JPS60170708A - 表面粗さ計測装置 - Google Patents
表面粗さ計測装置Info
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- JPS60170708A JPS60170708A JP2678584A JP2678584A JPS60170708A JP S60170708 A JPS60170708 A JP S60170708A JP 2678584 A JP2678584 A JP 2678584A JP 2678584 A JP2678584 A JP 2678584A JP S60170708 A JPS60170708 A JP S60170708A
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- JP
- Japan
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- light
- optical fiber
- data
- detection surface
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
この発明は、レーザによるコヒーレント光を被測定体く
粗面物体)の表面に照則し、その拡散反則光により生ず
るスペックル・パターンにJ、って表面の粗さを81測
する装置に関する。
粗面物体)の表面に照則し、その拡散反則光により生ず
るスペックル・パターンにJ、って表面の粗さを81測
する装置に関する。
(光明の背銀)
この種の表面第1]さ副側装置の1ll11定原理は従
来から良く知られてJ3す、例えば特U0昭51−12
4454号公報に詳細に記述されている。
来から良く知られてJ3す、例えば特U0昭51−12
4454号公報に詳細に記述されている。
しかし、具体化された従来のこの種の表面粗さ打1測装
置は、コヒーレント光の光源としてガスレーデを用い、
スペックル・パターンの強度分布(コントラスト)を測
定づるための光電検出器として光電子増信管を用いてい
る。この装置では、ガスレー量アを用いていることかI
う非常に大型となり、各種の表面加工現場で使用できる
ようなものとはなっていない。また、光電子増倍管でス
ペックル・パターンの強度分布を測定するには、どうし
ても機械的な走査機構が必要であり、この点で装置が大
型化すること、機械的走査では高速の計測が行なえない
などの問題があった。
置は、コヒーレント光の光源としてガスレーデを用い、
スペックル・パターンの強度分布(コントラスト)を測
定づるための光電検出器として光電子増信管を用いてい
る。この装置では、ガスレー量アを用いていることかI
う非常に大型となり、各種の表面加工現場で使用できる
ようなものとはなっていない。また、光電子増倍管でス
ペックル・パターンの強度分布を測定するには、どうし
ても機械的な走査機構が必要であり、この点で装置が大
型化すること、機械的走査では高速の計測が行なえない
などの問題があった。
そこぐ、本出願人は、この問題を解決した表面粗ざ4測
装置を先に出願した(特願昭58−71854号、未公
開)。この表面粗さ計測装置は、コヒーレント光の光源
として半導体レーザを用い、スペックルパターンの強度
分布を測定づるための光電変換器としてCOD、BBD
等からなる自己走査型撮像素子を用いたもので、機械的
走査機構を持たず小形化でき、しかも高感度、高精度で
低価格な装置としたものである。
装置を先に出願した(特願昭58−71854号、未公
開)。この表面粗さ計測装置は、コヒーレント光の光源
として半導体レーザを用い、スペックルパターンの強度
分布を測定づるための光電変換器としてCOD、BBD
等からなる自己走査型撮像素子を用いたもので、機械的
走査機構を持たず小形化でき、しかも高感度、高精度で
低価格な装置としたものである。
ところが、本出願人に係るこの表面粗さ計測装置にあっ
ては、被測定体表面からの拡散反射光を光学系を介して
自己走査型固体撮像素子に導くようにしているので、次
のような問題が知見された。
ては、被測定体表面からの拡散反射光を光学系を介して
自己走査型固体撮像素子に導くようにしているので、次
のような問題が知見された。
まり゛、第1には被測定体表面と自己走査型固体撮像素
子間には一定の空間距離が必要であるが、この空間距離
が長い場合には、固体搬像素子の中央部分と両端部分と
では受光強電に差異を生じ、これが固体RIgI N子
の出力中に低周波ノイズどしてあら4つれ、測定誤5差
を生ずる原因となる。
子間には一定の空間距離が必要であるが、この空間距離
が長い場合には、固体搬像素子の中央部分と両端部分と
では受光強電に差異を生じ、これが固体RIgI N子
の出力中に低周波ノイズどしてあら4つれ、測定誤5差
を生ずる原因となる。
第2に、被測定体の周囲環境によっては本装置の使用が
できなくなるということである。例えば、被測定体の周
囲スペースが狭い場合、また被測定1本が水や潤)け油
等の液中にある場合、あるいは被測定体がシリングの内
面等である場合、目測が回動ないしは不可能になる。
できなくなるということである。例えば、被測定体の周
囲スペースが狭い場合、また被測定1本が水や潤)け油
等の液中にある場合、あるいは被測定体がシリングの内
面等である場合、目測が回動ないしは不可能になる。
第3に、自己走査型固体撮像素子の駆動回路が複雑であ
ること、J3よび光学系を右づることが小形化の目的に
そぐわないということである。
ること、J3よび光学系を右づることが小形化の目的に
そぐわないということである。
(発明の目的)
この発明は、装置の一層の小形化を図るとともに、被測
定体が遠方にある場合でも高1i度な露1測を可能どし
、かつ被測定体の周囲スペースが狭い場合、また被測定
体が水や潤滑油等の液中にある場合、あるいは被測定体
がシリンダの内面等である場合でも、容易に表面粗さを
計測づることができるJζうにづることを目的とづる。
定体が遠方にある場合でも高1i度な露1測を可能どし
、かつ被測定体の周囲スペースが狭い場合、また被測定
体が水や潤滑油等の液中にある場合、あるいは被測定体
がシリンダの内面等である場合でも、容易に表面粗さを
計測づることができるJζうにづることを目的とづる。
(発明の(笥1戊と効果)
上記目的をa成づるために、この発明の表面粗さh1測
装置は、光源となる半導体レーザ素子と、その入射端部
が前記半導体レーザ素子に光結合され、かつその出口・
j端部が被検出面に近接してこれど対向配置された投光
用光ファイバど、その入射端部が前記投光用光ファイバ
の出射端部近傍に、かつ被検出向と近接して対向配置さ
れた1または2以上の受光用光ファイバと、前記受光用
光ファイバの出用端部に設()られた受光素子と、前記
被検出面が113位距N1移動するたびに前記受光素子
の光電変J条出力伯をディジタル信号に変換づるΔ/D
変換手段と、1)u記Δ/D変換手段の出ツノを受けて
、前記被検出面の単位面積からの拡散反射光により生り
”るスペックルパターンのコントラストをめる演算手段
と、スペックルパターンのコン1−ラストデータと表面
粗さデータの対応関係が記憶されたア゛−タデ−プルと
、前記デ゛−タブーノ゛ルの内容に基づき、前記演算手
段でめられたコン1−ラストデータから前記被検出面の
相ざをめる手段とを備え!、:ことを特徴と覆る。
装置は、光源となる半導体レーザ素子と、その入射端部
が前記半導体レーザ素子に光結合され、かつその出口・
j端部が被検出面に近接してこれど対向配置された投光
用光ファイバど、その入射端部が前記投光用光ファイバ
の出射端部近傍に、かつ被検出向と近接して対向配置さ
れた1または2以上の受光用光ファイバと、前記受光用
光ファイバの出用端部に設()られた受光素子と、前記
被検出面が113位距N1移動するたびに前記受光素子
の光電変J条出力伯をディジタル信号に変換づるΔ/D
変換手段と、1)u記Δ/D変換手段の出ツノを受けて
、前記被検出面の単位面積からの拡散反射光により生り
”るスペックルパターンのコントラストをめる演算手段
と、スペックルパターンのコン1−ラストデータと表面
粗さデータの対応関係が記憶されたア゛−タデ−プルと
、前記デ゛−タブーノ゛ルの内容に基づき、前記演算手
段でめられたコン1−ラストデータから前記被検出面の
相ざをめる手段とを備え!、:ことを特徴と覆る。
この構成によれば、半導体レーザおまひ受光素子はとも
に極めて小形で安価であり、かつ受光素子は複層1な駆
動回路を要しないのC1本出願人が先に提案した表面粗
さ61測装置よりも、さらに小形化を図ることができる
。
に極めて小形で安価であり、かつ受光素子は複層1な駆
動回路を要しないのC1本出願人が先に提案した表面粗
さ61測装置よりも、さらに小形化を図ることができる
。
また、投光用光ファイバの出用端部J5よび受光用光フ
ァイバの入用端部を被検出面に近接して対向配置するよ
うにしたので、被検出面にはスボッl〜状のレーザ光が
照射され、拡散反0・1光は光学系を介さり゛に直ちに
受光用光ファイバに入用する。
ァイバの入用端部を被検出面に近接して対向配置するよ
うにしたので、被検出面にはスボッl〜状のレーザ光が
照射され、拡散反0・1光は光学系を介さり゛に直ちに
受光用光ファイバに入用する。
従って、受光素子では、拡散反則光の中心ど外周部とで
光路差による受光強度の差は極めて少なくなる。
光路差による受光強度の差は極めて少なくなる。
また、光ファイバを用いて投射光・反射光をガイドづる
ようにしlcので、本装置は、検出面と受光素子間の空
間距離に無関係に高精度な計測が可能となり、設置場所
は任意に設定でき、被検出面が遠方にある場合あるいは
計測スペースが狭い場合などでし簡単に所定のh1測が
できるものである。
ようにしlcので、本装置は、検出面と受光素子間の空
間距離に無関係に高精度な計測が可能となり、設置場所
は任意に設定でき、被検出面が遠方にある場合あるいは
計測スペースが狭い場合などでし簡単に所定のh1測が
できるものである。
また、被検出面が水や潤滑油等の液中にある場合でも、
あるいは被検出面がシリンダの内面等である場合でし、
容易に表面粗さをg1測(ることがでさる。
あるいは被検出面がシリンダの内面等である場合でし、
容易に表面粗さをg1測(ることがでさる。
さらに、移動づる被測定体表面を計測の対象どしたので
、金属加工現場や塗装なとの各種表面処理の現場に33
いて、インプロレスd1・測あるいはオンライン81測
を行4にうことが可能となる。
、金属加工現場や塗装なとの各種表面処理の現場に33
いて、インプロレスd1・測あるいはオンライン81測
を行4にうことが可能となる。
(実施例の説1!l」>
第1図はこの発明の一実施例に係る表面組さt1測装置
の全体的な構成を示している。この装置では、コヒーレ
ント光の光源としてレーザダイオード1が用いられる。
の全体的な構成を示している。この装置では、コヒーレ
ント光の光源としてレーザダイオード1が用いられる。
レーザダイオード1は、温度条件を一定にして安定なレ
ーザ発振を行なわせるための記瓜制御ブロック2に実装
されている。
ーザ発振を行なわせるための記瓜制御ブロック2に実装
されている。
温度制御ブロック2には温度調節回路3によって吸発熱
が制御されるペルヂJ[素子が段【)られてJ3す、温
度レンサ4で検出されるレーザダイオード1の周囲温度
を一定に保つように制ti11が加えられる。また、レ
ーザタイオード1の発光強度を安定化さけるために、自
動パワー制御alI(△PC)回路5が設(プられてい
る。これらにより、レーザクイオード1からは安定した
波長、強度のレーリ゛光が発生づる。
が制御されるペルヂJ[素子が段【)られてJ3す、温
度レンサ4で検出されるレーザダイオード1の周囲温度
を一定に保つように制ti11が加えられる。また、レ
ーザタイオード1の発光強度を安定化さけるために、自
動パワー制御alI(△PC)回路5が設(プられてい
る。これらにより、レーザクイオード1からは安定した
波長、強度のレーリ゛光が発生づる。
光ファイバ6は、その入射端部がレーリ゛ダイA−l”
lに光結合づるようになされ、その出射端部が被測定体
7の表面に近接し−にれと対向配置されている。また、
光ファイバ8は、その入射端部か前記光ファイバ6の出
射端部近傍c′、かつ被1111j定休7の表面と近接
して対向配置され、その出0=1端部は受光索子11の
受光面に対向配置されている。モして、光フフイバ6の
出射端部と光)I・イバ8の入射端部とは適宜な手段に
よって固定されてa5す、これに対して被測定休7が例
えば紙面に垂直な方向に移動するようになっている。
lに光結合づるようになされ、その出射端部が被測定体
7の表面に近接し−にれと対向配置されている。また、
光ファイバ8は、その入射端部か前記光ファイバ6の出
射端部近傍c′、かつ被1111j定休7の表面と近接
して対向配置され、その出0=1端部は受光索子11の
受光面に対向配置されている。モして、光フフイバ6の
出射端部と光)I・イバ8の入射端部とは適宜な手段に
よって固定されてa5す、これに対して被測定休7が例
えば紙面に垂直な方向に移動するようになっている。
これらにより、レーザダイオード1からのコヒーレント
光は、光ファイバ6を介して被測定体7の表面にスポッ
ト状に原則される。被測定体7の表面か−ら生じた拡散
反射光はスペックルパターンを形成し、その一部が光フ
ァイバ8を介して受光索子11の受光面に入射される。
光は、光ファイバ6を介して被測定体7の表面にスポッ
ト状に原則される。被測定体7の表面か−ら生じた拡散
反射光はスペックルパターンを形成し、その一部が光フ
ァイバ8を介して受光索子11の受光面に入射される。
被測定体7は移動体であるから、受光素子11に入射さ
れるスペックルパターンは時々刻々変化したものになる
。
れるスペックルパターンは時々刻々変化したものになる
。
この受光素子は、例えばビンフAトダイA−ドやノ7バ
ランシ」ノΔ]−ダイオード等からなる。
ランシ」ノΔ]−ダイオード等からなる。
受光素7−11の出力アナログ信号はナンブルホールド
回路(S/ト1)12に入力される。このS、/ l−
112は、CPU14によって単位時間間隔で定期的に
起動されるサンプルパルス発生回路16から9一定11
.5間毎のリンプルパルスを受【ノで、受光索子11の
出ツノアナログ信号を標本化し、各標本値出力をΔ/1
〕変操器(ADC)13に入ツノする。つまり、S/l
−112の各標本値出ツノは、受光索子11が受光した
スペックルパターンの各画素の受光強度に対応したもの
であり、各標本値はAD C13において例えば8ビツ
トあるいは14ビツトのディジタル信号に変換される。
回路(S/ト1)12に入力される。このS、/ l−
112は、CPU14によって単位時間間隔で定期的に
起動されるサンプルパルス発生回路16から9一定11
.5間毎のリンプルパルスを受【ノで、受光索子11の
出ツノアナログ信号を標本化し、各標本値出力をΔ/1
〕変操器(ADC)13に入ツノする。つまり、S/l
−112の各標本値出ツノは、受光索子11が受光した
スペックルパターンの各画素の受光強度に対応したもの
であり、各標本値はAD C13において例えば8ビツ
トあるいは14ビツトのディジタル信号に変換される。
次いで、中火処理装置(CPU)14は、単位時間毎に
、その時間内の前記各リンプルパルスに同期して、AD
C13の化ツノをI10ポー1〜15をグトシて取込
み、こねをRAM18の例えば2にバイ1−の所定]−
リアに格納覆る。つまり、RAM18には、被測定体7
表面のlli位面積からの拡散反制先により生じたスペ
ックルパターンを含lυだ光強瓜分4iが、8ヒツトあ
るいは14ピツ1〜で構成される画素中位に格納された
ことになる。このRA M 18には、スペックルパタ
ーンの=lン1〜ラストデータ(強度分布データ)と表
面粗さの対応を示づデータチーフルが予め作成されてい
る。
、その時間内の前記各リンプルパルスに同期して、AD
C13の化ツノをI10ポー1〜15をグトシて取込
み、こねをRAM18の例えば2にバイ1−の所定]−
リアに格納覆る。つまり、RAM18には、被測定体7
表面のlli位面積からの拡散反制先により生じたスペ
ックルパターンを含lυだ光強瓜分4iが、8ヒツトあ
るいは14ピツ1〜で構成される画素中位に格納された
ことになる。このRA M 18には、スペックルパタ
ーンの=lン1〜ラストデータ(強度分布データ)と表
面粗さの対応を示づデータチーフルが予め作成されてい
る。
このCPU14は、マイクロプロレゾ1ノからなり、R
OM17のプログラムに規定された制御アルゴリズムお
にび演算処理アルゴリズムに従って動作し、まず△DC
13から単位時間内相取込みRAM18に格納した光強
度データに基づいてその=1ントラスト(強度分布)を
算出し、次いでこの算出したコントラストデータと前記
データテーブルに基づいて表面粗さデータをめる。これ
が表示器19に表示され、またプロッター20に記録さ
れる。
OM17のプログラムに規定された制御アルゴリズムお
にび演算処理アルゴリズムに従って動作し、まず△DC
13から単位時間内相取込みRAM18に格納した光強
度データに基づいてその=1ントラスト(強度分布)を
算出し、次いでこの算出したコントラストデータと前記
データテーブルに基づいて表面粗さデータをめる。これ
が表示器19に表示され、またプロッター20に記録さ
れる。
第2図はC’PU14による表面粗さの演算処理の内容
を詳州に示している。以下、同図に従って表面粗さの演
算過程を順番に説明する。
を詳州に示している。以下、同図に従って表面粗さの演
算過程を順番に説明する。
CI)lJ14は、単位時間内の各サンプルタイミング
に同JIIJ して、△DC13の出力データをI10
ボー1−15を介して取込み(ステップ100)、RA
M18にヒストグラムの形で一時記憶する(ステップ1
01)。
に同JIIJ して、△DC13の出力データをI10
ボー1−15を介して取込み(ステップ100)、RA
M18にヒストグラムの形で一時記憶する(ステップ1
01)。
次に、RAM18に記憶したデータに基づいて、各丈ン
ブルタイミング毎の受光強度■のアンリンプル平均値<
l >を計算する。このアンリンプル平均値′:I〉
は統81的な集合平均である(ステップ102)。
ブルタイミング毎の受光強度■のアンリンプル平均値<
l >を計算する。このアンリンプル平均値′:I〉
は統81的な集合平均である(ステップ102)。
次に、J−記強度Iの二乗平均値〈I2〉を訓練づる(
ステップ103)。次に、上記くI〉および〈12〉に
基づいて、強度Iの標準偏差σをS1nづる(ステップ
104〉。次に、]−記<1>ど標準偏差σに鎮づいて
、コントラス1へC〜σ7/<I>を計算する(ステッ
プ105〉。
ステップ103)。次に、上記くI〉および〈12〉に
基づいて、強度Iの標準偏差σをS1nづる(ステップ
104〉。次に、]−記<1>ど標準偏差σに鎮づいて
、コントラス1へC〜σ7/<I>を計算する(ステッ
プ105〉。
上記のようにして、中位時間分の受光強度データについ
て=1ントラストC@ it 粋する。その112、ス
テップ106で示しているように、予め設定した複数回
nについて上記と同じ処理・it nを行ない、その結
果得られたコントラストCの平均14tIをめる。そし
て、1:回分の平均二1ントラストCが計詐されたなら
ば、そのCに基づい−rRΔM18に設定されている上
記データデープルを引さ、−tのCに対応する表面粗さ
ア゛−タRをめる(ステップ107)。
て=1ントラストC@ it 粋する。その112、ス
テップ106で示しているように、予め設定した複数回
nについて上記と同じ処理・it nを行ない、その結
果得られたコントラストCの平均14tIをめる。そし
て、1:回分の平均二1ントラストCが計詐されたなら
ば、そのCに基づい−rRΔM18に設定されている上
記データデープルを引さ、−tのCに対応する表面粗さ
ア゛−タRをめる(ステップ107)。
なお、上記実施例Cは、被測定休7として平面的な移動
体を用いたが、例えば第3図に示づように、回転体であ
っても良いことは言うまでもない。
体を用いたが、例えば第3図に示づように、回転体であ
っても良いことは言うまでもない。
また、上記実施例では、投光用a5よび受光用を一本の
光ファイバでそれぞれ構成したが、例えば第4図および
第5図に示すように構成づ−ることらできる。第4図は
、いわゆるバンドルファイバ41を用い、このバンドル
ファイバ41の中央の1木の光フシ・イバ6を投光用に
、その外周にある複数の光フッ・イハ8a 、8b 、
8c・・・を受光用に使用しlこ例を示している。受光
用光ファイバ8a。
光ファイバでそれぞれ構成したが、例えば第4図および
第5図に示すように構成づ−ることらできる。第4図は
、いわゆるバンドルファイバ41を用い、このバンドル
ファイバ41の中央の1木の光フシ・イバ6を投光用に
、その外周にある複数の光フッ・イハ8a 、8b 、
8c・・・を受光用に使用しlこ例を示している。受光
用光ファイバ8a。
ε3b、ε3(ン・・・を伝搬してきた光は、それぞれ
の受光素子11a、’Ilb、11c・・・によって光
電変換され、ンルブブレクザ31を介しでS/l−11
2に選択出力される。
の受光素子11a、’Ilb、11c・・・によって光
電変換され、ンルブブレクザ31を介しでS/l−11
2に選択出力される。
また、第5図Cは複数の光ファイバを線状に配設した光
ファイバ束51を用い、その中央にある1本の光フッ・
イバを投光用に、両側にある複数の光ファイバを是光用
に使った場合を示している。
ファイバ束51を用い、その中央にある1本の光フッ・
イバを投光用に、両側にある複数の光ファイバを是光用
に使った場合を示している。
そして、以後の回路構成は第4図の瘍白とIi’i1様
に構成する。
に構成する。
このような4M成どした場合、次のJ、うな新たな効果
が+qられる。まず、受光面積か大きいので、単位n6
間当りの計測面積が大きくなる。第2に、スペックルパ
ターンの強度分布を知るのに、被検出体7の移動速度に
同期づる必要がないの(、より高速なI1測ができる。
が+qられる。まず、受光面積か大きいので、単位n6
間当りの計測面積が大きくなる。第2に、スペックルパ
ターンの強度分布を知るのに、被検出体7の移動速度に
同期づる必要がないの(、より高速なI1測ができる。
第3に、各受光用光ファイバ3a、81+、8c、・・
・に入用するスペックルパターン相17め相関がないの
で、複数点での光強瓜を同時に測定することができ、測
定11.’1間内に111られるデータがθ富どなり、
より^精度な4測ができることになる。
・に入用するスペックルパターン相17め相関がないの
で、複数点での光強瓜を同時に測定することができ、測
定11.’1間内に111られるデータがθ富どなり、
より^精度な4測ができることになる。
次に、′i:A6図は、第4図J3よび第5図に示した
ように、ハンドルファイバ/11A′″J光〕7フイバ
束5′1を用い!、:場合の他の実施例を示J0この実
施例では、各受光素子11a、111+、11c・・・
石にS/II 12a 、 121+ 、 12c 、
−・・を設りるどとち に 、 各 S/l−112
a 、 1 21+ 、 1 2c −1f1l、:
△1つ C13a 、 13b 、 13c 、 ・−
・ を EQc) 、各 △ 1〕0毎の0何の軽減を
図り、より高速化を図るJζうにしたもの(ある。
ように、ハンドルファイバ/11A′″J光〕7フイバ
束5′1を用い!、:場合の他の実施例を示J0この実
施例では、各受光素子11a、111+、11c・・・
石にS/II 12a 、 121+ 、 12c 、
−・・を設りるどとち に 、 各 S/l−112
a 、 1 21+ 、 1 2c −1f1l、:
△1つ C13a 、 13b 、 13c 、 ・−
・ を EQc) 、各 △ 1〕0毎の0何の軽減を
図り、より高速化を図るJζうにしたもの(ある。
なお、上記各実施例にI5いて、第1実施例(・は投光
用光ツノ・イハ6の田川端部と受光用光ファイバ8の入
Q」端部を接触さげて略一体となるようにし、また第2
.第3実施例(はバンドルファイバ41や光ファイバ束
51として投光用光ファイバと受光用光)戸イバとが一
体どなるような場合を示したが、この発明はこれに限定
されるものではすく、投光用光フフフイバと受光用光フ
ァイバとを適宜距離離間させるようにしても良い。つま
り、被測定体面に斜めに投光し、斜めh向から受光する
のである。また、投光用光ファイバの出り’I eN部
にレルフAツクレンズ等を設り被測定体への照射光を調
節し、受光用光ファイバの入用端部に廿ルノAツクレン
ズ等を段【ノて受光状態を調節するようにしても良いこ
とは勿論である。
用光ツノ・イハ6の田川端部と受光用光ファイバ8の入
Q」端部を接触さげて略一体となるようにし、また第2
.第3実施例(はバンドルファイバ41や光ファイバ束
51として投光用光ファイバと受光用光)戸イバとが一
体どなるような場合を示したが、この発明はこれに限定
されるものではすく、投光用光フフフイバと受光用光フ
ァイバとを適宜距離離間させるようにしても良い。つま
り、被測定体面に斜めに投光し、斜めh向から受光する
のである。また、投光用光ファイバの出り’I eN部
にレルフAツクレンズ等を設り被測定体への照射光を調
節し、受光用光ファイバの入用端部に廿ルノAツクレン
ズ等を段【ノて受光状態を調節するようにしても良いこ
とは勿論である。
4、 図面のI!!I ’lI′/、T説明第1図はこ
の発明の一実施例に係る表面粗さ計測1.、)全体4i
4成4イ0、第、□ui1[kL:イ。
の発明の一実施例に係る表面粗さ計測1.、)全体4i
4成4イ0、第、□ui1[kL:イ。
番)るC1)U1/Iによって行なわれる表面粗さをめ
るための演粋処理の手順を示すフローチャー1−1第3
図は移動体からなる被測定体7の他の例を示す概略斜視
図、第4図はこの発明の第2実施例の要部を示づ概略図
、第5図はこの発明の第3実施例の要部を示ず概略図、
第6図は上記第2.第3実施例に対づる他の実施態様を
示す゛概略回路図である。
るための演粋処理の手順を示すフローチャー1−1第3
図は移動体からなる被測定体7の他の例を示す概略斜視
図、第4図はこの発明の第2実施例の要部を示づ概略図
、第5図はこの発明の第3実施例の要部を示ず概略図、
第6図は上記第2.第3実施例に対づる他の実施態様を
示す゛概略回路図である。
1・・・レーザダイオード
2・・・温度ルリ御ブロック
6・・・投光用光ファイバ
7・・・被測定体
8 (8a 、 8b 、 8c 、 )−受光用光フ
ァイバ11・・・受光素子 12・・・リンプルホールド回路 1/l・・・中央処理装置 1G・・・リンプルパルス発生回路 1ε3・・・データーノー−ゾルを含/υだRA M1
!16′1出願人 立石電機株式会社 第1図 第 12 3 回路 一″ 寸′ 日ヌ行 第3図 第5図
ァイバ11・・・受光素子 12・・・リンプルホールド回路 1/l・・・中央処理装置 1G・・・リンプルパルス発生回路 1ε3・・・データーノー−ゾルを含/υだRA M1
!16′1出願人 立石電機株式会社 第1図 第 12 3 回路 一″ 寸′ 日ヌ行 第3図 第5図
Claims (1)
- (1)光源どなる半導体レーザ素子と;その人01 り
M1部が前記半導体レーザ素子に光結合され、かつその
出射端部が被検出面に近接してこれと対向配置された投
光用光ファイバと;その入射端部が前記投光用光ファイ
バの出射端部近傍に、かつ被検出面と近接して対向配置
された1または2以上の受光用光ファイバと:前記受光
用光ファイバの出射端部に設(ジられた受光素子と; 前記被検出面が単位距離移動するたびに、前記受光素子
の光電変換出力値をディジタル信号に変換する△/1〕
変換手段と; 前記A/D変換手段の出力を受けて、前記被検出面の1
11位面積からの拡散反射光により生ずるスペックルパ
ータンのコントラストをめる演算手段と; スペックルパターンのコントラストデータと表面粗さデ
ータの対応関係が記憶されたデータテーブルと; 前記テ゛−タデ−プルの内容に基づき、前記演算手段で
められたコントラストデータから前記被検出面の租きを
める手段とを備えてなる表面粗さ計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2678584A JPS60170708A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 表面粗さ計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2678584A JPS60170708A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 表面粗さ計測装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170708A true JPS60170708A (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=12202968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2678584A Pending JPS60170708A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 表面粗さ計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170708A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250305A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Sunstar Giken Kk | 塗布膜検査装置 |
| JPS62282207A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Sunstar Giken Kk | 塗布膜検査装置 |
| JPS62282208A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Sunstar Giken Kk | 塗布膜検査装置 |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP2678584A patent/JPS60170708A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250305A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Sunstar Giken Kk | 塗布膜検査装置 |
| JPS62282207A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Sunstar Giken Kk | 塗布膜検査装置 |
| JPS62282208A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Sunstar Giken Kk | 塗布膜検査装置 |
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