JPS60167247A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPS60167247A JPS60167247A JP59021979A JP2197984A JPS60167247A JP S60167247 A JPS60167247 A JP S60167247A JP 59021979 A JP59021979 A JP 59021979A JP 2197984 A JP2197984 A JP 2197984A JP S60167247 A JPS60167247 A JP S60167247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- electron
- electron beam
- electrons
- generating means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、走査電子顕微鏡の二次電子検出器買の改良に
関する。
関する。
［従来技術］
走査電子顕微鏡を用いて半導体等の試料を観察する場合
には、半導体素子の損傷を抑えたり、試料のチャージア
ップを防いだり、入射電子のもぐり込みを小さくして表
面近くの信丹のみを取り出すだめに試料を照射する電子
ビームの加速電圧を低くすることが多い。第１図は、透
過結像型電子顕微鏡に走査電子顕微鏡像が観察できるよ
うな機能を備えた従来装置の一例を示すもので、図中１
は光軸２に沿って電子ビーム３が取り出される電子銃で
あり、該電子銃１よりの電子ビーム３は集束レンズ４に
より集束されて対物レンズ５の磁極片Ｉ！Ｉ隙の略中火
に配置された試料６に照射される。
には、半導体素子の損傷を抑えたり、試料のチャージア
ップを防いだり、入射電子のもぐり込みを小さくして表
面近くの信丹のみを取り出すだめに試料を照射する電子
ビームの加速電圧を低くすることが多い。第１図は、透
過結像型電子顕微鏡に走査電子顕微鏡像が観察できるよ
うな機能を備えた従来装置の一例を示すもので、図中１
は光軸２に沿って電子ビーム３が取り出される電子銃で
あり、該電子銃１よりの電子ビーム３は集束レンズ４に
より集束されて対物レンズ５の磁極片Ｉ！Ｉ隙の略中火
に配置された試料６に照射される。
７及び８は電子ビーム３を試料６上で二次元的に走査さ
せるための偏向コイルである。二次電子検出のための二
次電子検出器は、対物レンズ５の上方に設けられており
、シンチレータをその先端に取り付けたライトパイプつ
とその後端に配置された光電子増倍管１０がら偶成され
る。前記ライトパイプ９先端のシンチレータ−の前面に
は導電性薄膜が蒸着され、その周囲には二次電子収集手
段としてのリング状の二次電子収集電極１１が配置され
、該二次電子収集電極１１は直流電源１２によって例え
ば＋１０ＫＶに印加されており、更にその周囲には接地
電位のシールド筒１３が設けられている。１４は電子銃
に電子ビーム３の加速電圧を供給する加速電源である。
せるための偏向コイルである。二次電子検出のための二
次電子検出器は、対物レンズ５の上方に設けられており
、シンチレータをその先端に取り付けたライトパイプつ
とその後端に配置された光電子増倍管１０がら偶成され
る。前記ライトパイプ９先端のシンチレータ−の前面に
は導電性薄膜が蒸着され、その周囲には二次電子収集手
段としてのリング状の二次電子収集電極１１が配置され
、該二次電子収集電極１１は直流電源１２によって例え
ば＋１０ＫＶに印加されており、更にその周囲には接地
電位のシールド筒１３が設けられている。１４は電子銃
に電子ビーム３の加速電圧を供給する加速電源である。
第１図の装置において、電子ビーム３を加速するための
加速電圧Ｖａが例えば４０ＫＶと高い場合には、二次電
子収集電極１１が形成する電場による電子ど一ム３の偏
向は問題とならない。しかし、加速電圧Ｖａが５ＫＶ程
度に低くなると電子ビームの速疫は遅くなり、二次電子
収集電極１１によって形成される電揚内に滞在する時間
が長くなるため電子ビーム３は該電場によって大きく偏
向されてしまう。例えば、第１図中に示す軌跡３はｖａ
が３０ＫＶの場合のものであり、３′はＶａが５ＫＶの
場合のものである。このように加速電圧の切り替えによ
って電子線の軌跡が変化することは、加速電圧の切替え
の際に試料像の視野が移動してしまうことを意味し−Ｃ
おり、特に半導体試料の観察には大きな障害となってい
た。
加速電圧Ｖａが例えば４０ＫＶと高い場合には、二次電
子収集電極１１が形成する電場による電子ど一ム３の偏
向は問題とならない。しかし、加速電圧Ｖａが５ＫＶ程
度に低くなると電子ビームの速疫は遅くなり、二次電子
収集電極１１によって形成される電揚内に滞在する時間
が長くなるため電子ビーム３は該電場によって大きく偏
向されてしまう。例えば、第１図中に示す軌跡３はｖａ
が３０ＫＶの場合のものであり、３′はＶａが５ＫＶの
場合のものである。このように加速電圧の切り替えによ
って電子線の軌跡が変化することは、加速電圧の切替え
の際に試料像の視野が移動してしまうことを意味し−Ｃ
おり、特に半導体試料の観察には大きな障害となってい
た。
［発明の目的］
本発明は二次電子検出装置にお（プる二次電子収集手段
が形成する電場によって試料照射電子ビームが偏向され
ることを防止することによって、加ｎ￥Ｘ圧の切り替え
に伴なう観察視野の移動を防止することを目的としてい
る。
が形成する電場によって試料照射電子ビームが偏向され
ることを防止することによって、加ｎ￥Ｘ圧の切り替え
に伴なう観察視野の移動を防止することを目的としてい
る。
［発明の構成］
本発明の４ｉＱ成は、電子銃から光軸に沿って取り出さ
れる電子ビームを加速電圧Ｖａで加速して試料に照射す
る手段と、該試料より電子銃側に設けられ該試料よりの
二次電子を収集する電界を形成するための二次電子収集
手段と、該二次電子収集手段によって収集された二次電
子を検出するための二次電子検出器を備えた装置におい
て、前記二次電子収集手段が形成する電場によって前記
電子ビームの電子が受ける力をｌち消づ方向に電子ビー
ムの電子に対して力を与える磁場を形成する補正用の偏
向磁場発生手段を設（づたことを特徴としている。
れる電子ビームを加速電圧Ｖａで加速して試料に照射す
る手段と、該試料より電子銃側に設けられ該試料よりの
二次電子を収集する電界を形成するための二次電子収集
手段と、該二次電子収集手段によって収集された二次電
子を検出するための二次電子検出器を備えた装置におい
て、前記二次電子収集手段が形成する電場によって前記
電子ビームの電子が受ける力をｌち消づ方向に電子ビー
ムの電子に対して力を与える磁場を形成する補正用の偏
向磁場発生手段を設（づたことを特徴としている。
［実施例］
以下本発明の実施例を添付図面に基づき詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示Ｊ概略図である。
第１図と同一構成要素には同一番号を付してその説明を
省略する。第２図において、１５は電子ど一ム３の二次
電子収集電極１１が形成する電場による電子ヒーム３の
偏向を補正する目的のために二次電子検出器の近傍に配
置された補正用偏向磁場発生手段であり、該補正用偏向
磁場発生手段１５は第３図に示ツ如く光軸２に直交する
方向に補正用磁場Ｂを形成するための鞍型に形成された
コイル１５ａ、１５ｂとヨーク１Ｇから構成されいる。
省略する。第２図において、１５は電子ど一ム３の二次
電子収集電極１１が形成する電場による電子ヒーム３の
偏向を補正する目的のために二次電子検出器の近傍に配
置された補正用偏向磁場発生手段であり、該補正用偏向
磁場発生手段１５は第３図に示ツ如く光軸２に直交する
方向に補正用磁場Ｂを形成するための鞍型に形成された
コイル１５ａ、１５ｂとヨーク１Ｇから構成されいる。
該コイル１５ａ、１５ｂは巻枠を兼ねたヨー９１６に巻
回され、対向Ｊ−るコイル間には本実施例の場合は第３
図矢印で示す方向に一様な補正用磁場Ｂか形成される。
回され、対向Ｊ−るコイル間には本実施例の場合は第３
図矢印で示す方向に一様な補正用磁場Ｂか形成される。
又、該ヨーク１６には窓１６ａが穿たれており、該窓部
分に二次電子検出器が配置されている。１７はコイル１
５ａ、１５ｂに励磁電流を供給する励磁電源てあり、該
励ＦＩ１１電源１７は加速電源１４に接続されており、
加速電源１４の加速電圧の切り換え【こ連動してコイル
１５ａ、１５ｂに供給する励磁電流が変化するように構
成されている。
分に二次電子検出器が配置されている。１７はコイル１
５ａ、１５ｂに励磁電流を供給する励磁電源てあり、該
励ＦＩ１１電源１７は加速電源１４に接続されており、
加速電源１４の加速電圧の切り換え【こ連動してコイル
１５ａ、１５ｂに供給する励磁電流が変化するように構
成されている。
第３図において、例えば接地電位部Ａと二次電子収集電
極１１の距離が２０ｃｍで電場が一様に分布すると仮定
すると、二次電子収集電極１１に直流電源１２から＋１
０ＫＶの電圧を印加した場合、光軸の近傍には１０ＫＶ
１０．２ｍ＝５Ｘ１０４Ｖ ／ ｍの電極が形成される
。このため、電子ビーム３は該電場によりＦ＋ ＝ｅＥ
の力を受け第１図の電子ビーム３′の様に偏向され試料
照射位置が移動することとなる。ここで、ｅは電子の電
荷量であり、Ｅは電場の強さである。
極１１の距離が２０ｃｍで電場が一様に分布すると仮定
すると、二次電子収集電極１１に直流電源１２から＋１
０ＫＶの電圧を印加した場合、光軸の近傍には１０ＫＶ
１０．２ｍ＝５Ｘ１０４Ｖ ／ ｍの電極が形成される
。このため、電子ビーム３は該電場によりＦ＋ ＝ｅＥ
の力を受け第１図の電子ビーム３′の様に偏向され試料
照射位置が移動することとなる。ここで、ｅは電子の電
荷量であり、Ｅは電場の強さである。
そこで、本発明は、二次電子収集電極１１が形成する電
場による電子ビーム３の偏向を補正するために、電子ビ
ーム３が受ける二次電子収集電極１１の電場による力Ｆ
１を新たに設けた補正用鍋向磁場発生手段１５による偏
向磁場によって相殺するようにし１＝ものである。第２
図に示す補正用偏向磁場発生手段１５が形成する磁場Ｂ
によって、電子ビーム３の電子は、Ｆｌとは反対の方向
の力Ｆ２ ＝ｅＶｏ Ｂの力を受ける。ここで、ＶＯは
電子ヒーム３の速度、Ｂは磁場の強さ、電子ビーム３の
加速電圧をＶａｓ電子の質量をｒｒｌＱとするとｍｏ
Ｖｏ ２＝ ２ ｅ Ｖａ Ｖｏ＝ ２６Ｖａ／ｎ−となり 故に、Ｆ２＝ｅヅ］「；σ］−し１冨−０×８ となる
。
場による電子ビーム３の偏向を補正するために、電子ビ
ーム３が受ける二次電子収集電極１１の電場による力Ｆ
１を新たに設けた補正用鍋向磁場発生手段１５による偏
向磁場によって相殺するようにし１＝ものである。第２
図に示す補正用偏向磁場発生手段１５が形成する磁場Ｂ
によって、電子ビーム３の電子は、Ｆｌとは反対の方向
の力Ｆ２ ＝ｅＶｏ Ｂの力を受ける。ここで、ＶＯは
電子ヒーム３の速度、Ｂは磁場の強さ、電子ビーム３の
加速電圧をＶａｓ電子の質量をｒｒｌＱとするとｍｏ
Ｖｏ ２＝ ２ ｅ Ｖａ Ｖｏ＝ ２６Ｖａ／ｎ−となり 故に、Ｆ２＝ｅヅ］「；σ］−し１冨−０×８ となる
。
又、電子ビーム３の電子の受りる二次電子収集電極１１
の電場によるノ］Ｆ＋を新たに加えた磁場により相殺す
るためにはＦ＋ ＝Ｆ２を’＋ｆＪ’４５ｆ：づ“る磁
場を形成して相殺すればよい。
の電場によるノ］Ｆ＋を新たに加えた磁場により相殺す
るためにはＦ＋ ＝Ｆ２を’＋ｆＪ’４５ｆ：づ“る磁
場を形成して相殺すればよい。
即ち、ｅ［＝ｅＦ「５乙／ｒＴＩＱＸ３が成立すればよ
い。従って、Ｅ＝５Ｘ１０４Ｖ／ｍでＶａ＝１ＫＶとす
ると本実施例の場合は、約２６．７ガウスの磁場を形成
することにより電子ビーム３の電場による偏向を補正す
ることができる。ここで、二次゛重子収集電極１１に印
加する電圧が一定とすると、電子銃１の加速電圧Ｖａを
変化さけた場合には、この電圧の変化と連動させて補正
用偏向磁場発生手段１５の励［電流を変化さｉ！磁場Ｂ
の強さを変化させればどのような加速電圧であっても常
に電極１１による電子ビームの偏向を補正することがで
きる。尚、補正用偏向磁場発生手段１５における励磁コ
イルやヨークは、試料６からの二次電子ｅ２が二次電子
検出器に向かう方向と直交する方向に配置されるので、
励磁コイルやヨーク１６が二次電子の通過を妨げること
はない。
い。従って、Ｅ＝５Ｘ１０４Ｖ／ｍでＶａ＝１ＫＶとす
ると本実施例の場合は、約２６．７ガウスの磁場を形成
することにより電子ビーム３の電場による偏向を補正す
ることができる。ここで、二次゛重子収集電極１１に印
加する電圧が一定とすると、電子銃１の加速電圧Ｖａを
変化さけた場合には、この電圧の変化と連動させて補正
用偏向磁場発生手段１５の励［電流を変化さｉ！磁場Ｂ
の強さを変化させればどのような加速電圧であっても常
に電極１１による電子ビームの偏向を補正することがで
きる。尚、補正用偏向磁場発生手段１５における励磁コ
イルやヨークは、試料６からの二次電子ｅ２が二次電子
検出器に向かう方向と直交する方向に配置されるので、
励磁コイルやヨーク１６が二次電子の通過を妨げること
はない。
又、試料６Ｊ、り放出された二次電子ｅ２は、電子ビー
ム３とは反対方向に進むので、補正用磁場Ｂから電子ビ
ーム３が受けた力とは反対方向の力を受ける。即ち、二
次電子収集電極１１の方向に向う方向なので、この新た
に加えられた補正用磁場Ｂは、二次電子収集にも寄与す
る。この様に＋Ｆ４成することにより、二次電子収集電
極１１の電場による電子ビーム３の偏向を補正すること
ができる。
ム３とは反対方向に進むので、補正用磁場Ｂから電子ビ
ーム３が受けた力とは反対方向の力を受ける。即ち、二
次電子収集電極１１の方向に向う方向なので、この新た
に加えられた補正用磁場Ｂは、二次電子収集にも寄与す
る。この様に＋Ｆ４成することにより、二次電子収集電
極１１の電場による電子ビーム３の偏向を補正すること
ができる。
第４図は本発明の他の実施例の概略図であり、第２図と
同一構成要素には同一番号をイリしてその説明を省略す
る。第４図において、１８ａ、１８ｂは補正用偏向磁場
発生手段１５が形成するｖ１１揚Ｂに直交する方向に電
場Ｅを形成するための一対の二次電子偏向用電極であり
、一方の電極１８ａは金属平板状電極であり、もう一方
の電極１８ｂは金属メツシュ状に構成されている。又、
該電極１８ａには、直流電源１９にリーＶ／２（例えば
−５００Ｖ）の直流電圧が印加され、１８ｂには十Ｖ／
２ （例えば＋５００Ｖ）の直流電圧が直流電源２０よ
り印加されている。このように構成された装置では、電
子ビーム３の二次電子収集用（セ１１と電極１８ａ、１
８ｂの電場による偏向は補正用偏向磁場発生手段１５に
より補正されるため電子ビーム３の試料照射位置は移動
せず、従って視野移動も防止される。又、試料６よりの
二次電子ｅ２は＋５００Ｖが印加された二次電子偏向用
電極１８ｂによって偏向され金属で形成されたメツシュ
状の間隙を通過し、更に二次電子収集電極１１に印加さ
れた＋１０ＫＶの電圧により加速されて検出されるため
二次電子収集効率を向上させることができる。尚、電極
１８ａ、１８ｂを配置することにより略一様な電場を形
成できるので、電子ビーム３の電子の受ける力は前記補
正用鍋向磁場発生手段１５によって、より簡単に相殺で
きる利点がある。更に、下から上ってきた二次電子ｅ２
に対しては、電場Ｅによる力、磁場Ｂによる力共に二次
電子検出器の方向を向いているので二次電子検出効率を
向上することができる。更に又、補正用偏向磁場発生手
段としてリング状の強磁性体のヨークとその上に巻回し
たコイルを用い、該ヨークに検出器挿入用の窓と軸対称
の位置にある相似形の窓１６ｂを設けることにより、内
部に発生ずる磁場を均−磁場に近ずけ得るので電子ビー
ムに対ザる電場ＥとＩｌ場Ｂの偏向力をより正確にキャ
ンセルすることができる。
同一構成要素には同一番号をイリしてその説明を省略す
る。第４図において、１８ａ、１８ｂは補正用偏向磁場
発生手段１５が形成するｖ１１揚Ｂに直交する方向に電
場Ｅを形成するための一対の二次電子偏向用電極であり
、一方の電極１８ａは金属平板状電極であり、もう一方
の電極１８ｂは金属メツシュ状に構成されている。又、
該電極１８ａには、直流電源１９にリーＶ／２（例えば
−５００Ｖ）の直流電圧が印加され、１８ｂには十Ｖ／
２ （例えば＋５００Ｖ）の直流電圧が直流電源２０よ
り印加されている。このように構成された装置では、電
子ビーム３の二次電子収集用（セ１１と電極１８ａ、１
８ｂの電場による偏向は補正用偏向磁場発生手段１５に
より補正されるため電子ビーム３の試料照射位置は移動
せず、従って視野移動も防止される。又、試料６よりの
二次電子ｅ２は＋５００Ｖが印加された二次電子偏向用
電極１８ｂによって偏向され金属で形成されたメツシュ
状の間隙を通過し、更に二次電子収集電極１１に印加さ
れた＋１０ＫＶの電圧により加速されて検出されるため
二次電子収集効率を向上させることができる。尚、電極
１８ａ、１８ｂを配置することにより略一様な電場を形
成できるので、電子ビーム３の電子の受ける力は前記補
正用鍋向磁場発生手段１５によって、より簡単に相殺で
きる利点がある。更に、下から上ってきた二次電子ｅ２
に対しては、電場Ｅによる力、磁場Ｂによる力共に二次
電子検出器の方向を向いているので二次電子検出効率を
向上することができる。更に又、補正用偏向磁場発生手
段としてリング状の強磁性体のヨークとその上に巻回し
たコイルを用い、該ヨークに検出器挿入用の窓と軸対称
の位置にある相似形の窓１６ｂを設けることにより、内
部に発生ずる磁場を均−磁場に近ずけ得るので電子ビー
ムに対ザる電場ＥとＩｌ場Ｂの偏向力をより正確にキャ
ンセルすることができる。
［効果］
以上のように本発明は、電子銃から光軸に沿って取り出
される電子ビームを加速電圧Ｖａで加速して試料に照射
する手段と、該対物レンズより電子銃側に設けられ該試
料よりの二次電子を収集する電界を形成するための二次
電子収集手段と、該二次電子収集手段によって収集され
た二次電子を検出するための二次電子検出器を備えた装
置において、該二次電子収集手段が形成する電場による
電子ビームの偏向を補正することにより加速電圧の切り
替えに伴なう視野移動を防止した走査電子顕微鏡を提供
する。
される電子ビームを加速電圧Ｖａで加速して試料に照射
する手段と、該対物レンズより電子銃側に設けられ該試
料よりの二次電子を収集する電界を形成するための二次
電子収集手段と、該二次電子収集手段によって収集され
た二次電子を検出するための二次電子検出器を備えた装
置において、該二次電子収集手段が形成する電場による
電子ビームの偏向を補正することにより加速電圧の切り
替えに伴なう視野移動を防止した走査電子顕微鏡を提供
する。
第１図は従来装置の概略図、第２図は本発明の一実施例
の概略図、第３図は第２図の実施例装置を説明するだめ
の図、第４図は他の実施例の概略図、第５図は他の実施
例を説明するだめの図である。 １：電子銃、３：電子ヒーム、４：集束レンズ。 ５：対物レンズ、７．ｓ：ａ向コイル、９ニライトパイ
プ、１０：二次電子増倍管、１１：二次電子収集電極、
１３：シール１〜筒、１４；加速電源。 １５：補正用量向磁場発生手段、１６：ヨーク。 １７：励磁電源、１８ａ、１８ｂ：二次電子捕集用電極
、１９．２０：直流電源。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 ９藤 −夫
の概略図、第３図は第２図の実施例装置を説明するだめ
の図、第４図は他の実施例の概略図、第５図は他の実施
例を説明するだめの図である。 １：電子銃、３：電子ヒーム、４：集束レンズ。 ５：対物レンズ、７．ｓ：ａ向コイル、９ニライトパイ
プ、１０：二次電子増倍管、１１：二次電子収集電極、
１３：シール１〜筒、１４；加速電源。 １５：補正用量向磁場発生手段、１６：ヨーク。 １７：励磁電源、１８ａ、１８ｂ：二次電子捕集用電極
、１９．２０：直流電源。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 ９藤 −夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１〉電子銃から光軸に治って取り出される電子ビーム
を加速電圧Ｖａで加速して試料に照射する手段と、該試
料より電子銃側に設（プられ該試料よりの二次電子を収
集する電界を形成するための二次電子収集手段と、該二
次電子収集手段によって収集された二次電子を検出する
ための二次電子検出器を備えた装置に４３いて、前記二
次電子収集手段が形成する電場によって前記電子ビーム
の電子が受ける力を打ち消す方向に電子ビームの電子に
対して力を与える磁場を形成する補正用の偏向磁場発生
手段を設けたことを特徴とする走査電子顕微鏡。 （２）前記補正用の偏向磁場発生手段の励磁強度を前記
加速電圧Ｖａの切り換えに連動して制御するように構成
した特許請求の範囲第１項記載の走杏＠竿ＩＩＭ満焙− （３）前記補正用の偏向磁場発生手段として、二次電子
通過用の窓及び該窓と軸対称の位置に同形状の窓を有す
る強磁性体から成るヨーク及びその上に巻回されたコイ
ルより成る特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の走査
電子顕微鏡。 （４）前記二次電子収集手段として光軸に関し略対称に
配置された一Ｖ／２の電圧が印加される金属平板状電極
及び＋Ｖ／２の電圧が印加される金属メツシュ状電極を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載乃至
第３項記載の走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021979A JPS60167247A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021979A JPS60167247A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167247A true JPS60167247A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12070137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021979A Pending JPS60167247A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007285512A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-11-01 | Aichi Mach Ind Co Ltd | 自動シフト式変速機 |
| JP2008208872A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Ikeya Formula Kk | 変速操作装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411275A (en) * | 1977-03-22 | 1979-01-27 | Alfa Laval Ab | Recovery of meat material and fat from animal material |
| JPS54111275A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-31 | Jeol Ltd | Electron microscope |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021979A patent/JPS60167247A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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