JPS60182642A - 電子増倍器をそなえた陰極線管 - Google Patents
電子増倍器をそなえた陰極線管Info
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- JPS60182642A JPS60182642A JP60021594A JP2159485A JPS60182642A JP S60182642 A JPS60182642 A JP S60182642A JP 60021594 A JP60021594 A JP 60021594A JP 2159485 A JP2159485 A JP 2159485A JP S60182642 A JPS60182642 A JP S60182642A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/80—Arrangements for controlling the ray or beam after passing the main deflection system, e.g. for post-acceleration or post-concentration, for colour switching
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子発生装置と陰極螢光スクリーンの間に配
設された板状チャネル電子増倍器を内部に有する容器を
そなえ、この電子増倍器は、孔を有するn個の板状ダイ
ノードより成り、これ等のダイノードは、間隔保持材に
よって互いに分離され、隣接ダイノードの孔が一列にそ
ろったチャネルを形成するように縦続配設された陰極線
管に関するものである。
設された板状チャネル電子増倍器を内部に有する容器を
そなえ、この電子増倍器は、孔を有するn個の板状ダイ
ノードより成り、これ等のダイノードは、間隔保持材に
よって互いに分離され、隣接ダイノードの孔が一列にそ
ろったチャネルを形成するように縦続配設された陰極線
管に関するものである。
英国特許明細書第1434053号には穿孔金属シート
の形の個別の導電性ダイノードが開示されており、この
ダイノードは前記のダイブの電子増倍器に使用すること
ができる。この既知のダイノードは、二次電子放出によ
る電子増倍を生じる孔列を有し、この孔列は、ダイノー
ドの厚さを通じて軸方向に見ると、ダイノードの対向表
面における入力および出力断面が該ダイノードの厚みの
中央の断面よりも小さいように円曲状例えば凹面の形を
している。普通のエツチング技法で円曲状の孔をつくる
ことは難かしいので、収斂する孔を有する2つのシート
をつくり、大きい方の直径の開口している面が互に接す
るようにこれ等を背中合せに配してダイノードをつくる
のが普通である。
の形の個別の導電性ダイノードが開示されており、この
ダイノードは前記のダイブの電子増倍器に使用すること
ができる。この既知のダイノードは、二次電子放出によ
る電子増倍を生じる孔列を有し、この孔列は、ダイノー
ドの厚さを通じて軸方向に見ると、ダイノードの対向表
面における入力および出力断面が該ダイノードの厚みの
中央の断面よりも小さいように円曲状例えば凹面の形を
している。普通のエツチング技法で円曲状の孔をつくる
ことは難かしいので、収斂する孔を有する2つのシート
をつくり、大きい方の直径の開口している面が互に接す
るようにこれ等を背中合せに配してダイノードをつくる
のが普通である。
多段電子増倍器をつくる場合にはこのようなダイノード
を複数積層し、これ等のダイノードを間隔保持材によっ
て互に分離するがダイノードの孔は一列にそろうように
する。人力ダイノードはダイノードの半分を形成するシ
ートでもよく、また同様にダイノードの半分を出力に配
設し、集束電極を形成するか或いはまたカラーテレビジ
ョン電極に対する装置を形成するようにしてもよい。
を複数積層し、これ等のダイノードを間隔保持材によっ
て互に分離するがダイノードの孔は一列にそろうように
する。人力ダイノードはダイノードの半分を形成するシ
ートでもよく、また同様にダイノードの半分を出力に配
設し、集束電極を形成するか或いはまたカラーテレビジ
ョン電極に対する装置を形成するようにしてもよい。
一般的にダイノードの孔の人力および出力断面は等しく
、ダイノードの厚さに相当する。したがって例えは77
0μmのピッチで孔を有するダイノードは、300μm
の人力および出力断面をもった円曲状の孔と300μm
のダイノード厚を有するが、これは1つのダイノードを
形成する2つのシートの厚さは夫々150μmであるこ
とを意味する。このようなダイノードは取扱が適度に容
易であり、積層として組立てて板状チャネル電子増倍器
を形成するとかなり強固である。
、ダイノードの厚さに相当する。したがって例えは77
0μmのピッチで孔を有するダイノードは、300μm
の人力および出力断面をもった円曲状の孔と300μm
のダイノード厚を有するが、これは1つのダイノードを
形成する2つのシートの厚さは夫々150μmであるこ
とを意味する。このようなダイノードは取扱が適度に容
易であり、積層として組立てて板状チャネル電子増倍器
を形成するとかなり強固である。
積層ダイノード電子増倍器を表示装置の一部として用い
る場合には、解像度はダイノードの孔のピッチに左右さ
れる。例えば対角線が30On++++のスクリーンを
有する表示管の場合には、理想的にいえば孔のピッチは
250μm台で孔の入力および出力断面は100μm台
であるべきであるが、これはダイノードの厚さが1.0
0μmでシートの厚さが50μmでなけれどならないこ
とを意味する。このような厚さのシートおよびダイノー
ドは取扱が難しく、更に積層したダイノード電子増倍器
は余り強固ではなく、マイクロホニイに悩まされること
がある。
る場合には、解像度はダイノードの孔のピッチに左右さ
れる。例えば対角線が30On++++のスクリーンを
有する表示管の場合には、理想的にいえば孔のピッチは
250μm台で孔の入力および出力断面は100μm台
であるべきであるが、これはダイノードの厚さが1.0
0μmでシートの厚さが50μmでなけれどならないこ
とを意味する。このような厚さのシートおよびダイノー
ドは取扱が難しく、更に積層したダイノード電子増倍器
は余り強固ではなく、マイクロホニイに悩まされること
がある。
本発明の目的は、人力(または出力)孔の断面の実験上
の関係が材料の厚さと同じに保たれた場合よりも取扱が
容易な高解像ダイノードの積層で形成された電子増倍器
を有する陰極線管を得ることにある。
の関係が材料の厚さと同じに保たれた場合よりも取扱が
容易な高解像ダイノードの積層で形成された電子増倍器
を有する陰極線管を得ることにある。
本発明の特徴とするところは、少なくとも2番目から(
n−1)番目のダイノードにおいては、そこにある孔は
夫々該ダイノードの厚さの範囲内の円曲部分を有し、こ
の円曲部分の軸方向に隔たった両端は入力部分と出力部
分とによってダイノードの夫々の対向表面より離され、
人力および出力部分とつながる円曲部分の前記の軸方向
に隔たった両端の断面は夫々この軸方向に隔たった両端
の中間の断面よりも小さいことにある。
n−1)番目のダイノードにおいては、そこにある孔は
夫々該ダイノードの厚さの範囲内の円曲部分を有し、こ
の円曲部分の軸方向に隔たった両端は入力部分と出力部
分とによってダイノードの夫々の対向表面より離され、
人力および出力部分とつながる円曲部分の前記の軸方向
に隔たった両端の断面は夫々この軸方向に隔たった両端
の中間の断面よりも小さいことにある。
各孔入力および出力部分を設けることにより、シートの
厚さ全体に延在する円曲した孔をもって高解像ダイノー
ドをつくった場合よりも厚く取扱いが容易な材料のダイ
ノードをつくること可能である。
厚さ全体に延在する円曲した孔をもって高解像ダイノー
ドをつくった場合よりも厚く取扱いが容易な材料のダイ
ノードをつくること可能である。
ダイノードの所望の性能を維持するために、人力部分と
出力部分の断面は等しく、円曲部分の軸方向の長さは入
力部分および出力部分の断面の1つと等しい。
出力部分の断面は等しく、円曲部分の軸方向の長さは入
力部分および出力部分の断面の1つと等しい。
若し必要ならば、孔の人力部分を円曲部分の方向に収斂
させ、孔の出力部分を円曲部分から遠ざかる方向に拡散
させてもよい。代わりに番孔の入力および出力部分を断
面円筒状としてもよい。
させ、孔の出力部分を円曲部分から遠ざかる方向に拡散
させてもよい。代わりに番孔の入力および出力部分を断
面円筒状としてもよい。
ダイノードは、互いに物理的および電気的に接 −触し
て配設された2つの穿孔シートより構成することができ
る。各シートの孔は両側からのエツチングによって形成
してもよい。
て配設された2つの穿孔シートより構成することができ
る。各シートの孔は両側からのエツチングによって形成
してもよい。
番孔はその縦軸に対して同軸にされる。その上ダイノー
ドの表面における人力および出力部分の断面は等しくさ
れる。
ドの表面における人力および出力部分の断面は等しくさ
れる。
以下に添付の図面を参照して実施例によって説明する。
第1図において、公知のダイノード10は、複数の円曲
状例えば樽状の孔12を有する有孔の板部材を有する。
状例えば樽状の孔12を有する有孔の板部材を有する。
前記の孔は一般にその縦軸およびダイノードを通る中正
面に関して対称である。入力および出力断面d1とd2
は同一で、孔12内の断面d3よりも小さい。前記の孔
の入力/出力断面d1またはd2はダイノード10の厚
さXと等しいのが普通で、したがって1=1の縦横比を
もつと考えてよい。
面に関して対称である。入力および出力断面d1とd2
は同一で、孔12内の断面d3よりも小さい。前記の孔
の入力/出力断面d1またはd2はダイノード10の厚
さXと等しいのが普通で、したがって1=1の縦横比を
もつと考えてよい。
例として厚さX=300μmのダイノードでは、断面d
1およびd2=300μmで孔のピッチPは770μm
である。単一のシートに円曲状の孔をエツチングするの
は困難なので、ダイノード10を2枚の金属材料のシー
[4,16よりつくるのが普通である。
1およびd2=300μmで孔のピッチPは770μm
である。単一のシートに円曲状の孔をエツチングするの
は困難なので、ダイノード10を2枚の金属材料のシー
[4,16よりつくるのが普通である。
この材料は、べIJ IJウム/銅合金のような公知の
二次放出物質または二次放出は少ないが安価な軟鋼のよ
うな物質でよい。収斂するまたはテーパをもった孔をシ
ート14.16にエッチし、次いで大きい方の直径の開
口を対面させて背中合わせに配設する。ダイノードの材
料が軟鋼のような二次放出の少ない物質の場合には、酸
化マグネシウムのような二次放出物質を孔12に付着す
ることができる。
二次放出物質または二次放出は少ないが安価な軟鋼のよ
うな物質でよい。収斂するまたはテーパをもった孔をシ
ート14.16にエッチし、次いで大きい方の直径の開
口を対面させて背中合わせに配設する。ダイノードの材
料が軟鋼のような二次放出の少ない物質の場合には、酸
化マグネシウムのような二次放出物質を孔12に付着す
ることができる。
前に挙げた例の場合ならば各シー[4,16の厚さは1
50μmとなる。このようなシートは取扱いが容易であ
り、スペーサを介してダイノードの積層を集めて組立て
て積層電子増倍器を形成すると、このアッセンブリはか
なり強固なものである。けれども、高い解像度を有する
ダイノードをつくる場合にはピッチPが小さく、入力お
よび出力断面d1とd2も小さくなければならず、この
ことは厚さ×が小さいことを意味する。したがって、ピ
ッチが250μmで断面d1と62が100μmの場合
前記の縦横比を保てば厚さXは100μmとなり、シー
ト14.16の厚さは50μmでなければならない。こ
のようなシートは取扱が困難である。
50μmとなる。このようなシートは取扱いが容易であ
り、スペーサを介してダイノードの積層を集めて組立て
て積層電子増倍器を形成すると、このアッセンブリはか
なり強固なものである。けれども、高い解像度を有する
ダイノードをつくる場合にはピッチPが小さく、入力お
よび出力断面d1とd2も小さくなければならず、この
ことは厚さ×が小さいことを意味する。したがって、ピ
ッチが250μmで断面d1と62が100μmの場合
前記の縦横比を保てば厚さXは100μmとなり、シー
ト14.16の厚さは50μmでなければならない。こ
のようなシートは取扱が困難である。
第2図と第3図は高い解像度をもつことができるにも拘
わらず厚く取扱が容易なシートでつくることができるダ
イノード10の2つの実施例を示す。
わらず厚く取扱が容易なシートでつくることができるダ
イノード10の2つの実施例を示す。
これ等の実施例では、孔12の輪郭は、該輪郭が収斂す
る人力部分20、拡散する出力部分22および内曲した
中間部分24より成るようなものである。中間部分と人
力部分および出力部分との間に夫々できた頚部26 、
28は、これ等の頚部の中間の断面d3より小さいが該
頚部26.28間の軸方向の距離Tと略等しい同じ断面
d1とd2を有する。したがって、電子増倍が生じろ中
間部分24は1:1の縦横比を保つ。けれとも、デーパ
をつけた人力および出力部分20.22をもつことによ
って、隣接したダイノート間に有効なゲインが得られる
ように電界を与えながらダイノードの厚さXを増すこと
が可能である。したがって、dl =62= Tが15
0μmならば、この場合X= 200μmは、各シート
14.16の厚さを前記の入力部分および出力部分、
20.22が夫々ない場合の75μmではなくて100
μmとすることができる。このためシー1−14.16
は取扱いが容易になる。
る人力部分20、拡散する出力部分22および内曲した
中間部分24より成るようなものである。中間部分と人
力部分および出力部分との間に夫々できた頚部26 、
28は、これ等の頚部の中間の断面d3より小さいが該
頚部26.28間の軸方向の距離Tと略等しい同じ断面
d1とd2を有する。したがって、電子増倍が生じろ中
間部分24は1:1の縦横比を保つ。けれとも、デーパ
をつけた人力および出力部分20.22をもつことによ
って、隣接したダイノート間に有効なゲインが得られる
ように電界を与えながらダイノードの厚さXを増すこと
が可能である。したがって、dl =62= Tが15
0μmならば、この場合X= 200μmは、各シート
14.16の厚さを前記の入力部分および出力部分、
20.22が夫々ない場合の75μmではなくて100
μmとすることができる。このためシー1−14.16
は取扱いが容易になる。
第2図のダイノード10をつくるには、各シート14.
16はこの実施例では2重収斂孔を形成するために両側
(曲面le 5icled)エツチングを受ける。
16はこの実施例では2重収斂孔を形成するために両側
(曲面le 5icled)エツチングを受ける。
これ等のシーN4.16は背中合わせに組立てられて第
2図のタイノード10を形成する。若しノー1−が二次
放出の少ない物質例えは軟鋼ならば、シー1−14.1
6を組立てる前に酸化マクネンウムのような良好な二次
放出物質を2つのソートの少なくとも出力部分22を有
する方の電子増倍部分内に設ける。
2図のタイノード10を形成する。若しノー1−が二次
放出の少ない物質例えは軟鋼ならば、シー1−14.1
6を組立てる前に酸化マクネンウムのような良好な二次
放出物質を2つのソートの少なくとも出力部分22を有
する方の電子増倍部分内に設ける。
図示したように孔12は夫々の縦軸に関して同軸であり
、ダイノードの表面におけるそれ等の断面は同じである
。人力、出力および中間部分2F1 、22および24
は夫々略々球状または楕円体状の形を有する。けれども
第3図に示したように中間部分24はこれとは別の円状
対称円曲形を有してもよい。
、ダイノードの表面におけるそれ等の断面は同じである
。人力、出力および中間部分2F1 、22および24
は夫々略々球状または楕円体状の形を有する。けれども
第3図に示したように中間部分24はこれとは別の円状
対称円曲形を有してもよい。
第4A図と第4B図は第2図の2つの変形実施例で人力
および出力部分20 、22を夫々デーパをもたない円
筒状としたものである。この2つの実施例の相違点は人
力および出力部分20.22の軸方向の長さしが第48
図の方が第4A図よりも長いことである。
および出力部分20 、22を夫々デーパをもたない円
筒状としたものである。この2つの実施例の相違点は人
力および出力部分20.22の軸方向の長さしが第48
図の方が第4A図よりも長いことである。
コンピュータ光線追跡(computer ray t
racing)実験によると、dl=62=T = 3
00μmとした装置の場合には300vのダイノード間
電圧において適正なステ〜ンケインを得るために1.は
100μmまでの値をとり得ることがわかった。di
、 tj 2およびTの値をそのままにしてLの値をそ
れより大きくすると、二次電子の軌跡が軸に対しより近
く偏向されしたがって後続のダイノートに衝突しないの
で、ステーンゲインは急激に低下することがわかった。
racing)実験によると、dl=62=T = 3
00μmとした装置の場合には300vのダイノード間
電圧において適正なステ〜ンケインを得るために1.は
100μmまでの値をとり得ることがわかった。di
、 tj 2およびTの値をそのままにしてLの値をそ
れより大きくすると、二次電子の軌跡が軸に対しより近
く偏向されしたがって後続のダイノートに衝突しないの
で、ステーンゲインは急激に低下することがわかった。
エッチャントはそれが物質内に浸入する時に孔のわきを
浸食し易いので、金属に円筒状の孔をエッチするのは一
般に困難である。けれどもこれは非金属材料では必ずし
も起きるとは限らず、テーパ部分とつながる円筒状部分
を有する孔はrFotofor…」 (登録商標)ガラ
スのようなガラスにエッチすることができ、次いてこれ
を金属化して半部ダイノードを形成する。
浸食し易いので、金属に円筒状の孔をエッチするのは一
般に困難である。けれどもこれは非金属材料では必ずし
も起きるとは限らず、テーパ部分とつながる円筒状部分
を有する孔はrFotofor…」 (登録商標)ガラ
スのようなガラスにエッチすることができ、次いてこれ
を金属化して半部ダイノードを形成する。
第5図は、収斂孔32を有する人力タイノード30と拡
散孔36を有する出力ダイノード34を第2図に示した
タイプのダイノードと積層した電子増倍構造を示す。入
力および出力ダイノード30.34は典型的にはダイノ
ード10の厚さの半分である。これ等のダイノードは、
ダイノード程導電性はなく典型的には絶縁物質を含む間
隔保持材によって互いに分離されている。この間隔保持
材は図ではハロティ=イ(ballot、1ni)33
または英国特許第2023332号に記載されたように
して用いることのできるその他の個別のスペーサを有す
る。
散孔36を有する出力ダイノード34を第2図に示した
タイプのダイノードと積層した電子増倍構造を示す。入
力および出力ダイノード30.34は典型的にはダイノ
ード10の厚さの半分である。これ等のダイノードは、
ダイノード程導電性はなく典型的には絶縁物質を含む間
隔保持材によって互いに分離されている。この間隔保持
材は図ではハロティ=イ(ballot、1ni)33
または英国特許第2023332号に記載されたように
して用いることのできるその他の個別のスペーサを有す
る。
連続したグイノート間には使用時略々一定の電位差が保
たれ、出力ダイノード34が最も高い電圧にある。ステ
ージ当りの正確な電圧は、各ダイノードから満足のい(
ゲインを得ることに関係する。
たれ、出力ダイノード34が最も高い電圧にある。ステ
ージ当りの正確な電圧は、各ダイノードから満足のい(
ゲインを得ることに関係する。
このゲインは最終的には電子の数によって決まり、この
電子はダイノードに衝突して二次電子を発生し、この二
次電子が次のダイノードに衝突し、これを繰り返して行
く。必ずしも全部の電子が次のダイノートの二次電子放
出面に衝突するわけではなく、成るものは次のダイノー
ドの孔を通過し、電子増倍器を去る。次のダイノードの
二次電子放出面に当たる二次電子の総数の割合は、円曲
孔の軸方向の長さT、人力および出力部分20.22の
軸方向の長さしおよび隣接ダイノード間の間隔S並びに
連続したダイノート間の電圧差によって決まる。したが
って、電子増倍はT、 L、 Sおよびダイノー4電圧
の色々な値で生じるというのは間違いではないが、それ
等の値が必ずしもすべて許容ゲインを与えるものとは限
らない。実験の結果許容ゲインは次のような電子増倍器
によって得られることがわかった。
電子はダイノードに衝突して二次電子を発生し、この二
次電子が次のダイノードに衝突し、これを繰り返して行
く。必ずしも全部の電子が次のダイノートの二次電子放
出面に衝突するわけではなく、成るものは次のダイノー
ドの孔を通過し、電子増倍器を去る。次のダイノードの
二次電子放出面に当たる二次電子の総数の割合は、円曲
孔の軸方向の長さT、人力および出力部分20.22の
軸方向の長さしおよび隣接ダイノード間の間隔S並びに
連続したダイノート間の電圧差によって決まる。したが
って、電子増倍はT、 L、 Sおよびダイノー4電圧
の色々な値で生じるというのは間違いではないが、それ
等の値が必ずしもすべて許容ゲインを与えるものとは限
らない。実験の結果許容ゲインは次のような電子増倍器
によって得られることがわかった。
]、、 300νのステージ電圧の場合、ピッチP=
270μm、 T=300 Am、 L=100 μm
および5=100μm2、400V (Dステージ電圧
の場合、ピッチP= 770μm、T=3圓μm、 L
=100 μmおよび5=150 pmここに2番目の
実施例は300V /ステージで働く場合には許容ゲイ
ンは得られず、このことから間隔Sが増加するとステー
ジ当りの電圧は増加せねばならずまた逆も成立つという
結論が得られる。
270μm、 T=300 Am、 L=100 μm
および5=100μm2、400V (Dステージ電圧
の場合、ピッチP= 770μm、T=3圓μm、 L
=100 μmおよび5=150 pmここに2番目の
実施例は300V /ステージで働く場合には許容ゲイ
ンは得られず、このことから間隔Sが増加するとステー
ジ当りの電圧は増加せねばならずまた逆も成立つという
結論が得られる。
別の実験ではステージ当りの電圧、TおよびSが一定に
保たれ、性能が許容以下になる迄りが変えられた。
保たれ、性能が許容以下になる迄りが変えられた。
これ等の実験は次のことを示す。即ち、電界だけを考慮
すべきなのでこの場合寸法T、LおよびSは特定のダイ
ノード間電圧に対して寸法を決めることができ、したか
で前述の電子増倍器10の場合には高解像タイノーFを
50%の倍率とし、ステージ電圧300vはそのままと
してP=387 pm 5T=150μm 、 L=5
Qμmおよび5−50μmとすることができる。コノ場
合にはX= T+ 2L =150100 =250
p mなのでシートの厚さは125μmであり、この厚
さは取扱が比較的容易である。
すべきなのでこの場合寸法T、LおよびSは特定のダイ
ノード間電圧に対して寸法を決めることができ、したか
で前述の電子増倍器10の場合には高解像タイノーFを
50%の倍率とし、ステージ電圧300vはそのままと
してP=387 pm 5T=150μm 、 L=5
Qμmおよび5−50μmとすることができる。コノ場
合にはX= T+ 2L =150100 =250
p mなのでシートの厚さは125μmであり、この厚
さは取扱が比較的容易である。
第6図はチャネル電子増倍器42を有する陰極線管40
0例を示す。この陰極線管40は電子ビーム46を発生
ずる電子銃44を有し、この電子ビームは電磁偏向装置
48により電子増倍器42の入力端に亘って走査される
。陰極螢光スクリーン50がフェースプレート52上に
設けられているが、このスクリーンは電子増倍器42の
出力側から略々10ml11のところにある。電子増倍
器42とスクリーン50との間には加速電界が与えられ
る。
0例を示す。この陰極線管40は電子ビーム46を発生
ずる電子銃44を有し、この電子ビームは電磁偏向装置
48により電子増倍器42の入力端に亘って走査される
。陰極螢光スクリーン50がフェースプレート52上に
設けられているが、このスクリーンは電子増倍器42の
出力側から略々10ml11のところにある。電子増倍
器42とスクリーン50との間には加速電界が与えられ
る。
前述の電子増倍器は欧州特許第0070060号に記載
されたにうな平らな陰極線管も含めて他のタイプの陰極
線管にもちいることもできる。更にこの電子増倍器は、
光電陰極、電子増倍器および出力電極をそなえた光電子
増倍管の電子増倍器として用いることもできる。
されたにうな平らな陰極線管も含めて他のタイプの陰極
線管にもちいることもできる。更にこの電子増倍器は、
光電陰極、電子増倍器および出力電極をそなえた光電子
増倍管の電子増倍器として用いることもできる。
第1図は公知のダイノードの一部の断面図、第2図と第
3図は本発明の陰極線管に使用するテーパ孔を有するダ
イノートの異なる実施例を示す一部の断面図、 第4A図と第4B図は円筒状孔を有するダイノードの異
なる実施例を示す一部の断面図、 第5図は積層板状電子増倍器の一部の断面図、第6図は
本発明の電子増倍器を有する陰極線管の一実施例の線図
的な断面図である。 12・・・内面状の孔 14.16・・・シート20・
・・人力部分 22・・・出力部分26.28・・・頚
部 30・・・入力ダイノード36 ・出力ダイノード
38・・間隔保持材42・・・チャネル電子増倍器 44 ・電子銃 46・・・電子ビーム50・・・陰極
螢光スクリーン 52・・・フェースプレート
3図は本発明の陰極線管に使用するテーパ孔を有するダ
イノートの異なる実施例を示す一部の断面図、 第4A図と第4B図は円筒状孔を有するダイノードの異
なる実施例を示す一部の断面図、 第5図は積層板状電子増倍器の一部の断面図、第6図は
本発明の電子増倍器を有する陰極線管の一実施例の線図
的な断面図である。 12・・・内面状の孔 14.16・・・シート20・
・・人力部分 22・・・出力部分26.28・・・頚
部 30・・・入力ダイノード36 ・出力ダイノード
38・・間隔保持材42・・・チャネル電子増倍器 44 ・電子銃 46・・・電子ビーム50・・・陰極
螢光スクリーン 52・・・フェースプレート
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電子発生装置と陰極螢光スクリーンの間に配設され
た板状チャネル電子増倍器を内部に有する容器をそなえ
、この電子増倍器は孔を有するn個の平板のダイノード
より成り、これ等のダイノードは、間隔部材によって互
いに分離され、隣接ダイノードの孔が一列にそろったチ
ャネルを形成するように縦続に配設された陰極線管にお
いて、少なくとも2番目から(n−1)番目のダイノー
ドにおいては、そこにある孔は夫々該ダイノードの厚さ
の範囲内の円曲部分を有し、この円曲部分の軸方向に隔
たった両端は人力部分と出力部分とによってダイノード
の夫々の対向表面より離され前記の入力および出力部分
とつながる円曲部分の軸方向に隔たった両端の断面は夫
々この軸方向に隔たった両端の中間の断面よりも小さい
ことを特徴とする電子増倍器をそなえた陰極線管。 2、 答礼の軸方向に隔たった両端の断面は等しく、円
曲部分の軸方向の長さは前記の隔たった両端の断面と等
しい特許請求の範囲第1項記載の電子増倍器をそなえた
陰極線管。 3、 答礼の入力部分は円曲部分に向って収斂し、前記
答礼の出力部分は、円曲部分より遠ざかる方向に拡散す
る特許請求の範囲第1項または第2項記載の電子増倍器
をそなえた陰極線管。 4、 答礼の入力および出力部分は円筒状である特許請
求の範囲第1項または第2項記載の電子増倍器をそなえ
た陰極線管。 5、 答礼の入力および出力部分の軸方向の長さは等し
い特許請求の範囲第1項から第4項の何れか1項記載の
電子増倍器をそなえた陰極線管。 6.2番目から(n−1)番目の各ダイノードは、物理
的および電気的に接触する2つの穿孔シートより成る特
許請求の範囲第1項から第5項の何れか1項記載の電子
増倍器をそなえた陰極線管。 7、 各シートの孔は両側からのエツチングにより形成
された特許請求の範囲第6項記載の電子増倍器をそなえ
た陰極線管。 8、 答礼はその縦軸に対して同軸である特許請求の範
囲第1項から第7項の何れか1項記載の電子増倍器をそ
なえた陰極線管。 9、 ダイノードの表面における入力部分と出力部分の
断面は等しい特許請求の範囲第1項から第8項の何れか
1項記載の電子増倍器をそなえた陰極線管。 10.2番目から(n−1)番目のダイノードの孔は中
心横断面に対して対称な特許請求の範囲第1項から第9
項の何れか1項記載の電子増倍器をそなえた陰極線管。 11、孔の断面は円形である特許請求の範囲第1項から
第10項の何れか1項記載の電子増倍器をそなえた陰極
線管。 12、孔の入力、内的および出力部分は球状または楕円
体状の形を有する特許請求の範囲第5項または第11項
記載の電子増倍器をそなえた陰極線管。 13.1番目のダイノードは、2番目のダイノードの方
向に傾斜され且つ収斂された形の孔を有する特許請求の
範囲第1項から第12項の何れか1項記載の電子増倍器
をそなえた陰極線管。 14、n番目のダイノードは、(n−1)番目のダイノ
ードから遠ざかる方向に傾斜され且つ拡散された形の孔
を有する特許請求の範囲第13項記載の電子増倍器をそ
なえた陰極線管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08403298A GB2154053A (en) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | High resolution channel multiplier dynodes |
| GB8403298 | 1984-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182642A true JPS60182642A (ja) | 1985-09-18 |
| JPH067457B2 JPH067457B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=10556265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021594A Expired - Lifetime JPH067457B2 (ja) | 1984-02-08 | 1985-02-06 | 電子増倍器をそなえた陰極線管 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4626736A (ja) |
| EP (1) | EP0151502B1 (ja) |
| JP (1) | JPH067457B2 (ja) |
| KR (1) | KR920003142B1 (ja) |
| CA (1) | CA1232005A (ja) |
| DD (1) | DD232787A5 (ja) |
| DE (1) | DE3565025D1 (ja) |
| ES (1) | ES540143A0 (ja) |
| GB (1) | GB2154053A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0686996A1 (en) | 1994-06-06 | 1995-12-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
| WO2000002227A1 (fr) * | 1998-07-01 | 2000-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detecteur d'images radiologiques |
| EP2124240A1 (en) | 2000-06-19 | 2009-11-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dynode structure |
| WO2012165380A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618217A (en) * | 1995-07-25 | 1997-04-08 | Center For Advanced Fiberoptic Applications | Method for fabrication of discrete dynode electron multipliers |
| JP4246879B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-04-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管及び光電子増倍管 |
| SG139599A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-29 | Singapore Tech Dynamics Pte | Method and apparatus for treating water or wastewater or the like |
| US8606366B2 (en) | 2009-02-18 | 2013-12-10 | Syneron Medical Ltd. | Skin treatment apparatus for personal use and method for using same |
| CN104269338B (zh) * | 2014-09-17 | 2016-04-06 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 用于光电成像和信号增强的变孔径微通道板及其制作方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4041343A (en) * | 1963-07-12 | 1977-08-09 | International Telephone And Telegraph Corporation | Electron multiplier mosaic |
| GB1434053A (en) * | 1973-04-06 | 1976-04-28 | Mullard Ltd | Electron multipliers |
| GB1446774A (en) * | 1973-04-19 | 1976-08-18 | Mullard Ltd | Electron beam devices incorporating electron multipliers |
| GB2023332B (en) * | 1978-06-14 | 1982-10-27 | Philips Electronic Associated | Electron multipliers |
| DE2844512C2 (de) * | 1978-10-12 | 1980-11-20 | Siemens Ag | Steuerplatte zur Matrixansteuerung einzelner Bildpunkte nach Zeile und Spalte auf einem Bildschirm in flachen Plasmabildwiedergabevorrichtungen |
| FR2504728A1 (fr) * | 1981-04-24 | 1982-10-29 | Hyperelec | Dispositif multiplicateur d'electrons et application aux photomultiplicateurs |
| GB2124017B (en) * | 1982-06-16 | 1985-10-16 | Philips Electronic Associated | A deflection colour selection system for a single beam channel plate display tube |
-
1984
- 1984-02-08 GB GB08403298A patent/GB2154053A/en not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-01-29 US US06/695,998 patent/US4626736A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-02-05 DD DD85273052A patent/DD232787A5/de not_active IP Right Cessation
- 1985-02-05 ES ES540143A patent/ES540143A0/es active Granted
- 1985-02-06 KR KR1019850000754A patent/KR920003142B1/ko not_active Expired
- 1985-02-06 JP JP60021594A patent/JPH067457B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-07 CA CA000473771A patent/CA1232005A/en not_active Expired
- 1985-02-07 EP EP85200132A patent/EP0151502B1/en not_active Expired
- 1985-02-07 DE DE8585200132T patent/DE3565025D1/de not_active Expired
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|---|---|---|---|---|
| EP0686996A1 (en) | 1994-06-06 | 1995-12-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
| US5801511A (en) * | 1994-06-06 | 1998-09-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
| WO2000002227A1 (fr) * | 1998-07-01 | 2000-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detecteur d'images radiologiques |
| US6380674B1 (en) | 1998-07-01 | 2002-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray image detector |
| EP2124240A1 (en) | 2000-06-19 | 2009-11-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dynode structure |
| WO2012165380A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
| CN102918624A (zh) * | 2011-06-03 | 2013-02-06 | 浜松光子学株式会社 | 电子倍增部以及包含其的光电倍增管 |
| JP5154717B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2013-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
| US9293309B2 (en) | 2011-06-03 | 2016-03-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier and photomultiplier including the same |
| US9589774B2 (en) | 2011-06-03 | 2017-03-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier and photomultiplier including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4626736A (en) | 1986-12-02 |
| ES8603111A1 (es) | 1985-12-01 |
| ES540143A0 (es) | 1985-12-01 |
| GB8403298D0 (en) | 1984-03-14 |
| DE3565025D1 (en) | 1988-10-20 |
| KR850006248A (ko) | 1985-10-02 |
| KR920003142B1 (ko) | 1992-04-20 |
| EP0151502B1 (en) | 1988-09-14 |
| DD232787A5 (de) | 1986-02-05 |
| CA1232005A (en) | 1988-01-26 |
| JPH067457B2 (ja) | 1994-01-26 |
| EP0151502A1 (en) | 1985-08-14 |
| GB2154053A (en) | 1985-08-29 |
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