JPS60183760A - 半導体集積回路装置における熱遮断回路 - Google Patents
半導体集積回路装置における熱遮断回路Info
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- JPS60183760A JPS60183760A JP4077584A JP4077584A JPS60183760A JP S60183760 A JPS60183760 A JP S60183760A JP 4077584 A JP4077584 A JP 4077584A JP 4077584 A JP4077584 A JP 4077584A JP S60183760 A JPS60183760 A JP S60183760A
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- Japan
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- terminal
- transistor
- resistor
- circuit
- npn
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H5/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
- H02H5/04—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
- H02H5/044—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using a semiconductor device to sense the temperature
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路装置において装置；′工が熱
破壊するのを防止する２遮［Ｕｉ回路に関するものであ
る。
破壊するのを防止する２遮［Ｕｉ回路に関するものであ
る。
従来用いられているこの種の熱遮断回路の一例を第１図
に示して説明する。すなわちこの回路では、定電流源１
とツェナーダイオード２とｎｐｎ ）ランジスタ３とか
ら’４＋”ＵｉＸされる基”Ａ ％圧か（によって発生
した電圧を、２個の抵抗４，５によって抵抗分割し第１
の基準電圧を作る。そしてこの基（（、ユ電圧をｎｐｎ
トランジスタ６のペースに入力することにより、ｎｐ
ｎ ）ランジスタロのベース・エミッタ間順方向電圧Ｖ
ＢＥが基準電圧より高くなった時、ｎｐｎ ）ランジス
タロのコレクタ・エミッタ間はｉ、％通状態となる。し
たがって、基ｌμ電圧およびＶ［ｌＥの温度変化を考慮
して、抵抗４，５の抵抗値を逼当に設定すれば、希望す
る温度でｎｐｎ ）ランジスタロをオンさせることが可
能となる。なお、第１図において１００は電源端子、２
００は出力端子、３００は接地端子である。
に示して説明する。すなわちこの回路では、定電流源１
とツェナーダイオード２とｎｐｎ ）ランジスタ３とか
ら’４＋”ＵｉＸされる基”Ａ ％圧か（によって発生
した電圧を、２個の抵抗４，５によって抵抗分割し第１
の基準電圧を作る。そしてこの基（（、ユ電圧をｎｐｎ
トランジスタ６のペースに入力することにより、ｎｐ
ｎ ）ランジスタロのベース・エミッタ間順方向電圧Ｖ
ＢＥが基準電圧より高くなった時、ｎｐｎ ）ランジス
タロのコレクタ・エミッタ間はｉ、％通状態となる。し
たがって、基ｌμ電圧およびＶ［ｌＥの温度変化を考慮
して、抵抗４，５の抵抗値を逼当に設定すれば、希望す
る温度でｎｐｎ ）ランジスタロをオンさせることが可
能となる。なお、第１図において１００は電源端子、２
００は出力端子、３００は接地端子である。
しかし、上記構成の熱遮断回路において（：１、異常状
態の発生により設定温度に遅して動作を遮断し温度土性
を防いでも、温度が下がり設定温度より低くな゛りだ場
合、直ちに熱遮断が解除され、そのときに依然と（〜て
異常状態が続いていれば再び温度が上昇することとなる
。この結果、設定温度付近で熱発振を生じ、平均すれば
温１現０設定温１１ｊとなる。
態の発生により設定温度に遅して動作を遮断し温度土性
を防いでも、温度が下がり設定温度より低くな゛りだ場
合、直ちに熱遮断が解除され、そのときに依然と（〜て
異常状態が続いていれば再び温度が上昇することとなる
。この結果、設定温度付近で熱発振を生じ、平均すれば
温１現０設定温１１ｊとなる。
通常、熱遮１１Ｊ［回路を動作させるのは大１１１ぴ１
． Ｑ’ｊ−が流れて装置内％の内部損失が大きくなる
」場合であり、その設定温度はＰＮ接合の許容最大温度
付近に設定される。このため、そのような高い温度が長
時間持続した場合、破壊に至らないまでも特性劣化を起
こしやすくなるという不其合があった。
． Ｑ’ｊ−が流れて装置内％の内部損失が大きくなる
」場合であり、その設定温度はＰＮ接合の許容最大温度
付近に設定される。このため、そのような高い温度が長
時間持続した場合、破壊に至らないまでも特性劣化を起
こしやすくなるという不其合があった。
本づれ明はこのような’４１情に鑑みてなされたもので
、その目的は、簡単な構成で熱発振を防止することが可
能な半漕体集枯回路装置におけろ熱遮断回路を提供する
ことにある３゜ このような目的を達成するために、本発明ｒ［、抵抗分
割用に第１、第２および第３の抵抗からなる直列回路を
設け、かつ第１および第２の抵抗の」ジ続点にベース端
子を接続した第１のｎｐｎ ）ランジスタの定電流源に
接続したコレクタ端子を、第２および第３の抵抗の接続
点と接地端子間に接続した第２のｎｐｎ トランジスタ
のベース！；ａ１子に、第４の抵抗およびダイオードを
介してｊ〆続することにより、熱遮断が働く温度とそれ
がｊＷ（除される温度とに差をつけ熱的ヒステリシス効
果をもたせたものである。以下、実施例を用いて本発明
を詳ｒｆ４１１に説明する。
、その目的は、簡単な構成で熱発振を防止することが可
能な半漕体集枯回路装置におけろ熱遮断回路を提供する
ことにある３゜ このような目的を達成するために、本発明ｒ［、抵抗分
割用に第１、第２および第３の抵抗からなる直列回路を
設け、かつ第１および第２の抵抗の」ジ続点にベース端
子を接続した第１のｎｐｎ ）ランジスタの定電流源に
接続したコレクタ端子を、第２および第３の抵抗の接続
点と接地端子間に接続した第２のｎｐｎ トランジスタ
のベース！；ａ１子に、第４の抵抗およびダイオードを
介してｊ〆続することにより、熱遮断が働く温度とそれ
がｊＷ（除される温度とに差をつけ熱的ヒステリシス効
果をもたせたものである。以下、実施例を用いて本発明
を詳ｒｆ４１１に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す回路図である。
図中、第１図と同一もしくは相当部分Ｑよ同一記号を用
いて説明は省略する。
いて説明は省略する。
第２図において、基本的動作は第１区１の従来回路と同
様であるが、異なるのは、第１のｎｐｎトランジスタ６
のコレクタ端子に定電流源Ｉが接続されており、この第
１のｎｐｎ トランジスタ６がオン状態になったとき、
それまで抵抗４，５の抵抗分割で第１の基準ｉ１Ｅ Ｉ
Ｐ−ＶＡ １が設定されていたのに対し、第４の抵抗８
およびダイオード９全通して第２のｎｐｎ ）ランジス
タ１０がオフ状態となることにより、第１の抵抗４と、
第２の抵抗５および第３の抵抗１１の直列抵抗との抵抗
分割で第２の基準電圧ＶＡ２が設定されることである。
様であるが、異なるのは、第１のｎｐｎトランジスタ６
のコレクタ端子に定電流源Ｉが接続されており、この第
１のｎｐｎ トランジスタ６がオン状態になったとき、
それまで抵抗４，５の抵抗分割で第１の基準ｉ１Ｅ Ｉ
Ｐ−ＶＡ １が設定されていたのに対し、第４の抵抗８
およびダイオード９全通して第２のｎｐｎ ）ランジス
タ１０がオフ状態となることにより、第１の抵抗４と、
第２の抵抗５および第３の抵抗１１の直列抵抗との抵抗
分割で第２の基準電圧ＶＡ２が設定されることである。
今、ｈ１〕単のためＶＡＩ ｐ ＶＡ２の温度特性を無
視して考えると、−１没にｎｐｎ ）う／ジスタのＶｓ
３Ｅ＋よ温度が高くなると低くなることから、仄に示す
ような動作となる。
視して考えると、−１没にｎｐｎ ）う／ジスタのＶｓ
３Ｅ＋よ温度が高くなると低くなることから、仄に示す
ような動作となる。
′まず、集積回路装置の温度が上パーしてくると、ＶＢ
Ｈの電圧が低くなる。これが第１の基準電圧Ｖ’Ａｔよ
り低くなると、第１のｎｐｎ トランジスタ６がオンし
５４Ｖ２のｎｐｎ ）ジンジスタ１０と、ベース；Ｉｆ
ａ子が抵抗１２ｆ：介して第１のｎｐｎト７ンジスク６
のコレクタ端子に接続された第３のｎｐｎ ）ランジス
タ１３とをオフさせる。この第３のｎｐｎ ）ランジス
タ１３がオフすると、出力端子２００′を介して接続さ
れている回路の動作が遮断される。
Ｈの電圧が低くなる。これが第１の基準電圧Ｖ’Ａｔよ
り低くなると、第１のｎｐｎ トランジスタ６がオンし
５４Ｖ２のｎｐｎ ）ジンジスタ１０と、ベース；Ｉｆ
ａ子が抵抗１２ｆ：介して第１のｎｐｎト７ンジスク６
のコレクタ端子に接続された第３のｎｐｎ ）ランジス
タ１３とをオフさせる。この第３のｎｐｎ ）ランジス
タ１３がオフすると、出力端子２００′を介して接続さ
れている回路の動作が遮断される。
一方、第２のｎｐｎ ）ランジスタ１０をオフすること
により、基準電圧がＶＡＮからＶＡ２に上昇するだめ、
回路が遮断され温度が低下しても、それが十分低い温度
まで低下してＶＢＩＥ ７Ｊ’ ＶＡ２の値′まで上昇
しない限り回路は遮断されたま址となり、ｐ、１９発４
Ｒが防止される。
により、基準電圧がＶＡＮからＶＡ２に上昇するだめ、
回路が遮断され温度が低下しても、それが十分低い温度
まで低下してＶＢＩＥ ７Ｊ’ ＶＡ２の値′まで上昇
しない限り回路は遮断されたま址となり、ｐ、１９発４
Ｒが防止される。
なお、第３の抵抗１１の値ｆ：第１の抵抗４に比べ−Ｃ
十分大きい値に設定すれば、−Ｊ、９′異常セζｆ、ｊ
ｊにな’）ＶＢＥがＶＡＩを越えた場合に０よいったん
電源をオフしない限り再び動作が開始しないようにする
こともできる。
十分大きい値に設定すれば、−Ｊ、９′異常セζｆ、ｊ
ｊにな’）ＶＢＥがＶＡＩを越えた場合に０よいったん
電源をオフしない限り再び動作が開始しないようにする
こともできる。
以上説明したように、本発明によれば、抵抗分割用に第
１、第２および第３の抵抗からなる直列回路を設け、か
つ第１のｎｐｎ トランジスタの１硫ｉ（Ｌ流源に接続
したコレクタＱ：ｊａ子を、第４の抵抗およびダイオー
ドを介して第２および第３の抵抗の接続点と接地ψ１１
ａ子間に接続した第２のｎｐｎ ）シンジスタのペース
端子に接続したことにより、一度異常秋態になって第１
のｎｐｎ ）ラシジスタがオンした後は基準電圧が第１
の抵抗と第２および第３の抵抗の直列抵抗との比で決ま
る値に上昇するため、異常状態が長時間持続する場合に
おいても、半導体集積回路装置を安全に保護することが
、比１１シ的簡単な回路構成でｑ能となる。
１、第２および第３の抵抗からなる直列回路を設け、か
つ第１のｎｐｎ トランジスタの１硫ｉ（Ｌ流源に接続
したコレクタＱ：ｊａ子を、第４の抵抗およびダイオー
ドを介して第２および第３の抵抗の接続点と接地ψ１１
ａ子間に接続した第２のｎｐｎ ）シンジスタのペース
端子に接続したことにより、一度異常秋態になって第１
のｎｐｎ ）ラシジスタがオンした後は基準電圧が第１
の抵抗と第２および第３の抵抗の直列抵抗との比で決ま
る値に上昇するため、異常状態が長時間持続する場合に
おいても、半導体集積回路装置を安全に保護することが
、比１１シ的簡単な回路構成でｑ能となる。
第１図は従来の半導体集積回路装置における熟成１υｉ
回路の構成例を示す回路図、第２図は本発明の一実施例
を示す回路図である。 １．７・・・・定電流源、２・・・・ツェナーダイオー
ド、３φ・・・ｎｐｎ ）ランジスタ、４・・・・第１
の抵抗、５・・・・第２の抵抗、６・・ψ・第１のｎｐ
ｎ トランジスタ、８・・・・第４の抵抗、９−・・・
ダイオード、１０・・・・第２のｎｐｎ ）ランジスタ
、１１・・・・第３の抵抗、１２・・・・第５の抵抗、
１３・・・・第３のｎｐｎ ）ランジスタ、１ｏｕ−−
−−電源Ｖｌｈｊ子、２００′・・・・出力端子、３υ
０・・・・接地端子。 ２じ １ 図 第２しく１
回路の構成例を示す回路図、第２図は本発明の一実施例
を示す回路図である。 １．７・・・・定電流源、２・・・・ツェナーダイオー
ド、３φ・・・ｎｐｎ ）ランジスタ、４・・・・第１
の抵抗、５・・・・第２の抵抗、６・・ψ・第１のｎｐ
ｎ トランジスタ、８・・・・第４の抵抗、９−・・・
ダイオード、１０・・・・第２のｎｐｎ ）ランジスタ
、１１・・・・第３の抵抗、１２・・・・第５の抵抗、
１３・・・・第３のｎｐｎ ）ランジスタ、１ｏｕ−−
−−電源Ｖｌｈｊ子、２００′・・・・出力端子、３υ
０・・・・接地端子。 ２じ １ 図 第２しく１
Claims (1)
- 基準電圧源と、その電圧を抵抗分割するために基準電圧
源と接地端子間に接続した基準電圧源側から順に第１、
第２および第３の抵抗からなる直列回路と、ｇｌおよび
第２の抵抗の接続点にベース端子、接地端子にエミッタ
端子をそれぞれ接続するとともにコレクタ端子を定電流
源に接続した第１のｎｐｎ ）ランジスタと、第１のｎ
ｐｎ ）ランジスタのコレクタ端子に第４の抵抗を介し
てアノード端子を接続したダイオードと、ダイオードの
カソード端子にベース１６１子、接地端子にエミッタ端
子金それぞれ接続するとともにコレクタ端子ｆｅ第２お
よび第３の抵抗の接続点に接続した第２のｎｐｎ ）ラ
ンジスタと、第１のｎｐｎ トランジスタのコレクタ端
子に第５の抵抗を介してペース端子を接続するとともに
エミッタ端子を接地ψ１ト子、コレクタ端子を出力端子
にそれぞれ接続した第３のｎｐｎ ） ９ンジスタとを
備えたことを特徴とする半導体集積回路装置における熱
遮断回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4077584A JPS60183760A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 半導体集積回路装置における熱遮断回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4077584A JPS60183760A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 半導体集積回路装置における熱遮断回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60183760A true JPS60183760A (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=12589997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4077584A Pending JPS60183760A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 半導体集積回路装置における熱遮断回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60183760A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147849A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Toshiba Corp | 半導体装置用過熱保護回路 |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP4077584A patent/JPS60183760A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147849A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Toshiba Corp | 半導体装置用過熱保護回路 |
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