JPS60180176A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPS60180176A JPS60180176A JP59034351A JP3435184A JPS60180176A JP S60180176 A JPS60180176 A JP S60180176A JP 59034351 A JP59034351 A JP 59034351A JP 3435184 A JP3435184 A JP 3435184A JP S60180176 A JPS60180176 A JP S60180176A
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- JP
- Japan
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- light
- lead
- emitting element
- lead frame
- light emitting
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、発光素子と受光素子を対向して配置してな
る光結合半導体装置に関する。
る光結合半導体装置に関する。
（従来技術）
従来の対向型リードフレームに半導体発光素子ならびに
半導体受光素子を搭載する光結合半導体装置を第１図の
断面図に基づいて説明する。
半導体受光素子を搭載する光結合半導体装置を第１図の
断面図に基づいて説明する。
第１図は半導体受光素子１を搭載したリードフレーム２
と半導体発光素子３を搭載したリードフレーム４とを対
向して重ね合わせた断面図であり、各リードフレーム２
と４は半導体受光素子１と半導体発光索子３とを所定の
間隔を有して搭載するため、折曲部２ａ 、４ａにおい
て、段差を設けて折り曲げである。
と半導体発光素子３を搭載したリードフレーム４とを対
向して重ね合わせた断面図であり、各リードフレーム２
と４は半導体受光素子１と半導体発光索子３とを所定の
間隔を有して搭載するため、折曲部２ａ 、４ａにおい
て、段差を設けて折り曲げである。
半導体受光素子１と半導体発光素子３との間には光結合
効率を向上させるため、シリコン樹脂などの光学的透明
樹脂５を挿入し、その後トランスファモールドなどの方
法でエポキシ樹脂などの樹脂封止体６を形成することに
より完成する。
効率を向上させるため、シリコン樹脂などの光学的透明
樹脂５を挿入し、その後トランスファモールドなどの方
法でエポキシ樹脂などの樹脂封止体６を形成することに
より完成する。
半導体発光素子３は原理的にＰＮ接合部に電流を流すと
、電流の一部が光に変換して発光するものであるが、発
光光線の放射方向は矢印で示すように四方六方に放射す
るものである。
、電流の一部が光に変換して発光するものであるが、発
光光線の放射方向は矢印で示すように四方六方に放射す
るものである。
また、半導体受光素子１は原理的にＰＮ接合部を有し、
そのＰＮ接合部に光が照射されると、光の一部を電流に
変換するものである。そのＰＮ接合部は受光面に近接し
て形成されており、受光面に垂直に入射する光が電流交
換に大きく寄与するものである。
そのＰＮ接合部に光が照射されると、光の一部を電流に
変換するものである。そのＰＮ接合部は受光面に近接し
て形成されており、受光面に垂直に入射する光が電流交
換に大きく寄与するものである。
第１図に示した光結合半導体装置では、半導体発光素子
３の表面より放射した光は半導体受光素子１の受光面に
垂直に入射するため、電流交換に寄与するが、半導体発
光素子３の側面から放射する光とか斜め方向に放射する
光は透明樹脂５と樹脂封止体６との界面７での一部の反
射光を除いて全く半導体光面に到達せず、電流変換には
寄与しない。
３の表面より放射した光は半導体受光素子１の受光面に
垂直に入射するため、電流交換に寄与するが、半導体発
光素子３の側面から放射する光とか斜め方向に放射する
光は透明樹脂５と樹脂封止体６との界面７での一部の反
射光を除いて全く半導体光面に到達せず、電流変換には
寄与しない。
この半導体発光素子３の側面から放射する光を有効に利
用する方法として、たとえば、米国特許明細書第３７６
４８６２号公報、実公昭５１−５２３１０号公報、実公
昭５１−５０４５２号公報、実公昭５３−１．５２６７
号公報などに示されている。
用する方法として、たとえば、米国特許明細書第３７６
４８６２号公報、実公昭５１−５２３１０号公報、実公
昭５１−５０４５２号公報、実公昭５３−１．５２６７
号公報などに示されている。
この考え方を第１図に示した光結合半導体装置に適用す
る方法を第２図（ａ）および第２図（ｂ） ’に参照し
て説明する。第２図（ａ）は半導体発光素子３を搭載す
るフレームの斜示図であり、第２図（ｂ）は部分組立断
面図である。
る方法を第２図（ａ）および第２図（ｂ） ’に参照し
て説明する。第２図（ａ）は半導体発光素子３を搭載す
るフレームの斜示図であり、第２図（ｂ）は部分組立断
面図である。
まず、第２図（ａ）は図示しない発光素子を搭載する領
域のフレームを折り曲げたリードフレーム１１を示すも
のであり、１２は発光素子搭載用リードフレーム、１３
，１３ａはワイヤ接続用リードであり、各リードは連結
用細条１４で連結されている。
域のフレームを折り曲げたリードフレーム１１を示すも
のであり、１２は発光素子搭載用リードフレーム、１３
，１３ａはワイヤ接続用リードであり、各リードは連結
用細条１４で連結されている。
リードフレーム１１は連結用細条１４にて外枠部と接続
されて固定されているものであるが、この第２図（ａ）
では図示を省略している。
されて固定されているものであるが、この第２図（ａ）
では図示を省略している。
連結用細条１４はトランスファモールドなどの方法でエ
ポキシ樹脂封止体を形成した後、切断によって除去され
、各リード１２，１３．１３ａは独立体となるものであ
る。
ポキシ樹脂封止体を形成した後、切断によって除去され
、各リード１２，１３．１３ａは独立体となるものであ
る。
発光素子搭載用リード１２の搭載領域端部は折り曲げら
れ１反射壁１２ａが形成されている。このり−ドフレー
ムを製作するのは、金属板を所定のリードパターンにエ
ツチングまたはプレス打ち抜き方法で形成し、しかる後
、ディグレスと称する工程にて第１図に示したごとく、
各リードフレーム２と４の折曲部２ａ、４ａで段差を設
けて折り曲げる。
れ１反射壁１２ａが形成されている。このり−ドフレー
ムを製作するのは、金属板を所定のリードパターンにエ
ツチングまたはプレス打ち抜き方法で形成し、しかる後
、ディグレスと称する工程にて第１図に示したごとく、
各リードフレーム２と４の折曲部２ａ、４ａで段差を設
けて折り曲げる。
このディジレスと称する工程は、リードフレームの折曲
部２ａ 、４ａに対応した形状を有する全型金準備し、
プレス加工することにより容易に形成できるものである
。
部２ａ 、４ａに対応した形状を有する全型金準備し、
プレス加工することにより容易に形成できるものである
。
この金型に同時に発光素子搭載用フレーム１２の素子搭
載領域の両端部の折曲部、すなわち、反射壁１２ａに対
応した形状に加工しておくことによフ、同一プレス加工
で端面部を折り曲げることもでき、第２図（ａ）のごと
く反射壁１２ａｋ形成することが可能となる。
載領域の両端部の折曲部、すなわち、反射壁１２ａに対
応した形状に加工しておくことによフ、同一プレス加工
で端面部を折り曲げることもでき、第２図（ａ）のごと
く反射壁１２ａｋ形成することが可能となる。
第２図（ｂ）は半導体受光素子１を搭載したＩＪ−ドフ
レーム２と半導体発光素子３を搭載した第２図（ａ）で
説明したリードフレーム１１とを対向に重ね合わせた断
面図である（第１図のｘ−ｘ’力方向断面に相当する）
。
レーム２と半導体発光素子３を搭載した第２図（ａ）で
説明したリードフレーム１１とを対向に重ね合わせた断
面図である（第１図のｘ−ｘ’力方向断面に相当する）
。
フレーム１２の両端面が折り曲げられて反射壁１２ａが
形成されており、発光素子３の側面に反射させて受光面
に垂直方向の光に変換することができ、光結合効率を向
上させることができる。
形成されており、発光素子３の側面に反射させて受光面
に垂直方向の光に変換することができ、光結合効率を向
上させることができる。
しかしながら、リードフレームの厚みは標準０．２５ｓ
ａｇであり、その巾も最大１．５ ｍ程度であり、第３
図に示すようにリード１２の両端をプレスにて折り曲げ
ると、両端面のみ所定の角度に折り曲げ、発光素子を搭
載するリード中央部を平坦に保持することは困難である
。すなわち、リードの中央部がある曲率を有して円孤状
となる。
ａｇであり、その巾も最大１．５ ｍ程度であり、第３
図に示すようにリード１２の両端をプレスにて折り曲げ
ると、両端面のみ所定の角度に折り曲げ、発光素子を搭
載するリード中央部を平坦に保持することは困難である
。すなわち、リードの中央部がある曲率を有して円孤状
となる。
このような面に発光素子を搭載することは、ダイスボン
ド接層強度を弱くしたシ５発光面の平行度が維持できな
いこと、さらにはワイヤボンド時の応力でチップが割れ
るなどの欠点があった。
ド接層強度を弱くしたシ５発光面の平行度が維持できな
いこと、さらにはワイヤボンド時の応力でチップが割れ
るなどの欠点があった。
（発明の目的）
この発明の目的は、半導体発光素子を搭載するリードの
中央部に平坦に保持でき、半導体受光素子の受光面に対
して垂直に入射する光量を増加できるとともにダイスボ
ンド接着力の増加などを期することができる光結合半導
体装置を得ることにある。
中央部に平坦に保持でき、半導体受光素子の受光面に対
して垂直に入射する光量を増加できるとともにダイスボ
ンド接着力の増加などを期することができる光結合半導
体装置を得ることにある。
（発明の概要）
この発明の要点は、半導体発光素子を搭載する金属片で
形成し−７１７一ド端部の所定の裏面領域をエツチング
などにて薄くしてから折り曲げて光反射壁として用いる
ことにある。
形成し−７１７一ド端部の所定の裏面領域をエツチング
などにて薄くしてから折り曲げて光反射壁として用いる
ことにある。
（実施例）
以下、この発明の光結合半導体装置の実施例について図
面に基づいて説明する。第４図（ａ）は厚さ０．２５ｍ
、巾１．５ ｍに相当するリードフレーム１０の発光素
子搭載部分の拡大断面図である。
面に基づいて説明する。第４図（ａ）は厚さ０．２５ｍ
、巾１．５ ｍに相当するリードフレーム１０の発光素
子搭載部分の拡大断面図である。
次に、第４図（ｂ）に示すようにリードフレーム１０の
両端部の所定の裏面領域１５ａ’ｆｉ＝エツチングにて
薄くしてフレーム板厚の約１／２程度の厚みにする。こ
の肉薄フレーム片が金属反射壁１５となる。この金属反
射壁１５の厚みは折９曲げた位置を保つ範囲なら薄けれ
ば薄いほど加工しやすい。
両端部の所定の裏面領域１５ａ’ｆｉ＝エツチングにて
薄くしてフレーム板厚の約１／２程度の厚みにする。こ
の肉薄フレーム片が金属反射壁１５となる。この金属反
射壁１５の厚みは折９曲げた位置を保つ範囲なら薄けれ
ば薄いほど加工しやすい。
このエツチングは金属反射壁１５となる裏面に対して行
うのがよい。これはエツチングが鏡面仕上げされ比表面
を粗面化するからである。
うのがよい。これはエツチングが鏡面仕上げされ比表面
を粗面化するからである。
このような形状のリードフレーム片を従来工程で説明し
たリードフレームの折曲部４ａとフレーム片を折り曲げ
に対応した形状金有する金型にてディグレス加工すると
、第４図ＣＣ）に示すようにフレーム板厚の厚みが変わ
る領域１６より折れ曲がるときに発生したリードフレー
ム１０の中央部がある曲率を有した円孤状にならず良好
な平坦面を有し、半導体発光素子を搭載してもダイスボ
ンド接層強度が弱くなったり、発光面の平行度が維持で
きないかどの欠点を解決することができる。
たリードフレームの折曲部４ａとフレーム片を折り曲げ
に対応した形状金有する金型にてディグレス加工すると
、第４図ＣＣ）に示すようにフレーム板厚の厚みが変わ
る領域１６より折れ曲がるときに発生したリードフレー
ム１０の中央部がある曲率を有した円孤状にならず良好
な平坦面を有し、半導体発光素子を搭載してもダイスボ
ンド接層強度が弱くなったり、発光面の平行度が維持で
きないかどの欠点を解決することができる。
この発明の実施例では、２片のみの金属反射板の形成方
法について説明したが、３片の場合についても同様に適
用されることはいうまでもない。
法について説明したが、３片の場合についても同様に適
用されることはいうまでもない。
さらに、第５図に示すように半導体発光素子１８のアノ
ードあるいはカソードとワイヤ接続用リード１９とを金
属細線１７に接続する際に、折り曲げて立ち上がった金
塊反射鏡１５と金属細線１７との短絡が心配になる場合
に、半導体発光素子１８を搭載するリードフレームｌＯ
のみを折ジ曲げればよい。
ードあるいはカソードとワイヤ接続用リード１９とを金
属細線１７に接続する際に、折り曲げて立ち上がった金
塊反射鏡１５と金属細線１７との短絡が心配になる場合
に、半導体発光素子１８を搭載するリードフレームｌＯ
のみを折ジ曲げればよい。
なお、リードフレーム１０を薄くするのはエツチングに
限るものではない。
限るものではない。
（発明の効果）
この発明は以上説明したように、半導体発光素子を搭載
する金属のリードフレームの端部の所定の裏面領域をエ
ツチングなどにより薄くしてから折り曲げて光反射壁を
形成するようにしたので、半導体発光素子を搭載するリ
ードの中央部は平坦さを保持でき、半導体受光素子の受
光面に対して垂直に入射する光量を増加できるとともに
、ダイスボンド接層強度を増加できるなどの利点を有す
る。
する金属のリードフレームの端部の所定の裏面領域をエ
ツチングなどにより薄くしてから折り曲げて光反射壁を
形成するようにしたので、半導体発光素子を搭載するリ
ードの中央部は平坦さを保持でき、半導体受光素子の受
光面に対して垂直に入射する光量を増加できるとともに
、ダイスボンド接層強度を増加できるなどの利点を有す
る。
第１図は従来の光結合半導体装置の断面図、第２図（ａ
）は半導体発光素子を搭載する領域の従来のフレームを
折り曲げたリードフレームの斜視図、第２図（ｂ）は従
来の金属反射板付対向型リードフレームの断面図、第３
図は従来の加工方法で折り曲げたリードフレームを示す
図％第４図（ａ）ないし第４図（ｅ）はこの発明の光結
合半導体装置に適用されるリードフレームの折り曲げ工
程を示す図、第５図はこの発明の光結合半導体装置の他
の実施例を示す斜視図である。 １０・・・リードフレーム、１５・・・金属反射鏡、１
５ａ・・・裏面領域、１６・・・フレームの板厚の厚み
が変わる領域、１７・・・金属細線、１８・・・半導体
発光素子、１９・・・ワイヤ接続用リード。 特許出願人 沖電気工業株式会社
）は半導体発光素子を搭載する領域の従来のフレームを
折り曲げたリードフレームの斜視図、第２図（ｂ）は従
来の金属反射板付対向型リードフレームの断面図、第３
図は従来の加工方法で折り曲げたリードフレームを示す
図％第４図（ａ）ないし第４図（ｅ）はこの発明の光結
合半導体装置に適用されるリードフレームの折り曲げ工
程を示す図、第５図はこの発明の光結合半導体装置の他
の実施例を示す斜視図である。 １０・・・リードフレーム、１５・・・金属反射鏡、１
５ａ・・・裏面領域、１６・・・フレームの板厚の厚み
が変わる領域、１７・・・金属細線、１８・・・半導体
発光素子、１９・・・ワイヤ接続用リード。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 金属板で構成され、素子搭載リードを含む複数のリード
を有する第１および第２のリードフレームと、この第１
のリードフレームの素子搭載リードに載置された発光素
子と、前記第２のリードフレームの素子搭載リードに載
置された受光素子とを含み、こｎらの画素子が所定間隔
をもって対峙するように配置してなる光結合半導体装置
において、前記第１のリードフレームの素子搭載リード
はこの発光素子搭載領域周辺のリード板厚が肉薄に形成
されかつこの発光素子の発光が受光素子の受光面に直角
に反射するようにこの肉薄部分が所定の角度で折り曲げ
られたことを特徴とする光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034351A JPS60180176A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034351A JPS60180176A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180176A true JPS60180176A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12411728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034351A Pending JPS60180176A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180176A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1892774A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-02-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface |
| JP2010525569A (ja) * | 2007-04-19 | 2010-07-22 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニット |
| EP2498308A3 (en) * | 2011-03-08 | 2015-05-27 | Lextar Electronics Corp. | Light-emitting diode with metal structure and heat sink |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59034351A patent/JPS60180176A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2472617A3 (en) * | 2006-08-23 | 2013-02-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface |
| JP2008053726A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
| EP2048719A1 (en) * | 2006-08-23 | 2009-04-15 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface |
| EP1892774A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-02-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface |
| US7999280B2 (en) | 2006-08-23 | 2011-08-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface |
| US8536586B2 (en) | 2007-04-19 | 2013-09-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| US8890176B2 (en) | 2007-04-19 | 2014-11-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| US8299474B2 (en) | 2007-04-19 | 2012-10-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| JP2012109612A (ja) * | 2007-04-19 | 2012-06-07 | Lg Innotek Co Ltd | 半導体ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
| JP2013128154A (ja) * | 2007-04-19 | 2013-06-27 | Lg Innotek Co Ltd | 発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニット |
| JP2010525569A (ja) * | 2007-04-19 | 2010-07-22 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニット |
| US8692262B2 (en) | 2007-04-19 | 2014-04-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| JP2012109611A (ja) * | 2007-04-19 | 2012-06-07 | Lg Innotek Co Ltd | 半導体ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
| US8994038B2 (en) | 2007-04-19 | 2015-03-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| US9018644B2 (en) | 2007-04-19 | 2015-04-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| US9666775B2 (en) | 2007-04-19 | 2017-05-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| US9252347B2 (en) | 2007-04-19 | 2016-02-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| US9559275B2 (en) | 2007-04-19 | 2017-01-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
| EP2498308A3 (en) * | 2011-03-08 | 2015-05-27 | Lextar Electronics Corp. | Light-emitting diode with metal structure and heat sink |
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