JPS60187852A - Νmr ct装置における静磁場発生装置 - Google Patents
Νmr ct装置における静磁場発生装置Info
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- JPS60187852A JPS60187852A JP59044428A JP4442884A JPS60187852A JP S60187852 A JPS60187852 A JP S60187852A JP 59044428 A JP59044428 A JP 59044428A JP 4442884 A JP4442884 A JP 4442884A JP S60187852 A JPS60187852 A JP S60187852A
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- Japan
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- magnetic field
- static magnetic
- nmr
- probes
- phase difference
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/389—Field stabilisation, e.g. by field measurements and control means or indirectly by current stabilisation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はNMRCT装置における静磁場発生装置に関し
、更に詳しくは、常伝導マグネットによって上述の静磁
場を発生する装置に桐する。
、更に詳しくは、常伝導マグネットによって上述の静磁
場を発生する装置に桐する。
(ロ)従来技術
一般に、NMRCT装置によるイメージングにおける画
像の優劣は静磁場安定性に依るところが大きい。NMR
信号を得る為の静磁場の発生には、永久磁石、常伝導マ
グネットおよび超伝導マグネットを用いる方式がある。
像の優劣は静磁場安定性に依るところが大きい。NMR
信号を得る為の静磁場の発生には、永久磁石、常伝導マ
グネットおよび超伝導マグネットを用いる方式がある。
このうち、常伝導マグネットを用いる方式は他の2つの
方式に比して時間安定性が悪い。その為、常伝導マグネ
ットを用いる分析用NMR装置では、磁場の安定化の為
に磁場ロックなる方式を採用している。この方式は、静
磁場内にサンプルを挿入し、このサンプルからのNMR
信号が磁場変動により変化するのを検出し、フィードバ
ックループで磁場を補正する、完成された技術である。
方式に比して時間安定性が悪い。その為、常伝導マグネ
ットを用いる分析用NMR装置では、磁場の安定化の為
に磁場ロックなる方式を採用している。この方式は、静
磁場内にサンプルを挿入し、このサンプルからのNMR
信号が磁場変動により変化するのを検出し、フィードバ
ックループで磁場を補正する、完成された技術である。
しかし、NMRCT装置においては、NMR信号に空間
情報を与える為の傾斜磁場の発生により、上述の磁場ロ
ック方式を同様に適用することはできない。以下にその
理由とともにNMRCT装置におけるイメージングにつ
いて簡単に説明する。
情報を与える為の傾斜磁場の発生により、上述の磁場ロ
ック方式を同様に適用することはできない。以下にその
理由とともにNMRCT装置におけるイメージングにつ
いて簡単に説明する。
第1図はNMRCT装置における静磁場と傾斜磁場との
作る磁場を空間座標上に示したもので、静磁場Haは通
常Z軸と平行にとられる。傾斜磁場は3成分有り、それ
ぞれX、Y、Z方向をQx。
作る磁場を空間座標上に示したもので、静磁場Haは通
常Z軸と平行にとられる。傾斜磁場は3成分有り、それ
ぞれX、Y、Z方向をQx。
crt、czとすると、例えばGxは第1図の如くX軸
の位置によりZ方向の磁場強度が変化する磁場であり、
これらは通常直線勾配が選ばれる。この傾斜磁場は静磁
場HOに重畳される。人体はZ軸方向を体軸として入る
。イメージング法の一方法であるスピンワープ法を例に
とって、X−Y平面と平行な断N像を得る為の高周波磁
場(RFパルス)およびII]′!斜磁場のかけ方を第
2図に示す。
の位置によりZ方向の磁場強度が変化する磁場であり、
これらは通常直線勾配が選ばれる。この傾斜磁場は静磁
場HOに重畳される。人体はZ軸方向を体軸として入る
。イメージング法の一方法であるスピンワープ法を例に
とって、X−Y平面と平行な断N像を得る為の高周波磁
場(RFパルス)およびII]′!斜磁場のかけ方を第
2図に示す。
この1シーケンスを必要回数繰り返してCPUにN M
R信号を取り込み、画像化する。この第2図から明ら
かなように、上述の磁場ロック方式を採用しようとして
も、■シーケンス内における休止期間では静磁場変動を
検出することばできても、信号採集期間では磁場が複雑
に入り乱れて静磁場変動のみの検出は不能となる。
R信号を取り込み、画像化する。この第2図から明ら
かなように、上述の磁場ロック方式を採用しようとして
も、■シーケンス内における休止期間では静磁場変動を
検出することばできても、信号採集期間では磁場が複雑
に入り乱れて静磁場変動のみの検出は不能となる。
また、従来の通當の電流検出による磁場安定化方式では
、約10ppm前後の安定度は得られるものの、これで
は未だ画像化には充分でない。
、約10ppm前後の安定度は得られるものの、これで
は未だ画像化には充分でない。
(ハ)目的
本発明は上記に鑑みてなされたもので、傾斜磁場の発生
の有無に拘らず、常に静磁場変動のみを検出して、マグ
ネットの電源をフィードバンク制御し得るNMRCT装
置における静磁場発生装置の提供を目的としている。
の有無に拘らず、常に静磁場変動のみを検出して、マグ
ネットの電源をフィードバンク制御し得るNMRCT装
置における静磁場発生装置の提供を目的としている。
(ニ)構成
本発明の特徴とするところは、発生された静磁場内の床
空間の中心を対称の中心とする少くとも2点に配設され
たプローブと、その各プローブを周波数掃引方式で励起
する高周波発生手段と、上記各プローブからのNMR信
号を検波する手段と、その検波された各NMR信号の時
間位相差を検出する比較手段と、その比較手段の出力が
Oとなるよう上記マグネットの電源に制御信号を供給す
る手段を備え、上記球空間内における静磁場の変動を補
正し得るよう構成したことにある。
空間の中心を対称の中心とする少くとも2点に配設され
たプローブと、その各プローブを周波数掃引方式で励起
する高周波発生手段と、上記各プローブからのNMR信
号を検波する手段と、その検波された各NMR信号の時
間位相差を検出する比較手段と、その比較手段の出力が
Oとなるよう上記マグネットの電源に制御信号を供給す
る手段を備え、上記球空間内における静磁場の変動を補
正し得るよう構成したことにある。
(ホ)実施例
本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第3図は本発明実施例の構成を示すブロック図である。
静磁場発生用のコイル群1は、静磁場電源2から供給さ
れる電流により、Z軸方向の静磁場を発生する。この静
磁場内の床空間の原点Oを対称の中心とする2点、 P
(X、 Y、 Z)およびP′(−X、 −Y、−Z
)には、それぞれNMRプローブ3aおよび3bが配設
されている。これらNMRプローブ3aおよび3bの高
周波励起信号は、それぞれ高周波発生器4aおよび4b
から発生されるが、その周波数は周波数掃引信号発生器
5からの出力によって周波数掃引される。このとき、一
方の高周波発生器4aと周波数掃引信号発生器5との間
に位相器6を介在させることにより、それぞれの掃引信
号を互いに逆位相としておく。高周波発生器4a、4b
の出力はまた、それぞれ検波・低周波増中器7a、7b
に入力される。検波・低周波増中器7a、7bの出力は
NMR吸収波形を示すが、この波形から正しい共鳴点を
検出する為に微分・整形回路8a、8bに入力される。
れる電流により、Z軸方向の静磁場を発生する。この静
磁場内の床空間の原点Oを対称の中心とする2点、 P
(X、 Y、 Z)およびP′(−X、 −Y、−Z
)には、それぞれNMRプローブ3aおよび3bが配設
されている。これらNMRプローブ3aおよび3bの高
周波励起信号は、それぞれ高周波発生器4aおよび4b
から発生されるが、その周波数は周波数掃引信号発生器
5からの出力によって周波数掃引される。このとき、一
方の高周波発生器4aと周波数掃引信号発生器5との間
に位相器6を介在させることにより、それぞれの掃引信
号を互いに逆位相としておく。高周波発生器4a、4b
の出力はまた、それぞれ検波・低周波増中器7a、7b
に入力される。検波・低周波増中器7a、7bの出力は
NMR吸収波形を示すが、この波形から正しい共鳴点を
検出する為に微分・整形回路8a、8bに入力される。
この微分・整形回路8a、8bの出力はNMR分散波形
となり、この出力と検波・低周波増中器7a。
となり、この出力と検波・低周波増中器7a。
7bの出力との関係を第4図に示す。NMR分散波形の
正負反転点は共鳴点と明確に一致する。
正負反転点は共鳴点と明確に一致する。
微分・整形回路8aおよび8bの出力は比較回路9に入
力される。比較回路9では、これらの入力からNMRプ
ローブ3aおよび3bの共鳴点の時間位相差を検出して
、その位相差に応じたアナログ信号をサンプリング回路
10に供給する。すンプリング回路10は、次の共鳴点
が発生されるまでの間、そのアナログ信号をホールドし
て、上述の位相差が0となるような、すなわち、静磁場
変動を打消すような向きの信号を静磁場電源2に供給し
、静磁場電源2の出力電流を制御するよう構成されてい
る。
力される。比較回路9では、これらの入力からNMRプ
ローブ3aおよび3bの共鳴点の時間位相差を検出して
、その位相差に応じたアナログ信号をサンプリング回路
10に供給する。すンプリング回路10は、次の共鳴点
が発生されるまでの間、そのアナログ信号をホールドし
て、上述の位相差が0となるような、すなわち、静磁場
変動を打消すような向きの信号を静磁場電源2に供給し
、静磁場電源2の出力電流を制御するよう構成されてい
る。
次に作用を述べる。第5図(alは、球空間に静磁場H
Dのみがかかった状態で、かつ、その静磁場HOが安定
状態にあるときの各NMRプローブ3a。
Dのみがかかった状態で、かつ、その静磁場HOが安定
状態にあるときの各NMRプローブ3a。
3bの周波数掃引信号A、Bと共鳴点の関係を示してい
る。同一核種の核磁気共鳴周波数は磁場強度によって一
義的にめられるから、このような状態における各プロー
ブ3a、3bからの信号は、いずれもa、b、c点を共
鳴点として互いの位相差はない。
る。同一核種の核磁気共鳴周波数は磁場強度によって一
義的にめられるから、このような状態における各プロー
ブ3a、3bからの信号は、いずれもa、b、c点を共
鳴点として互いの位相差はない。
今、静磁場がHOからΔH,だげ変動した場合、第5図
(blに示ず如く、NMRプローブ3aからの信号はa
l、bl、c1点で共鳴し、NMRプローブからの信号
はa2.b2.c2点で共鳴することになり、共鳴点に
時間的ずれが生ずる。
(blに示ず如く、NMRプローブ3aからの信号はa
l、bl、c1点で共鳴し、NMRプローブからの信号
はa2.b2.c2点で共鳴することになり、共鳴点に
時間的ずれが生ずる。
静磁場HOに傾斜磁場Gxが重畳したとき、点P (X
、 Y、Z)における傾斜磁場の強さをΔGxとすれば
、点P′ (−X、−Y、−Z)は原点0を対称の中心
として点対称であるから、その点P′における傾斜磁場
の強さは一ΔGxとなる。従って、第5図ic)に示す
如く、プローブ3aからの信号の共鳴点a1.b1.c
lと、プローブ3bからの信号の共鳴点a2.b2.c
2とに時間的ずれは生しない。
、 Y、Z)における傾斜磁場の強さをΔGxとすれば
、点P′ (−X、−Y、−Z)は原点0を対称の中心
として点対称であるから、その点P′における傾斜磁場
の強さは一ΔGxとなる。従って、第5図ic)に示す
如く、プローブ3aからの信号の共鳴点a1.b1.c
lと、プローブ3bからの信号の共鳴点a2.b2.c
2とに時間的ずれは生しない。
従って、比較回路9への入力信号は、時間軸に関して静
磁場f(0の変動分のみの影響を受けており、この位相
差に応じた信号で静磁場電源2の出力電流を制御してや
れば、球空間内の静磁場の変動を補正することができる
。
磁場f(0の変動分のみの影響を受けており、この位相
差に応じた信号で静磁場電源2の出力電流を制御してや
れば、球空間内の静磁場の変動を補正することができる
。
なお、以上の本発明実施例において、各プローブ3a、
3bへの高周波励起は、本来の断層像採集に影響を及ぼ
さないよう、その外側を高周波シールドする。あるいは
プローブ試料の核種を断層像採集すべき核種と相違させ
ることによっても、その影響を除去することができる。
3bへの高周波励起は、本来の断層像採集に影響を及ぼ
さないよう、その外側を高周波シールドする。あるいは
プローブ試料の核種を断層像採集すべき核種と相違させ
ることによっても、その影響を除去することができる。
以上の本発明実施例の構成において、2点P。
P′に置かれた各プローブ3a、3bの共鳴点は静磁場
の空間的均一度の状態によって若干ずれる。
の空間的均一度の状態によって若干ずれる。
このずれは、どちらか一方のプローブの周波数掃引信号
に直流オフセントを乗せることによってキャンセルする
ことができる。この直流オフセント量は静磁場の空間的
均一1度を示す尺度であるから、これを表示するよう構
成すれば静磁場の空間的均一度表示器として用いること
ができる。
に直流オフセントを乗せることによってキャンセルする
ことができる。この直流オフセント量は静磁場の空間的
均一1度を示す尺度であるから、これを表示するよう構
成すれば静磁場の空間的均一度表示器として用いること
ができる。
また、サンプリング回路10の出力を直接静磁場電源2
に入力せずに、放電時定数を持つ不完全積分器を介して
もこのような均一度表示器の回路系を動作させることが
できる。すなわち、静磁場の空間的均一度が、例えば地
震等の何等かの原因によって初期状態からずれた場合、
比較回路9の出力は定常的に発生することになり、従っ
て積分器出力をあるしきい値以上に押し上げる。故に、
画像化に必要な空間的均一度の許容値をこのしきい値と
合致させるよう構成すれば、均一度が崩れた状態を検出
することができ、再開整の要否判断に供することができ
る。
に入力せずに、放電時定数を持つ不完全積分器を介して
もこのような均一度表示器の回路系を動作させることが
できる。すなわち、静磁場の空間的均一度が、例えば地
震等の何等かの原因によって初期状態からずれた場合、
比較回路9の出力は定常的に発生することになり、従っ
て積分器出力をあるしきい値以上に押し上げる。故に、
画像化に必要な空間的均一度の許容値をこのしきい値と
合致させるよう構成すれば、均一度が崩れた状態を検出
することができ、再開整の要否判断に供することができ
る。
以上の実施例においては、プローブを2点に配置したが
、例えば点対称の4点にプローブを配置して2組の同様
な回路を構成し、比較回路の出力を加算すると感度を2
倍にすることができる。
、例えば点対称の4点にプローブを配置して2組の同様
な回路を構成し、比較回路の出力を加算すると感度を2
倍にすることができる。
更に、本発明によれば、傾斜磁場は直線勾配のみならず
、原点0を中心に対称な単調関数勾配であっもよい。
、原点0を中心に対称な単調関数勾配であっもよい。
(へ)効果
以上説明したように、本発明によれば、傾斜磁場の発生
の有無に拘らず、常に静磁場の変動分のみを検出して静
磁場電源を制御することができ、しかも、その補正周期
は周波数掃引信号の周期ごとに行われるので、従来の常
伝導マグネフトを用いたNMRCT装置の静磁場発生装
置に比して、極めて高精度の補正を行うことができる。
の有無に拘らず、常に静磁場の変動分のみを検出して静
磁場電源を制御することができ、しかも、その補正周期
は周波数掃引信号の周期ごとに行われるので、従来の常
伝導マグネフトを用いたNMRCT装置の静磁場発生装
置に比して、極めて高精度の補正を行うことができる。
また、プローブからのNMR信号の定常的な位相差を表
示し得るよう構成すれば、静磁場の空間的均一度表示を
も行うことができる。
示し得るよう構成すれば、静磁場の空間的均一度表示を
も行うことができる。
第1図はNMRイメージングにおける静磁場と傾斜磁場
の関係の説明図、第2図はスピンワープ法によるイメー
ジングにおける高周波磁場と傾斜磁場のかけ方を示すタ
イムチャート、第3図は本発明実施例の構成を示すブロ
ック図、第4図はNMF!吸収波形とNMR分散波形の
関係を示す図、第5図は本発明実施例め作用説明図であ
る。 1・−コイル群 2−静磁場電源 3 a 、 3 b−NMRプローブ 4a、4b−高周波発生器 5−周波数掃引信号発生器 6−位相器 7a、7b−−一検波・低周波増中器 8a、8b・−微分・整形回路 9−・比較回路 10−サンプリング回路特許出願人
株式会社島津製作所 代理人 弁理士西田新 D Y 第1図 第2図
の関係の説明図、第2図はスピンワープ法によるイメー
ジングにおける高周波磁場と傾斜磁場のかけ方を示すタ
イムチャート、第3図は本発明実施例の構成を示すブロ
ック図、第4図はNMF!吸収波形とNMR分散波形の
関係を示す図、第5図は本発明実施例め作用説明図であ
る。 1・−コイル群 2−静磁場電源 3 a 、 3 b−NMRプローブ 4a、4b−高周波発生器 5−周波数掃引信号発生器 6−位相器 7a、7b−−一検波・低周波増中器 8a、8b・−微分・整形回路 9−・比較回路 10−サンプリング回路特許出願人
株式会社島津製作所 代理人 弁理士西田新 D Y 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (11N M RCT装置において被写体からのNMR
信号を得る為の静磁場を常伝導マグネットにより発生す
る装置であって、発生された静磁場内の球空間の中心を
対称の中心とする少くとも2点に配設されたプローブと
、その各プローブを周波数掃引方式で励起する高周波発
生手段と、上記各プローブからのNMR信号を検波する
手段と、その検波された各NMR信号の時間位相差を検
出する比較手段と、その比較手段の出力が0となるよう
上記マグネットの電源に制御信号を供給する手段を備え
、上記球空間内における静磁場の変動を補正し得るよう
構成したことを特徴とするNMRCT装置における静磁
場発生装置。 (2)上記プローブの核種を、当該CT装置により撮影
すべき核種と異ならしめたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のNMRCT装置における静磁場発生装
置。 (3)上記核プローブからのNMR信号の定常的な位相
差を表示するよう構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項又は第2項記載のNMRCT装置における静
磁場発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044428A JPS60187852A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | Νmr ct装置における静磁場発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044428A JPS60187852A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | Νmr ct装置における静磁場発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187852A true JPS60187852A (ja) | 1985-09-25 |
Family
ID=12691216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59044428A Pending JPS60187852A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | Νmr ct装置における静磁場発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187852A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023516474A (ja) * | 2020-03-09 | 2023-04-19 | プロマクソ インコーポレイテッド | 不均一磁場における磁気共鳴撮像のための周波数掃引パルスを用いた位相符号化 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150284A (en) * | 1975-06-18 | 1976-12-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor unvolatile memory unit |
| JPS5259585A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-17 | Intel Corp | Method of producing mos polycrystalline ic |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP59044428A patent/JPS60187852A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150284A (en) * | 1975-06-18 | 1976-12-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor unvolatile memory unit |
| JPS5259585A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-17 | Intel Corp | Method of producing mos polycrystalline ic |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023516474A (ja) * | 2020-03-09 | 2023-04-19 | プロマクソ インコーポレイテッド | 不均一磁場における磁気共鳴撮像のための周波数掃引パルスを用いた位相符号化 |
| JP2025169334A (ja) * | 2020-03-09 | 2025-11-12 | プロマクソ インコーポレイテッド | 不均一磁場における磁気共鳴撮像のための周波数掃引パルスを用いた位相符号化 |
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