JPS60177249A - Ｎｍｒ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

発明の背景 この発明は核磁気共鳴（ＮＭＲ）装置に関する。 更に具体的に云えば、この発明は無線周波（ＲＦ　）コ
イル及び勾配コイルを減結合づる為にＮＭＲ装置に特に
役立つ減結合用遮蔽体に関づる。 一般的にＮＭＲ装置は主磁石を持っており、典型的には
これはソレノイドとして形′成されていて、このソレノ
イドの中には検査するＮＭＲサンプルを受入れる中孔が
形成されている。この磁石は抵抗形又は超導電形の設８
１にする場合が多いが、この磁石を用いて中孔の中の予
定の領域に均質な分極磁界を発生する。この磁界はサン
プル内の原子核を分極して、ＮＭＲ睨象を励振し得る様
にする為に必要である。Ｎ　Ｍ　Ｒ作像、特に生体内の
分光法に必要な磁界は例えば百万分の−を越える高い均
質性を持っていなりればならない。この様な高度の均質
性を達成する為、磁石の中孔の中にシム・コイルと呼ば
れる補助磁界補正コイルを設（）て、必要な補正因子を
加える。円筒形の巻型の上に構成された無線周波コイル
が、中孔の縦軸線と同軸に磁石の中孔の中に配置される
。ＲＦコイルは、検査する勺ンプルを照射して核スピン
をｉｔＪ起する為に使われる。ＲＦ励振が止むと、励起
された原子核がＮＭＲ信号を放ｑ・１し、共鳴状態を励
起りるのに使われたのと同じコイルを用いて、又は励起
コイルに直交づる向さの別個のコイルを用いて、このＮ
　Ｍ　Ｒ（２号を検出づる。更に、ＮＭＲ作像装置では
、中孔の中に３絹の勾配コイルが設けられる。付勢され
た時、勾配コイルは、何れも酋通のデカルト座標系の１
つの１５向に沿っｌ〔、直交する３つの路線形の磁界勾
配を発生づること／Ｊ〜出来る。 これらの勾配を周知の形で利用して、［（「コイルにＪ
、って励起された４１ンブル領域内の核スピンの分イｂ
の空間情報をＮＭＩで信号に符号化づ−る。この情報を
使−〕（、′１つ又は多くのＮＭＲパラメータを表わ４
−　ｉ＊を再りｌニすることが出来る。 Ｎ　Ｍ　Ｒ全身作１ρ；に、使われるＮ　ＩＶＩ　Ｐ磁
石の中孔の空間は、人間の胴体を収容するのに十分なり
８間を設（〕なｔノればならない為に、制限されている
。 従って、ＲＦ　：コイル、勾配コイルｔ）Ｃびに／又は
磁６シム・コイルは互いにごく近接して配置されている
ａ典型的な形では、ＲＦコイルは勾配コイルの中に同軸
に配置される。ＲＦコイルの性能を悪くする慣れのある
いろいろな相互作用が種々のコイルに起り得る。勾配コ
イル又はシム・コイルはＲＦコイルに損失を招（慣れが
ある。こういう損失がＲＦコイルの良さの指数Ｑを下げ
、ぞの結果像の信号対雑音比を低くづる結果になること
かある。信号を平均することによって、信号対雑音比を
改善づることか出来るが、ＮＭＲデータ収集時間が受入
れ難い程長くなるので、これは望ましい解決策ではない
。勾配コイル内のいろいろな巻線が漂遊静電容量によっ
て結合され、ＲＦコイルが付勢された時、この漂遊静電
容量が複数個′の有害な共振を招くことがある。こうい
う１つ又は更に多くの有害な共振かＲＦコイルと相互作
用すると、所望のＲＦ周波数が偏移し、所望の共鳴状態
が減衰することがある。こういう有害な影響は、勾配コ
イルにＲＦコイルを近接さ゛けるにつれて大きくなる。 勾配コイル及びＲＦ−１イルの巻型の間にＲＦに対して
不透明なスクリーンを配ｆｉｌｌることにより、１Ｒト
：〕コイルび勾配コイルの間の相互作用を減少し又はな
くＪことが出来る。］イルを有効に減結合づる為に（ま
、スクリーンはＲＦ滲透厚の数個分なければならない。 ）内当４ｊスクリーンが、ｏ、。 ０４、　ｔｌ＝１の屋さを持つ銅箔叉は銅の網目に繊ｆ
ｆ１ｔの支持層を設（Ｊて（？へ成されｌこ。こういう
スクリーンはＲＦ　］イルと勾配の間のＲＦ相互作用を
口ち壊１のに＋ｊ効ぐあることが判った。こういう遮蔽
体にｒ１′う欠点は、勾配コイルのｌＪ１周波応答が悪
くなることである。ＲＦ遮蔽体の連続的な導電層に誘起
される渦電流により、切換える勾配磁界の立上り時間が
長くなる１゜ 従っＣ１この発明の目的は、コイルの性能を目立って態
化けずに、Ｒ１−コイル及び勾配コイルを有効に減結合
するＲ　Ｉ’＝遮蔽体を提供Ｊることである。 この発明の別の目的は、勾配＝１イルによって発生され
る時間依存性を持つ磁界に９＝Ｊづる低域ろ波器どして
作用りるＲ「遮蔽体を１１Ｎ焦り−ることである。 この発明の別の目的は、均質な磁界及び可聴周波数の勾
配磁界に対して実質的に透明であるが、ＲＦ磁界は１０
失を小さくしてよく反則づる様にしたＲＦｆＪｌ蔽休を
提供体ることである。 発明の要約 ＮＭＲ装置が、均質な磁界を発生する手段、１（Ｆエネ
ルギを発信及び受信号る無線周波（ＲＦ）コイル、及び
可聴周波数でパルス状の線形磁界勾配を発生ずる勾配コ
イルを持っている。ＲＦ］イル及び勾配コイルの間に配
置される減結合用遮蔽体が、比較的幅の狭い非導電領域
によって隔てられた第１の配列及び第２の配列の導電領
域′で４１４成されている。配列は誘電率の大きい月利
で形成された部材の両面に配置されていて、互いにずれ
ていて、一方の配列の導電領域が他方の配列の非導電領
域を架橋して、複数個の容量性素子を形成する様になっ
ている。動作中、容量性素子が無線周波数で実質的に電
気短絡部として作用し、均′ｆ３な磁界並びにパルス状
磁界勾配に関連した可聴周波数を実質的に影響なく透過
させる。 この発明の新規と考えられる特徴は特許請求の範囲に具
体的に記載しであるが、この発明の構成、作用並びにそ
の他の目的及び利点は、以下図面について説明する所か
ら、最もよく理解されよう。 ３、発明の詳細な説明 ａ′１１図は超導電Ｎ　Ｍ　ｆ−＜磁石１０の側面断面
図である。この磁石は縦軸線１４を中心とする円筒形中
孔１２を持つソレノイド（１４造である。磁石が、イ］
勢された時に分極磁界を発生づる一組の主二１イル巻線
１６を右Ｊる。超導電磁石では、主コイルは液体ヘリウ
ム及び窒素の様な適当な冷却剤を入れｌこ低温槽１８の
中に配置され、このコイルに使われる祠オ′々ｌに特有
の超導電温Ｉ良に」イル巻線を保つ。１つ又は更に多く
の組のシム・＝ｌイル２０が、抵抗形であってＩＪ超超
導電形あってもよいが、主コイル巻線に１．−１右の磁
界の非均質性を補正する為に設りられるのが典型的であ
る。勿論、超導電シム・−１イルは低温槽１８内に収容
される。抵抗形であっても超導電形であって乙、シム・
コイルは主コイル巻線に隣接して配置りるのが右利であ
る。 ＲＦコイル集成体２２が勾配コイル集成体２４の内側に
同軸に配置される。ＲＦＪイル集成体及び勾配コイル集
成体の間にＲＦ減結合遮蔽体２６が同軸に配置される。 慰者（図に示してない）の検査しようとりる領域を全イ
ホ的に球形の容積２８と整合さぜる。この容積は、分極
磁界及びＲＦＩ界が均質であって、勾配コイル集成体に
よって発生される勾配磁界が線形である部分である。 次に第２図についてこの発明の１実施例の減結合用ＲＦ
遮蔽体を説明する。この遮蔽体は銅の様な導電材ね０２
枚のシート３２．３４をデフロン合成樹脂重合体又はポ
リエチレン熱可塑性重合体の様な損失の小さい可撓性の
誘電体月１’′８１から成る薄層３６で隔て）構成され
る。この発明の好ましい実施例では、遮蔽体は両側を持
つ銅？ＩＩ！ｆｆｌのテフロン樹脂印刷配線板を用いて
構成される。各々の銅層３２．３４は、第２図に直交線
／ＩＯ，４２で表わす様な互いに直交づる非導電性のづ
き間を（普通の方法を用いて）食刻り−ることにより、
く斜線を施した区域３８で示ず様な）４角又は矩形の導
電区域の配列に分υ１する。銅シート３４上のパターン
く破線で示″！ｌ）は、シート３２上のパターン（実線
で示１）に対し、矩形区域３８の幅の半分だ（）ずれて
いる。配列の各素子３８の１法は、パルス状磁界勾配に
よって誘起される可聴周波数の渦電流の効果を最小限に
抑える位に、十分小さくづ−る。無線周波数では、１枚
のシー１−の食刻線４０．４２によって形成されたづき
間が、誘電体の反対側にある銅シートの連′統的な部分
によって電気的に架橋される。誘電体材料３６の厚さは
非常に小さく、典型的にはＯ，ＯＱ４乃至０゜００８１
１＝Ｊ稈１哀に選んで、銅層の間の静電容量を大きく４
ることが好ましい。この様にして１枚の銅シートの導電
度のづき間が、反対側の導体によって静電容ｆｄ′？−
短絡される。無線周波数では、遮蔽体は１個の連続的な
導体の様に振舞い、ＲＦ磁界に対しで不透明である。磁
界勾配パルスに伴う可聴周波数では、容量結合の影響は
無視しく９る。平坦な印刷配線板を勾配コイル集成体に
はまる様なＸ１法の円筒形の管に成形Ｊることにより、
Ｎ　Ｍ　Ｒ円筒は、シー１〜３２が、円筒形遮蔽体の内
面となる様にする。この目的の為、縁Ａ−Ａをシート３
２の縁Ｂ−８に結合して、半分の寸法の導電区域の間に
導電継目を形成する（例えば４４ａを４４ｂに、４６ａ
を４６ｂに、４．８　ａを４８ｂにと云う様に）。完成
した遮蔽体では、シート３４の縁Ａ−Ａ及びＢ−８は接
続しないま）にして、すき間を形成する。 矩形の格子パターンを示す第２図についてこの発明を説
明したが、容量性素子を構成し得るこの他のパターンが
あることは云うまでもない′。この発明のＲＦｍ蔽体に
使われる別のパターンの１例が、第３図に示されている
。このパターンは第２図について説明したパターンの変
形である。この場合、内側の導電シート（即ら、円筒形
遮蔽体の内面を構成づるシート）を、第３図に実線で示
づ食刻線５４により、５２に示す様な複数個のう９電条
片に分割する。破線５８ａ、５８ｂで示づ様に、タト側
の＞７１電シー１へにパターンを食刻して、条片５５を
形成する。これらの破線は、実線の食刻線５６の手前で
途切れていて、ＲＦＩ！１界の漏れをｔＵ　＜原因にな
る交差領域を避

【ノー（いる。前と同じく、２枚の導電
シーＩ〜は酔い誘電Ｉ４１祠ｌによって隔てられてｄ３
す、パターンが互いにずれていて、一方の食刻区域が他
方の導電区域によって架橋され、ＲＦ雷電流対する短絡
部とじ−（作用する容量１１素子を形成づる様にりる。 この実施例は、コイルのターン（従っ（電流の流れ）が
食刻線５４，５８ａ、５８ｂと平行になる様なソレノイ
ド構造のＲＦ二１イルＣ特にイ１用である。前と同じく
、縁Ａ−八を縁Ｂ−１３に結合し、内側の導電面の両半
分をはんだ（＝Ｊ　ｌ）することにＪ、す、遮蔽体を円
筒に形成する。完成された遮蔽体では、外側の導電シー
１−の縁Δ−Ａ及び［３−８は電気的に接続されないま
）であって、縁Ａ−Ａ及び１３−Ｂｔこ冶った破線で第
３図に示り様に、す”き間を形成ヅる。食刻線５４に対
し７て垂直な食刻線５６は、遮蔽体を円筒に形成した■
４、条片５２の円周方向の渦電流（パルス状磁界勾配に
よって誘起される）を防止する。 第２図及び第３図について上に説明したＲＦ減結合用遮
蔽体は適切に作用ザる。然し、ＲＦコイルによって発生
された磁界によって、遮蔽体に誘起される電流の流れを
考える場合、性能を改善したＲＦｍ蔽休合体成づること
が出来る。ＲＦコイルに一番近い遮蔽体の面（遮蔽体の
内面と呼ぶ）に誘起された電流により、ＲＦ磁界がゆが
む。遮蔽体に誘起される電流は、ＲＦｖＩｉ界の接線方
向成分に比例し且つそれに対して垂直である。典型的な
設計で行われる様に、ＲＦコイルがＲＦＪ蔽体の近くに
配置されると、遮蔽体の内面の電流分イ１１は実質的に
コイル素子の電流と同じである。コイル素子に電流が流
れる方向と平行に伸びる遮蔽体の内面の食刻（非導電）
区域は、遮蔽体の性能に対する悪影響がごく少ない。従
って、遮蔽体の内面の食刻線のパターンは、使われる特
定のＲＦ」イルの形状に合う様に調整づ−るのが望まし
い。一般的に、遮蔽体の内面には、ＲＦ　：］イル構）
を−の各々の導体と平行であって、それを中心とづる釣
合う導電条片が得られる様に、区域を食刻Ｊることが必
要である。これをどの様に達成づ゛るかは、係属中の米
国性３′１出願通し番号第５４８．７４５号に記載され
た特定の形のコイルについて後で説明する。 大きな勾配ににって誘起された渦電流のループを除く為
に、遮蔽体の内面の若干の食刻線はＲＦ］イルにＪ：つ
′Ｃ誘起される電流の方向に対して垂直にしなＧ′Ｊれ
ばならない。表面電流密度が最も小さい所に食刻線を作
るべきである。こういう線は、′ｉＭ蔽体上体上Ｒ「コ
イルの対称性の為に表面電流が１０であるか無視し冑る
様になり、その結果若干のコイルスき体が目立つ程の電
流を通さない様な場所に食６ｑリベ込である。 次にＮ　Ｍ　Ｒ検査を行うのに役立つ１実施例のＲ１−
］イルを示した第４図について、この発明の別の実施例
を説明づる。この」イルは前に引用した係属中の米国特
許出願に詳しく記載されているものである。］））単に
云うと、この＝１イルは共通の縦軸線Ｇ４に沿って相隔
たる２つの導電ループ素子６０．６２で構成される。導
電ループ素子が複数個の導体（その１つを６６で示す）
によって電気的に相互接続される。各々の導体にはりア
クタンス素子６８、好ましくはコンデンサが直列に入っ
ている。第４図に示ず実施例のコイル６は８本の導体を
持つものとして示しである。実際には、導体の数を変え
ることが出来、３２本という多くの導体を持つ実施例も
作ってみた。導体はループ素子６０．６２の周縁に沿っ
て、例えばＸ軸から測った角度θだけ隔たっている。所
要の導電通路が得られる様に食刻した可撓性の印刷配線
板材料を用いて、好ましい実施例のコイルを構成した。 両側を持つ印刷配線板を使うことが有利である一印刷配
線板の片側にある導体６８に１き間を食刻して、食刻し
た部分が印刷配線の反対側にある連続的な導体部分と重
なる様にすることにより、前に第２図について述べたの
と同様に、コンデンサ６８が形成される。このコイルは
ブロックで示したＲＦ増幅器７０から、コイル入力導線
７２．７４を介してコンデンサ６８の両端で（＝Ｊ９５
？ｌる。動作について説明すると、導体６８の電流分布
は全体的に正弦状Ｃ−あって、ループの周縁に沿り７ｊ
導体の角度位置０に関係づる。コイルの電流分イロは第
４図に矢印７６ぐ示されている。直径上で向い合った２
木の導体７８．８０が実質的に電流を通さないことが認
められＪ：う。 導体６６及び導電ループ素子６０．６２の電流分布をグ
ラフ（示り第５Ａ図及び第５Ｂ図について、第４図のＲ
「＝１イルの電流分布を説明す゛る。 最初に第５Δ図を見れば、導体６６の電流分布が略正弦
状であって、横軸に示したθ−〇°及び１８０°の角度
で電流のＩｌ′３人の大きさく縦軸に示す）が起ること
が判る。電流の最小値は、９０’及び２７０　’の角度
の所にある導１本７８．８０で起る。 第５１３図を見れば、ループ電流の最大値は、ループの
周縁に沿って、コイルをイ１勢した導１本６６の両側の
≦）０°離れた点で起ることが判る。この場合、電流の
最大値は０　＝　９０　’及び２７０°で発生し、電流
の最小値はＯｏ及び１８０°の角度で発生することか判
る。 第４図について説明し／、＝　ＲＦコイルに役立つ１実
施例の減結合用遮蔽体が第６図に示されている。 第６図は誘電体材料によって隔てられた２つのう９電面
に用いられる食刻パターンを示す。実線８２は内側の導
電シート（即ち、内側円筒面どなる導電シー１−）に食
刻ずべき区域を示し、破線８４は外側の導電シートに食
刻すべき区域を示す。食刻した印刷配線板は、内側の）
９電シー１〜の縁Ａ−Ｂ及びＣ−Ｄをはんだ付けするこ
とにより、磁石の中孔の中に配置するのに適した円筒に
形成することが出来る。前と同じく、外側の導電シート
の縁は電気的に接続せず、点へ−１３及びＣ−１〕を結
ぶ破線１３５で示づ様に、づぎ間を形成づる・。減結合
用遮蔽体の文字Ｅ、Ｆ、Ｇ、ｌ−１で限定した中心の矩
形領域にある内側及び外側の導電シー１〜を食刻して、
ＲＦ　：］イルの円８′Ｊ】面上の真直ぐな導体素子６
６（第４図）と平行な複数個の垂直条片８８゜８６を夫
々作る。内側及び外側の導電面の夫々の食刻線はＵいに
例えば条片の幅の半分だりり゛れでいて、一方の導電シ
ートのすき間が他方の導電シートの同じ所にある導電条
片にＪ、って架（ｎされる様になっている。内側の導電
シー１〜の導電条片９０，９１．９２及び導電条に９／
１．’９５．９６は、ｒ＜　Ｆ　二ｌイルの導電ループ
素子６０．６２に流れる電流に対応覆る電流を通り。導
電ループ素子６０は条ハ９２を中心とし、導電ループ素
子６２　Ｌ；Ｌ条片９４を中心とする。線Ｊ−１＜及び
Ｎ−Ｍに沿った９刻区域が、ループの周縁に）（）っで
ループ電流が最小である点にある為、これらの通路には
不連続部分が４１い。前に説明しＩｃ様に、こういう点
は角度位置θ−〇°及び１８０°　（第５Ｂ図）の所に
ある。食刻線１３０，１３１は垂直方向の電流の流れを
妨げる。然し、勾配によって誘起される渦電流を防＋１
．．　Ｊる為に、こういう切れ目が必要である。然し、
コイルのこの区域では、コイル電流が広い区域にわたっ
て拡がっており、この搗練１３０．１３１の上下では、
条片９２，９４よりも電流密度が一層小さい。更に、容
■結合の一層大きなり域が線１３０．１３１を架橋して
いる。外側の導電シートにある食刻線１３２，１３３．
１３４は、内側の導電シー１〜にある対応づる１３０゜
１３１から遠く離れていて、線１３０．１３１の前後の
容量性の架橋作用を最大に１−る。食刻線１３５．１３
６が完成さ札た遮蔽体にづき間を形成し、外側の導電シ
ートでは、外側の導電シートに勾配によって誘起される
渦電流を防止Ｊるが、遮蔽体の効果には何等悪影響を生
じない。内側の導電シートのとの食刻線も外側の導電シ
ートの食刻線と交差しないことに注意されたい。然し、
例えば線１３０，１３１を結んで、点Ｎ及びＰの間に１
本の連続的な食刻線を形成することにより、この様な交
差部を設りる様にするのが望ましいことがある。この場
合、８８で示づ様な全ての垂直方向の導電素子は、内面
に誘起された電流に対して略同じインピーダンスを持つ
。遮蔽体の内面のインピーダンスに不平衡があり又は不
平等があると、ＲＦコイルの電流分布に摂動が起り、そ
れがＲＦ磁界の均質性を低下させる。 内側の導電シートの食刻線が外側の導電シートの食刻線
と交差すると、減結合用遮蔽体に漏れが起る。食刻線の
交点では、導電材わｌのない小さな１区域がある。こう
いう個れは、食刻線の交点に宙ねて第２の誘電体シー１
−（図に示してない）及び第３の導電領域（図に示して
ない）を設りることにに・〕て除くことが出来る。第３
の導電領域は例えば４　ｘ　４　Ｉｌ」で、交点を中心
としていてよい。第３図及び第６図に示づ様な２枚の導
電シー１〜のパターンを頂千に）パふことにより、食刻
線の交差を避【ノることが可能である。 １．５ｊスラの磁界で陽子の共鳴周波数に対応リ−る６
　’ｌ　Ｍ　Ｈｚで動作づる様に製造されたこの発明の
１実施例の減結合用遮＊　（Ａ　Ｆは、ＲＦ雷電流１１
ｖめるのに、内側及び外側の導体シートの各々に対し、
１Ａンスの銅伺斜が適切であることが判った。すＪに、
２枚の導電シー１〜の間の誘電体材わ１とし゛（テフロ
ン樹脂を用いる印刷配線板が、ＲＦ−１イルの負荷作用
を最小限に抑える為に好ましいことが判った。 遮蔽イホの食刻線の前後の電流の流れを次に第７図につ
いて説明づる。第７図は内側の導電シーＩ・１４２の食
刻ＦＡ１　／Ｉ　Ｑの側面図である。この食刻線は、矢
印１４４ａで表わした内側の導電シートを流れる電流の
方向に対して横方向に形成される。 ｒｔＦコイルによって発生されるＲ　Ｆ磁界は、図面の
平面に対して垂直で、この平面から出て行く向きである
が、丸の中の点１４６で示しである。導電シー１〜１４
２の内面１４８ａの電流が食刻線１４０に達すると、こ
の電流が内側の導電シー１〜の反対側１５０ａに反らさ
れ、矢印１４４ａとは反対向ぎの矢印１５２で示す様に
、食刻線から遠ざかる向きに流れる。この電流が破線の
矢印１５６で示す変位電流として、誘電体＋４　ｖｌ　
１５４を通る。 この電流は、誘電体拐料に隣接した外側の心電シート１
６００面１５８に沿って流れることにより、食刻線１４
０を架橋づる。この電流が破線の矢印１６２で示す様に
、誘電体４オ料を再び横切り、その後内側の導電シート
１４２の面１５０ｂを食刻線１４０に向って流れ、内側
導電シートの而１４８ｂへとく矢印１４４ｂで承り様に
）流れる。これは丸で囲んだ点１４６で表わす接線方向
磁界が要求づる通りである。食刻線１４０の前後に発生
する電圧を最小限に抑える為、内側及び外側の導電シー
１〜の間の静雷容吊は人さくリベさである。 この為に（３Ｌ、誘電体月別１５４を簿くづると共に、
外側の導電シー１−１６０の食刻線は内側の導電シー１
〜の切れ口（切れ口１／′ＩＯの様な）から遠さくノて
、食刻線の両側に於ける重なりの面積を最大にづること
を必要とする。 以上の説明から、この発明が何れのコイルの性能をら［
１立って劣化させずに、ＲＦコイル及び勾配コイルを減
結合り−るＦ＜　Ｆ遮蔽体を提供したことが理解されよ
う。この遮蔽体は均質な磁界並びに可聴周波の磁界勾配
に対して実質的に透明Ｃ・ある。 動作中、この遮蔽体【ま時間依存性を持つ勾配磁界に対
しては低域ろ波器どして、そしてＲＦ磁界に対しては電
気短絡部として作用りる。 このＪＥ明を特定の実施例について説明したが、当業者
には以上の説明からいろいろな変更が考えられよう。従
っ（、特工′］請求の範囲に記載する範囲内で、この発
明はこ）に具体的に説明した以外の形（゛実施出来るこ
とを承知されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図はＮＭＲ磁石の断面図で、Ｒ［、勾配及びシムの
各コイル集成体とＲＦ遮蔽体を示づ。第２図及び第３図
はこの発明の実施例のＲＦ疎敲体の図、第４図は好まし
い実施例のＲＦ遮蔽体を説明する為の、特にＮＭＲ検査
に役立つＲ「コイルの略図、第５Ａ図及び第５Ｂ図は第
４図に示づコイルの電流分布を示すグラフ、第６図は第
４図に示したＲＦコイルに役立つこの発明の好ましい実
施例のＲＦ遮蔽体の図、第７図は電流の流れに対して横
方向に遮蔽体の内面に設りＩ〔切れ目を示（側面断面図
で、遮蔽体の動作を説明する為の図である。 主な符号の説明 １６・・・主コイル巻線　２２・・・［くＦ］コイル４
・・・勾配コイル　２６・・・遮蔽体３２．３４・・・
導電シート　３６・・・誘電体薄層３８−ｉ９電ＩＡ域
　４０．４２−・・食Ｕｌｌ線　−１ ■玉−３ ■丘−６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）　均質な磁界を発生覆る手段、ＲＦエネルギを発信
   及び受信する無線周波（ＲＦ）コイル、可聴周波数のパ
   ルス状線形磁界勾配を発生する勾配コイル、及び前記Ｒ
   Ｆコイル並びに勾配コイルの間に配置されに減結合遮蔽
   体を持ち、前記ＲＦコイルが前記遮蔽体の内側に配置さ
   れているＮＭＲ装置に於て、前記′ａ敞体が、該Ｍ散体
   の内面の上に配置されていて、第１組の比較的幅の狭い
   非導電領域によって隔てられた第１の配列の導電領域と
   、第２組の比較的幅の狭い非導電領域によって隔てられ
   た第２の配列の導電領域とを有し、前記第１及び第２の
   配列は誘電率の大きい材料で形成された部材の両面に配
   置され、一方の配列の導電領域は他方の配列の導電領域
   に対してずれていて、前記一方の配列の導電領域が他方
   の配列の非導電領域を架橋して複数個の容量性素子を形
   成し、該容量性素子が無線周波数で実質的に電気短絡部
   として作用すると共に均質な磁界並びにパルス状磁界勾
   配に関連した可聴周波数を実質的に影響なしに透過する
   様にしたＮＭＲ装置。 ２、特許請求の範囲１）に記載したＮＭＲＨ置に於て、
   前記遮蔽体の内面に配置された第１　ｔｌの非導電領域
   が、前記ＲＦコイルが付勢された時、前記遮蔽体の内面
   の近くにあるＲＦコイルの素子によって遮蔽体に誘起さ
   れた電流の流れの方向と略平行な向きであるＮＭＲ装置
   。 ３）　特許請求の範囲１）に記載したＮＭＲ装置に於て
   、前記第１の配列を形成する予定′の導電領域が隣接す
   るＲＦコイル素子と平行であって該コイル素子を中心と
   しているＮＭＲ装置。 ４）　特許請求の範囲１）に記載したＮＭＲ装置に於て
   、前記第１及び第２の配列が１個の、両側を持つ印刷配
   線板の両側にある導電領域で＋１４成されているＮＭＲ
   装置。 ５）　特許請求の範囲１）に記載し１３　Ｎ　Ｍ　Ｒ装
   置に於て、前記第１組及び第２相の非導電領域は、相Ｈ
   の向きが、その間の交差領域を避ける様になっていて、
   こうして前記遮蔽体中に、ＲＦエネルギが通過し得る区
   域を避ける様にしたＮＭＲ装置。 ６）　特許請求の範囲１）に記載したＮＭＲ装置に於て
   、前記第１１Ｊの非導電領域の内の予定の領域が前記第
   １の配列の内の予定の導電領域を隔て）いて、前記予定
   の導電領域と前記非導電領域が呈する容ω性リアクタン
   スが、前記ＲＦコイルが付勢されＩＣ時にその中に誘起
   される電流に対して、略同じインピーダンスを持つ様に
   したＮＭＲ装置。 ７）　特許請求の範囲１）に記載したＮＭＲ装置に於て
   、誘電率の大きい材料で形成された別の平面状部月が第
   ３の配列の導電領域を持ち、該領域が、前記第１組及び
   第２組の非導電領域に交差点がある場合、該交差点に重
   なる様にしたＮＭＲ装置。