JPS60180027A - 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 - Google Patents
真空インタラプタの電極材料とその製造方法Info
- Publication number
- JPS60180027A JPS60180027A JP3502684A JP3502684A JPS60180027A JP S60180027 A JPS60180027 A JP S60180027A JP 3502684 A JP3502684 A JP 3502684A JP 3502684 A JP3502684 A JP 3502684A JP S60180027 A JPS60180027 A JP S60180027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromium
- molybdenum
- carbide
- copper
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 39
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 23
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 20
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 2
- -1 alumina) Chemical compound 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- ZGHDMISTQPRNRG-UHFFFAOYSA-N dimolybdenum Chemical compound [Mo]#[Mo] ZGHDMISTQPRNRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、真空インタラプタのぼ極材料とその製造方法
に関する。
に関する。
従来技術
一般に、真空インタラプタの電極材料は、次に示す1)
〜vl)の緒特性が要求されている。
〜vl)の緒特性が要求されている。
1)シゃ断性能が高いこと
++ >耐電圧が高いこと
111)消耗が少ないこと
iv)さい断値が低いこと
■)接触抵抗が小さいこと
vl)浴着力が小さいこと
電極材料は、真空インタラプタの性能と決定するに最も
重要なものであり、上記各特性を全て満足することが望
ましい。
重要なものであり、上記各特性を全て満足することが望
ましい。
従来、例えば特公昭41−12131号公報(米国特許
第3,246,979号)に開示されているように、銅
(Cu)に0.5重量%のくスマス(BL)をき有した
合金からなる電極(以下rCu−0,58LH1極」と
いう)、または特公昭48−3t1071号公報(米国
特許@ 3,59 tl、027号)に開示された、C
u Vc眞電の高蒸気圧材料(低融点材料)全含有した
せ金からなる’1J1.4kが知られている。
第3,246,979号)に開示されているように、銅
(Cu)に0.5重量%のくスマス(BL)をき有した
合金からなる電極(以下rCu−0,58LH1極」と
いう)、または特公昭48−3t1071号公報(米国
特許@ 3,59 tl、027号)に開示された、C
u Vc眞電の高蒸気圧材料(低融点材料)全含有した
せ金からなる’1J1.4kが知られている。
しかしながら、かかるC u −0,5B i [ff
1等は、大電流しゃ断能力、耐溶層性および導電籠に擾
れてはいるものの、絶縁耐力、特にしゃ断機の絶縁耐力
が者しく低下する欠点があり、しかもさい断電流値がI
OAと高いためにしJ′F断時にさい断す−ジ金発生す
ることがあって遅れ小IE流を良好にしゃ断l−楊−P
−伯断の粛併榊呂の緬縁謔−を以ヰする虞れがある等の
問題があった。
1等は、大電流しゃ断能力、耐溶層性および導電籠に擾
れてはいるものの、絶縁耐力、特にしゃ断機の絶縁耐力
が者しく低下する欠点があり、しかもさい断電流値がI
OAと高いためにしJ′F断時にさい断す−ジ金発生す
ることがあって遅れ小IE流を良好にしゃ断l−楊−P
−伯断の粛併榊呂の緬縁謔−を以ヰする虞れがある等の
問題があった。
一方、このような高蒸気圧材料を含有するCu−0,5
BL 成極等の欠点全解消すべく、例えば特公昭54−
3t1121号公報(米国特許第3.811,939号
)に開示されているような、20重童%のCUと80重
電%のタングステン(W)とからなる材料により形成し
た亀、極(以下「20Cu−80W1を極」という)、
または特開昭54−167284号公報(英国公開特許
第2.024.257号)に開示された、Cuと低蒸気
圧材料(高融点材料)との合金からなる高電圧用の電極
が知ら2’している。
BL 成極等の欠点全解消すべく、例えば特公昭54−
3t1121号公報(米国特許第3.811,939号
)に開示されているような、20重童%のCUと80重
電%のタングステン(W)とからなる材料により形成し
た亀、極(以下「20Cu−80W1を極」という)、
または特開昭54−167284号公報(英国公開特許
第2.024.257号)に開示された、Cuと低蒸気
圧材料(高融点材料)との合金からなる高電圧用の電極
が知ら2’している。
しかしながら、かかる20Cu−80Wfi極等にあっ
ては、絶縁耐力は高くなる利点はあるものの、事故電流
の如き大電流をしゃ断することが困難になる等の問題が
あった。
ては、絶縁耐力は高くなる利点はあるものの、事故電流
の如き大電流をしゃ断することが困難になる等の問題が
あった。
発明の目的
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、大電流および高電圧のしゃ断に供し得るとともに、特
にさい断厄流値が低いことにより遅n小電流を良好にし
ゃ断できるような真空インタラプタの電極とその製造方
法を提供することを目的とする。
、大電流および高電圧のしゃ断に供し得るとともに、特
にさい断厄流値が低いことにより遅n小電流を良好にし
ゃ断できるような真空インタラプタの電極とその製造方
法を提供することを目的とする。
発明の概要
かかる目的を達成するために、本発明は、真空インタラ
プタの電極材料およびその製造方法を以下に示すtll
〜(3)の構成としたものでおる。
プタの電極材料およびその製造方法を以下に示すtll
〜(3)の構成としたものでおる。
ill K空インタラプタの電極材料を、銅20〜8(
)重量%、クロム6〜70重量%、モリブデン6〜70
屯蓋%および伏化りロム0.6〜20重瀘%、。
)重量%、クロム6〜70重量%、モリブデン6〜70
屯蓋%および伏化りロム0.6〜20重瀘%、。
炭化モリブデン0.5〜20重量%の1種または2種(
2種の場合合計で0.5〜20重量%)よりなる複合金
属で構成した。
2種の場合合計で0.5〜20重量%)よりなる複合金
属で構成した。
(2) 上記filの複合金属を、クロム、モリプデy
およヒ炭化クロム、炭化モリブデンの1棟または2種の
各粉末を混合し、この混合粉末全非酸化性雰囲気中にて
前記各粉末の融点以下の温度で加熱し相互に拡散結合せ
しめて多孔質の基材を形成し、次いでこの基材に銅を非
酸化性雰囲気中にて銅の融点以上の温度で加熱して溶浸
せしめて製造した。
およヒ炭化クロム、炭化モリブデンの1棟または2種の
各粉末を混合し、この混合粉末全非酸化性雰囲気中にて
前記各粉末の融点以下の温度で加熱し相互に拡散結合せ
しめて多孔質の基材を形成し、次いでこの基材に銅を非
酸化性雰囲気中にて銅の融点以上の温度で加熱して溶浸
せしめて製造した。
(3)上記(11の襟合金属金、クロム、モリブデンお
よび炭化クロム、S化モリブデンの1種または2則の各
粉末を混合し、この混合粉末の上に銅を載置するととも
に非酸化性雰囲気中に収納し、先ず銅の融点以下の温度
で加熱し前記混合粉水金相互に拡散結合−せしめて多孔
質の基材を形成し、次いで銅の融点以下の温度で加熱し
てAn記基材に銅を(縛浸せしめて製造した。
よび炭化クロム、S化モリブデンの1種または2則の各
粉末を混合し、この混合粉末の上に銅を載置するととも
に非酸化性雰囲気中に収納し、先ず銅の融点以下の温度
で加熱し前記混合粉水金相互に拡散結合−せしめて多孔
質の基材を形成し、次いで銅の融点以下の温度で加熱し
てAn記基材に銅を(縛浸せしめて製造した。
実施例
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係る電極材料により形成されたtV極
を備えた4空インタラプタの縦断面図である。第1図に
示すように、この1空インタラプタは、円筒状に形成し
たガラスまたはセラミックス停の絽縁物からなる2本の
絶縁筒1.1を、それぞれの両端に固層した鉄(Fe)
−ニッケル(Nt)−コバル)(Co)合金またはFe
−Ni合金等の金属からなる博肉円環状の封着金具2.
2.・・・の一方を弁し同→4n的に接合して1本の絶
縁筒にするとともに、その両端開口部紮他方の封着金具
2,2會介しステンレス鋼等からなる円板状の金属端板
3.3により閉塞し、かつ円部を高真空(す11えば5
X 1. O−’ Torr 以下の圧力)に排気し
て真空容器4が形成されている。
を備えた4空インタラプタの縦断面図である。第1図に
示すように、この1空インタラプタは、円筒状に形成し
たガラスまたはセラミックス停の絽縁物からなる2本の
絶縁筒1.1を、それぞれの両端に固層した鉄(Fe)
−ニッケル(Nt)−コバル)(Co)合金またはFe
−Ni合金等の金属からなる博肉円環状の封着金具2.
2.・・・の一方を弁し同→4n的に接合して1本の絶
縁筒にするとともに、その両端開口部紮他方の封着金具
2,2會介しステンレス鋼等からなる円板状の金属端板
3.3により閉塞し、かつ円部を高真空(す11えば5
X 1. O−’ Torr 以下の圧力)に排気し
て真空容器4が形成されている。
そして、この真空容器4内には、1対の円板状の電極6
.6が、各金属端板3.3の中央部から真空容器4の気
密性金1呆持して相対的に接近離反自在に導入した対t
なす砥極棒6,6τ弁し、接触離反(接離)自在に設け
られている。なお、第1図において、7は金属ベローズ
、8は谷型6億6等を同心状に囲続する中間′6位のシ
ールドである。
.6が、各金属端板3.3の中央部から真空容器4の気
密性金1呆持して相対的に接近離反自在に導入した対t
なす砥極棒6,6τ弁し、接触離反(接離)自在に設け
られている。なお、第1図において、7は金属ベローズ
、8は谷型6億6等を同心状に囲続する中間′6位のシ
ールドである。
ここに、前記各電極6は、Cu2O〜80重片%、クロ
ム(C’r)5〜70重量%、モリブデン(Mo)5〜
70重葉%および炭化クロム0.5〜20重量%、炭化
モリブデン0.5〜20重瀘%の1種または24重(た
だし、炭化クロムおよび1犬1ジモリブデン両者ケ含有
する場合にtユ、両者合計でO65〜20稙駿%)より
なる複合金属で形成さnている。なお5この嶺合金属は
、20〜60%の導電率(工AC8%)を有するもので
ある。
ム(C’r)5〜70重量%、モリブデン(Mo)5〜
70重葉%および炭化クロム0.5〜20重量%、炭化
モリブデン0.5〜20重瀘%の1種または24重(た
だし、炭化クロムおよび1犬1ジモリブデン両者ケ含有
する場合にtユ、両者合計でO65〜20稙駿%)より
なる複合金属で形成さnている。なお5この嶺合金属は
、20〜60%の導電率(工AC8%)を有するもので
ある。
特に、この複合金属の組織状態が、Cr、Moお工ヒ炭
化クロム、炭化モリブデンの1稙ま1こは2f重の各粉
末が拡散結合した多孔質の基材にCuが溶浸、!扛た状
態であ扛ば最も好ましい。
化クロム、炭化モリブデンの1稙ま1こは2f重の各粉
末が拡散結合した多孔質の基材にCuが溶浸、!扛た状
態であ扛ば最も好ましい。
次に、上記電画材料の各踵製造方法について説明する。
・耶1の方法は、例えば粒径がそ扛ぞれ一100メツシ
エである、Or、Moおよび灰化クロム、炭化モリブデ
ンの1種または2槙を所定電機様的に混合する。次に、
この混合粉末’<Cr、Mn、炭化クロム、炭化モリブ
デンおよびCuのいずnとも反応しない材料(し11え
ばアルミナ等)がちなる容器に収納する。そして、この
混合粉末を、非酸化性雰囲気中(例えば5 X 10−
’ Torr 以下の圧力の真空中、または水素ガス中
、窒素ガス中お工びアルゴンガス中)にて前記各粉末の
1・1嗅点以下の温度で加熱保持(例えば(500〜1
000℃で5〜F111分間程度)シ、相互に拡散結合
・せしめて多孔質の基材を形成する。
エである、Or、Moおよび灰化クロム、炭化モリブデ
ンの1種または2槙を所定電機様的に混合する。次に、
この混合粉末’<Cr、Mn、炭化クロム、炭化モリブ
デンおよびCuのいずnとも反応しない材料(し11え
ばアルミナ等)がちなる容器に収納する。そして、この
混合粉末を、非酸化性雰囲気中(例えば5 X 10−
’ Torr 以下の圧力の真空中、または水素ガス中
、窒素ガス中お工びアルゴンガス中)にて前記各粉末の
1・1嗅点以下の温度で加熱保持(例えば(500〜1
000℃で5〜F111分間程度)シ、相互に拡散結合
・せしめて多孔質の基材を形成する。
その俵、この多孔質の基材の上にCuのブロック全1戒
直し、前述の如き非酸化性雰囲気中にてCUの融点以上
の温度で力[]熱保持(例えば1100℃で5〜20分
間程度)し、前記基材にCuを溶浸させる。
直し、前述の如き非酸化性雰囲気中にてCUの融点以上
の温度で力[]熱保持(例えば1100℃で5〜20分
間程度)し、前記基材にCuを溶浸させる。
なお、この第1の方法は、多孔質の基材の形成作業とC
uの溶浸作業とが、工程會分けて行なわれる場合を示し
たものである。また、Cu(D溶浸方法は、上述の実施
例に限定されず、例えば水素ガス等のガス中にてfず多
孔質の基材を形成し、その後JL臣引きによりCuを溶
浸させてもよい。
uの溶浸作業とが、工程會分けて行なわれる場合を示し
たものである。また、Cu(D溶浸方法は、上述の実施
例に限定されず、例えば水素ガス等のガス中にてfず多
孔質の基材を形成し、その後JL臣引きによりCuを溶
浸させてもよい。
これに対し、第2の方法は、例えば粒径がそれぞれ一1
00メツシュである。Cr、MOおよびj々化ツクロム
級化モリブデンの1踵または2種全所定を機成的に混合
する。次に、このC昆合扮末をCr、Mo、炭化クロム
、炭化モリブデンおよびCuのいずnとも反応しない材
料(汐11えばアルミナ等)からなる容器に収納すると
ともに、混合粉末の上にCtlのブロックを載置する。
00メツシュである。Cr、MOおよびj々化ツクロム
級化モリブデンの1踵または2種全所定を機成的に混合
する。次に、このC昆合扮末をCr、Mo、炭化クロム
、炭化モリブデンおよびCuのいずnとも反応しない材
料(汐11えばアルミナ等)からなる容器に収納すると
ともに、混合粉末の上にCtlのブロックを載置する。
そして、こ扛らtf?Il述の如き非酸化雰囲気中にて
、まずCuの融点以下の温度で加熱保持(例えば600
〜1000℃で5〜80分間8朋)し、前記混合粉末を
相互に拡散結合せしめて多孔質の基材を形成し、次いで
Cuの融点以上の温度で加熱保持(例えば1100℃で
6〜20分間程度)して基材にCut溶浸せしめる。
、まずCuの融点以下の温度で加熱保持(例えば600
〜1000℃で5〜80分間8朋)し、前記混合粉末を
相互に拡散結合せしめて多孔質の基材を形成し、次いで
Cuの融点以上の温度で加熱保持(例えば1100℃で
6〜20分間程度)して基材にCut溶浸せしめる。
ここに、第1およ・び第2の方法ともに、金属粉末の粒
径は、−100メツシユ(149μm以下)に限定され
るものではなく、−60メツシユ(250μmg下)で
あればよい。ただ、粒径が60メツシユより大きくなる
と、各金属粉末粒子全拡散結合させる場合、拡散距離の
増大に伴って加熱温度を高くしたりまたは加熱時間を畏
くしたりすることが必要となり、生産性が低下すること
となる。一方、粒径の上限が低下するにしたがって均一
な混合(各金属粉末粒子の均一な分散)が困岐となり、
また酸化し易いため、その取扱いが面倒であるとともに
その使用に1祭して前処理τ必媛とする等の問題がある
ので、おのずと限界があり、粒径の上限は、1重々の条
件のもとに選定さnるものである。
径は、−100メツシユ(149μm以下)に限定され
るものではなく、−60メツシユ(250μmg下)で
あればよい。ただ、粒径が60メツシユより大きくなる
と、各金属粉末粒子全拡散結合させる場合、拡散距離の
増大に伴って加熱温度を高くしたりまたは加熱時間を畏
くしたりすることが必要となり、生産性が低下すること
となる。一方、粒径の上限が低下するにしたがって均一
な混合(各金属粉末粒子の均一な分散)が困岐となり、
また酸化し易いため、その取扱いが面倒であるとともに
その使用に1祭して前処理τ必媛とする等の問題がある
ので、おのずと限界があり、粒径の上限は、1重々の条
件のもとに選定さnるものである。
また、CrおよびMoの粉末は、先VCCrとM。
との合金を製造し、この合金r例えば粒径が一100メ
ツシュの粉末として用いてもよい。
ツシュの粉末として用いてもよい。
さらIc、前記′イ極材料は、上述の第1および第2の
製造方法のほかに、例えばCr 、 Mo等の金属粉末
にCuをも粒末としてcu−2含めた#、曾粉末全形成
し、これ金プレス戊形し、Cuの融点以下またはCuの
融点以上でかつ池の金hAmの融点以下の温度に加熱保
持する方法により製造してもよい。
製造方法のほかに、例えばCr 、 Mo等の金属粉末
にCuをも粒末としてcu−2含めた#、曾粉末全形成
し、これ金プレス戊形し、Cuの融点以下またはCuの
融点以上でかつ池の金hAmの融点以下の温度に加熱保
持する方法により製造してもよい。
この際、プレス成形した素体の上に、さらにCU全載置
してもよく、この場合には加熱温IWがCuの融点以上
である必甥がある。
してもよく、この場合には加熱温IWがCuの融点以上
である必甥がある。
なお、前記第1および第2の方法いずnにあっても、非
酸化性雰囲気としては、I空の方がjJO熱保持の際に
脱ガスが同時に行なえる利点があって好適なものである
。勿論、真空中以外のガス中にて製造した場合にあって
も真空インタラプタの成極材料として実用上問題はない
ものである。また、金属粉末の相互拡散結合に要する、
/JD熱湿度と時間は、炉の条件、形成する多孔質基材
の形状、大きさ尋の条件および作業性等金考1碌し、か
つ所整の6極材料としての性質を満足するように加熱保
持さfLるものであり、例えば600°゛Cで1〜2時
間、または1000℃で1(+−tlO分間といった加
熱条件で作業が行なわ扛るものである。
酸化性雰囲気としては、I空の方がjJO熱保持の際に
脱ガスが同時に行なえる利点があって好適なものである
。勿論、真空中以外のガス中にて製造した場合にあって
も真空インタラプタの成極材料として実用上問題はない
ものである。また、金属粉末の相互拡散結合に要する、
/JD熱湿度と時間は、炉の条件、形成する多孔質基材
の形状、大きさ尋の条件および作業性等金考1碌し、か
つ所整の6極材料としての性質を満足するように加熱保
持さfLるものであり、例えば600°゛Cで1〜2時
間、または1000℃で1(+−tlO分間といった加
熱条件で作業が行なわ扛るものである。
次に、+n+述の第2の製造方法により、5 X 1O
−5To r rの区空中にて、まず1000℃で60
分間加熱保持して多孔質の基材全形成し、仄いで110
0℃で20分間加熱保持してCU金浴溶浸しめた場合の
3種の本発明ぼ原材料(複合金属)の組織状態を第2図
から第4図までに示すX線写匹乞用いて説明する。
−5To r rの区空中にて、まず1000℃で60
分間加熱保持して多孔質の基材全形成し、仄いで110
0℃で20分間加熱保持してCU金浴溶浸しめた場合の
3種の本発明ぼ原材料(複合金属)の組織状態を第2図
から第4図までに示すX線写匹乞用いて説明する。
なお、各醒極相料の成分組成(重着%)Vよ、以下に示
す3種のものである。
す3種のものである。
実施例I Cu50− Cr10−Mo35−Mo、C
5”i施例2 Cu 50− Cr 20− M O2
0−Cr 3 [T g 5Mo2C5 実施例3 Cuδ0−Cr30−MolO−0−Cr5
O−第2図tAt 、 ts+ 、 (c)、 +r+
+およびtglは、実施例1の成分組成からなる複合金
属のX@写真で、第2図囚のX線写真は、X線マイクロ
アナライザによる二次電子像で、後述の第2図tBl
、 (C1、fDlおよび+Elかち聞るように、cr
とMo とM、o2Cとの各粉末が相互に拡散結合し
均一に分散して一体化された島状の粒子となり、かつ各
、1状の粒子が相互に結合して多孔質の基材全形成する
とともに、この基材の孔(9臘)にCUがtg浸されて
いる。
5”i施例2 Cu 50− Cr 20− M O2
0−Cr 3 [T g 5Mo2C5 実施例3 Cuδ0−Cr30−MolO−0−Cr5
O−第2図tAt 、 ts+ 、 (c)、 +r+
+およびtglは、実施例1の成分組成からなる複合金
属のX@写真で、第2図囚のX線写真は、X線マイクロ
アナライザによる二次電子像で、後述の第2図tBl
、 (C1、fDlおよび+Elかち聞るように、cr
とMo とM、o2Cとの各粉末が相互に拡散結合し
均一に分散して一体化された島状の粒子となり、かつ各
、1状の粒子が相互に結合して多孔質の基材全形成する
とともに、この基材の孔(9臘)にCUがtg浸されて
いる。
また、第2図f81のx1祿写真は、Crの分散状態と
示す特性X線像で、島状に点在する白い部分がCrであ
る。第2図tC1のX線写江は、MOの分散状態を示す
特性X線像で、島状に点在する白い部分がMOである。
示す特性X線像で、島状に点在する白い部分がCrであ
る。第2図tC1のX線写江は、MOの分散状態を示す
特性X線像で、島状に点在する白い部分がMOである。
第2図tDlOX線写呪ば、炭素telの分散状態を示
す特性X +ttl 菌で、わずかに白く点在する部分
がCである。第2図tillQX線写aは、CUの分散
状態金示す特性X線昧で、白い部分がCUである。
す特性X +ttl 菌で、わずかに白く点在する部分
がCである。第2図tillQX線写aは、CUの分散
状態金示す特性X線昧で、白い部分がCUである。
また、第3図(Al 、 IBI 、 fcl 、 I
DIおよびtFi+は、実施例2の成分組成からなる複
合金属のX線写真で、@3図(んのX lit写真は、
X線マイクロアナライザによる二次電子嫁で、後述の第
3図1cl 、 lcl 、 IDIおよび(儀から判
るように、crとMoとCr HC2とM O! Cと
の各粉末が相互に拡散結合して一体化された島状の粒子
となり、かつ各島状の粒子が相互に結合して多孔質の基
材を形成するとともに、この基材の孔(9師)にCuが
溶浸されている。
DIおよびtFi+は、実施例2の成分組成からなる複
合金属のX線写真で、@3図(んのX lit写真は、
X線マイクロアナライザによる二次電子嫁で、後述の第
3図1cl 、 lcl 、 IDIおよび(儀から判
るように、crとMoとCr HC2とM O! Cと
の各粉末が相互に拡散結合して一体化された島状の粒子
となり、かつ各島状の粒子が相互に結合して多孔質の基
材を形成するとともに、この基材の孔(9師)にCuが
溶浸されている。
第3図1clのX線写真は、crの分散状態金示す特性
X線障で、白で縁取られた島状の部分がr’rであり、
cr とMo’4とが均一に拡散した灰色の部分と、C
rリッチな白い部分およびMOリッチな黒い部分からな
る。第3図1clのxIvi!写真は、M。
X線障で、白で縁取られた島状の部分がr’rであり、
cr とMo’4とが均一に拡散した灰色の部分と、C
rリッチな白い部分およびMOリッチな黒い部分からな
る。第3図1clのxIvi!写真は、M。
の分散状態を示す特性XH像で、島状に点在する白い部
分がMOである。第3図(t)lのX線4f真は、Cの
分散状態を示す特性x朦■で、わずかに白い部分がCの
脊圧を示す。第3図+g>のX1儒写真は、Cuの分散
状態を示す特性X線菌で、白い部分がCu である。
分がMOである。第3図(t)lのX線4f真は、Cの
分散状態を示す特性x朦■で、わずかに白い部分がCの
脊圧を示す。第3図+g>のX1儒写真は、Cuの分散
状態を示す特性X線菌で、白い部分がCu である。
さらに、第4図LAI 、 IBI 、 +01 、
IDIおよびIgl vま、実施例3の成分組成からな
る複合金属のX線写真で、第4図臥)のX線写真ケよ、
X+Jマイクロアナライザによる二次電子1象で、後述
の第4図tel 、 fcl 、 IDIおよび+g+
から判るように、Crと100とCr、C1との各粉末
が相互に拡散結合して一体化された島状の粒子となり、
かつ各島状の粒子が相互に結合して多孔aの基材を形成
するとともに、この基材の孔(空隙)にCuが6浸され
ている。
IDIおよびIgl vま、実施例3の成分組成からな
る複合金属のX線写真で、第4図臥)のX線写真ケよ、
X+Jマイクロアナライザによる二次電子1象で、後述
の第4図tel 、 fcl 、 IDIおよび+g+
から判るように、Crと100とCr、C1との各粉末
が相互に拡散結合して一体化された島状の粒子となり、
かつ各島状の粒子が相互に結合して多孔aの基材を形成
するとともに、この基材の孔(空隙)にCuが6浸され
ている。
第413tB1のX線写真は、Crの分散状態を示す特
性X線菌で、島状に点在する白い部分がOrで、このc
r中の灰色の部分がMo”Jツチの部分である。iA4
図telのx 、#写はは、MOの分散状態を示す特性
X線画で、島状の白い部分がMOである。
性X線菌で、島状に点在する白い部分がOrで、このc
r中の灰色の部分がMo”Jツチの部分である。iA4
図telのx 、#写はは、MOの分散状態を示す特性
X線画で、島状の白い部分がMOである。
第4図fDlのxIllli1恨真は、Cの分散状態を
示す特性X線1ψで、わずかに白い部分がCである。第
4図+g)のX線写真は、CUの分散状態金示す特性X
線i家で、白い部分がCuである。
示す特性X線1ψで、わずかに白い部分がCである。第
4図+g)のX線写真は、CUの分散状態金示す特性X
線i家で、白い部分がCuである。
第2図から44図で判るように、Cr、Mo並びにCr
5C,および/またはMo、Cの各粉末が、相互に拡散
結合して粒子となり、各粒子がほぼ均一に分散した状態
で互いに結合して多孔貞の基材を形成し、この基材vc
浴溶浸nたCuが、Crと相互に拡散結合し、全体とし
て強固な結合体(複合金属)を形成している。
5C,および/またはMo、Cの各粉末が、相互に拡散
結合して粒子となり、各粒子がほぼ均一に分散した状態
で互いに結合して多孔貞の基材を形成し、この基材vc
浴溶浸nたCuが、Crと相互に拡散結合し、全体とし
て強固な結合体(複合金属)を形成している。
一方、前述の如く、第2の方法によ0製造した実施例1
の成分組成からなる本発明の電極材料を、直径50zl
B、厚さ6.5腸の内機に形成しかつその周縁を4鵡ア
ールの丸味を付けた磁極にし、これを第1図に示すよう
な構成の真空インタラプタに1対の成極として組込んで
諸性能の検証を行なった。その結果は、下記に示すよう
になった。
の成分組成からなる本発明の電極材料を、直径50zl
B、厚さ6.5腸の内機に形成しかつその周縁を4鵡ア
ールの丸味を付けた磁極にし、これを第1図に示すよう
な構成の真空インタラプタに1対の成極として組込んで
諸性能の検証を行なった。その結果は、下記に示すよう
になった。
fil電流しゃ断能力
しゃ新条件が、定格′屯田12kv(再起市、圧21k
v1.rgc −181) 、 l、や断連IJj 1
.2〜1.5 rn/8の時に12kA(r、m、s)
のシ流をしゃ断することができた。
v1.rgc −181) 、 l、や断連IJj 1
.2〜1.5 rn/8の時に12kA(r、m、s)
のシ流をしゃ断することができた。
なお、実施例2お工び3の成分組成のものも実施例1の
ものと同様の結果を示した。
ものと同様の結果を示した。
12)絶、嶽耐力
ギャップを3鵡に保持し、衡w!:e、金印力口する萌
撃彼耐1圧試、験r行なったところ、+120 kV(
バラツキ±xokv)の絶縁耐力を示した。また、太゛
喝゛流(12kA)の襟数回しゃ断後に同様の試験を行
なったが、絶縁耐力に変化はなかった。さらに、進み小
電流(80A)のしゃ断後に同様の試験を行なったが、
絶縁耐力は殆んど変化しなかった。
撃彼耐1圧試、験r行なったところ、+120 kV(
バラツキ±xokv)の絶縁耐力を示した。また、太゛
喝゛流(12kA)の襟数回しゃ断後に同様の試験を行
なったが、絶縁耐力に変化はなかった。さらに、進み小
電流(80A)のしゃ断後に同様の試験を行なったが、
絶縁耐力は殆んど変化しなかった。
なお、実施例2および3の成分組成のものの絶縁耐力は
、いずれも+1 ’1.0kV、 −120kVi示し
た。
、いずれも+1 ’1.0kV、 −120kVi示し
た。
(31耐浴着性
130嫁の加圧下で、27kA(r、m、s、)の1に
流を3秒間通′!It(工EC短時間電流規格)した後
に200仲の静的な引き外し力で問題なく引き外すこと
ができ、その後の接触抵抗の増加は、2〜8%にとどま
った。また、1 (100kflO刀U圧下で、5 、
OkA(r、m、s 、)の電流全3秒間通電した後の
引色外しも問題なく、その汝の接触抵抗の増加は、0〜
6%にとどまり、十分な耐溶着性を備えていた。
流を3秒間通′!It(工EC短時間電流規格)した後
に200仲の静的な引き外し力で問題なく引き外すこと
ができ、その後の接触抵抗の増加は、2〜8%にとどま
った。また、1 (100kflO刀U圧下で、5 、
OkA(r、m、s 、)の電流全3秒間通電した後の
引色外しも問題なく、その汝の接触抵抗の増加は、0〜
6%にとどまり、十分な耐溶着性を備えていた。
なお、実施例2および3の成分組成のものの耐mN力も
、実施例1と同様の結果を示した。
、実施例1と同様の結果を示した。
(4)遅れ小電流(誘導性の負荷)のしや1ift能カ
ー xsz)2行なったところ、電流さい断値は、平均
1.3 A (標準偏差σn=0.20+i1本数1]
==100)を示した。
ー xsz)2行なったところ、電流さい断値は、平均
1.3 A (標準偏差σn=0.20+i1本数1]
==100)を示した。
なお、実施例2の成分組成のものの電流さい断値は、平
均1. t A (σ、=0.15.n=100 )i
示し、また、実施例3の成分組成のものの電流さい断値
は、平均1.2 A (σ。= 0.18 、 n =
1011)全示した。
均1. t A (σ、=0.15.n=100 )i
示し、また、実施例3の成分組成のものの電流さい断値
は、平均1.2 A (σ。= 0.18 、 n =
1011)全示した。
(51孕み小電流(容置性の負荷)のしゃ断能力(JE
C−1,81)を、10000回行なったが丙点孤は0
回であった。
C−1,81)を、10000回行なったが丙点孤は0
回であった。
なお、実施例2および3の成分組成のものも、実施fi
+11と同順の結束を示した。
+11と同順の結束を示した。
(6)導電量
311〜43%の導〔瞑lAC3%)を示した。
なお、実施例2の成分組成のものは28〜34%、実施
例3の成分組成のものは25〜30%の導電量を示した
。
例3の成分組成のものは25〜30%の導電量を示した
。
(7)硬度
調度は、10’8〜182HV(ttg)k示した。
なお、実施例2および3の成分組成のものの硬度も実施
例1のものと同様の結果を示した。
例1のものと同様の結果を示した。
さらに、実施例1の成分組成の電極材料を用いた真空イ
ンタラプタと、従来のCu −0,5Bt 電極金儲え
た真空インタラプタとの諸性能を比較したところ、下記
に示すようになった。
ンタラプタと、従来のCu −0,5Bt 電極金儲え
た真空インタラプタとの諸性能を比較したところ、下記
に示すようになった。
Ill電流しゃ断能力
両者同程度であった。
(21絶縁耐力
従来のCu−0,5BL電極のものは、10襲のギャッ
プで、実施例1の成分組成による電極の真空インタラプ
タと同じ絶縁耐力であった。したがって、本発明に係る
電極を備えた真空インタラプタは、従来のCu−0,5
BL’f1fmのものの、約3倍の4イIll縁耐力を
有していた。
プで、実施例1の成分組成による電極の真空インタラプ
タと同じ絶縁耐力であった。したがって、本発明に係る
電極を備えた真空インタラプタは、従来のCu−0,5
BL’f1fmのものの、約3倍の4イIll縁耐力を
有していた。
(31耐I6層性
本発明に係る′イ匝の血」溶層性は、従来のCu−0、
5Bt ’rJt極のそれの80%であるが実用上殆ん
ど問題なく、必要ならば多少醒啄開離瞬時の引き外し力
r増刊]させればよい。
5Bt ’rJt極のそれの80%であるが実用上殆ん
ど問題なく、必要ならば多少醒啄開離瞬時の引き外し力
r増刊]させればよい。
(41′eニル小電流のしJP断能力
本発明に係る電極の由゛流さい断IILは、従来のCu
−0,5Bi 711極の電流さい断値の13%と小
さいので、さい斯サージが殆んど問題とならず、かつ開
閉後もその111が変化しない。
−0,5Bi 711極の電流さい断値の13%と小
さいので、さい斯サージが殆んど問題とならず、かつ開
閉後もその111が変化しない。
(51進み小心流のしゃ断能力
本発明に係る1極は、従来のCu−0,5BL電極に比
して2倍のΦヤパシタンス答鴛の負荷金しや断すること
ができるう なお、前記実施例2および3の成分組成に係る電極も、
従来のCu−0,5BitJi極との比較において、上
述した実施例1の成分組成に係るば極とほぼ同様の性能
を示した。
して2倍のΦヤパシタンス答鴛の負荷金しや断すること
ができるう なお、前記実施例2および3の成分組成に係る電極も、
従来のCu−0,5BitJi極との比較において、上
述した実施例1の成分組成に係るば極とほぼ同様の性能
を示した。
また、前記実施例においては、炭化クロムとしてCr3
c、を用いたが、本発明はかかる実施例に限定される
ものではなく、C,r7 CSまたはCr23C6を用
いてもほぼ同様の結果が得られる。さらに、炭化モリブ
デンについても、Mo’Cが1用できる。
c、を用いたが、本発明はかかる実施例に限定される
ものではなく、C,r7 CSまたはCr23C6を用
いてもほぼ同様の結果が得られる。さらに、炭化モリブ
デンについても、Mo’Cが1用できる。
ところで、複合金属の成分組成が、Cu2n〜80重量
%、 ’cr 5〜70 市f1%、 Mo 5〜7
(]東前兆および炭化クロム0.6〜20重量%、炭化
モリブデン0.5〜20重量%の14重または2種(2
、i41の場合合計で0.5〜20重遺%)の組成馳囲
以外の場合には、満足する緒特性を得ることができなか
った。
%、 ’cr 5〜70 市f1%、 Mo 5〜7
(]東前兆および炭化クロム0.6〜20重量%、炭化
モリブデン0.5〜20重量%の14重または2種(2
、i41の場合合計で0.5〜20重遺%)の組成馳囲
以外の場合には、満足する緒特性を得ることができなか
った。
すなわち、Cuが20屯艙%未満の場合には、導電率の
低下が急激に大きくなり、短時間市流試験後の接触抵抗
が急激に大きくなるとともに、定格d流通屈時における
ジュール熱の発生が大きいので実用性が低下した。また
、CUが80重重着會越える場合には、絶縁11ii1
′力が低下するとともに、耐t4涜件が急激に悪化した
。
低下が急激に大きくなり、短時間市流試験後の接触抵抗
が急激に大きくなるとともに、定格d流通屈時における
ジュール熱の発生が大きいので実用性が低下した。また
、CUが80重重着會越える場合には、絶縁11ii1
′力が低下するとともに、耐t4涜件が急激に悪化した
。
Orが5重性%未講の場合にすよ、電流さい11jr値
が高くなり、遅n小電流しゃ断能力が低下し、70改腓
%ケ越える場合には、大1a流しゃ断能力が急激に低下
した。
が高くなり、遅n小電流しゃ断能力が低下し、70改腓
%ケ越える場合には、大1a流しゃ断能力が急激に低下
した。
また、MOが5ポは%未満の爆会には、&!I縁耐力が
急激に低下し、70重磁%を越える場合には、大軍流し
ゃ断能力が急激に低下した。
急激に低下し、70重磁%を越える場合には、大軍流し
ゃ断能力が急激に低下した。
さちに、炭化クロム、炭化モリブデンの1呻または2種
が0.5取量%未朧の場合には、電流さい断値が高くな
ジ、20重t%を越える場合には、大電流しゃ断能力が
急激に低下した。
が0.5取量%未朧の場合には、電流さい断値が高くな
ジ、20重t%を越える場合には、大電流しゃ断能力が
急激に低下した。
発明の効果
以Eのように、本発明の真空インタラプタのトb極材料
は、Cu 20〜80 市電%、 Cr 5〜70重量
%1MO5〜70重徴%および炭化クロム05〜20i
遺%、炭化モリブデン05〜20爪は%の1種または2
挿(241の場合合d1で0.5〜20重艙%)よりな
る複合金属であるので、従来の、例えばCu −0,5
Bi 電極と同、謙の醍nたしゃ断能力會発揮でき、し
かも絶縁耐力金も飛躍的に向上させることができる。ま
た特に、さい断電流値が従来のものに比し極めて低いの
で、遅れ小tg流を良好にしゃ断することができる。
は、Cu 20〜80 市電%、 Cr 5〜70重量
%1MO5〜70重徴%および炭化クロム05〜20i
遺%、炭化モリブデン05〜20爪は%の1種または2
挿(241の場合合d1で0.5〜20重艙%)よりな
る複合金属であるので、従来の、例えばCu −0,5
Bi 電極と同、謙の醍nたしゃ断能力會発揮でき、し
かも絶縁耐力金も飛躍的に向上させることができる。ま
た特に、さい断電流値が従来のものに比し極めて低いの
で、遅れ小tg流を良好にしゃ断することができる。
さらに、この僚合金属の組輪状態が、CU以外の金への
各扮禾が拡散結合した多孔質の基材に、Cuが16浸さ
れた状態であnば、機械的強度および導亀惠會一層高め
るCとができる。
各扮禾が拡散結合した多孔質の基材に、Cuが16浸さ
れた状態であnば、機械的強度および導亀惠會一層高め
るCとができる。
一方、本発明の具望インタラプタの市、極材料の製造方
法によnば、璋会金属金構成する各金属間の結合が良好
に行なわ扛、その分散状態を均一にでき、本発明の電極
材料の有する前記シズ的特性、特にさい断を札流11α
?旨しく低くでき、また機械的特性の向上も図ることが
できる。
法によnば、璋会金属金構成する各金属間の結合が良好
に行なわ扛、その分散状態を均一にでき、本発明の電極
材料の有する前記シズ的特性、特にさい断を札流11α
?旨しく低くでき、また機械的特性の向上も図ることが
できる。
第1図は本発明の真空インタラプタの電極材料によるぼ
、極金儲えた真全インタラプタの縦断面図、第2図+A
) 、 (Bl 、 fcl 、 +DI 、 fEl
、第3図iA1 、 iBl 、 ’IcI 。 (1)l 、 Iglおよび第4図IAI 、 fBl
、 +CI 、 tD> 、 telはそ扛ぞg本発
明の電極材料の異なる成分組成pこおける組織状態を示
すX線写ぼである。 4・・・真空容器、5・・・電極棒、6・・・電極。 第3図]A) ]のこ 第3図(C) +QP 、第3悶L) ゛ グ53図II) 10μ 第3図ID) 第1 図パA: ]6二 第4因℃) 第1]1図;B′; 第4図(D)
、極金儲えた真全インタラプタの縦断面図、第2図+A
) 、 (Bl 、 fcl 、 +DI 、 fEl
、第3図iA1 、 iBl 、 ’IcI 。 (1)l 、 Iglおよび第4図IAI 、 fBl
、 +CI 、 tD> 、 telはそ扛ぞg本発
明の電極材料の異なる成分組成pこおける組織状態を示
すX線写ぼである。 4・・・真空容器、5・・・電極棒、6・・・電極。 第3図]A) ]のこ 第3図(C) +QP 、第3悶L) ゛ グ53図II) 10μ 第3図ID) 第1 図パA: ]6二 第4因℃) 第1]1図;B′; 第4図(D)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 il+ 銅20〜80貞遺%、クロム5〜70重電九、
モリブデン5〜70貞菫%および灰化クロA Q、5〜
20貞菫%、戻化モリブデン0.5〜20眞量%の1種
または2稙(2棟の場仕合計で0.6〜20貞菫%)よ
りなる複合金属でめることを特徴とする真空インタラプ
タのば極材料。 (2) 前記連合金属の組織状態が、クロム、モリブデ
ンおよび炭化クロム、炭化モリブデンの1種また(は2
橿の各粉末が拡散結合した多孔質の基材に銅が溶浸され
た状態であることt−%徴とする特許請求の範囲第1項
記載の真空インタラプタの1極材料。 13) クロム、モリブデンおよび灰化クロム、炭化モ
リブデンの1檎または2種の各粉末を混合し、0の混合
粉末全非酸化性雰囲気中にて前記各粉末の融点以下の温
度で加熱し相互に拡散結合−ぜしめて多孔質の基材上形
成し、択いでCの基材に銅を非酸化性雰囲気中にて銅の
融点以上の温度で加熱して溶浸せしめ、j’N 20〜
80貞菫%、クロム5〜70重瀘%、モリブチフ5〜フ
0重撞%および灰化クロム0.5〜20重着%。 炭化モリブデン0.5〜20重盪%の1 mまたは2種
(2種の場合合計で0.5〜20重け%)よりなる複合
金属としたことを特徴とする真空インタラプタの電極材
料の製造方法。 (4) クロム、モリブデンおよび炭化クロム、炭化モ
リブデンの1種または2種の各粉末を混合し、この混合
粉末の上に銅を載置するとともに非酸化性雰囲気中に収
納し、先ず銅の融点以下の温度で加熱し前記混合粉末を
相互に拡散結合せしめて多孔質の基材を形放し、次いで
銅の融点以上の温度で加熱して前記基材に銅t−溶浸せ
しめ、銅20〜80]i量%、クロム6〜70東量%、
モリブデン5〜70重量%および炭化クロム0.6〜2
0重量%、炭化モリブデン0.5〜20重葉%の1種ま
たは2種(2種の場合合計で0.5〜20重量%)より
なる複合金属としたことを特徴とする真空インタラプタ
の電極材料の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3502684A JPS60180027A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 |
| US06/698,865 US4686338A (en) | 1984-02-25 | 1985-02-06 | Contact electrode material for vacuum interrupter and method of manufacturing the same |
| EP85101359A EP0153635B2 (en) | 1984-02-25 | 1985-02-08 | Contact electrode material for vacuum interrupter and method of manufacturing the same |
| DE8585101359T DE3563396D1 (en) | 1984-02-25 | 1985-02-08 | Contact electrode material for vacuum interrupter and method of manufacturing the same |
| DE8686116822T DE3584977D1 (de) | 1984-02-25 | 1985-02-08 | Kontaktelektrodenmaterial fuer vakuumschalter und herstellungsverfahren desselben. |
| EP86116822A EP0227973B1 (en) | 1984-02-25 | 1985-02-08 | Contact electrode material for vacuum interrupter and method of manufacturing the same |
| CA000474028A CA1246901A (en) | 1984-02-25 | 1985-02-11 | Contact electrode material for vacuum interrupter and method of manufacturing the same |
| IN126/CAL/85A IN164883B (ja) | 1984-02-25 | 1985-02-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3502684A JPS60180027A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180027A true JPS60180027A (ja) | 1985-09-13 |
| JPH0510783B2 JPH0510783B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=12430545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3502684A Granted JPS60180027A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180027A (ja) |
-
1984
- 1984-02-25 JP JP3502684A patent/JPS60180027A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510783B2 (ja) | 1993-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6551374B2 (en) | Method of controlling the microstructures of Cu-Cr-based contact materials for vacuum interrupters and contact materials manufactured by the method | |
| US4032301A (en) | Composite metal as a contact material for vacuum switches | |
| CN103038376B (zh) | 真空断路器用电极材料的制造方法、真空断路器用电极材料和真空断路器用电极 | |
| JPH0534406B2 (ja) | ||
| JPS59163726A (ja) | 真空しや断器 | |
| US3305324A (en) | Tungsten powder bodies infiltrated with copper-titanium-bismuth or copper-titanium-tin | |
| JPS60180027A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
| US3353933A (en) | Tungsten powder bodies infiltrated with copper-titanium alloys | |
| KR100423273B1 (ko) | 진공차단기용접점재료의제조방법 | |
| US4784829A (en) | Contact material for vacuum circuit breaker | |
| JPH0510782B2 (ja) | ||
| US3340022A (en) | Tungsten powder bodies infiltrated with copper-zirconium alloy | |
| JPH0813065A (ja) | 電気接点用焼結材料及びその製造方法 | |
| JP3039552B2 (ja) | 真空インタラプタの電極材料及びその製造方法 | |
| JP2007066753A (ja) | 真空バルブ用接点材料及びその製造方法 | |
| JPS603821A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
| JPS6335049B2 (ja) | ||
| JPH02117031A (ja) | 真空インタラプタの電極材料 | |
| JPS603822A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
| JPS61121218A (ja) | 真空しや断器 | |
| JPS6023928A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
| JPH0547928B2 (ja) | ||
| JPS6010525A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
| JPS6017823A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
| JPS6014721A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 |