JPS6018945B2 - 半導体装置の試験方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置の耐湿性を評価する試験方法に
関するものである。

従来の半導体装置の耐湿性を評価する試験は、高温高温
保存試験、温湿度サイクル試験、高温下の加圧試験（以
下「ＰＣＴ」という）：などであったが、これらの試験
は半導体装置のパッケージの気密性の評価、パッケージ
内部に水分が浸入した場合の半導体ダィの表面処理の劣
化の評価、半導体装置及びパッケージの腐食性の評価な
どを目的として実施されていたため、試験後は常温で放
置されていた。

しかし、今日のように半導体ダィの表面処理技術、金属
材料の表面処理技術などが向上してくると、半導体装置
内部に水分が浸入しても、特性的な劣化及び腐食などは
発生しにくくなり、むしろ浸透した水分が蒸発する際に
発生する応力が、半導体ダィ、ワイヤボンディング部、
ダィポンディング部、パッケージなどに与える影響を評
価することが重要になってきた。

ところが、従釆の試験方法では前記のように試験後は常
温で放置されていたため、水分が蒸発する際に発生する
応力はごく小さいものであり、半導体装置に影響を与え
ることは不可能であった。

この発明は、パッケ−ジ内に浸入した液体が蒸発すると
きに発生する応力の影響を評価することによって、耐緑
性を試験する半導体装置の試験方法を提供することを目
的とするものである。以下、この発明の一実施例を説明
する。あらかじめ電気的特性を測定した供試半導体装置
を例えば、８５ｑｏ、８５％の高温高湿雰囲気に２岬時
間保存し、水分を液体の状態または気体の状態で半導体
装置の内部に浸透させる。

そして、高温高湿雰囲気から取り出し、水分が気体の状
態で浸透した場合は液化させ、その後２時間以内に、１
００℃の高温槽入れに２岬時間保存し半導体装置の内部
に浸透した水分を蒸発させる。このように半導体内部に
浸透した水分を沸点以上の高温で蒸発させると、半導体
装置が、樹脂モールドタィプや、プリコート樹脂と外装
樹脂が２層になっている混成集積回路などであれば、固
体よりはるかに大きい水分の体膨張率と温度による水分
の体膨張が、半導体装置の内部に応力歪みを生じさせ、
また、半導体装置がキャンシールタィプのものであれば
、水の飽和蒸気圧と内部圧力の総和された圧力が、半導
体装置の内部に応力歪みを生じさせ、この応力が半導体
装置の半導体ダィ、ワイヤボンディング部分、ダイボン
デイング部分、パッケージなどに与える影響を電気的特
性や試験後の内部観察によって評価することができる。

上言己の実施例では、半導体装置内部へ水分を浸透させ
る場合について述べたが、水分に限られるわけではなく
、沸点が試験実施に容易な２５〜１００℃の範囲にある
他の適当な液体であってもよい。

半導体装置内部へ液体を浸透させた後に沸点以上Ｚに保
存する時間は、半導体装置のパッケージの材料・形状・
大きさ、半導体ダィの種類、および浸透させる液体の種
類によって適当な時間が設定される。この発明による試
験方法は、従来実施されていた塩湿度サイクル、高温高
温試験、ＰＣＴなどのみでは、検知できなかった半導体
装置内部の湿度に対する機械的強度を評価できる有効な
試験方法である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体装置内へ１気圧での沸点が２５〜１００℃の
   液体を液体の状態または気体の状態で強制的に浸透させ
   気体の状態で浸透した場合は液化させ、その後２時間以
   内に、上記液体の沸点以上の温度の雰囲気中に上記半導
   体装置を入れてそこに保存し上記液体が気化する際に発
   生する応力の影響を上記半導体装置に与えた後、上記半
   導体装置が受けた影響を評価することを特徴とする半導
   体装置の試験方法。