JPS6017717A - 半導体光変調素子 - Google Patents
半導体光変調素子Info
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- JPS6017717A JPS6017717A JP58125471A JP12547183A JPS6017717A JP S6017717 A JPS6017717 A JP S6017717A JP 58125471 A JP58125471 A JP 58125471A JP 12547183 A JP12547183 A JP 12547183A JP S6017717 A JPS6017717 A JP S6017717A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/0152—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index using free carrier effects, e.g. plasma effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は光変調素子に係シ、特には消光比が充分に取れ
る製作が容易な半導体光変調素子に関するものである。
る製作が容易な半導体光変調素子に関するものである。
（背景技術）
光フアイバ通信の発光源として半導体レーザが実用化さ
れつつある。半導体レーザの利点としては、小型、高信
頼度などの特徴とともに、直接変調が可能であることが
あげられる。すなわち、注入電流を変調すればそれに応
じた光出力が直接得られる。ところが、この直接変調に
は１つの本質的な欠点がある。すなわち、光を発生する
領域の電子、あるいは正孔といったキャリアが変動する
ため、プラズマ振動効果によシ屈折率も変動し、ひいて
は、発振する光の波長が大きく変動する。
れつつある。半導体レーザの利点としては、小型、高信
頼度などの特徴とともに、直接変調が可能であることが
あげられる。すなわち、注入電流を変調すればそれに応
じた光出力が直接得られる。ところが、この直接変調に
は１つの本質的な欠点がある。すなわち、光を発生する
領域の電子、あるいは正孔といったキャリアが変動する
ため、プラズマ振動効果によシ屈折率も変動し、ひいて
は、発振する光の波長が大きく変動する。
従って、直接変調された半導体レーザのスペクトル幅は
１、変調信号の帯域に比べて異常に大きなものとなる。
１、変調信号の帯域に比べて異常に大きなものとなる。
このように過剰なスペクトル幅は光フアイバ伝送におい
て信号劣化の要因となシ、性能を著しく低下させる。従
って、このような不都合を解消するには、半導体レーザ
の出力は一定でかつスペクトル幅を非常に狭く保って変
調する必要があシ、そのためには別の光変調素子を用い
て行う必要がある。
て信号劣化の要因となシ、性能を著しく低下させる。従
って、このような不都合を解消するには、半導体レーザ
の出力は一定でかつスペクトル幅を非常に狭く保って変
調する必要があシ、そのためには別の光変調素子を用い
て行う必要がある。
従来の代表的な光変調素子としては、第１図の方向性結
合形、第２図のマツハツエンダ−干渉計形などがある。
合形、第２図のマツハツエンダ−干渉計形などがある。
第１図と第２図はいずれも平面図を示しており、１およ
び２の光導波路をＺ、ｉｓｂ ｏ ３等の結晶上に製作
し、電極３，４を設け、変調信号５で入力光を制御して
出力光を得るものである。
び２の光導波路をＺ、ｉｓｂ ｏ ３等の結晶上に製作
し、電極３，４を設け、変調信号５で入力光を制御して
出力光を得るものである。
これらの光変調器の改良形やその他の例もいくつかある
が、はとんどが電気光学効果すなわち、制御電界による
ｒＡｙｂｏ、結晶又は光導波路２の屈折率の微小変化を
利用して、伝搬する光の位相あるいは２つの導波路間の
光結合などを制御している。
が、はとんどが電気光学効果すなわち、制御電界による
ｒＡｙｂｏ、結晶又は光導波路２の屈折率の微小変化を
利用して、伝搬する光の位相あるいは２つの導波路間の
光結合などを制御している。
しかし、電気光学効果による屈折率の変化は非常に小さ
いため、このようなタイプの光変調素子は素子長が数ｎ
ｕｎから数ｍと長くなる欠点がある。また、第１図およ
び第２図に見られるように、２つの導波路］、２を用い
るタイプでは、２つの導波路がほぼ完全に同一であるこ
とが要求され、かつ導波路の断面と長さとの関係が厳し
く制限されるため、製作が非常に困難であった。
いため、このようなタイプの光変調素子は素子長が数ｎ
ｕｎから数ｍと長くなる欠点がある。また、第１図およ
び第２図に見られるように、２つの導波路］、２を用い
るタイプでは、２つの導波路がほぼ完全に同一であるこ
とが要求され、かつ導波路の断面と長さとの関係が厳し
く制限されるため、製作が非常に困難であった。
（発明の課題）
本発明はこのような従来の光変調素子の欠点を解決する
ために、変調率や消光比が充分に取れ、製作上の制約も
少なく小型化が可能な光変調素子を提供することを目的
とするものである。以下に図面を用いて本発明の詳細な
説明する。
ために、変調率や消光比が充分に取れ、製作上の制約も
少なく小型化が可能な光変調素子を提供することを目的
とするものである。以下に図面を用いて本発明の詳細な
説明する。
（発明の構成および作用）
第３図（α）は本発明の一実施例を示すもので、半導体
光変調素子を正面から見た場合の断面図を示している。
光変調素子を正面から見た場合の断面図を示している。
以下の説明においては、ＩｎＰ基板とほぼこれに格子整
合の取れたＪｎｌ−、ＧＣＬＯｃＡｓ、、Ｐｌ−、Ｃ以
後、Ｘ。
合の取れたＪｎｌ−、ＧＣＬＯｃＡｓ、、Ｐｌ−、Ｃ以
後、Ｘ。
ｙを省略する）化合物半導体から成る光導波領域を用い
た例について説明する。
た例について説明する。
入力光は破線で囲んだ領域、すなわち光導波領域のＸ軸
方向（半導体の長手方向）に入射される。
方向（半導体の長手方向）に入射される。
６はｎ形ＩｎＰ基板、７はＩ＜（ＬＡ８Ｐ 光導波路層
、８はＰ形１ｎｌ）、９はｎ形Ｉｎｋ（ＬＡＭＰ キャ
ップ層、１０及び１１は電極、１２は亜鉛拡散領域をそ
れぞれ示す。ＩｎＧ（ＬＡ８Ｐ光導波路層７は６及び８
のＩｎＰに比べて屈折率が高いためにＹ軸（縦）方向で
は導波機能、すなわち入力光を光導波路層７に閉じ込め
る機能を有しているが、Ｘ軸（横）方向では同図（ｂ）
の屈折率分布の実線で示すように一定の屈折率であるた
め導波機能を有していない。従って、入力光は徐々に周
囲に放射され、Ｘ軸方向のもう一方の出力端においては
出力光が極めて小さくなる。
、８はＰ形１ｎｌ）、９はｎ形Ｉｎｋ（ＬＡＭＰ キャ
ップ層、１０及び１１は電極、１２は亜鉛拡散領域をそ
れぞれ示す。ＩｎＧ（ＬＡ８Ｐ光導波路層７は６及び８
のＩｎＰに比べて屈折率が高いためにＹ軸（縦）方向で
は導波機能、すなわち入力光を光導波路層７に閉じ込め
る機能を有しているが、Ｘ軸（横）方向では同図（ｂ）
の屈折率分布の実線で示すように一定の屈折率であるた
め導波機能を有していない。従って、入力光は徐々に周
囲に放射され、Ｘ軸方向のもう一方の出力端においては
出力光が極めて小さくなる。
しかし、ここで破線の矢印１３のような変調電流を流す
と、キャリアがＩｆＬＧ（ＬＡ８Ｐ光導波路層７に閉じ
込められてプラズマ振動効果により電流が注入された部
分の屈折率が下がシ、屈折率分布が破線のように中央部
が高く周辺が低い導波機能を持ったものとなる。従って
、入力光は減衰をほとんど受けることなく出力端まで導
波することができる。
と、キャリアがＩｆＬＧ（ＬＡ８Ｐ光導波路層７に閉じ
込められてプラズマ振動効果により電流が注入された部
分の屈折率が下がシ、屈折率分布が破線のように中央部
が高く周辺が低い導波機能を持ったものとなる。従って
、入力光は減衰をほとんど受けることなく出力端まで導
波することができる。
このように本実施例は一定値の電力を有する入力光に対
し、亜鉛拡散領域１２を流れる変調電流の有無あるいは
大小でＩｎＧｃＬＡ８Ｐ光導波路層７のＸ軸方向の屈折
率が変わることを利用し、半導体の導波機能を変化させ
ることによって、出力端における出力光の大きさを変化
させることを特徴とする光変調素子である。
し、亜鉛拡散領域１２を流れる変調電流の有無あるいは
大小でＩｎＧｃＬＡ８Ｐ光導波路層７のＸ軸方向の屈折
率が変わることを利用し、半導体の導波機能を変化させ
ることによって、出力端における出力光の大きさを変化
させることを特徴とする光変調素子である。
第４図（α）は第３図（α）において電流注入を行わな
い場合の入力光の放射効果をさらに上げることによって
変調率や消光比の改善を行った本発明の実施例である。
い場合の入力光の放射効果をさらに上げることによって
変調率や消光比の改善を行った本発明の実施例である。
すなわち、第３図（α）の電極を１０．１０’。
１０“０３つに分割し、電極１０と１０′とを共通にす
る。まず、電極１０”に電流Ｉ、を流し、他の電極ｉｏ
、ｉｏ’には電流Ｉ２を流さない場合を考えると、第３
図で説明したように電流が流れた光導波路層７部分はキ
ャリアのプラズマ振動効果によシ屈折率分布が第４図（
ｂ）の実線のように小さくなり、入力光は非常に短かい
距離で周囲に放射されてしまう。すなわち、入力光はＸ
軸方向の出力端にはほとんど出力光が現われなくなる。
る。まず、電極１０”に電流Ｉ、を流し、他の電極ｉｏ
、ｉｏ’には電流Ｉ２を流さない場合を考えると、第３
図で説明したように電流が流れた光導波路層７部分はキ
ャリアのプラズマ振動効果によシ屈折率分布が第４図（
ｂ）の実線のように小さくなり、入力光は非常に短かい
距離で周囲に放射されてしまう。すなわち、入力光はＸ
軸方向の出力端にはほとんど出力光が現われなくなる。
逆にＩ、二〇とし、Ｉ、の電流を流した場合は、第４図
（ｂ）の破線のように屈折率分布は中央部が高くなり、
入力光に対して導波機能を有し、はとんど減衰を受ける
ことなく出力端に出力光として取り出すことができる。
（ｂ）の破線のように屈折率分布は中央部が高くなり、
入力光に対して導波機能を有し、はとんど減衰を受ける
ことなく出力端に出力光として取り出すことができる。
このように３つに分割された電極に流す電流の有無によ
って導波機能を変化させ出力端に現われる出力光をまっ
たく無くした９、まだは入力光とほぼ同じ大きさの出力
光も取り出すことが可能となる。
って導波機能を変化させ出力端に現われる出力光をまっ
たく無くした９、まだは入力光とほぼ同じ大きさの出力
光も取り出すことが可能となる。
第５図（ａ）は第４図（ａ）と同等の効果を得るだめに
、Ｉ−ｎａａＡｓｐ導波路層７の中央部の厚さを僅かに
薄くしたものである。すなわち、変調電流１３が無いか
あるいは小さい状態では、第５図（ｂ）の実線のように
屈折率分布が中央部で小さくなり、導波機能を有さない
ので入力光は放射され出力端には現われない。また、逆
に変調電流１３がある大きさ以上になると、破線のよう
に屈折率分布が中央部より周辺部が小さくなシ、導波機
能を有し、入力光は出力端に出力光として取シ出すこと
ができる。
、Ｉ−ｎａａＡｓｐ導波路層７の中央部の厚さを僅かに
薄くしたものである。すなわち、変調電流１３が無いか
あるいは小さい状態では、第５図（ｂ）の実線のように
屈折率分布が中央部で小さくなり、導波機能を有さない
ので入力光は放射され出力端には現われない。また、逆
に変調電流１３がある大きさ以上になると、破線のよう
に屈折率分布が中央部より周辺部が小さくなシ、導波機
能を有し、入力光は出力端に出力光として取シ出すこと
ができる。
以上の説明からも明らかなように、本発明の基本的なｔ
ｌす徴は変調電流の有無あるいは大小によって、光が導
波されるか否かという光の導波機能を変化させて変調を
行う点であシ、従来のような電気光学効果を用いること
なく、また２つの導波路も用いることなく変調できる光
変調素子を提供するものである。
ｌす徴は変調電流の有無あるいは大小によって、光が導
波されるか否かという光の導波機能を変化させて変調を
行う点であシ、従来のような電気光学効果を用いること
なく、また２つの導波路も用いることなく変調できる光
変調素子を提供するものである。
また、以上の説明は光導波領域あるいはその近傍に変調
電流を注入して光の導波機能を変化させて変調を行う実
施例について説明したが、変調電流の代わりに変調光を
用いても同様の効果が得られる。
電流を注入して光の導波機能を変化させて変調を行う実
施例について説明したが、変調電流の代わりに変調光を
用いても同様の効果が得られる。
第６図は変調光を用いて導波機能を変化させ変調する本
発明の他の実施例であり、電極１０をマスクとして変調
用光１４を照射すると、光導波領域の周辺部のキャリア
を励起し、第３図（Ｇ）と同等の効果が得られる。ただ
し、光照射によって変調を行う場合には、照射される光
のエネルギーｈνがＩｎＧ（ＬＡＳＰ光導波路層７の禁
制帯幅Ｅ（７よ）も大きいかまたは小さいかで動作原理
が異ってくる。
発明の他の実施例であり、電極１０をマスクとして変調
用光１４を照射すると、光導波領域の周辺部のキャリア
を励起し、第３図（Ｇ）と同等の効果が得られる。ただ
し、光照射によって変調を行う場合には、照射される光
のエネルギーｈνがＩｎＧ（ＬＡＳＰ光導波路層７の禁
制帯幅Ｅ（７よ）も大きいかまたは小さいかで動作原理
が異ってくる。
もし、光のエネルギーｈ、νがＪｎＧ（ＬＡＳＰ光導波
路層７の禁制帯幅Ｅ、よシも大きい場合は、前述のよう
に光導波路層７内にキャリアを励起するために、電流底
入と同じく、プラズマ振動効果により変調用光が照射さ
れた部分の屈折率が下がり、屈折率分布は中央部が高く
周辺が低い導波機能を持っだものになる。
路層７の禁制帯幅Ｅ、よシも大きい場合は、前述のよう
に光導波路層７内にキャリアを励起するために、電流底
入と同じく、プラズマ振動効果により変調用光が照射さ
れた部分の屈折率が下がり、屈折率分布は中央部が高く
周辺が低い導波機能を持っだものになる。
逆に、光のエネルギーＡνが光導波路層７の禁制帯幅Ｅ
ｇよシも小さい場合には、キャリアは励起されずに非線
形効果に基づいた動作となる。すなわち、物質の屈折率
が照射された光によって僅かに異ってくる効果でちり、
この効果は通常極めて小さく、非線形効果を増大させる
には変調光の強度も大きくする必要がある。
ｇよシも小さい場合には、キャリアは励起されずに非線
形効果に基づいた動作となる。すなわち、物質の屈折率
が照射された光によって僅かに異ってくる効果でちり、
この効果は通常極めて小さく、非線形効果を増大させる
には変調光の強度も大きくする必要がある。
第７図は多層量子井戸構造を用いることによって、非線
形効果を著しく増大させ得る本発明の実施例である。本
図で、１５はＩｎＰとＩｎＧ（ＬＡＳＰとの非常に薄い
層から成る多層量子井戸層、１６はｎ形ＩｎＰ、１７は
ＩｎＧ（ＬＡＳＰから成る発光層である。
形効果を著しく増大させ得る本発明の実施例である。本
図で、１５はＩｎＰとＩｎＧ（ＬＡＳＰとの非常に薄い
層から成る多層量子井戸層、１６はｎ形ＩｎＰ、１７は
ＩｎＧ（ＬＡＳＰから成る発光層である。
そこで、電流１３を注入するとＩｎＧＣＬＡＳＰ層１７
が発光し、その光１４が多層量子井戸層１５に照射さ
れるために多層量子井戸層１５は大きな屈折率変化を生
じる。ここで、多層量子井戸層１５の物質によって定ま
る非線形効果を表わす定数が正の符号にすれば、電流注
入によって多層量子井戸層１５に導波機能が生じ、同じ
く変調が可能となる。
が発光し、その光１４が多層量子井戸層１５に照射さ
れるために多層量子井戸層１５は大きな屈折率変化を生
じる。ここで、多層量子井戸層１５の物質によって定ま
る非線形効果を表わす定数が正の符号にすれば、電流注
入によって多層量子井戸層１５に導波機能が生じ、同じ
く変調が可能となる。
このように本実施例は変調用光を用いても導波機能を変
化させ、出力端に現われる出力光も変える変調が可能で
ある。
化させ、出力端に現われる出力光も変える変調が可能で
ある。
また、今までＩｎＰ基板とほぼ格子整合のとれたＩｎ、
１−ｚ）Ｇａ、Ａ、８．Ｐｌ、から成る光導波領域の例
を用いて説明してきたが、ＩｎＰ基板とほぼ格子整合の
とれたＩｎ （１−ｘ ｙ ） Ａ ｌ ｘ Ｇａ Ｙ
ＡＳまたはＧαＡＳ基板とほぼ格子整合のとれたＡＸｌ
−エＧａ工Ａｓ化合物半導体でも全く同様の光変調素子
ができることは言うまでもない。
１−ｚ）Ｇａ、Ａ、８．Ｐｌ、から成る光導波領域の例
を用いて説明してきたが、ＩｎＰ基板とほぼ格子整合の
とれたＩｎ （１−ｘ ｙ ） Ａ ｌ ｘ Ｇａ Ｙ
ＡＳまたはＧαＡＳ基板とほぼ格子整合のとれたＡＸｌ
−エＧａ工Ａｓ化合物半導体でも全く同様の光変調素子
ができることは言うまでもない。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は電流注入や変調用光を用
いて導波機能を変化させることによって、変調を行う半
導体光変調素子を提供するものであシ、過剰なスペクト
ル幅を含まない変調出力を得られることはもちろんのこ
と、従来のものに比べて変調率や消光比も充分大きく取
れ、かつ素子長も大幅に短かく、製作が容易な光変調素
子である。
いて導波機能を変化させることによって、変調を行う半
導体光変調素子を提供するものであシ、過剰なスペクト
ル幅を含まない変調出力を得られることはもちろんのこ
と、従来のものに比べて変調率や消光比も充分大きく取
れ、かつ素子長も大幅に短かく、製作が容易な光変調素
子である。
従って、半導体レーザと本発明の半導体光変調素子との
モノリシック集積化も容易になシ、かつ変調素子として
重要な要素である消光比も充分大きく取れることから、
高性能光フアイバ通信等への応用ができ、その効果は極
めて大きいものである。
モノリシック集積化も容易になシ、かつ変調素子として
重要な要素である消光比も充分大きく取れることから、
高性能光フアイバ通信等への応用ができ、その効果は極
めて大きいものである。
第１図は従来の方向性結合形光変調器、第２図は従来の
マツハツエンダ−干渉計形光変調器、第３、図（（Ｌ）
及び（ｂ）は本発明の基本的な動作を説明するだめの、
電流注入により光導波機能を変化させて変調する半導体
光変調素子の実施例を示す図、第４図（ＣＬ）及び（ｂ
）及び第５図（α）及び（ｂ）は第３図の変調率や消光
比を改善した半導体光変調素子の本発明の実施例を示す
図、第６図及び第７図は本発明の光照射によ）導波機能
を変化させて変調する他の実施例を示す図である。 １．２・・・光導波路、３，４・・・電極、５・・・変
調信号、 ６・・・ｎ形１ｎＰ基板、７・・・ＩｎＧｃ
ＬＡＳＰ光導波路層、８−Ｐ形Ｉ′ｒＬＰ層、９−−−
ｎ形１ｎＧＣＬＡ８Ｆキャップ層、１０ 、１０’、
１０’、 １１・・・電極、１２・・・亜鉛拡散領域
、１３・・・変調電流、１４・・・変調用光、１５・・
・多層量子井戸構造、１６・・・ｎ形１．ｎＰ層、１７
−１ｎＧａＡＳＰ層。 特許出願人 国際電信電話株式会社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − 第 １ 図 １１２図 １１１ｉ３ 図 （ａ） （ｂ） 第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 （ａ） （ｂ）
マツハツエンダ−干渉計形光変調器、第３、図（（Ｌ）
及び（ｂ）は本発明の基本的な動作を説明するだめの、
電流注入により光導波機能を変化させて変調する半導体
光変調素子の実施例を示す図、第４図（ＣＬ）及び（ｂ
）及び第５図（α）及び（ｂ）は第３図の変調率や消光
比を改善した半導体光変調素子の本発明の実施例を示す
図、第６図及び第７図は本発明の光照射によ）導波機能
を変化させて変調する他の実施例を示す図である。 １．２・・・光導波路、３，４・・・電極、５・・・変
調信号、 ６・・・ｎ形１ｎＰ基板、７・・・ＩｎＧｃ
ＬＡＳＰ光導波路層、８−Ｐ形Ｉ′ｒＬＰ層、９−−−
ｎ形１ｎＧＣＬＡ８Ｆキャップ層、１０ 、１０’、
１０’、 １１・・・電極、１２・・・亜鉛拡散領域
、１３・・・変調電流、１４・・・変調用光、１５・・
・多層量子井戸構造、１６・・・ｎ形１．ｎＰ層、１７
−１ｎＧａＡＳＰ層。 特許出願人 国際電信電話株式会社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − 第 １ 図 １１２図 １１１ｉ３ 図 （ａ） （ｂ） 第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 （ａ） （ｂ）
Claims (3)
- （１）半導体基板上に光導波領域をもうけ、該光導波領
域の導波機能を外部から注入される変調エネルギーによ
シ制御することによシ、光導波領域に導入される入力光
を変調して出力することを特徴とする半導体光変調素子
。 - （２）前記変調エネルギーが光導波領域又はその近傍に
注入される変調電流であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体光変調素子。 - （３）前記変調エネルギーが光導波領域又はその近傍に
照射される変調光であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125471A JPS6017717A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 半導体光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125471A JPS6017717A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 半導体光変調素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23726089A Division JPH0320723A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体光変調素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017717A true JPS6017717A (ja) | 1985-01-29 |
| JPH0437405B2 JPH0437405B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=14910905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125471A Granted JPS6017717A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 半導体光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017717A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61212823A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Nec Corp | 光変調器 |
| JPS61270726A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Nec Corp | 導波型光ゲ−トスイツチ |
| JPS63177109A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Hitachi Ltd | 光素子 |
| JPH01127855U (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-31 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342748A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Photo semiconductor device |
| JPS5497054A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transmission controlling system for optical signals |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP58125471A patent/JPS6017717A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342748A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Photo semiconductor device |
| JPS5497054A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transmission controlling system for optical signals |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61212823A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Nec Corp | 光変調器 |
| JPS61270726A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Nec Corp | 導波型光ゲ−トスイツチ |
| JPS63177109A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Hitachi Ltd | 光素子 |
| JPH01127855U (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-31 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0437405B2 (ja) | 1992-06-19 |
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