JPS60181649A - 応力測定方法 - Google Patents
応力測定方法Info
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- JPS60181649A JPS60181649A JP59036259A JP3625984A JPS60181649A JP S60181649 A JPS60181649 A JP S60181649A JP 59036259 A JP59036259 A JP 59036259A JP 3625984 A JP3625984 A JP 3625984A JP S60181649 A JPS60181649 A JP S60181649A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は応力の測定方法に係り、特に超音波探傷を用い
た応力測定方法に関する。
た応力測定方法に関する。
一端部から他端部にわたってほぼ一定の幅寸法を有する
内部欠陥のある構造体に作用する応力を測定する方法と
して、従来、構造体の表面にひずみゲージを貼付け、こ
のひずみゲージから出力される信号によって測定する方
法がある。しかし、この従来の方法にあっては以下に列
挙する不具合がある。
内部欠陥のある構造体に作用する応力を測定する方法と
して、従来、構造体の表面にひずみゲージを貼付け、こ
のひずみゲージから出力される信号によって測定する方
法がある。しかし、この従来の方法にあっては以下に列
挙する不具合がある。
（１）測定される応力は表面応力であり、構造体全体に
作用する応力は測定できない６ （２）測定に際し、ひずみゲージを貼付するための構造
体の表面仕上げ作業、ひずみゲージの接着作業、ひずみ
ゲージに接続されるリード線の結線作業等の前処理、及
びひずみゲージを構造体からはがす後処理を必要とし、
多大な作業工数を要する。
作用する応力は測定できない６ （２）測定に際し、ひずみゲージを貼付するための構造
体の表面仕上げ作業、ひずみゲージの接着作業、ひずみ
ゲージに接続されるリード線の結線作業等の前処理、及
びひずみゲージを構造体からはがす後処理を必要とし、
多大な作業工数を要する。
（３）一度、測定された後のひずみゲージは再使用が不
能であり、ランニングコストがかかる。
能であり、ランニングコストがかかる。
（４）ひずみゲージにはリード線が接続されることから
、測定される構造体の回転動作等が困難である。
、測定される構造体の回転動作等が困難である。
本発明は、このような従来技術における実情に鑑みてな
されたもので、その目的は、ひずみゲージを用いること
なく構造体全体に作用する応力を測定することのできる
応力測定方法を提供するこ−とにある。
されたもので、その目的は、ひずみゲージを用いること
なく構造体全体に作用する応力を測定することのできる
応力測定方法を提供するこ−とにある。
この目的を達成するために、本発明は超音波探傷を用い
た非破壊検査に着目し、一端部から他端部にわたってほ
ぼ一定の幅寸法を有する内部欠陥に作用する応力を測定
する応力測定方法において。
た非破壊検査に着目し、一端部から他端部にわたってほ
ぼ一定の幅寸法を有する内部欠陥に作用する応力を測定
する応力測定方法において。
上述の内部欠陥に超音波ビームを投射して当該内部欠陥
の欠陥高さ及び欠陥幅をめるとともに、内部欠陥の一端
部と他端部を含む方向に超音波ビームを投射することに
よって得られる上述の一端部における第１の散乱波エコ
ーのエコー高さと、他端部における第２の散乱波エコー
のエコー高さとの比をめ、上述の欠陥高さ及び欠陥幅に
対応する上述の比と上述の応力との相関関係から、当該
構造体に作用する応力を測定する構成にしである。
の欠陥高さ及び欠陥幅をめるとともに、内部欠陥の一端
部と他端部を含む方向に超音波ビームを投射することに
よって得られる上述の一端部における第１の散乱波エコ
ーのエコー高さと、他端部における第２の散乱波エコー
のエコー高さとの比をめ、上述の欠陥高さ及び欠陥幅に
対応する上述の比と上述の応力との相関関係から、当該
構造体に作用する応力を測定する構成にしである。
（発明の実施例〕
以下、本発明の応力測定方法の一実施例を、第１図〜第
９図に基づいて説明する。
９図に基づいて説明する。
第１図〜第５図は実際の測定作業に先立っておこなわれ
る準備作業を例示する説明図である。第１図において、
１は試験体で、例えば板厚Ｔが５０ｍｍの材質５０ｋｇ
の高張力鋼からなっている。
る準備作業を例示する説明図である。第１図において、
１は試験体で、例えば板厚Ｔが５０ｍｍの材質５０ｋｇ
の高張力鋼からなっている。
２はこの試験体ｌに形成した内部欠陥で、探傷面３から
の距離Ｑが例えば２５ｍｍの位置にあり、欠陥高さＳが
１０＋＋ｗｎになっている。なお、ｔは内部欠陥２の幅
寸法つまり欠陥幅で、当該欠陥幅ｔの方向が探傷面３に
平行となるようにこの内部欠陥２を形成しである。４は
超音波ビームを内部欠陥２に投射する探触子で、探傷面
３上に配置され、該探傷面３に対して例えば垂直に超音
波ビームを入射させるようになっており、公知の図示し
ないオツシロスコープやパルス反射式ハスコープ表示型
超音波探傷器などの表示手段、およびマイクロコンピュ
ータ等の演算手段に接続されている。
の距離Ｑが例えば２５ｍｍの位置にあり、欠陥高さＳが
１０＋＋ｗｎになっている。なお、ｔは内部欠陥２の幅
寸法つまり欠陥幅で、当該欠陥幅ｔの方向が探傷面３に
平行となるようにこの内部欠陥２を形成しである。４は
超音波ビームを内部欠陥２に投射する探触子で、探傷面
３上に配置され、該探傷面３に対して例えば垂直に超音
波ビームを入射させるようになっており、公知の図示し
ないオツシロスコープやパルス反射式ハスコープ表示型
超音波探傷器などの表示手段、およびマイクロコンピュ
ータ等の演算手段に接続されている。
そして、この第１図に示す状態において例えば５ Ｍ
Ｈｚの周波数で探触子４から内部欠陥２に向って超音波
ビームを投射ちと、第２図に示すように、内部欠陥２の
第１の端部例えば上端部５における第１の散乱波エコー
６と、第２の端部例えば下端部７に第２の散乱波エコー
８とが生じる。
Ｈｚの周波数で探触子４から内部欠陥２に向って超音波
ビームを投射ちと、第２図に示すように、内部欠陥２の
第１の端部例えば上端部５における第１の散乱波エコー
６と、第２の端部例えば下端部７に第２の散乱波エコー
８とが生じる。
このようにして得られる第１の散乱波エコー６と第２の
散乱波エコー８とに注目すると、内部欠陥２の欠陥幅ｔ
が狭いほど上端部５における第１の散乱波エコー６のエ
コー高さｈｌが小さくなり、下端部７における第２の散
乱波エコー８のエコー高さｈｌが大きくなる関係があり
、逆に４欠陥幅ｔが広くなると第１の散乱波エコー６の
エコー高さｈｌが大きくなり、第２の散乱波エコー８の
エコー高さｈｌが小さくなる関係がある。
散乱波エコー８とに注目すると、内部欠陥２の欠陥幅ｔ
が狭いほど上端部５における第１の散乱波エコー６のエ
コー高さｈｌが小さくなり、下端部７における第２の散
乱波エコー８のエコー高さｈｌが大きくなる関係があり
、逆に４欠陥幅ｔが広くなると第１の散乱波エコー６の
エコー高さｈｌが大きくなり、第２の散乱波エコー８の
エコー高さｈｌが小さくなる関係がある。
したがって、試験体１における内部欠陥２の欠陥幅ｔを
各種の値に設定し、これらの欠陥幅ｔに対応するエコー
高さｈｘ、ｈｚをそれぞれめるとともに、当該ｈｘ、ｈ
ｚに基づいて次の式、Ｈｒ（ｄＢ）＝２０Ｑｏｇ１ ｏ
（ｈｘ ／ｈｚ ） （１）によってエコー高さの比
Ｈｒをマイクロコンピュータ等の演算手段により演算す
ると、第３図に例示するエコー高さの比Ｈｒと欠陥幅ｔ
との相関関係が得られる。このような相関関係は例えば
図示しないマイクロコンピュータ等の記憶部に記憶させ
ておく。
各種の値に設定し、これらの欠陥幅ｔに対応するエコー
高さｈｘ、ｈｚをそれぞれめるとともに、当該ｈｘ、ｈ
ｚに基づいて次の式、Ｈｒ（ｄＢ）＝２０Ｑｏｇ１ ｏ
（ｈｘ ／ｈｚ ） （１）によってエコー高さの比
Ｈｒをマイクロコンピュータ等の演算手段により演算す
ると、第３図に例示するエコー高さの比Ｈｒと欠陥幅ｔ
との相関関係が得られる。このような相関関係は例えば
図示しないマイクロコンピュータ等の記憶部に記憶させ
ておく。
なお、上述の相関関係は上記した材質、板厚Ｔ等を有す
る試験体ｌの内部欠陥２におけるものであるが、この第
３図に示す相関関係とほぼ同等の相関関係が試験体１の
材質、板厚Ｔ、内部欠陥２までの距離Ｑ、周波数などに
ほとんど影響されることなく成立する。
る試験体ｌの内部欠陥２におけるものであるが、この第
３図に示す相関関係とほぼ同等の相関関係が試験体１の
材質、板厚Ｔ、内部欠陥２までの距離Ｑ、周波数などに
ほとんど影響されることなく成立する。
次に、試験体１に作用する応力と、試験体１に内在する
内部欠陥２の欠陥幅ｔとの関係に着目すると、一般に、
試験体１に作用する応力の大きさに相応して欠陥幅ｔは
変化する。すなわち、当該応力が例えば引張応力の場合
、応力の値が大きくなる程、欠陥幅ｔは大きな幅寸法に
なる関係にある。このことから内部欠陥２を有する試験
体１に引張応力を作用させた場合に、当該応力と上述し
た第３図に示すエコー高さの比Ｈｒとは相関関係にある
ことがわかる。そこで、第４図に示すように試験体ｌに
引張応力がほぼＯの状態、すなわち静的状態における欠
陥幅ｔが２μｍ、欠陥高さＳが５．１０．２０ｍｍの内
部欠陥２をそれぞれ別個に形成し、他の条件を第３図が
得られたときと同様にして内部欠陥２に超音波ビームを
投射しつつ、例えば引張試験機において矢印１８方向に
試験体１に徐々に引張力を与えると、第５図に示すよう
に欠陥高さＳ＝５．１０．２０（＋ｎｍ）のそれぞれに
対応したエコー高さの比Ｈｒ（ｄＢ）と応力（ｋｇ／ｎ
ｍｎ２）との相関関係が得られる。
内部欠陥２の欠陥幅ｔとの関係に着目すると、一般に、
試験体１に作用する応力の大きさに相応して欠陥幅ｔは
変化する。すなわち、当該応力が例えば引張応力の場合
、応力の値が大きくなる程、欠陥幅ｔは大きな幅寸法に
なる関係にある。このことから内部欠陥２を有する試験
体１に引張応力を作用させた場合に、当該応力と上述し
た第３図に示すエコー高さの比Ｈｒとは相関関係にある
ことがわかる。そこで、第４図に示すように試験体ｌに
引張応力がほぼＯの状態、すなわち静的状態における欠
陥幅ｔが２μｍ、欠陥高さＳが５．１０．２０ｍｍの内
部欠陥２をそれぞれ別個に形成し、他の条件を第３図が
得られたときと同様にして内部欠陥２に超音波ビームを
投射しつつ、例えば引張試験機において矢印１８方向に
試験体１に徐々に引張力を与えると、第５図に示すよう
に欠陥高さＳ＝５．１０．２０（＋ｎｍ）のそれぞれに
対応したエコー高さの比Ｈｒ（ｄＢ）と応力（ｋｇ／ｎ
ｍｎ２）との相関関係が得られる。
なお、上述の第５図に示す相関関係は静的状態に保たれ
た欠陥幅ｔが２μｍの場合の内部欠陥２についてのもの
であるが、欠陥幅ｔが静的状態におけるときに上記の２
μｍとは異なる各種の値に設定した内部欠陥２のそれぞ
れについて上記と同様にしてあらかじめ第５図に示すよ
うな相関関係をめておき、例えば図示しないマイクロコ
ンビ二一タ等の記憶部に記憶させておく。また、この場
合、上記では欠陥高さＳが５．１０．２０（ｍｍ）とな
る３種のものを挙げたが、この欠陥高さＳも可能な限り
、種々設定し、それぞれに対応するエコー高さの比Ｈｒ
（ｄＢ）と応力（ｋｇ／ｎｏ”）との相関関係をめ図示
しないマイクロコンピュータ等の記憶部に記憶させてお
く。このような準備作業をおこなった後、次に述べる実
際の測定作業に入る。 第６図〜第９図は実際の測定作
業を例示する説、四回である。なお、第６，８図に示す
９は内部欠陥２を有する構造体で、この構造体９は例え
ば後に別の図示しない構造体に溶接等によって接続され
、これに伴って引張応力を生じうるものと仮定する。
た欠陥幅ｔが２μｍの場合の内部欠陥２についてのもの
であるが、欠陥幅ｔが静的状態におけるときに上記の２
μｍとは異なる各種の値に設定した内部欠陥２のそれぞ
れについて上記と同様にしてあらかじめ第５図に示すよ
うな相関関係をめておき、例えば図示しないマイクロコ
ンビ二一タ等の記憶部に記憶させておく。また、この場
合、上記では欠陥高さＳが５．１０．２０（ｍｍ）とな
る３種のものを挙げたが、この欠陥高さＳも可能な限り
、種々設定し、それぞれに対応するエコー高さの比Ｈｒ
（ｄＢ）と応力（ｋｇ／ｎｏ”）との相関関係をめ図示
しないマイクロコンピュータ等の記憶部に記憶させてお
く。このような準備作業をおこなった後、次に述べる実
際の測定作業に入る。 第６図〜第９図は実際の測定作
業を例示する説、四回である。なお、第６，８図に示す
９は内部欠陥２を有する構造体で、この構造体９は例え
ば後に別の図示しない構造体に溶接等によって接続され
、これに伴って引張応力を生じうるものと仮定する。
まず、上述のように第３図に例示するエコー高さの比Ｈ
ｒと欠陥幅ｔとの相関関係、及び第５図に例示するエコ
ー高さの比Ｈｒと応力との相関関係をあらかじめ設定し
た状態において、第６図に示すように図示しない構造体
に接続する前の静的状態にある構造体９の探傷面３に探
触子４を配置し、超音波ビーム１０を投射する。この場
合、構造体９に内部欠陥２が存在するときは、第７図に
示すように図示しないオツシロスコープ等の表示手段に
おいて、構造体９の底面によって反射するエコー（エコ
ー高さＥ）の他に、内部欠陥２による散乱波エコーが得
られる。またこのとき、超音波ビーム１０の方向と内部
欠陥２の上端部５と下端部７とを含む方向とが一致して
いるときは、上述したように内部欠陥２の上端部５にお
ける第１の散乱波エコー６と下端部７における第２の散
乱波エコー８との双方が得られるが、今仮に第６図に示
すように一致していないとすると、第７図に示すように
構造体９の底面によって反射するエコーの他には１つの
エコーのみが得られる。
ｒと欠陥幅ｔとの相関関係、及び第５図に例示するエコ
ー高さの比Ｈｒと応力との相関関係をあらかじめ設定し
た状態において、第６図に示すように図示しない構造体
に接続する前の静的状態にある構造体９の探傷面３に探
触子４を配置し、超音波ビーム１０を投射する。この場
合、構造体９に内部欠陥２が存在するときは、第７図に
示すように図示しないオツシロスコープ等の表示手段に
おいて、構造体９の底面によって反射するエコー（エコ
ー高さＥ）の他に、内部欠陥２による散乱波エコーが得
られる。またこのとき、超音波ビーム１０の方向と内部
欠陥２の上端部５と下端部７とを含む方向とが一致して
いるときは、上述したように内部欠陥２の上端部５にお
ける第１の散乱波エコー６と下端部７における第２の散
乱波エコー８との双方が得られるが、今仮に第６図に示
すように一致していないとすると、第７図に示すように
構造体９の底面によって反射するエコーの他には１つの
エコーのみが得られる。
このような場合は、第８図に示すように、探触子４とし
て探傷面３に対して超音波ビーム１０が斜角に入射する
ものを用い、この探触子４を探傷面３上を移動させる。
て探傷面３に対して超音波ビーム１０が斜角に入射する
ものを用い、この探触子４を探傷面３上を移動させる。
そして、第９図に示すように、図示しないオツシロスコ
ープ等の表示手段によって内部ケ脇２めト蛇部ζＬ−セ
はス笛１山助坦波エコー６（エコー高さｈｌ）と下端部
７における第２の散乱波エコー８（エコー高さ１）２）
とが同時に得られたとき、探触子４から投射される超音
波ビーム１０の方向と内部欠陥２の上端部５と下端部７
とを含む方向が一致し、このとき得られるｈｘ、ｈｚに
基づき図示しないマイクロコンピュータ等の演算手段に
よって、上式したエコー高さの比Ｈｒをめる（１）式の
演算をおこなう。
ープ等の表示手段によって内部ケ脇２めト蛇部ζＬ−セ
はス笛１山助坦波エコー６（エコー高さｈｌ）と下端部
７における第２の散乱波エコー８（エコー高さ１）２）
とが同時に得られたとき、探触子４から投射される超音
波ビーム１０の方向と内部欠陥２の上端部５と下端部７
とを含む方向が一致し、このとき得られるｈｘ、ｈｚに
基づき図示しないマイクロコンピュータ等の演算手段に
よって、上式したエコー高さの比Ｈｒをめる（１）式の
演算をおこなう。
なお、構造体９の内部欠陥２が前述した第１図に示すよ
うなものである場合は、第６図に示す状態に相応する内
部欠陥２の存在を確認する作業時に直ちに第９図に示す
ようなエコー高さｈｌ、、ｈｚが得られることから、斜
角に入射する探触子４を用いることなく上述のＨｒを演
算することができる。
うなものである場合は、第６図に示す状態に相応する内
部欠陥２の存在を確認する作業時に直ちに第９図に示す
ようなエコー高さｈｌ、、ｈｚが得られることから、斜
角に入射する探触子４を用いることなく上述のＨｒを演
算することができる。
このようにして得られたＨｒが例えば５（ｄＢ）であっ
たとすれば、第３図に例示する相関関係から内部欠陥２
の欠陥幅ｔは２０μｒｎとめられる。
たとすれば、第３図に例示する相関関係から内部欠陥２
の欠陥幅ｔは２０μｒｎとめられる。
また上述の第８図に例示するように、超音波ビームの方
向が内部欠陥２の上端部５と下端部７とを含む方向に一
致したときにエコー高さｈｌの第１の散乱波エコー６と
エコー高さｈｚの第２の散乱波エコー８とが得られるが
、公知のようにこれらのエコー高さｈｌとエコー高さｈ
ｚとから内部欠陥２の欠陥高さＳが例えば１０ｍｍのよ
うにめられる。
向が内部欠陥２の上端部５と下端部７とを含む方向に一
致したときにエコー高さｈｌの第１の散乱波エコー６と
エコー高さｈｚの第２の散乱波エコー８とが得られるが
、公知のようにこれらのエコー高さｈｌとエコー高さｈ
ｚとから内部欠陥２の欠陥高さＳが例えば１０ｍｍのよ
うにめられる。
このようにして得られた欠陥高さ５（＝１０（１））、
欠陥幅しく＝２０μｍ）によって、マイクロコンピュー
タ等の記憶部にあらかじめ記憶されている第５図に例示
するようなエコー高さの比Ｈｒと応力との１つの相関関
係が選定される。
欠陥幅しく＝２０μｍ）によって、マイクロコンピュー
タ等の記憶部にあらかじめ記憶されている第５図に例示
するようなエコー高さの比Ｈｒと応力との１つの相関関
係が選定される。
そして、第６，８図に示す構造体９を図示しない構造体
に溶接等によって接続したときに、当該構造体９の全体
に生じる応力例えば引張応力は次のようにして簡単にめ
られる。すなわち、上述した第８図に示すようにして内
部欠陥２に超音波ビーム１０を投射して第９図に例示す
るように、上端部５における第１の散乱波エコー６のエ
コー高さｈｌ、下端部７における第２の散乱波エコー８
のエコー高ｈｚをめ、上記（１）式によってエコー高さ
の比Ｈｒを演算し、上記した欠陥高さＳ（−１０ｎｍ）
、欠陥幅ｔ （＝ ２０ μｍ）におけるエコー高さの
比Ｈｒと応力との選定された相関関係から、当該比Ｈｒ
に対応する応力が得られる。
に溶接等によって接続したときに、当該構造体９の全体
に生じる応力例えば引張応力は次のようにして簡単にめ
られる。すなわち、上述した第８図に示すようにして内
部欠陥２に超音波ビーム１０を投射して第９図に例示す
るように、上端部５における第１の散乱波エコー６のエ
コー高さｈｌ、下端部７における第２の散乱波エコー８
のエコー高ｈｚをめ、上記（１）式によってエコー高さ
の比Ｈｒを演算し、上記した欠陥高さＳ（−１０ｎｍ）
、欠陥幅ｔ （＝ ２０ μｍ）におけるエコー高さの
比Ｈｒと応力との選定された相関関係から、当該比Ｈｒ
に対応する応力が得られる。
このようにして測定をおこなう実施例にあっては、何ら
ひずみゲージを使用することなく、図示しない構造体に
接続される構造体９の全体に作用する引張応力を高精度
に、かつ容易に測定することができる。
ひずみゲージを使用することなく、図示しない構造体に
接続される構造体９の全体に作用する引張応力を高精度
に、かつ容易に測定することができる。
なお、上記では応力が引張応力である場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず圧縮応力であってもよい。
たが、本発明はこれに限らず圧縮応力であってもよい。
以上述べたように、本発明の応力測定方法は、超音波探
傷を用い、構造体の内部欠陥の欠陥高さ及び欠陥幅をめ
るとともに、該内部欠陥の第１の端部、第２の端部にお
ける散乱波エコーのエコー高さの比をめ、これらのエコ
ー高さの比を構造体に生じる応力の評価指標とした構成
にしであることから、ひずみゲージによることなく構造
体全体に作用する応力を測定することができ、従来に比
べて下記に列挙する効果を奏する。
傷を用い、構造体の内部欠陥の欠陥高さ及び欠陥幅をめ
るとともに、該内部欠陥の第１の端部、第２の端部にお
ける散乱波エコーのエコー高さの比をめ、これらのエコ
ー高さの比を構造体に生じる応力の評価指標とした構成
にしであることから、ひずみゲージによることなく構造
体全体に作用する応力を測定することができ、従来に比
べて下記に列挙する効果を奏する。
（１）構造体全体に作用する応力を精度良く測定するこ
とができる。
とができる。
（２）測定に際し、ひずみゲージの接着、はがし作業等
の処理を要しないので作業工数が少なくて済む。
の処理を要しないので作業工数が少なくて済む。
（３）超音波探傷であるので耐久性に優れ、ランニング
コストが少なくて済む。
コストが少なくて済む。
（４）測定される構造体の回転動作等に何ら制約を受け
ることがない。
ることがない。
第１図〜第９図は本発明の応力測定方法の一実施例を示
す説明図で、特に第１図〜第５図は実際の測定作業に先
立っておこなわれる準備作業を例示しており、第１図は
探触子を試験体に配置した状態を示す要部断面図、第２
図は超音波ビームを投射した状態を示す要部断面図、第
３図は超音波ビームの投射によって得られるエコー高さ
の比と欠陥幅の関係を示す説明図、第４図は試験体に引
張応力を与えた状態を示す要部断面図、第５図は第４図
に例示する操作によって得られるエコー高さの比と応力
の関係を示す説明図、第６図〜第９図は実際の測定作業
を例示しており、第６図は探触子を内部欠陥を内包する
構造体に配置した状態を示す要部断面図、第７図は第６
図に示す状態において得られる散乱波エコーを示す波形
図、第８図は超音波ビームを内部欠陥の上端部と下端部
を含む方向に投射させた状態を示す要部断面図、第９図
は第８図に示す状態において得られる散乱波エコーを示
す波形図である。 ｌ・・・・・・試験体、２・・・・・・内部欠陥、３・
・・・・・探傷面、４・・・・・・探触子、５・・・・
・・上端部（第１の端部）、６・・・・・・第１の散乱
波エコー、７・・・・・・下端部（第２の端部）、８・
・・・・・第２の散乱波エコー、９・・・・・構造体、
ｌＯ・・・・・・超音波ビーム。 第１門 第２図 第３図 儒 突戸石幅ｔ（ｐｍ） 第４図 第５図 メさ 力 （ｋＱ／ｍｍ２） 第６図 第８図 第７図 翳藺 第９図 時間
す説明図で、特に第１図〜第５図は実際の測定作業に先
立っておこなわれる準備作業を例示しており、第１図は
探触子を試験体に配置した状態を示す要部断面図、第２
図は超音波ビームを投射した状態を示す要部断面図、第
３図は超音波ビームの投射によって得られるエコー高さ
の比と欠陥幅の関係を示す説明図、第４図は試験体に引
張応力を与えた状態を示す要部断面図、第５図は第４図
に例示する操作によって得られるエコー高さの比と応力
の関係を示す説明図、第６図〜第９図は実際の測定作業
を例示しており、第６図は探触子を内部欠陥を内包する
構造体に配置した状態を示す要部断面図、第７図は第６
図に示す状態において得られる散乱波エコーを示す波形
図、第８図は超音波ビームを内部欠陥の上端部と下端部
を含む方向に投射させた状態を示す要部断面図、第９図
は第８図に示す状態において得られる散乱波エコーを示
す波形図である。 ｌ・・・・・・試験体、２・・・・・・内部欠陥、３・
・・・・・探傷面、４・・・・・・探触子、５・・・・
・・上端部（第１の端部）、６・・・・・・第１の散乱
波エコー、７・・・・・・下端部（第２の端部）、８・
・・・・・第２の散乱波エコー、９・・・・・構造体、
ｌＯ・・・・・・超音波ビーム。 第１門 第２図 第３図 儒 突戸石幅ｔ（ｐｍ） 第４図 第５図 メさ 力 （ｋＱ／ｍｍ２） 第６図 第８図 第７図 翳藺 第９図 時間
Claims (1)
- 一端部から他端部にわたってほぼ一定の幅寸法を有する
内部欠陥のある構造体に作用する応力を測定する応力測
定方法において、上記内部欠陥に超音波ビームを投射し
て当該内部欠陥の欠陥高さ及び欠陥幅をめるとともに、
上記内部欠陥の上記一端部と上記他端部を含む方向に超
音波ビームを投射することによって得られる上記一端部
における第１の散乱波エコーのエコー高さと、上記他端
部における第２の散乱波エコーのエコー高さとの比をめ
、上記欠陥高さ及び欠陥幅に対応する上記比と上記応力
との相関関係から、当該構造体に作用する応力を測定す
ることを特徴とする応力測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036259A JPS60181649A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 応力測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036259A JPS60181649A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 応力測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181649A true JPS60181649A (ja) | 1985-09-17 |
| JPH047821B2 JPH047821B2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=12464769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59036259A Granted JPS60181649A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 応力測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60181649A (ja) |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59036259A patent/JPS60181649A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047821B2 (ja) | 1992-02-13 |
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