成した吸
音拐である。
この表面波抑圧手段として用いた上記第1図の溝4は、
伝播路3に交差する方向に、ダイシング・ソーを用いて
圧電基板1表面を切削する。或いはドライエツチング法
により圧電基板1表面を選択的に除去する等の方法によ
って形成し得る。第1図には表面波抑圧手段としての溝
4を1本のみ形成した例を示しであるが、溝4は複数本
形成しても良い。該溝4の深さは抑圧すべき表面波の波
長をλとしたとき、略0.4λ以下とすることが望まし
いようである。第2図に示す粗面5は圧電基4に1表面
に研磨祠を吹き付りる(ザン]ブラスト) 、 或イハ
ラノピングrtlFFff法を施すことによって圧電基
板1表面を荒らすとこにより、また第3図に示す吸音祠
6はエポキシ樹脂或いは斗ンク等を塗布することにより
、表面の振動波を吸収するものである。
伝播路3に交差する方向に、ダイシング・ソーを用いて
圧電基板1表面を切削する。或いはドライエツチング法
により圧電基板1表面を選択的に除去する等の方法によ
って形成し得る。第1図には表面波抑圧手段としての溝
4を1本のみ形成した例を示しであるが、溝4は複数本
形成しても良い。該溝4の深さは抑圧すべき表面波の波
長をλとしたとき、略0.4λ以下とすることが望まし
いようである。第2図に示す粗面5は圧電基4に1表面
に研磨祠を吹き付りる(ザン]ブラスト) 、 或イハ
ラノピングrtlFFff法を施すことによって圧電基
板1表面を荒らすとこにより、また第3図に示す吸音祠
6はエポキシ樹脂或いは斗ンク等を塗布することにより
、表面の振動波を吸収するものである。
第411(al〜fdlは本発明に係る上記各種の表面
波抑圧手段の効果を従来素子と比較して示す図で、(+
])は表面波抑圧手段が設けられていない従来の弾性表
面波応用素子、(b)〜(d+は表面波抑圧手段を設り
だ本発明の実施例で、伝播路3上にそれぞれ、fblば
吸音月6を、(C)は深さ凡そ18(、um)+7)溝
4を、(d+は深さ凡そ38〔μm〕の溝を設けた例の
伝播特性を示す。なおこれら4種の試料の圧電基板1及
びトランスジューサ2.2”の材料、各部の寸法等は前
述した通りで、総て同一とした。
波抑圧手段の効果を従来素子と比較して示す図で、(+
])は表面波抑圧手段が設けられていない従来の弾性表
面波応用素子、(b)〜(d+は表面波抑圧手段を設り
だ本発明の実施例で、伝播路3上にそれぞれ、fblば
吸音月6を、(C)は深さ凡そ18(、um)+7)溝
4を、(d+は深さ凡そ38〔μm〕の溝を設けた例の
伝播特性を示す。なおこれら4種の試料の圧電基板1及
びトランスジューサ2.2”の材料、各部の寸法等は前
述した通りで、総て同一とした。
同図(alに見られる如く、従来素子では応答出力の大
きい略93 (Mllz)の表面波と略101 f M
112)の表面近傍波とが伝播されていた。これに対
し同図(blにおいては略93 (M 1lz)の表面
波が若干減衰し、同図telではこの表面波が大11′
畠に減衰しているが、表面近傍波は従来素子同様減衰は
認められない。更に同図+d+では、表面波とともに表
面近傍波も遮断され、伝播されない。
きい略93 (Mllz)の表面波と略101 f M
112)の表面近傍波とが伝播されていた。これに対
し同図(blにおいては略93 (M 1lz)の表面
波が若干減衰し、同図telではこの表面波が大11′
畠に減衰しているが、表面近傍波は従来素子同様減衰は
認められない。更に同図+d+では、表面波とともに表
面近傍波も遮断され、伝播されない。
以上により理解される如く本発明に係る表面波抑圧手段
を用いた実施例では、表面波の伝播を抑圧し、表面近傍
波を伝播する。但し表面波抑圧効果は、表面波抑圧手段
によりそれぞれ差があるので、目的に応じて選択するこ
とを要する。なお表面波抑圧手段として溝4を用いる場
合には、溝4が深すぎると上記第4図+d+に見られる
如く表面近傍波をも遮断してしまうので、その深さを制
御することが必要である。第5図は溝4の深さに対する
表面波と表面近傍波の伝播特性を示す図で、横軸は溝4
の深さdを表面波の波長λに対する比で示し、縦軸は減
衰率を示す。同図へに示す如く表面波はd≧0.4λで
ほぼ完全に遮断される。一方表面近傍波はBの如く、d
≦0.45λの範囲では殆ど減衰せず、dが0.45λ
を越えるとdの増加とともに減衰が大きくなり、d≧0
.86となると表面近清液も遮断されてしまう。従って
溝の深さは上記伝播11¥性を考慮して選択すべきもの
であるが、溝4の加工精度等を考慮すれば、d≦0.4
/とするのが実用的と思われる。
を用いた実施例では、表面波の伝播を抑圧し、表面近傍
波を伝播する。但し表面波抑圧効果は、表面波抑圧手段
によりそれぞれ差があるので、目的に応じて選択するこ
とを要する。なお表面波抑圧手段として溝4を用いる場
合には、溝4が深すぎると上記第4図+d+に見られる
如く表面近傍波をも遮断してしまうので、その深さを制
御することが必要である。第5図は溝4の深さに対する
表面波と表面近傍波の伝播特性を示す図で、横軸は溝4
の深さdを表面波の波長λに対する比で示し、縦軸は減
衰率を示す。同図へに示す如く表面波はd≧0.4λで
ほぼ完全に遮断される。一方表面近傍波はBの如く、d
≦0.45λの範囲では殆ど減衰せず、dが0.45λ
を越えるとdの増加とともに減衰が大きくなり、d≧0
.86となると表面近清液も遮断されてしまう。従って
溝の深さは上記伝播11¥性を考慮して選択すべきもの
であるが、溝4の加工精度等を考慮すれば、d≦0.4
/とするのが実用的と思われる。
従来の弾性表面波応用素子は」1記説明により既に明ら
か如く、表面波を利用し表面近傍波を不要波として除去
しようとしていたのに対し、本発明ではこれとは逆に表
面近傍波を利用し、表面波を除去使用とするものである
。従来素子では表面波を利用するため、弾性表面波応用
素子の表面に水分或いは樹脂等が付着すると表面波の減
衰が生しるので、表面を極めて清浄に保つことが必要で
、素子の製作に当たっては細心の注意を要し、そのため
製造工程の管理は必ずしも容易とは言えなかった。これ
に対し上記各実施例は表面波を抑圧使用とするものであ
ることから、素子の表面状態に従来素子における如き制
約がない。従って不要波の抑圧効果が十分であるのみな
らず、再現性が良く且つ製造工程及びその管理が容易と
なるという利点を有する。
か如く、表面波を利用し表面近傍波を不要波として除去
しようとしていたのに対し、本発明ではこれとは逆に表
面近傍波を利用し、表面波を除去使用とするものである
。従来素子では表面波を利用するため、弾性表面波応用
素子の表面に水分或いは樹脂等が付着すると表面波の減
衰が生しるので、表面を極めて清浄に保つことが必要で
、素子の製作に当たっては細心の注意を要し、そのため
製造工程の管理は必ずしも容易とは言えなかった。これ
に対し上記各実施例は表面波を抑圧使用とするものであ
ることから、素子の表面状態に従来素子における如き制
約がない。従って不要波の抑圧効果が十分であるのみな
らず、再現性が良く且つ製造工程及びその管理が容易と
なるという利点を有する。
(fl 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、弾性表面波応用素子に
おりる不要波を十分に抑圧することが出来、しかもその
製作に当たっては良好な再現性を有し且つ製造工程及び
その管理が極めて容易となる。
おりる不要波を十分に抑圧することが出来、しかもその
製作に当たっては良好な再現性を有し且つ製造工程及び
その管理が極めて容易となる。
第1図〜第3図は本発明の実施例を示すP1視図、第4
図は本発明の表面抑圧効果を示す曲線図、第5図は表面
4の深さと表面波及び表面近傍波の伝播特性を示す曲線
図である。 図において、lは弾性表面波応用素子用圧電基板、2は
トランスジユーザ、3は伝播路、4は表面波抑圧手段を
示す。 第1図 第2し 第3図 2 6 3 上チ由 2′ と (山(It))シ笥〜←−一一一一 (山qp>シ苔r (uJ(IP)娯郁 (山qp)矩1′F
図は本発明の表面抑圧効果を示す曲線図、第5図は表面
4の深さと表面波及び表面近傍波の伝播特性を示す曲線
図である。 図において、lは弾性表面波応用素子用圧電基板、2は
トランスジユーザ、3は伝播路、4は表面波抑圧手段を
示す。 第1図 第2し 第3図 2 6 3 上チ由 2′ と (山(It))シ笥〜←−一一一一 (山qp>シ苔r (uJ(IP)娯郁 (山qp)矩1′F
Claims (1)
- 弾性表面波用圧電基板と、該圧電基板表面に互いにIt
llt隔して形成された一対の入出カドランスジューサ
と、該一対の入出カドランスジューサ間の伝播路に設け
られた表面波抑圧手段とを具備してなることを特徴とす
る弾性表面波応用素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12533483A JPS6016712A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 弾性表面波応用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12533483A JPS6016712A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 弾性表面波応用素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016712A true JPS6016712A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14907535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12533483A Pending JPS6016712A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 弾性表面波応用素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016712A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012084953A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Panasonic Corp | 弾性波素子と、これを用いた分波器 |
| JP2015109688A (ja) * | 2015-01-15 | 2015-06-11 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 分波器 |
| JP2015180103A (ja) * | 2015-06-01 | 2015-10-08 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波素子 |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12533483A patent/JPS6016712A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012084953A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Panasonic Corp | 弾性波素子と、これを用いた分波器 |
| JP2015109688A (ja) * | 2015-01-15 | 2015-06-11 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 分波器 |
| JP2015180103A (ja) * | 2015-06-01 | 2015-10-08 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波素子 |
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