JPS60177450A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS60177450A JPS60177450A JP59032880A JP3288084A JPS60177450A JP S60177450 A JPS60177450 A JP S60177450A JP 59032880 A JP59032880 A JP 59032880A JP 3288084 A JP3288084 A JP 3288084A JP S60177450 A JPS60177450 A JP S60177450A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光情報記録媒体に関する。
きる光情報記録媒体に関する。
（従来技術）
レーザ光線によって情報を媒体に記録しかつ再生する追
記型光デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光デイスクメモリの記録媒体としては、Ｔｅ、Ｂ
ｉ等の半金属薄膜および有機薄膜が使用されている。有
機薄ｌ模は、半金属薄膜よシ優れた熱特性、即ち低い熱
伝導率と小さな熱容量を持っているので吸収エネルギー
密度尚りの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度が期待
できる。しかし有機薄膜は、半導体レーザの波長域（〜
８００ｎｍ）で半金属薄膜はどには大きな反射率を示さ
ないので、半導体レーザを再生用光源とする場合、再生
信号およびサーボ信号の品質に問題を生じる。
記型光デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光デイスクメモリの記録媒体としては、Ｔｅ、Ｂ
ｉ等の半金属薄膜および有機薄膜が使用されている。有
機薄ｌ模は、半金属薄膜よシ優れた熱特性、即ち低い熱
伝導率と小さな熱容量を持っているので吸収エネルギー
密度尚りの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度が期待
できる。しかし有機薄膜は、半導体レーザの波長域（〜
８００ｎｍ）で半金属薄膜はどには大きな反射率を示さ
ないので、半導体レーザを再生用光源とする場合、再生
信号およびサーボ信号の品質に問題を生じる。
これを改善する方法として、有機薄膜と基板の間に１等
の反射膜を設ける媒体構成が知られている。この構成を
採用し有機薄膜の膜厚を調整することにより、記録前後
の反射率変化、即ち変調量を半金属薄膜の場合と同程度
に大きくすることができる。しかし、この構成では記録
再生光の入射方向が媒体の表面側に限られるという制約
がある。
の反射膜を設ける媒体構成が知られている。この構成を
採用し有機薄膜の膜厚を調整することにより、記録前後
の反射率変化、即ち変調量を半金属薄膜の場合と同程度
に大きくすることができる。しかし、この構成では記録
再生光の入射方向が媒体の表面側に限られるという制約
がある。
（発明の目的）
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し得る新
規な媒体構成によシ、再生出力の大きな光情報記録媒体
を提供することにある。
規な媒体構成によシ、再生出力の大きな光情報記録媒体
を提供することにある。
（発明の構成）
すなわち本発明の光情報記録媒体は、ポリカーボネート
基板の片側に記録ノーを設け、レーザ光の照射によって
情報を記録層の形状変化で記録する光情報記録媒体にお
いて、前記記録層と前記基板との間に前記レーザ光に対
して実質的に透明でかつ前記基板の屈折率よシ小さくか
つ熱伝導の小ささいスペーサ層を前記記録層が形成され
てい彦い状態での基板入射反射率が極小となる付近の厚
さに設けた構造を有することを特徴とする。
基板の片側に記録ノーを設け、レーザ光の照射によって
情報を記録層の形状変化で記録する光情報記録媒体にお
いて、前記記録層と前記基板との間に前記レーザ光に対
して実質的に透明でかつ前記基板の屈折率よシ小さくか
つ熱伝導の小ささいスペーサ層を前記記録層が形成され
てい彦い状態での基板入射反射率が極小となる付近の厚
さに設けた構造を有することを特徴とする。
て発廟−め構成に関する説明）
光情報記録媒体の基板としては耐熱性の観点からポリカ
ーボネートが適当である。この基板からレーザ光を入射
するときの媒体の反射率は、記録層の光学定数と厚さで
決定される。記録層として有機色素膜あるいは有機色素
を分散させた樹脂等の有機物を主成分とする膜を用いる
場合、これらの膜の複素屈折率（ｎ−ｉｋ）は半導体レ
ーザ波長域（〜８００ｎｍ）で高々２．９−ｉｌ、０で
ある。例えば、記録層の複素屈折率が２．３−３０．８
であると、波長８３０ｎｍでの基板入射（ポリカーボネ
ートの屈折率は１５９ ）の媒体反射率は第１図に示す
ように記録層の厚さに依存する。これよシ最大反射率は
記録層の厚さが約９０ｎｍのときに得られ、その値は約
１６．５％であることが判る。記録層に孔を形成して記
録を行なう媒体では再生の出力の大きさく変調量）は近
似的に、孔が形成されていない時の媒体反射率と孔が形
成されて記録層の厚さがゼロになった時の反射率、即ち
基板のみの反射率との差に比例すると考えることができ
る。第１図の例で、記録層の厚さを９０ｎｍとすると、
孔が形成されていない時の媒体反射率は１６．５％であ
シ、基板反射率は５％であるので、変調量は１２．５４
となる。
ーボネートが適当である。この基板からレーザ光を入射
するときの媒体の反射率は、記録層の光学定数と厚さで
決定される。記録層として有機色素膜あるいは有機色素
を分散させた樹脂等の有機物を主成分とする膜を用いる
場合、これらの膜の複素屈折率（ｎ−ｉｋ）は半導体レ
ーザ波長域（〜８００ｎｍ）で高々２．９−ｉｌ、０で
ある。例えば、記録層の複素屈折率が２．３−３０．８
であると、波長８３０ｎｍでの基板入射（ポリカーボネ
ートの屈折率は１５９ ）の媒体反射率は第１図に示す
ように記録層の厚さに依存する。これよシ最大反射率は
記録層の厚さが約９０ｎｍのときに得られ、その値は約
１６．５％であることが判る。記録層に孔を形成して記
録を行なう媒体では再生の出力の大きさく変調量）は近
似的に、孔が形成されていない時の媒体反射率と孔が形
成されて記録層の厚さがゼロになった時の反射率、即ち
基板のみの反射率との差に比例すると考えることができ
る。第１図の例で、記録層の厚さを９０ｎｍとすると、
孔が形成されていない時の媒体反射率は１６．５％であ
シ、基板反射率は５％であるので、変調量は１２．５４
となる。
このような変調量が小さいという問題は、第２図に示す
本発明の一つの媒体構成例によシ解決される。即ち、基
板１０と記録層２０との間にスペーサ層３０を設けるこ
とによシ、媒体の変調量を高めることができる。但し、
スペーサ層３０の材料及びその厚さは下記する条件を満
すように選択されなければならない。まず、基板１０の
上にスペーサ層３０のみが形成されている第３図に示す
ような構成を考える。基板１０を通して入射した光１０
０は基板１０とスペーサ３０との界面及びスペーサ層３
０と空気との界面でその一部は反射されて反射光２００
となる。反射光２００の大きさく反射率）は、スペーサ
層３０の屈折率と厚さとに依存する。本発明で使用され
るスペーサ層３０の材料及び厚さは、この反射光２００
を小さくするように選ばれる。即ち、スペーサ層３０の
屈折率は基板の屈折率１．５９よシも小さいことが必要
であシ、その厚さは反射光２００の大きさを極小とする
厚さが最も望ましい。
本発明の一つの媒体構成例によシ解決される。即ち、基
板１０と記録層２０との間にスペーサ層３０を設けるこ
とによシ、媒体の変調量を高めることができる。但し、
スペーサ層３０の材料及びその厚さは下記する条件を満
すように選択されなければならない。まず、基板１０の
上にスペーサ層３０のみが形成されている第３図に示す
ような構成を考える。基板１０を通して入射した光１０
０は基板１０とスペーサ３０との界面及びスペーサ層３
０と空気との界面でその一部は反射されて反射光２００
となる。反射光２００の大きさく反射率）は、スペーサ
層３０の屈折率と厚さとに依存する。本発明で使用され
るスペーサ層３０の材料及び厚さは、この反射光２００
を小さくするように選ばれる。即ち、スペーサ層３０の
屈折率は基板の屈折率１．５９よシも小さいことが必要
であシ、その厚さは反射光２００の大きさを極小とする
厚さが最も望ましい。
第４図に基板１０の上にスペーサ層３０（屈折率１．５
）を形成し、その上に７０ｎｍ厚の記録層２０（複素屈
折率２．３−ｉｏ、８）を設けた時の変調量のスペーサ
層３０の厚さ依存を示す。これよシ、スペーサ層３０の
挿入によシ変調量が大きくなシ、スペーサ層３０のみの
場合に反射率が極小を示す付近のスペーサ層の厚さを選
ぶことによシ変調量が極大になることがわかる。例えば
、１４０ｎｍ厚のスペーサ層３０を用いると１５．７＊
の変調量が得られ、スペーサ層を用いないときの変調量
９．６ ％に対して約１．６倍の改善を達成できる。
）を形成し、その上に７０ｎｍ厚の記録層２０（複素屈
折率２．３−ｉｏ、８）を設けた時の変調量のスペーサ
層３０の厚さ依存を示す。これよシ、スペーサ層３０の
挿入によシ変調量が大きくなシ、スペーサ層３０のみの
場合に反射率が極小を示す付近のスペーサ層の厚さを選
ぶことによシ変調量が極大になることがわかる。例えば
、１４０ｎｍ厚のスペーサ層３０を用いると１５．７＊
の変調量が得られ、スペーサ層を用いないときの変調量
９．６ ％に対して約１．６倍の改善を達成できる。
このように、ポリカーボネート基板と記録層の間に、ポ
リカーボネート基板の屈折率よりも小さい屈折率の透明
でかつ熱伝導の小さいスペーサ層を入れることによシ、
初期反射率（記録前）を大きくでき、加えて記録後の反
射率を小さくできるので、変調量を大きくすることがで
きる。
リカーボネート基板の屈折率よりも小さい屈折率の透明
でかつ熱伝導の小さいスペーサ層を入れることによシ、
初期反射率（記録前）を大きくでき、加えて記録後の反
射率を小さくできるので、変調量を大きくすることがで
きる。
本発明で使用されるスペーサ層としては１．５９よシも
小さい屈折率のもので、かつ熱伝導の小さいものであれ
ばいかなるものでも使用できるが、特に望ましくは、Ｓ
ｉＯ，等の酸化物、ポリメチルメタクリレート等の各種
有機物がよい。
小さい屈折率のもので、かつ熱伝導の小さいものであれ
ばいかなるものでも使用できるが、特に望ましくは、Ｓ
ｉＯ，等の酸化物、ポリメチルメタクリレート等の各種
有機物がよい。
記録層としては、有機物を主成分とするものが好適であ
る。具体的には、各種スクアリリウム色素、各種５−ア
ミノ−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素、
バナジルフタロシアニン。
る。具体的には、各種スクアリリウム色素、各種５−ア
ミノ−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素、
バナジルフタロシアニン。
チタニルフタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン
、塩化アルミニウムフタロシアニン、チタンフタロシア
ニン、鉛フタロシアニン、白金７タロシアニン等の各種
フタロシアニン色素、Ｔｏ 金含有したプラズマ重合有
機膜、Ｔｅがアルキル基で囲まれている有機１１、Ｔｅ
がフルオロカーボンで囲まれている有機膜等を用いるこ
とができる。
、塩化アルミニウムフタロシアニン、チタンフタロシア
ニン、鉛フタロシアニン、白金７タロシアニン等の各種
フタロシアニン色素、Ｔｏ 金含有したプラズマ重合有
機膜、Ｔｅがアルキル基で囲まれている有機１１、Ｔｅ
がフルオロカーボンで囲まれている有機膜等を用いるこ
とができる。
耐候性の観点からは特に５−アミノ−２，３−ジシアノ
−８−（置換アニリノ）−１，４−ナフトキノン色素が
優れている。置換基としては、炭素数４以下のアルコキ
シル基、アルキル基が最も望ましい。
−８−（置換アニリノ）−１，４−ナフトキノン色素が
優れている。置換基としては、炭素数４以下のアルコキ
シル基、アルキル基が最も望ましい。
基板の形状は、円板状、シート状、テープ状とすること
ができる。
ができる。
記録層への情報の記録は、記録層に孔を形成することに
よシなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体では
孔は同心円状又はスパイラル状の多数のトラックを形成
するように記録される。多数のトラックを一定間隔で精
度良く記録するには通常基板上に光の案内溝が設けられ
る。ビーム径程度の溝に光が入射すると光が回折される
。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間
分布が異なり、これを検出してビームを溝の中心に入射
させるようにサーボ系を構成できる。通常溝の幅は０．
５〜１．２μｍ １その深さは使用する記録再生波長の
１／８〜１／４の範囲に設定される。本発明の記録媒体
は基板の溝付面上に形成される。媒体の表面形状は、溝
形状に相似的であることが望ましいので、媒体の形成法
は溝形状にそって付着し得る方法、例えば蒸着、スパッ
タ、イオンブレーティングなどの真空成膜法が好適であ
る。
よシなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体では
孔は同心円状又はスパイラル状の多数のトラックを形成
するように記録される。多数のトラックを一定間隔で精
度良く記録するには通常基板上に光の案内溝が設けられ
る。ビーム径程度の溝に光が入射すると光が回折される
。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間
分布が異なり、これを検出してビームを溝の中心に入射
させるようにサーボ系を構成できる。通常溝の幅は０．
５〜１．２μｍ １その深さは使用する記録再生波長の
１／８〜１／４の範囲に設定される。本発明の記録媒体
は基板の溝付面上に形成される。媒体の表面形状は、溝
形状に相似的であることが望ましいので、媒体の形成法
は溝形状にそって付着し得る方法、例えば蒸着、スパッ
タ、イオンブレーティングなどの真空成膜法が好適であ
る。
以下に本発明の詳細な説明する。
１、２０厚の直径１２０ｍの円板状ポリカーボネート基
板上にＳｉｎ、を電子ビーム加熱法で１３０ＯＡ蒸着し
、その上に５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（４−
エトキシアニリノ）−１，４−ナフトキノン色素（以下
ナフトキノン色素と略称する）を抵抗加熱法で７００Ｘ
蒸着した。蒸着時の真空度は２Ｘ１０＝ Ｔｏｒｒ 以
下とし、蒸着速度はそれぞれおよそ５Ａ ／ｓｅｅ 、
ＩＡ／ｓｅｅ とした。Ｓｉｎ、とナフトキノン色素
をそれぞれ単独に基板上に形成し、波長８３００Ｘでの
複素屈折率をめると、５ｉｎｓは１．５．ナフトキノン
色素は２．３−３０．８ であった。
板上にＳｉｎ、を電子ビーム加熱法で１３０ＯＡ蒸着し
、その上に５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（４−
エトキシアニリノ）−１，４−ナフトキノン色素（以下
ナフトキノン色素と略称する）を抵抗加熱法で７００Ｘ
蒸着した。蒸着時の真空度は２Ｘ１０＝ Ｔｏｒｒ 以
下とし、蒸着速度はそれぞれおよそ５Ａ ／ｓｅｅ 、
ＩＡ／ｓｅｅ とした。Ｓｉｎ、とナフトキノン色素
をそれぞれ単独に基板上に形成し、波長８３００Ｘでの
複素屈折率をめると、５ｉｎｓは１．５．ナフトキノン
色素は２．３−３０．８ であった。
上記のＳ１０．とナフトキノン色素との積層膜にポリカ
ーボネート基板側からレーザ光を入射して、情報の記録
・再生を行なった。レーザとして半導体レーザ（波長８
３００Ａ ）を用い、ＮＡ＝０．５の対物レンズでビー
ム径Ｌ５ｐｍに収光した。パワー１０ｍＷで記録し、０
．７ｍＷの連続光で再生すると、４８０ｍＶの出力が得
られ、Ｓ＋０．のスペーサ層がない場合の２９０ｍＶの
出力よシも大きな出力が得られた。
ーボネート基板側からレーザ光を入射して、情報の記録
・再生を行なった。レーザとして半導体レーザ（波長８
３００Ａ ）を用い、ＮＡ＝０．５の対物レンズでビー
ム径Ｌ５ｐｍに収光した。パワー１０ｍＷで記録し、０
．７ｍＷの連続光で再生すると、４８０ｍＶの出力が得
られ、Ｓ＋０．のスペーサ層がない場合の２９０ｍＶの
出力よシも大きな出力が得られた。
なお、記録層として上記実施例で示したナフトキノン色
素のかわりに、５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（
４−グロポキシアニリノ）−１゜４−ナフトキノン等の
置換基の異なるナフトキノン色素、バナジルフタロシア
ニン色素、Ｔｅを含有したプラズマ重合有機膜、Ｔｅが
アルキル基で囲まれている有機ｌＪ、 Ｔｅがフルオロ
カーボンで囲まれている有機膜を用いても同様に有効で
ある。
素のかわりに、５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（
４−グロポキシアニリノ）−１゜４−ナフトキノン等の
置換基の異なるナフトキノン色素、バナジルフタロシア
ニン色素、Ｔｅを含有したプラズマ重合有機膜、Ｔｅが
アルキル基で囲まれている有機ｌＪ、 Ｔｅがフルオロ
カーボンで囲まれている有機膜を用いても同様に有効で
ある。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば再生出力の大きな光情報
記録媒体が得られる。
記録媒体が得られる。
第１図は光情報記録媒体の反射率の記録層厚さによる変
化を示す図、第２図は本発明の一実施例である光情報記
録媒体の概略図、第３図は本発明の光情報記録媒体の原
理を説明するための概略図、第４図は本発明の一実施例
である光情報記録媒体の変調量のスペーサ層厚さによる
変化を示す図である。 図において、１０は基板、２０は記録層、３０はスペー
サ層、１００は入射光、２００は反射光を示す。 ７１−１ 図 反射率（％） 記録層厚さくｎｍ） オ ２ 図 第３回
化を示す図、第２図は本発明の一実施例である光情報記
録媒体の概略図、第３図は本発明の光情報記録媒体の原
理を説明するための概略図、第４図は本発明の一実施例
である光情報記録媒体の変調量のスペーサ層厚さによる
変化を示す図である。 図において、１０は基板、２０は記録層、３０はスペー
サ層、１００は入射光、２００は反射光を示す。 ７１−１ 図 反射率（％） 記録層厚さくｎｍ） オ ２ 図 第３回
Claims (2)
- （１）ポリカーボネート基板の片側に記録層を設け、レ
ーザ光の照射によって情報を記録層の形状変化で記録す
る光情報記録媒体において、前記記録層と前記基板の間
に前記レーザ光に対して実質的に透明でかつ前記基板の
屈折率よシ小さく、かつ熱伝導の小さいスペーサ層を前
記記録層が形成されていない状態での基板入射反射率が
極小となる付近の厚さに設けた構造を有することを特徴
とする光情報記録媒体。 - （２） 記録層は有機物を主成分として形成された特許
請求の範囲第１項に記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032880A JPS60177450A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032880A JPS60177450A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177450A true JPS60177450A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12371186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032880A Pending JPS60177450A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177450A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60151847A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Nec Corp | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59032880A patent/JPS60177450A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60151847A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Nec Corp | 光記録媒体 |
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