JPS60186842A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPS60186842A
JPS60186842A JP59041326A JP4132684A JPS60186842A JP S60186842 A JPS60186842 A JP S60186842A JP 59041326 A JP59041326 A JP 59041326A JP 4132684 A JP4132684 A JP 4132684A JP S60186842 A JPS60186842 A JP S60186842A
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Japan
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reticle
thickness
optical
lighting device
pattern surface
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JP59041326A
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JPH0564449B2 (ja
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Shunzo Imai
今井 俊三
Ichiro Ishiyama
一郎 石山
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Canon Inc
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、LS1.IC等の製造の際レチクルまたはマ
スクの像をウェハーに焼きつける投影露光装置、特には
レチクルまたはマスクの各種属さに対応iiJ能な投影
露光装置に関するものである。
〈従来技術〉 一般の投影露光装置は、第1図に示す様に、レチクル4
のレチクルパターン面4aに形成されたパターンをI+
((、明するための照明装置lを、レチクル4の上部に
配置し、又レチクル4と照明装置1の間に、レチクル4
とウニ/%−7の位置合せをする為のアライメント装置
2を配置することにより構成されている。照明装置l内
には、〕くターンの形成されたレチクルパターン面4a
と共役位置に露光したくない部分をマスキングする為の
マスキング部材1aが設けである。このマスキング部材
1aはレチクルパターン面4aと一定の寸法関係にある
。一方、アライメント装置2は光学系で構成されており
、この光学系もレチクルパターン面4aと一定の関係に
配置されねばならない。
ところが、レチクル4の板厚が変わると、それに伴って
照明装置l及びアライメント装置2からレチクルパター
ン面4aまでの光路長が変化することとなり、その補正
を必要とする。たとえば第1図に示すように、レチクル
4がレチクル4bに ・変更し、それに伴いレチクルの
板厚が11から12だけ増加したT (= i、+ +
2)に変更になったとする。
この場合、照明装置1及びアライメント装置2は、板厚
の増加分t2に相当するだけの光路長袖1]:、を行な
うために、この捕i1E分だけレチクルパターン面4・
aから上方に移動されなければなr)ない。このときの
移動;dをdとし、レチクル4及び小すの屈折率を+1
とすれば、(1は以下の弐囚で表わされろ。
d =12(]、 −)・・・・−・囚たとえば、レチ
クル手の通常の板IIjIはt、=2.:’i酪である
が、これか板厚T (= t、+ +2)=6mm(=
 2.3祁+ 3.7 mm )のレチクル4bに変更
になったとする。レチクル4bの屈折率11を1516
 とすると、このときの照明装置l及びアライメント装
置2の移動量dは」−記式囚から約126 mmとなる
ここで、照明装置l及びアライメント装置2は、共にレ
チクルパターン面4aとある一定の距離関係に配置され
なければならないが、装置完成前ならば、」1記の板厚
の変更に対応した移動量を最初に見込んで設定しておけ
ばよく、判に問題は生じない。
しかるに、レチクルの板厚は一般には上述したよりな1
.(=2.3+nm)であるが、時折t1以外のもの(
たとえば−1−記のT(−6ff、+1))が市場に存
在し、それへの対応が必要な場合がある。この時、装置
は既に市場に出た後であり、一旦規定寸法に載置した照
明装置1″Bを再度載置し直さなり゛ればならない串に
なる。たとえば−に連の例で示したような1.26 m
rhもの移動用を要ずとずれば、この移動作業を容易に
かつ11ソ確に行なうことは著しく困難となる。
く目 的〉 本発明の目的は、上記問題を解消し、一旦組み上げられ
た投影露光装置に対してレチクル又はマスクの板厚変更
があった場合でも、該装置に大11]な改造を加える事
なく容易に上記の板厚変更に対処でき、更にレチクル又
はマスクへの防塵機能をも併せ持つ事ができる投影露光
装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、後述実施例の投影露光装置
は、レチクルまたはマスクのパターン面と該レチクルま
たはマスクを照明するための照明手段との間の光路中に
、前記レチクル雪の厚さに対応した所定の厚さ及び屈折
率を持つガラス板等の光学手段を配設して、前記レチク
ル雪の19さにかかわらず前記光路の長さを一定に維1
41するようにしたものである。
〈実施例〉 以F、本発明の実施例について、図面を参照しプ、[が
ら説明する。
第2図は本発明の一実施例を示ず4既略構成図である。
ここで従来から知られた構成として、第1図と同様に、
■はレチクル4のレブークルパターン面4= aに形成
されたパターンをウェハー7−J二K 写し込む為の照
明光を発する照明装置、]−aは照明装置1内にあって
レチクルパターン面4= aと共役関係にあるマスキン
グの為のマスギング部イ1.2はレチクルパターン面4
・a上のアライメントマーク(不図示)とウェハー7上
のアライメントマーク(不図示)を整合する為のアライ
メント装置、3は挿脱自在の折り曲げミラー、5はレチ
クル手を載せるレチクルステージ、Oは縮小投影露光レ
ンズ、8はウェハー7を載せるウェハースデージである
更に本実施例では、たとえば石英又はBK7等でできた
ガラス平板等の光学部)B’ 1.0を、照明装置1と
レチクルパターン面4・aとの中間であって、4J↑曲
げミラー:3の−(:方に着脱自在1ぶように配設しで
ある。ここで光学部祠10は、レチクル4を」一方から
覆えるだけの平面を持ち、また後述するようにして設定
さねた所定の板1“yを自する。また、レチクル4の厚
さに対応させて、それぞれ異なる仮15」−の光学部4
41− (lが用意しである。
ここで、上述した光学部月10の板厚の設定について説
明する。レチクル4の板厚な11、光学部拐10の板厚
るニ【1.とした場合に、照明装置1からレチクルパタ
ーン面4aまでの光路長が適切な状態になるとする。こ
の場合の[、と(」、との関係を以下の式(Blのよう
に定めることができる。
t、十u、−Co(一定) ・・・・ ・・ (3)そ
こでたとえば、レチクル手の板厚が11から1.に変更
になったとする。この場合には、本実施例ではり、下の
式(C)すなわち(C1’を満たずような板19u2を
持つ光学部材IOに変更するだけでよい。
t3+ L12: Co−−・” (C)u、、= c
o−13−−・= (C’)従って、レチクル手が変更
された場合の予定される厚さt3を上記の式(C′)に
代入することにより、該厚さ【、に対応した光学部材1
0の板厚u2を容易に設定し得る。このような設定を、
複数種類のレチクル4に対応して行ない、複数種類の所
定の板厚を持つ光学部4)J’ 10を予め準備してお
くようにする。
上述のようにして設定された板厚を持つ光学部材10を
、レチクル4の厚さに応じて交換すれば、上記の光路長
は何ら変化することがない。レチクル手の板厚が変更に
なった時、照明装置l及びアライメント装置2を上方に
移動する1丁と、光学部N410を交換する1)とは等
舗であり、復音の方が作業性、コスト等あらゆる点で勝
る。
又光学部4A10は、レチクルパターン面4aに対して
離れた位置にあり、かつレチクルΦの全体を覆うように
配置しであるので、折曲げミラー3等から発生ずる塵や
埃等を受ける事になり、」1記作用と同時に防塵機能を
1−11つことになる。
次に、第8図に本発明による光学部材の他の実施例を示
す。ここでは、くさび状の一対の光学片11 a 、 
111.1からなる光学部材11を示しである。該光学
部材11は、上面と下面とが平行なガラス平板を斜方向
に平面で切断した形状を持つもので、光学片11aへの
入射光と光学片11bからの出射光とは互いに平行とな
るようにしである。
この時の特徴は、光学片11a 、llbの少なくとも
一方を、第3図に於て右又は左に動かす事により光学部
材11の任意の板厚を作り出す事が出来る。また、第2
図に示した実施例では光学部材10を違う板厚のものに
交換せねばならないが、第3図の場合には光学片11a
 、llbの移動で上記の交換と同一効果があり、交換
の必要がない。
なお、第2図に示した実施例においては、板厚の異なる
光学部材を交換するようにしたものであるが、板厚を等
しくして、屈折率の異なる光学部材を交換するようにし
ても、実質上光路長を一定に保つことができ、同様な効
果を得ることができろ。
〈効 宋〉 以−1−説明したように本発明は、所定の厚さ及び屈折
率を持つ交換可能又は移動可能な光学手段を、照明り段
とレチクルとの間に配設ずろことにより、照明丁1段を
移動することなく、容易にレチクルの板厚変更に対処す
ることかでき、更に−に記光学手段がレチクルの−に面
を覆うように配設されることにより、レチクルに対する
防塵機能をもイノ1せ持つことができるという非常に(
eれた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の投影露光装置の概略構成図、第2図は本
発明の一実施例を示す概略構成図、第3図は本発明によ
る光学部材の他の実施例を示す概略図である。 ■・・・・・・照明装置。 2・・・・・・アライメント装置。 4・・・・・レチクル。 4a・・・レチクルパターン面。 4b・・・レチクル。 7 ・・ ・・ ウ コ一 ハ − 。 10.11・・・・・・光学部イA。 11a、llb・・・光学片。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 照明手段からの照明光によりレチクルまたはマスク上の
    パターンをウェハー」二に焼付ける投影露光装置におい
    て、前記レチクルまたはマスクに対して前記ウェハーと
    は逆側であって、前記照明手段から前記レチクルまたは
    マスクのパターン面マでの光路の途中に、前記レチクル
    またはマスクの厚さにかかわらず1iJ記光路の長さを
    一定にする為の光学手段を配設したことを特徴とする投
    影露光装置。
JP59041326A 1984-03-06 1984-03-06 露光装置 Granted JPS60186842A (ja)

Priority Applications (2)

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JP59041326A JPS60186842A (ja) 1984-03-06 1984-03-06 露光装置
US06/707,235 US4630922A (en) 1984-03-06 1985-03-01 Pattern transfer apparatus

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JP59041326A JPS60186842A (ja) 1984-03-06 1984-03-06 露光装置

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JPS60186842A true JPS60186842A (ja) 1985-09-24
JPH0564449B2 JPH0564449B2 (ja) 1993-09-14

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JP59041326A Granted JPS60186842A (ja) 1984-03-06 1984-03-06 露光装置

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