JPS60187950A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS60187950A JPS60187950A JP59042302A JP4230284A JPS60187950A JP S60187950 A JPS60187950 A JP S60187950A JP 59042302 A JP59042302 A JP 59042302A JP 4230284 A JP4230284 A JP 4230284A JP S60187950 A JPS60187950 A JP S60187950A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザ光の照射によシ物理的または化学的変
化によ多情報を記録する光記録媒体に関する。
化によ多情報を記録する光記録媒体に関する。
(従来技術とその問題点)
従来、このような媒体は、Te、 Bi等の低融点金属
、有機色素などの薄膜を記録層として用いてきた。低融
点金属を用いる媒体は、比較的高感度であるが、化学的
に不安定であるために媒体の長期保存性に問題があるこ
とが知られている。一方、有機色素を用いる媒体は化学
的に安定で無害のものが多いが、一般に有機色素は金属
はど大きな複素屈折率を有さないので、その膜の反射率
は小さい◎そのため記録前後の反射率変化即ち変調量が
小さいという問題を有している。
、有機色素などの薄膜を記録層として用いてきた。低融
点金属を用いる媒体は、比較的高感度であるが、化学的
に不安定であるために媒体の長期保存性に問題があるこ
とが知られている。一方、有機色素を用いる媒体は化学
的に安定で無害のものが多いが、一般に有機色素は金属
はど大きな複素屈折率を有さないので、その膜の反射率
は小さい◎そのため記録前後の反射率変化即ち変調量が
小さいという問題を有している。
化学的に安定な金属は、一般にその融点が高く、又熱伝
導率も高いのでレーザ光加熱による記録感度は低い。こ
のような金属膜を記録層として用い、高感度媒体を形成
する方法として、三層構造媒体が知られている。これは
、基板上に、反射層、スペーサー、記録層を順次積層し
、スペーサーと記録層の厚さを調整することによシ、干
渉効果を利用して効率良く光エネルギーを記録層に吸収
させる媒体構造である。このような媒体構造を採用すれ
ば、Tiなどの高融点、無害金属も記録層として使用で
きるが、この構造の欠点としてスペーサーと記録層の厚
さを精度良く制御しなければならないという仁とが挙げ
られる口 (発明の目的) 本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、化学
的に安定で高感度な光記録媒体を提供することである。
導率も高いのでレーザ光加熱による記録感度は低い。こ
のような金属膜を記録層として用い、高感度媒体を形成
する方法として、三層構造媒体が知られている。これは
、基板上に、反射層、スペーサー、記録層を順次積層し
、スペーサーと記録層の厚さを調整することによシ、干
渉効果を利用して効率良く光エネルギーを記録層に吸収
させる媒体構造である。このような媒体構造を採用すれ
ば、Tiなどの高融点、無害金属も記録層として使用で
きるが、この構造の欠点としてスペーサーと記録層の厚
さを精度良く制御しなければならないという仁とが挙げ
られる口 (発明の目的) 本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、化学
的に安定で高感度な光記録媒体を提供することである。
(発明の構成)
すなわち本発明の光記録媒体は、基板の片側または両側
に記録層が設けられ、レーザ光線によって情報の記録、
読み取シがおこなわれる光記録媒体において、記録層が
シリコン酸化物膜と金属膜の繰り返し多層構造であるこ
とを特徴とする。
に記録層が設けられ、レーザ光線によって情報の記録、
読み取シがおこなわれる光記録媒体において、記録層が
シリコン酸化物膜と金属膜の繰り返し多層構造であるこ
とを特徴とする。
(構成の詳細な説BA)
レーザ光の照射によシ、記録層の形状変化(孔形成)あ
るいは結晶、粒子状態変化(光学濃度変化)によシ情報
を記録する、いわゆるDRAW型光記録媒体の記録層は
、通常単層で形成される。単層の場合、その記録何生特
性は、材料の物性で決定される場合が多い。金属を記録
層として用いる媒体では、当初Te、Bi等の半金属早
急素膜が用いられていた。これは、これら半金属膜が、
高い記録感度を示すからである0しかし、半金属早急素
膜では耐候性が劣シ、媒体の長期保存性に問題があるこ
とが判った。これを改善するために合金あるいは化合物
が検討され、一応の効果は認められている0 本発明者らは化学的安定で高感度な記録層の研究を鋭意
、重ねた結果本発明を完成するに到った。
るいは結晶、粒子状態変化(光学濃度変化)によシ情報
を記録する、いわゆるDRAW型光記録媒体の記録層は
、通常単層で形成される。単層の場合、その記録何生特
性は、材料の物性で決定される場合が多い。金属を記録
層として用いる媒体では、当初Te、Bi等の半金属早
急素膜が用いられていた。これは、これら半金属膜が、
高い記録感度を示すからである0しかし、半金属早急素
膜では耐候性が劣シ、媒体の長期保存性に問題があるこ
とが判った。これを改善するために合金あるいは化合物
が検討され、一応の効果は認められている0 本発明者らは化学的安定で高感度な記録層の研究を鋭意
、重ねた結果本発明を完成するに到った。
即ち、S ioxと金属の多層膜を記録層とすることに
よシ、比較的高感度で、耐候性に優れた媒体を形成する
ことができた。この媒体の記録モードは、主に光学濃度
変化である0この記録モードが得られるのは、本発明の
記録層の構造によるものであると考えられ、金属単体媒
体ではこのようなモードは得られず、又記録感度も本発
明の媒体より低かった0記録層度の向上は、SiOxに
より金属層が多層に分離されていることによシ、膜厚方
向の熱の流れが阻止されているためであると考えられる
。
よシ、比較的高感度で、耐候性に優れた媒体を形成する
ことができた。この媒体の記録モードは、主に光学濃度
変化である0この記録モードが得られるのは、本発明の
記録層の構造によるものであると考えられ、金属単体媒
体ではこのようなモードは得られず、又記録感度も本発
明の媒体より低かった0記録層度の向上は、SiOxに
より金属層が多層に分離されていることによシ、膜厚方
向の熱の流れが阻止されているためであると考えられる
。
5IOxによる金属の層間分離はX線回折で確認するこ
とができる。即ち、8 ioxと金属の積層周期を一定
とした場合、その周期をX線回折によシ固定できる口こ
のような周期構造は、任意の材料を周期積層するだけで
は必ずしも得られるものではない。
とができる。即ち、8 ioxと金属の積層周期を一定
とした場合、その周期をX線回折によシ固定できる口こ
のような周期構造は、任意の材料を周期積層するだけで
は必ずしも得られるものではない。
それは、内積M膜が連続膜を形成し得ることに加えて相
互拡散を起さないことが必要となるからである。このよ
うな要件を満し、広い膜厚範囲で良好な周期性が得られ
る層材料としてS ioxを見い出した。SiOxを用
いると、その厚さを15Xとしても周期構造によるX線
回折ピークが明瞭に得られた。このことは、8rOxの
層間分離能力が高いことを示し、熱の拡散阻止層として
有効に作用することが予想し得る。又、S ioxを用
いることによシ、金属の耐候性も著しく向上することが
明らかとなった。8 ioxは5i02あるいはSiO
をソース材料として、真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンビームデポジション、イオンブレーティングなどの真
空付着法によ多形成された膜を意味する0通常このよう
に形成された膜は、必ずしも5i02あるいは8i00
膜が得られるとは限らず、成膜条件によ)、化学量論か
らずれた膜が得られるOここでは、これらを総称して5
IOxとする。
互拡散を起さないことが必要となるからである。このよ
うな要件を満し、広い膜厚範囲で良好な周期性が得られ
る層材料としてS ioxを見い出した。SiOxを用
いると、その厚さを15Xとしても周期構造によるX線
回折ピークが明瞭に得られた。このことは、8rOxの
層間分離能力が高いことを示し、熱の拡散阻止層として
有効に作用することが予想し得る。又、S ioxを用
いることによシ、金属の耐候性も著しく向上することが
明らかとなった。8 ioxは5i02あるいはSiO
をソース材料として、真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンビームデポジション、イオンブレーティングなどの真
空付着法によ多形成された膜を意味する0通常このよう
に形成された膜は、必ずしも5i02あるいは8i00
膜が得られるとは限らず、成膜条件によ)、化学量論か
らずれた膜が得られるOここでは、これらを総称して5
IOxとする。
檀1−の繰り返し回数は、必要なメモリ特性に応じて選
択することができるが、(SiOx/金属)を単位とし
て、最低2回以上の繰り返えしが望ましい。積層を繰シ
返す場合、S iox及び金属の厚さは、各繰シ返しに
おいて同一である必要はない。
択することができるが、(SiOx/金属)を単位とし
て、最低2回以上の繰り返えしが望ましい。積層を繰シ
返す場合、S iox及び金属の厚さは、各繰シ返しに
おいて同一である必要はない。
SiOxの厚さを15X以下とすると、その膜厚が±5
0チ変化しても積層膜の光学特性には大きな変化を与え
ない0即ち、このような積層膜の光学特性は、8 io
xで挾まれた金属層の総膜厚に等しい単層金属膜の光学
特性とほぼ一致する。したがって、金属膜の光学特性を
変えることなく、即ち、大きな反射率と吸収率を維持し
て、SiOxによる層間分離が可能となる。一方’、’
SiOxを厚くすると、媒体反射率、吸収率を単層金
属膜のそれよシ変えることができる。これは、多層膜中
での光の干渉を積極的に利用するものであるが、これま
で知られている三層構造媒体よシ、光学特性の膜厚依存
性が低いという優れた特性を有している。このような干
渉型周期多層膜では、反射率を適度に低めることによシ
、吸収率を大きくすることができ、媒体感度を高めると
とができるO加えて、光学濃度変化型の記録モードでは
、記録前後の反射率変化が大きくなシ、良好な再生出力
が得られる0本発明ノ実施例で用いた金属はCo、I’
t、Te、 8b!Te3 。
0チ変化しても積層膜の光学特性には大きな変化を与え
ない0即ち、このような積層膜の光学特性は、8 io
xで挾まれた金属層の総膜厚に等しい単層金属膜の光学
特性とほぼ一致する。したがって、金属膜の光学特性を
変えることなく、即ち、大きな反射率と吸収率を維持し
て、SiOxによる層間分離が可能となる。一方’、’
SiOxを厚くすると、媒体反射率、吸収率を単層金
属膜のそれよシ変えることができる。これは、多層膜中
での光の干渉を積極的に利用するものであるが、これま
で知られている三層構造媒体よシ、光学特性の膜厚依存
性が低いという優れた特性を有している。このような干
渉型周期多層膜では、反射率を適度に低めることによシ
、吸収率を大きくすることができ、媒体感度を高めると
とができるO加えて、光学濃度変化型の記録モードでは
、記録前後の反射率変化が大きくなシ、良好な再生出力
が得られる0本発明ノ実施例で用いた金属はCo、I’
t、Te、 8b!Te3 。
Tiでおるが、Fe、 Ni、 V、 Mn、 Y、
Re、 Pd、 Cr、 Cu。
Re、 Pd、 Cr、 Cu。
Zn、 Ge、 Sn、 Mo、 Au、 Ta、 W
、 zr、 As、 8e、 In、 8b。
、 zr、 As、 8e、 In、 8b。
Te、 Bi、 Pb、 Nd、 8m、 Eu、 G
d、 Tb、 Dy、 Ho、 Br、 TmYb、
Lu及びこれらの多元合金も同様に使用することができ
る。これら金属膜の形成は、蒸着、スパッタ、イオンビ
ームデボジシーン、イオンブレーティング等によシ形成
される。その膜厚は、一層当り2〜200mである。8
i0xは、8i0をソース材料とする抵抗加熱蒸着法で
形成されるのが望ましい。その膜厚は1〜40 nmの
範囲で選択される0記録媒体は、上記SiOxと金属の
周期多層膜を基板の片側又は両側に付着することによシ
形成される。基板材料としては1種々のものが使用でき
るが、一般にはガラス、A/、合成樹脂が望ましいO合
成樹脂としてはポリメチルメタクリル(PMMA )、
ポリビニールクロライド(PVC)、ボリカーボネー)
(PC)、エポキシ樹脂等があるO基板形状としては
円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
d、 Tb、 Dy、 Ho、 Br、 TmYb、
Lu及びこれらの多元合金も同様に使用することができ
る。これら金属膜の形成は、蒸着、スパッタ、イオンビ
ームデボジシーン、イオンブレーティング等によシ形成
される。その膜厚は、一層当り2〜200mである。8
i0xは、8i0をソース材料とする抵抗加熱蒸着法で
形成されるのが望ましい。その膜厚は1〜40 nmの
範囲で選択される0記録媒体は、上記SiOxと金属の
周期多層膜を基板の片側又は両側に付着することによシ
形成される。基板材料としては1種々のものが使用でき
るが、一般にはガラス、A/、合成樹脂が望ましいO合
成樹脂としてはポリメチルメタクリル(PMMA )、
ポリビニールクロライド(PVC)、ボリカーボネー)
(PC)、エポキシ樹脂等があるO基板形状としては
円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
記録再生時の光の入射方向としては、記録層側と基板側
の2通電がある0本例の如き媒体では、両方向の配置と
も使用可能である。基板側入射の場合、記録層上に付着
した塵埃に影響されることなく記録再生が可能であシ、
よシ望ましい形態である。なお、記録層が形成されてい
ない基板面上に付着した塵埃及びその面のキズ等の欠陥
は、基板厚さがl mm以上であれば、その面でのビー
ム径が充分大きいので、記録再生に与える影響は少ない
口 情報の記録は、ディスク形状の媒体の場合、同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックを形成するようになさ
れる。再生する場合、光ビームを特定トラック上を精度
良く追跡させる必をがある。
の2通電がある0本例の如き媒体では、両方向の配置と
も使用可能である。基板側入射の場合、記録層上に付着
した塵埃に影響されることなく記録再生が可能であシ、
よシ望ましい形態である。なお、記録層が形成されてい
ない基板面上に付着した塵埃及びその面のキズ等の欠陥
は、基板厚さがl mm以上であれば、その面でのビー
ム径が充分大きいので、記録再生に与える影響は少ない
口 情報の記録は、ディスク形状の媒体の場合、同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックを形成するようになさ
れる。再生する場合、光ビームを特定トラック上を精度
良く追跡させる必をがある。
これを冥現する望ましい手段として、基板上に光の案内
溝を設ける方法が知られている0本発明の媒体も、溝付
基板上に周期多層記録層を設けることによシ、光ビーム
のトラッキングを可能とする。
溝を設ける方法が知られている0本発明の媒体も、溝付
基板上に周期多層記録層を設けることによシ、光ビーム
のトラッキングを可能とする。
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する0
(実施例1)
厚さ1.2mmのアクリル円板上に抵抗加熱の真空蒸着
法で8 ioxとCoの周期多層膜を形成した。2個の
ボートにそれぞれ8i0とCoを入れ、真空チャンバー
を5 X 10 Torr以下に排気後、それぞれのボ
ートに通電して蒸着速度が両者ともIX/secとなる
ようにボートを加熱した。) SiOとCoが独立に蒸
着できるように、それぞれのボート上には独立に駆動し
得るシャッターが設けられている。このシャッターを交
互に開閉することによシ、所望の厚さのS ioxとC
oの周期多層膜を得た。なお、蒸着されたSiOは必ず
しもソース材料の組成と一致しないのでSiOxと表わ
す。
法で8 ioxとCoの周期多層膜を形成した。2個の
ボートにそれぞれ8i0とCoを入れ、真空チャンバー
を5 X 10 Torr以下に排気後、それぞれのボ
ートに通電して蒸着速度が両者ともIX/secとなる
ようにボートを加熱した。) SiOとCoが独立に蒸
着できるように、それぞれのボート上には独立に駆動し
得るシャッターが設けられている。このシャッターを交
互に開閉することによシ、所望の厚さのS ioxとC
oの周期多層膜を得た。なお、蒸着されたSiOは必ず
しもソース材料の組成と一致しないのでSiOxと表わ
す。
上記の方法によシ、アクリル円板上に1.5 nm厚の
8tOx層と6nm厚OCo層をこの順序で2周期分蒸
着した後、最上層に10nmの8 iOx層を形成して
媒体とした。図はこのようにして形成された媒体の断面
形状を示し、アクリル円板10上に8i()xN20.
40. 60とCo130.50が積層されている。
8tOx層と6nm厚OCo層をこの順序で2周期分蒸
着した後、最上層に10nmの8 iOx層を形成して
媒体とした。図はこのようにして形成された媒体の断面
形状を示し、アクリル円板10上に8i()xN20.
40. 60とCo130.50が積層されている。
この媒体の矢印100の方向から測定した波長830
nmでの反射率は37%、吸収率は40%であシ、これ
らの値は、12nm厚のCO単層に13nm厚のSiO
x層を付着した膜の反射率及び吸収率と#なは等しい値
であった口この媒体に矢印100の方向から波長830
nmの半導体レーザ光を光学系(図示せず)で収光し
て照射し、記録再生を行なった。媒体の回転数は記録再
生位置での線速が2.5m/secとなるように選択し
た。記録周波数を0.5 MHzとした場合、記録パワ
ーが5mW以上で記録後の反射率が増加するモードで記
録できた0記録パワ一6mWで記録された情報を、再生
パワー1 mWで再生した時の信号出力から、記録前後
の反射率変化をめると6%であシ、充分大きな信号が得
られた口このようにして記録された媒体を反射型の光学
顕微鏡で観察すると、記録部の反射率は高く、記録部が
白いパターンとして明瞭に識別できた。この媒体を走査
型電子顕微鏡で観察すると、記録部の表面状態は記録前
後で変化しておらず、孔の形成は認められなかった。こ
れらの観察よシ、本媒体の記録モードは記録部の反射率
が増加する光学濃度変化型であることが判った。
nmでの反射率は37%、吸収率は40%であシ、これ
らの値は、12nm厚のCO単層に13nm厚のSiO
x層を付着した膜の反射率及び吸収率と#なは等しい値
であった口この媒体に矢印100の方向から波長830
nmの半導体レーザ光を光学系(図示せず)で収光し
て照射し、記録再生を行なった。媒体の回転数は記録再
生位置での線速が2.5m/secとなるように選択し
た。記録周波数を0.5 MHzとした場合、記録パワ
ーが5mW以上で記録後の反射率が増加するモードで記
録できた0記録パワ一6mWで記録された情報を、再生
パワー1 mWで再生した時の信号出力から、記録前後
の反射率変化をめると6%であシ、充分大きな信号が得
られた口このようにして記録された媒体を反射型の光学
顕微鏡で観察すると、記録部の反射率は高く、記録部が
白いパターンとして明瞭に識別できた。この媒体を走査
型電子顕微鏡で観察すると、記録部の表面状態は記録前
後で変化しておらず、孔の形成は認められなかった。こ
れらの観察よシ、本媒体の記録モードは記録部の反射率
が増加する光学濃度変化型であることが判った。
なお、情報の記録は、図の矢印200の方向から行なっ
てもほぼ同様な結果が得られた。
てもほぼ同様な結果が得られた。
本媒体の耐候性は充分に高く、通常環境に1年以上放置
しても伺ら変化が認められなかった。比較のために同様
の作成条件で得られたCo単層膜の耐候性を調べると1
〜2週間の放置で酸化による劣化が認められた。
しても伺ら変化が認められなかった。比較のために同様
の作成条件で得られたCo単層膜の耐候性を調べると1
〜2週間の放置で酸化による劣化が認められた。
(実施例2)
実施例1と同様な作成方法によシ、35 nm厚のSi
Ox層と8 nm厚の00層をこの順序でアクリル円板
上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS IOxを
付着して記録層を形成し、媒体とした0この媒体の記録
層側から測定した波長830 nmでの反射率は23チ
、吸収率は71%であった。これらの値を、同じ厚さの
Co単層膜(32層m )と比較すると、反射率で33
%減、吸収率で36%増であったOこの光学特性の差異
は、本記録層の周期構造によるものであシ、記録層内で
光が干渉するためであると考えられる。
Ox層と8 nm厚の00層をこの順序でアクリル円板
上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS IOxを
付着して記録層を形成し、媒体とした0この媒体の記録
層側から測定した波長830 nmでの反射率は23チ
、吸収率は71%であった。これらの値を、同じ厚さの
Co単層膜(32層m )と比較すると、反射率で33
%減、吸収率で36%増であったOこの光学特性の差異
は、本記録層の周期構造によるものであシ、記録層内で
光が干渉するためであると考えられる。
上記媒体を実施例1と同様条件で記録再生を行なった所
、記録前後の反射率変化として12%が得られた。この
場合も、実施例1と同様に記録部の反射率が増加するモ
ードで記録される光学濃度変化型であった。
、記録前後の反射率変化として12%が得られた。この
場合も、実施例1と同様に記録部の反射率が増加するモ
ードで記録される光学濃度変化型であった。
本媒体も通常環境に1年以上放置しても何ら変化が認め
られず、Co単層膜よりも著しく耐候性が向上した0 (実施例3) 実施例1と同様な作成方法によ如、11−5n厚のSi
Ox層と10 nm厚のPt層をこの順序でアクリル円
板上に4周期付着し、最後に10 nm厚の8i0xを
付着して記録層を形成し、媒体とした0この媒体の記録
層側から測定した波長830 nmでの反射率は52%
、吸収率は36%であった。
られず、Co単層膜よりも著しく耐候性が向上した0 (実施例3) 実施例1と同様な作成方法によ如、11−5n厚のSi
Ox層と10 nm厚のPt層をこの順序でアクリル円
板上に4周期付着し、最後に10 nm厚の8i0xを
付着して記録層を形成し、媒体とした0この媒体の記録
層側から測定した波長830 nmでの反射率は52%
、吸収率は36%であった。
上記媒体を実施例1と同様条件で記録再生を行なった所
、記録部の反射率が増加するモードで記録され、記録前
後の反射率変化は7%であったO(実施例4) 実施例1と同様藩作成方法によシ、1.5nm厚のSi
Ox層と10 nm厚のTe層をこの順序でアクリル円
板上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS iox
を付着して記録層を形成し、媒体としだ。この媒体の記
録層側から測定した波長830 nmでの反射率は47
%、吸収率は35%であったO上記媒体を実施例1と同
様条件で記録再生を行なった所、記録部の反射率が増加
するモードで記録され、記録前後の反射率変化は13チ
であった。
、記録部の反射率が増加するモードで記録され、記録前
後の反射率変化は7%であったO(実施例4) 実施例1と同様藩作成方法によシ、1.5nm厚のSi
Ox層と10 nm厚のTe層をこの順序でアクリル円
板上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS iox
を付着して記録層を形成し、媒体としだ。この媒体の記
録層側から測定した波長830 nmでの反射率は47
%、吸収率は35%であったO上記媒体を実施例1と同
様条件で記録再生を行なった所、記録部の反射率が増加
するモードで記録され、記録前後の反射率変化は13チ
であった。
なお、本媒体では、記録パワーを高めると孔が形成され
、孔形成記録も可能であった0 本隊体の耐候性は、Te単層媒体に比較して充分高く、
通常環境に1年以上放置しても何ら変化が認められなか
った0 (実施例5) 実施例1と同様な作成方法により、11−5n厚のSi
Ox層と10 nm厚の8btTeB層をこの順序でア
クリル円板上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS
ioxを付着して記録層を形成し、媒体とした。
、孔形成記録も可能であった0 本隊体の耐候性は、Te単層媒体に比較して充分高く、
通常環境に1年以上放置しても何ら変化が認められなか
った0 (実施例5) 実施例1と同様な作成方法により、11−5n厚のSi
Ox層と10 nm厚の8btTeB層をこの順序でア
クリル円板上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS
ioxを付着して記録層を形成し、媒体とした。
この媒体の記録層側から測定した波長830 nmでの
反射率は52%、吸収率は34%であった。
反射率は52%、吸収率は34%であった。
上記媒体を実施例1と同様条件で記録再生を行なった所
、記録部の反射率が増加するモードで記録され、記録前
後の反射率変化は10%であった。
、記録部の反射率が増加するモードで記録され、記録前
後の反射率変化は10%であった。
(実施例6)
実施例1と同様な作成方法によシ、1.5nm厚のSi
Ox層と10 nm厚のTi層をこの順序でアクリル円
板上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS iOx
を付着して記録層を形成し、媒体とした。この媒体の記
録層側から測定した波長830 nmでの反射率は29
%、吸収率は40%であった。
Ox層と10 nm厚のTi層をこの順序でアクリル円
板上に4周期付着し、最後に10 nm厚のS iOx
を付着して記録層を形成し、媒体とした。この媒体の記
録層側から測定した波長830 nmでの反射率は29
%、吸収率は40%であった。
上記媒体を実施例1と同様条件で記録再生を行なった所
、記録部の反射率が増加するモードで記録され、記録前
後の反射率変化は5%であった。
、記録部の反射率が増加するモードで記録され、記録前
後の反射率変化は5%であった。
なお、以上の実施例においてS iox層と金属層の形
成順序を逆にしても特性に有意差はなく、両構造とも同
等に使用できた。また最上層には保護膜を付けることが
望ましく、SiOx膜を形成するときは層間の8iC)
x膜よシやや膜厚の厚いものとすることか望ましい0 (発明の効果) 上記実施例から明らかなように、本発明により化学的に
安定で高感度な光記録媒体が得られる0
成順序を逆にしても特性に有意差はなく、両構造とも同
等に使用できた。また最上層には保護膜を付けることが
望ましく、SiOx膜を形成するときは層間の8iC)
x膜よシやや膜厚の厚いものとすることか望ましい0 (発明の効果) 上記実施例から明らかなように、本発明により化学的に
安定で高感度な光記録媒体が得られる0
図は本発明の光記録媒体の一実施例の断面図を示し、図
において、lOは基板、20,40゜60はS iox
層、30.50は00層、100.200は入射する光
の方向を示す0
において、lOは基板、20,40゜60はS iox
層、30.50は00層、100.200は入射する光
の方向を示す0
Claims (1)
- 基板の片側または両側に記録層が設けられ、レーザ光線
によって情報の記録、読み増シがおこなわれる光記録媒
体において、前記記録層がシリコン酸化物膜と金属膜の
繰シ返し多層構造を有していることを特徴とする光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042302A JPS60187950A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042302A JPS60187950A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187950A true JPS60187950A (ja) | 1985-09-25 |
Family
ID=12632224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59042302A Pending JPS60187950A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187950A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243317A (en) * | 1991-12-11 | 1993-09-07 | Industrial Technology Research Institute | Magneto-resistor digitizer |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP59042302A patent/JPS60187950A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243317A (en) * | 1991-12-11 | 1993-09-07 | Industrial Technology Research Institute | Magneto-resistor digitizer |
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