JPS60181270A - スパツタ−用タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents
スパツタ−用タ−ゲツトの製造方法Info
- Publication number
- JPS60181270A JPS60181270A JP59036412A JP3641284A JPS60181270A JP S60181270 A JPS60181270 A JP S60181270A JP 59036412 A JP59036412 A JP 59036412A JP 3641284 A JP3641284 A JP 3641284A JP S60181270 A JPS60181270 A JP S60181270A
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- JP
- Japan
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- target
- holder
- plasma
- sputtering
- al2o3
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/34—Sputtering
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はスパッター用ターゲットの製造方法、たとえば
半導体分野のパシベーション、絶縁薄膜および誘電体薄
膜をはじめとする各種薄膜の形成に有用なスパッター用
ターゲットを製造する方法に関するものである。
半導体分野のパシベーション、絶縁薄膜および誘電体薄
膜をはじめとする各種薄膜の形成に有用なスパッター用
ターゲットを製造する方法に関するものである。
２ ・・
従来例の構成とその問題点
近年、無機物の薄膜を作製するさいに、特に金属以外の
無機化合物の場合、マグネトロンＲＦスパッター法がよ
く利用される。その時スパッタータルゲットは、無機化
合物の原料の粉末を混合し、仮焼、粉砕、成形、焼成（
焼結）およびスパッター装置に合った形状にするための
加工の順に長い工程を通って作製される。この中で成形
、焼成および加工の工程は、ターゲットが小さくてよい
場合には大がかりな治具、装置は必要でないが、大形ス
パッター装置の２ｏｒＩｎ直径以上のターゲットや５イ
ンチ×１５インチの方形の生産機用夕〜ゲットでは、上
記治具、装置関係は大がかりでコストがかさむ。また焼
成技術も高度なものが要求され、大きなターゲットをそ
りやクラックなしに平板状に焼結することはなかなか困
難である。そりがあるとその後の修正加工にそのだめの
設備と労力を要するので、できるだけ上下面が平行で、
かつそりがない焼結体を作らねばならない。実際、上記
適当な形状の大形セラミックターゲットを−気に焼結す
ることは困難であるので、よく分割したり、加工に労力
をついやしでいる。このようにして作製したセラミソク
ターダット板の片面にＣｕやＮｉの薄膜をスパッター法
や蒸着法でつけ、その面とターゲットホルダー金属板（
スパッター装置のカソードの一部となる）との間を低融
点エ ハンダを用いて接合し、最終的なスパッターター
ゲットとして完成させる。この最後のプロセスもＣｕ、
Ｎｉ膜を形成する設備や、高価なＩｎｚ・ンダを使用し
、接合後の歪取り等に長時間を必要とする。
無機化合物の場合、マグネトロンＲＦスパッター法がよ
く利用される。その時スパッタータルゲットは、無機化
合物の原料の粉末を混合し、仮焼、粉砕、成形、焼成（
焼結）およびスパッター装置に合った形状にするための
加工の順に長い工程を通って作製される。この中で成形
、焼成および加工の工程は、ターゲットが小さくてよい
場合には大がかりな治具、装置は必要でないが、大形ス
パッター装置の２ｏｒＩｎ直径以上のターゲットや５イ
ンチ×１５インチの方形の生産機用夕〜ゲットでは、上
記治具、装置関係は大がかりでコストがかさむ。また焼
成技術も高度なものが要求され、大きなターゲットをそ
りやクラックなしに平板状に焼結することはなかなか困
難である。そりがあるとその後の修正加工にそのだめの
設備と労力を要するので、できるだけ上下面が平行で、
かつそりがない焼結体を作らねばならない。実際、上記
適当な形状の大形セラミックターゲットを−気に焼結す
ることは困難であるので、よく分割したり、加工に労力
をついやしでいる。このようにして作製したセラミソク
ターダット板の片面にＣｕやＮｉの薄膜をスパッター法
や蒸着法でつけ、その面とターゲットホルダー金属板（
スパッター装置のカソードの一部となる）との間を低融
点エ ハンダを用いて接合し、最終的なスパッターター
ゲットとして完成させる。この最後のプロセスもＣｕ、
Ｎｉ膜を形成する設備や、高価なＩｎｚ・ンダを使用し
、接合後の歪取り等に長時間を必要とする。
発明の目的
本発明は上述したような成形、焼成（焼結）および加工
工程がなく、かつターゲットホルダー板との接合に、Ｃ
ｕ、Ｎｉ等の金属膜やＩｎｚ・ンダを用いない、低コス
トで短時間に容易にできるスノ（ツタ−用ターゲットの
製造方法を提供することを目的とする。
工程がなく、かつターゲットホルダー板との接合に、Ｃ
ｕ、Ｎｉ等の金属膜やＩｎｚ・ンダを用いない、低コス
トで短時間に容易にできるスノ（ツタ−用ターゲットの
製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の方法は、基本的に、ターゲット粉末をたとえば
プラズマ溶射装置を用いて半溶融状態にし、タルゲット
ホルダー金属に溶射付着せしめ、ホルダー金属面上に直
接セラミック状ターゲットを形成するものである。これ
によって、金型に粉末をつめてプレス成形する工程、そ
れを電気炉中で焼結する工程、適当な形状に加工修正す
る工程、ＣｕやＮｉのスパッターあるいは蒸着工程、■
ｎ）・ンダによる接合工程を特に必要としない。ただ粉
末を得る寸での工程、特に容易に入手できない複雑な化
合物の場合、化学的合成あるいは窯業的固相反応を利用
して作製する。容易に入手できる単純な無機物の場合必
要に応じ簡単な粉体の前処理、たとえば熱処理、粉砕、
分級を経て溶射に適当なすべり易い粒径にそろえること
で利用できる。以」二のようにして作製したターゲット
は、ターゲット物質からカソード電極への熱伝導がよく
、また強固にターゲットホルダー金属板に付着している
ので、高いスパッターパワーの時に熱ショックによるク
ラック等の破損しにくい長所を持つ。
プラズマ溶射装置を用いて半溶融状態にし、タルゲット
ホルダー金属に溶射付着せしめ、ホルダー金属面上に直
接セラミック状ターゲットを形成するものである。これ
によって、金型に粉末をつめてプレス成形する工程、そ
れを電気炉中で焼結する工程、適当な形状に加工修正す
る工程、ＣｕやＮｉのスパッターあるいは蒸着工程、■
ｎ）・ンダによる接合工程を特に必要としない。ただ粉
末を得る寸での工程、特に容易に入手できない複雑な化
合物の場合、化学的合成あるいは窯業的固相反応を利用
して作製する。容易に入手できる単純な無機物の場合必
要に応じ簡単な粉体の前処理、たとえば熱処理、粉砕、
分級を経て溶射に適当なすべり易い粒径にそろえること
で利用できる。以」二のようにして作製したターゲット
は、ターゲット物質からカソード電極への熱伝導がよく
、また強固にターゲットホルダー金属板に付着している
ので、高いスパッターパワーの時に熱ショックによるク
ラック等の破損しにくい長所を持つ。
さらに、時として使用される平板状でないスパッタータ
ーゲット、たとえば球形のターゲットが必要な場合、従
来では製作が非常に困難であったが、本発明は容易にそ
のようなターゲットを提供できる。すなわち、球状の金
属ターゲットホルダーに、その全表面にまんべんなく、
粉末を溶射付着させれば簡単に球状ターゲットが得られ
る。
ーゲット、たとえば球形のターゲットが必要な場合、従
来では製作が非常に困難であったが、本発明は容易にそ
のようなターゲットを提供できる。すなわち、球状の金
属ターゲットホルダーに、その全表面にまんべんなく、
粉末を溶射付着させれば簡単に球状ターゲットが得られ
る。
一般にマグネトロンスハソターターゲソトでは、長時間
使用すると当然集中的にスパッターされた部分、すなわ
ちエロージョンパターンが生ずる。
使用すると当然集中的にスパッターされた部分、すなわ
ちエロージョンパターンが生ずる。
この部分はターゲットが薄くなり、ある一定の厚みまで
減少したら、ターゲットの一部のみ薄くなっているにも
かかわらず全体を新しいターゲ７）と交換しなくてはな
らない。したがって、不経済といえる。しかし本発明の
方法は、エロージョンパターン部分の薄くなってターゲ
ット物質が減少した部分に、さらに同じ物質粉末を溶射
し、つぎたす形で元の状態に再生できるという長所を持
つ。
減少したら、ターゲットの一部のみ薄くなっているにも
かかわらず全体を新しいターゲ７）と交換しなくてはな
らない。したがって、不経済といえる。しかし本発明の
方法は、エロージョンパターン部分の薄くなってターゲ
ット物質が減少した部分に、さらに同じ物質粉末を溶射
し、つぎたす形で元の状態に再生できるという長所を持
つ。
また、ターゲットの厚みに場所による分布を持たせるこ
とも容易で、それによって、ターゲット表面での磁界の
強さや、温度の分布を持たせて、生成する薄膜の厚み分
布をコントロールすることもできる。
とも容易で、それによって、ターゲット表面での磁界の
強さや、温度の分布を持たせて、生成する薄膜の厚み分
布をコントロールすることもできる。
実施例の説明
実施例１
高い電気絶縁、耐熱性および耐摩耗性を有するＡ１２ｏ
３は、半導体分野でゲート絶縁膜や保護膜および誘電体
膜として、電子ディスプレイデバイス（たとえば薄膜電
場発光素子）で、絶縁膜やパシベーション膜として利用
される。このＡｌ２Ｏ３のターゲットについて以下述べ
る。前記有用性からＡｌ２Ｏ３はそのままで容易に溶射
に適した粉体が得られる。９９．５％純度の約４０μｍ
粒径の粉体を用いた。
３は、半導体分野でゲート絶縁膜や保護膜および誘電体
膜として、電子ディスプレイデバイス（たとえば薄膜電
場発光素子）で、絶縁膜やパシベーション膜として利用
される。このＡｌ２Ｏ３のターゲットについて以下述べ
る。前記有用性からＡｌ２Ｏ３はそのままで容易に溶射
に適した粉体が得られる。９９．５％純度の約４０μｍ
粒径の粉体を用いた。
第１図に示すように、プラズマ溶射ガン１と１２．７胴
Ｘ３８．１Ｍの寸法の真ちゅう製のターゲットホルダー
２（カソードの一部となる）を配置し、互いの距離を約
１ｏｃｒｎに保った。真ちゅうホルダーのエツジ部分に
はボルト穴がおいており、ターゲツト材が付着する必要
がないのでステンレススチール板のマスク３をかぶせた
。ターゲソトホルダー２の、Ａｌ２Ｏ３が付着する表面
側は、あらかじめサンドブラストによって表面を荒し、
粗面の状態にした。Ａｒ ガスをプラズマガスに用い、
毎分約４２．５Ｌの流量で、了○〇へ、３５Ｖのパワー
を印加した。第２図のプラズマ溶射ガンの断面図に示し
たように１００００〜２００００ ℃のＡｒガスプラズ
マ５により、Ａｌ２Ｏ３粒子６が瞬間的に加熱され、ガ
スと共にターゲットホルダーに向けて輸送され、そこで
凝集しセラミック化する。
Ｘ３８．１Ｍの寸法の真ちゅう製のターゲットホルダー
２（カソードの一部となる）を配置し、互いの距離を約
１ｏｃｒｎに保った。真ちゅうホルダーのエツジ部分に
はボルト穴がおいており、ターゲツト材が付着する必要
がないのでステンレススチール板のマスク３をかぶせた
。ターゲソトホルダー２の、Ａｌ２Ｏ３が付着する表面
側は、あらかじめサンドブラストによって表面を荒し、
粗面の状態にした。Ａｒ ガスをプラズマガスに用い、
毎分約４２．５Ｌの流量で、了○〇へ、３５Ｖのパワー
を印加した。第２図のプラズマ溶射ガンの断面図に示し
たように１００００〜２００００ ℃のＡｒガスプラズ
マ５により、Ａｌ２Ｏ３粒子６が瞬間的に加熱され、ガ
スと共にターゲットホルダーに向けて輸送され、そこで
凝集しセラミック化する。
ホルダーを紙面に垂直方向に振動させつつ、上方に動か
し、ホルダーの下部丑できたら今度は下方に動かす操作
を繰返し、薄いＡｌ２Ｏ３層を何度も積重ねた。最終２
胴の厚みのＡｌ２Ｏ３セラミック膜を付着させるのに約
２０分を要し、従来通りの窯業的手法で作るターゲット
に比較すると格段に短時間で作製される。
し、ホルダーの下部丑できたら今度は下方に動かす操作
を繰返し、薄いＡｌ２Ｏ３層を何度も積重ねた。最終２
胴の厚みのＡｌ２Ｏ３セラミック膜を付着させるのに約
２０分を要し、従来通りの窯業的手法で作るターゲット
に比較すると格段に短時間で作製される。
上記のようにして得られたターゲットをマグネトロンＲ
Ｆスパッター装置に装填し、ＩＴＯ薄膜を有するガラス
基板上にＡ１２ｏ３薄膜を形成した。
Ｆスパッター装置に装填し、ＩＴＯ薄膜を有するガラス
基板上にＡ１２ｏ３薄膜を形成した。
形成条件は１０％の０２を含むＡｒガスをスパッターガ
スにし、５ Ｘ １ （Ｙ’ ｔｏｒｒ のガス圧、基
板温度２００℃、パワー ４ Ｋ’Ｗ テある。
スにし、５ Ｘ １ （Ｙ’ ｔｏｒｒ のガス圧、基
板温度２００℃、パワー ４ Ｋ’Ｗ テある。
Ａｌ２Ｏ３を７０Ｏｏ人の厚みにつけたところ、無色透
明な薄膜が得られ、誘電率と絶縁破壊強度を測定したと
ころ、それぞれ８．５×１０６ｖ／ｌ：ｔｎであり、Ａ
ｌ２Ｏ３本来の特性が得られた。また上記ターゲットは
、従来の窯業的手法でセラミックを作り、それをターゲ
ットホルダーにはりつけたものに比較し、熱ショックに
よる破損に対し、強固であった。すなわち、従来法では
２．ｓｋＷ程度でクラックが入るが、本発明の方法によ
るＡｌ２Ｏ３ターゲットは５ｋＷでもなんらクラックは
認められず、約２倍のデポジションレートのターゲット
が得られるという長所が見い出された。
明な薄膜が得られ、誘電率と絶縁破壊強度を測定したと
ころ、それぞれ８．５×１０６ｖ／ｌ：ｔｎであり、Ａ
ｌ２Ｏ３本来の特性が得られた。また上記ターゲットは
、従来の窯業的手法でセラミックを作り、それをターゲ
ットホルダーにはりつけたものに比較し、熱ショックに
よる破損に対し、強固であった。すなわち、従来法では
２．ｓｋＷ程度でクラックが入るが、本発明の方法によ
るＡｌ２Ｏ３ターゲットは５ｋＷでもなんらクラックは
認められず、約２倍のデポジションレートのターゲット
が得られるという長所が見い出された。
実施例２
高誘電率でかつ安定性の高い誘電体膜として、半導体あ
るいは電子ディスプレイデバイスによく用いられるＴａ
２０６膜を形成するためのスパッター用ターゲットを作
製した。
るいは電子ディスプレイデバイスによく用いられるＴａ
２０６膜を形成するためのスパッター用ターゲットを作
製した。
なお、Ｔａ２０５粉末の流動性をよくするために、９
・ 。
・ 。
まずルツボに入れ１３００℃で２時間、空気中で加熱し
た。ついでボールミルで粉砕し、分級してあらかじめ２
０〜５０μｍ粒径の粉体にそろえておいた。この粉体を
用いて、以後実施例１と同様の手順でターゲットを作製
した。
た。ついでボールミルで粉砕し、分級してあらかじめ２
０〜５０μｍ粒径の粉体にそろえておいた。この粉体を
用いて、以後実施例１と同様の手順でターゲットを作製
した。
その結果、５０００Ａの厚さで誘電率２５．絶縁破壊強
度１．５ Ｘ １０’ Ｖ ／ ｃｍ の無色透明な薄
膜を得た。Ａｌ２Ｏ３ターゲット同様、従来の窯業的手
法によるターゲ７）に比較し、約３倍の５ｋＷのスパッ
ターパワーでなんら破損が認められなかった０ 実施例３ 非常に高誘電率を示す誘電体薄膜としてＳ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ３膜を作製するためのターゲットを作った０ なお、流動性のよい粉体を容易に入手できないので、Ｓ
ｒ ＣＯｓとＴ １０２を１：１％／ｌ／比に混合し
、それを１０００℃、５時間空気中で仮焼して反応させ
、ついで、ボールミル粉砕し、さらに分級してあらかじ
め２ｏ〜４０μｍの粉体に粒径にそろえ１ｏ ・ ておいた。以後、実施例１と同様の手順でターゲットを
作製した。
度１．５ Ｘ １０’ Ｖ ／ ｃｍ の無色透明な薄
膜を得た。Ａｌ２Ｏ３ターゲット同様、従来の窯業的手
法によるターゲ７）に比較し、約３倍の５ｋＷのスパッ
ターパワーでなんら破損が認められなかった０ 実施例３ 非常に高誘電率を示す誘電体薄膜としてＳ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ３膜を作製するためのターゲットを作った０ なお、流動性のよい粉体を容易に入手できないので、Ｓ
ｒ ＣＯｓとＴ １０２を１：１％／ｌ／比に混合し
、それを１０００℃、５時間空気中で仮焼して反応させ
、ついで、ボールミル粉砕し、さらに分級してあらかじ
め２ｏ〜４０μｍの粉体に粒径にそろえ１ｏ ・ ておいた。以後、実施例１と同様の手順でターゲットを
作製した。
得られたターゲットを用いて７０００人厚みのＳ ｒ
Ｔ ｉＯ３薄膜を形成したところ、その誘電率は１４ｏ
、絶縁破壊強度は１．５ Ｘ １０６Ｖ ／備であった
。従来のターゲットに比較し、約２倍の４ｋＷのスパッ
ターパワーでもなんら熱ショックによる破損が認められ
なかった。
Ｔ ｉＯ３薄膜を形成したところ、その誘電率は１４ｏ
、絶縁破壊強度は１．５ Ｘ １０６Ｖ ／備であった
。従来のターゲットに比較し、約２倍の４ｋＷのスパッ
ターパワーでもなんら熱ショックによる破損が認められ
なかった。
実施例４
耐熱、高熱導率、高強度および耐触性材料としてよく用
いられるＳｉＣの薄膜を作るためのターゲットを作製し
た。
いられるＳｉＣの薄膜を作るためのターゲットを作製し
た。
ＳｉＣは一般に焼結性が悪く、セラミックを作ることは
非常に困難な材料である。しかし、本発明のプラズマ溶
射を利用することにより容易にターゲットは作成できた
。それを用いて酸素を含まないＡｒガス中でサファイヤ
基板上にスパッターし、５０００への薄膜を形成した。
非常に困難な材料である。しかし、本発明のプラズマ溶
射を利用することにより容易にターゲットは作成できた
。それを用いて酸素を含まないＡｒガス中でサファイヤ
基板上にスパッターし、５０００への薄膜を形成した。
その結果黒色の薄膜が得られ、オージェ分析、赤外吸収
測定の結果ＳｉＣであることを確認した０６ｏ○℃以下
の基板１１ ゛ 温度ではアモルファス状でそれ以上の基板温度では結晶
化し、容易にＸ線回析で固定できた。
測定の結果ＳｉＣであることを確認した０６ｏ○℃以下
の基板１１ ゛ 温度ではアモルファス状でそれ以上の基板温度では結晶
化し、容易にＸ線回析で固定できた。
発明の詳細
な説明したように、本発明の方法によれば、ターゲット
を溶射法を用いて作製するので、従来の窯業的設備を必
要とせず、ｉｆｔ加工工程、接合工程なしに容易に低コ
ストで短時間に作製でき、多くの溶射可能な無機物に対
して適用することができる。セラミック化が困難な高融
点物質や、板状に冶金、力ｎ工すると高価な高融点金属
は粉末状の方が一般に廉価であるため、特にそのような
ターゲットに対して効果的である。また平板状のみなら
ず曲面を持つターゲットも容易に得ることができる。
を溶射法を用いて作製するので、従来の窯業的設備を必
要とせず、ｉｆｔ加工工程、接合工程なしに容易に低コ
ストで短時間に作製でき、多くの溶射可能な無機物に対
して適用することができる。セラミック化が困難な高融
点物質や、板状に冶金、力ｎ工すると高価な高融点金属
は粉末状の方が一般に廉価であるため、特にそのような
ターゲットに対して効果的である。また平板状のみなら
ず曲面を持つターゲットも容易に得ることができる。
第１図は本発明の方法においてターゲットホルダーに粉
末を溶射してスパッターターゲットを作製する時の様子
を示す図、第２図はそれに使用されるプラズマ溶射ガン
の一例の断面図である０１・・・・・・プラズマ溶射ガ
ン、２・・・・・・ターゲットホルダー、３・・・・・
・マスク金属、４・・・・・・溶射されたセラミック状
ターゲット、５・旧・・アルゴンガスプラズマ、６・・
・・・・Ａｌ２Ｏ３等の粒子。
末を溶射してスパッターターゲットを作製する時の様子
を示す図、第２図はそれに使用されるプラズマ溶射ガン
の一例の断面図である０１・・・・・・プラズマ溶射ガ
ン、２・・・・・・ターゲットホルダー、３・・・・・
・マスク金属、４・・・・・・溶射されたセラミック状
ターゲット、５・旧・・アルゴンガスプラズマ、６・・
・・・・Ａｌ２Ｏ３等の粒子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０）スパッターのターゲットホルダーである金属板上に
、粉末状ターゲット物質を高温ガスで半溶融状態にし、
かつこのガスによりホルダーまで輸送し、セラミック状
に付着させることを特徴とするスパッター用ターゲット
の製造方法。 （２）粉末状ターゲット物質を半溶融状態にしてホルダ
ーに輸送する方法として、プラズマ溶射法を用いる特許
請求の範囲第１項記載のスパッター用ターゲットの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036412A JPS60181270A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | スパツタ−用タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036412A JPS60181270A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | スパツタ−用タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181270A true JPS60181270A (ja) | 1985-09-14 |
Family
ID=12469109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59036412A Pending JPS60181270A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | スパツタ−用タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60181270A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354446A (en) * | 1988-03-03 | 1994-10-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production |
| US6743343B2 (en) | 1995-08-23 | 2004-06-01 | Asahi Glass Ceramics Co., Ltd. | Target and process for its production, and method of forming a film having a high refractive index |
| US6787011B2 (en) | 2000-09-08 | 2004-09-07 | Asahi Glass Company, Limited | Cylindrical target and its production method |
| WO2013065337A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | 株式会社フェローテックセラミックス | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| CN113249703A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-08-13 | 江苏海泰新材料科技有限公司 | 一种导电氧化锆旋转靶材生产装置 |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59036412A patent/JPS60181270A/ja active Pending
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