JPS60189946A - 電子回路組立体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は広範囲の用途に適用可能であるが、特に集積回
路をリードフレームに対し電気的に接続するのに適して
おり、この用途に関連して説明を行なうことにする。

（従来の技術及び発明が解決しようとする問題点）ワイ
ヤビンディングに代る技法であるテープ自動ボンディン
グ（ＴＡＢ）技法は、半導体装置上の４ぐンデイングパ
ツＰｉリーＶフレーム又はり−げレスセラミックチップ
キャリア（４，ａｃｅ）内の相当するＩＪ　ｌ、（ｌパ
ターンと連続するための技法である０ ＴＡＢにおいては　ＩＪ　）、ｌパターンは比較的薄肉
の金属箔又はテープからエツチング加工により所望の形
状へと形成される。金属フィンガの先端は半導体ダイ上
のがンデイングパツＶへと結合される。前記フィンガの
他方の端部はリーｖフレーム上のＩＪ　）Ｉへと結合さ
れる。結合（ボンディング）段階が完了すると、残って
いる金属があれば除去される。その結果多数個の実質的
に長方形のワイヤがダイをリーＶフレームに接続してい
るものが得られる。

バーンズ（Ｂｕｒｎｓ　）氏の米国特許第４．３３０，
７９０号は典型的なタグ（ＴＡＢ）パッケージを開示し
ている。また、チップキャリア及びＴＡＢに関する新し
い技術の説明は、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ誌（１９８１
年１２月２９日、ｐ６５〜７５）におけるシェリー・ラ
イマン（、Ｔｅｒｒｙ　Ｌｙｍａｎ　）氏の記事ｒ　０
ｈｉｐ−ａａｒｒｉｅｒｓｌ　Ｐｌｎ　Ｇｒｌｄ　Ａｒ
ｒａｙｓ　Ｃｈａｎｇｅ　Ｔｈｅ　ｐａ−Ｂｏａｒｄ　
Ｌａｎｄｓｃａｐｅ　Ｊに説明されている。

テープ自動がンディング（ＴＡＢ）技法は２つの利点を
有している。第１に、テープとり−Ｐフレーム間及びテ
ープとダイ上のボンディングパラ１フ間の結合部の全て
は、個々の一ワイヤを結合するワイヤボンディング技法
に必要な多重工程でなく単一工程で製造はれるというこ
とである。

第２に、テープは通常約０．０３５６朋（０，００１４
インチ）から約［！、１０６７ｍｍ（０，００４２イン
チ）の厚味を備えた極めて薄肉の箔から製造されるとい
うことである。こうすることによりＴＡＢリ−Ｖの内部
先端は極めて幅の狭いものとすることが出来る。これら
の先端はワイヤビンディングのためのボールボンディン
グ作業によって形成される平坦ボールよりも幅の狭いも
のとして形成することが出来る。こうすることにょシ、
ボールボンディングを用いた場合よシも幅の狭いがンデ
ィングパツｒをダイの周縁まわりに用いることが可能と
なる。このことは複雑なマイクロプロセッサのように１
５０個以上の如く比較的多数個の連結部を要する半導体
装置の場合に特に有利となる。

前記テープは銅のような単層のエツチングされた箔とす
ることが出来る。他にも２又は６層のテープを用い得る
可能性がある。多層テープは一層のプラスチックフィル
ムをエツチングされた箔の一方又は両方の側に適用し、
付加的支持作用又は取扱い機能のような特性を与えるこ
とにより構成される。このフィルムは厚味が約０．０２
５４＋ｎｍ〜０．０５０８ｍｍ（１〜２ミル）であるボ
リイミｒフィルムとすることが出来る。多層テープにお
いては、プラスチックフィルムの部分はエツチング加工
されたテープに積層する以前に除去されて、金属がボン
ディングのために露出される。

慣用の半導体ダイにおいては、ダイの周辺まわりのポン
ディングパラＶは基本的にダイの頂部表面と同一高さ上
にある。処理上の観点からこれらのパラｒはダイのエツ
ジからあまシ突出しない。

もしも平坦なテープが直接ダイ上の面一ボンディングパ
ラげに結合される場合には、同テープはダイの外側周縁
と接触するばかりでなく、ショートを引きおこす。この
潜在的問題点は２つの方法で対処することが出来る。最
も普通に行なわれている方法はポンデイングパツケヲグ
イ上で突出させ。

パラｒの表面がダイの全体的表面レベルよりもわずか上
方にくるようにする方法である。こうすることにより、
テープは安全にダイのエツジより上方へと持上げられる
。現在広く用いられつつある別の方法はテープに突起を
つけて、隆起したパッドの無い平坦なダイを用いる方法
である０通常０．０３５６朋（０，００１４インチ）又
は０．０７１１朋（０，、ＯＤ　２８イーンチ）の厚味
の銅箔が平坦なＴ　Ａ　Ｂ箔上に用いられ、隆起ＴＡ、
Ｂ（Ｂ−ＴＡＢ）路上には０．０７１１朋（０，００２
８インチ）又は０．１０６７朋（０，［ｌ　０４２イン
チ）厚の銅箔が用いられる。Ｂ−ＴＡＢ箔における余分
な厚味は隆起全作る金属部分を残し、箔の残りの部分の
材料をエツチングで除去するのに必要である。

ＴＡＢ又はＢ　−ＴＡＢがプラスチック封入装置で用い
られる場合には、テープボンディング及び余剰物質の除
去に引続く工程は装置をプラスチック内に封入する工程
である。通常これは予め組立てられた１７　）、＋１フ
レーム、テープ及び半導体グイをモールド内に配置し、
同モール−にエポキシ樹脂をダイ、テープ及びり−ｒフ
レームのまわりに投入することで行なわれる。前記プラ
スチック即ちエポキシ樹脂は比較的粘性の大きな物質で
あり、モールド内へと横方向に流れ、テープとダイの結
合部のみならず％、！Ｊ　）’フレームとテープ自体の
間の結合部をかなりのせん断力にさらす。これらのせん
断力はか々り強いため、前記結合部が破壊されるか又は
ダイとり＝Ｖフレーム間のフィンガ賛素が変形を受ける
。もしも隣接するフィンがが互いに接触するか、十分接
近してこれら２つの隣接フィンが間に電流が流れ得る場
合には一ショートが発生する０前記フインがはまた変形
し過ぎて、−隆起部の存在にもかかわらずダイのエツジ
と接触し、ショートラ誘起する可能性もある。

これらの因子はＴＡＢの使用に幾つかの設計上の制限事
項を課する。他の条件が全て等しいとして、ダイとり−
Ｖフレーム間のテープがまたぐスパン長さが長くなる程
カプセル封入の際受ケるせん断力は大きなものとなる。

せん断力が大きくなると、結合部にかかる応力が増大す
るばかりでなく、フィンガを変形させようとする応力も
増大する。結合部上の応力はフィンガの横断面積を減ら
すことで減少させることが出来る。しかしながら、こう
することは逆効果を生むことに々る。何故ならばフィン
ガが永久変形を受け易くなるからである。変形抵抗を増
すためにフィンガの横断面＆を増大させた場合には、結
合部上での応力も増大する０ よシ高い強度の物質を使用することが潜在的に有利であ
る。何故ならば、フィンが変形に対する抵抗力を等しく
することを考えた場合、フィンがの寸法をより小はいも
のにすることが可能となるからである。別効果として、
ポンディングパラｒとリードフレーム間のスパンをより
長く取ることが可能となる。より長いスパンを用いた場
合には、そうでない場合よりも小さな横断面積を採用し
てもフィンが変形を避けることが出来る０そのような小
さな横断面積の場合スパンを更に長くしても結合部上に
作用するせん断力を許容値以内に保持リードフレームに
おいて有利となる。リーｒの内側端部の最小幅はＩＪ　
）、０間の最小間隔によってばかりでなく、リードフレ
ーム材の厚味によって制限される。一般的に言うならば
、スタンピング加工の制限から、打抜かれるべきフィン
ガ間の距離は前記フレーム材の厚味よりもずっと小さく
することは出来ない０例えば０．２５４順（０，０１０
インチ）の厚味を備えたり−ｒフレームの場合には先端
の最小幅は約０．２５４朋（：　０．０１０インチ）の
仙が許容され、リード間の最小幅は約０．２５４ｉｎ（
０，０１０インチ）の値が許容される。これらの寸法因
子は、リード先端によって画成される中央周縁の最小寸
法を制限する。中央周縁の最小寸法部びにリード先端及
びダイ上のボンディングバラｒ間の許容最大スパンの値
は所定の数のリード及び所定の厚味を備えたＩＪ　Ｐフ
レームにおいて用いることの出来る最小ダイ寸法全規定
する。複雑な半導体装置のサイズが減少するにつれて、
リードフレーム形状及び連結スパンの制限によって要求
される最ホダイ寸法は半導体チップにおける枯−機能を
満足させるのに必要な最小幾何学寸法よりも太きくなる
。実際チップはその全体寸法が必要以上に大型化してし
まう。また、もしもより長いスパンが許容されるのであ
れば、チップ周縁以外にもダイ上の地点で連結した方が
有利となるダイ設計例もある。

連結ボンディングの基本事項は基本的には他のタイプの
冶金学的ボンディングと同一である。結合すべき２つの
元系の異なる移動を組合せることにより、冶金学的結合
が達成される。ビンディング（結合、接合）のパラメー
タは好適には熱及び圧力の添加によって（熱圧縮ボンデ
ィング）、熱及び超音波エネルギの組合せによって（熱
音波ボンデイング）又は大量の超音波エネルギの入射に
よって（超音波ざンデイング）影響を与えることが出来
る。

連結部が結合きれるべきυ　Ｐフレーム表面の物理的特
性はＩＪ　）＋フレームの機能上の要求事項によって設
定される。これらの特性には高強度、ろう付は性及び高
導電率が含まれる。またリードフレームの緒特性はり−
ｒフレーム材に添加することの出来るクラッド部材又は
メッキコーティング部材によって修整することが出来る
。これらの部材には銅又は銀メッキ又はクラツディング
が含まれる。リーダフレーム自体は銅又はニッケル合金
のような物質から形成することが出来る。

半導体ダイ上のボンディングパラｒの緒特性はパラＰを
得るのに用いられる単層又は多重層の金属堆積工程中に
得ることの出来る物質の％性に限定される。更にはダイ
へのギンディングの際下層のもろいケイ累ダイ物質が破
損するのを防止するべくボンディングに用いることの出
来る最大圧力の制限がある。Ｃリ−）”ｙレームに結合
されるべき）テープフィンガの一方の端部の最適な物理
的特性値は（半導体ダイに結合されるべき）ＴＡＢフィ
ンがの他方の端部の最適な特性と全く異なる可能性があ
る。テープに用いられる界面物質は、テープとり−Ｖフ
レーム間に又はテープとボンディングパラＶ間に望まし
くない金属間化合物が形成されるのを防止するように選
択することが出来る。例えば、銅及び銅合金部材ヲアル
ミニウム含有部材に結合すると銅−アルミニウム金属間
化合物が形成される結果となる。これらの銅−アルミニ
ウム金属間化合物は脆化し易く、前記部材間の結合の一
体性を劣下せしめる。これらの化合物はまた結合された
部材の電気的伝導特性に悪影響を与える可能性がある。

これらの金属間化合物の生成を防止するために、半導体
製造業者はＩＪ　）Ｉワイヤのようなアルミニウム部材
かり一ρフレームのような銅フレームに結合される領域
において銀メッキしたストライプを添加してきた。銀メ
ツキスドライブの代漫にニッケルメッキした表面も又用
いられてきた。

プリーディス（Ｂｒｅｅｄｉｓ　）氏等によるＥＰＯ特
許出願第５Ｎ８４１０　Ｃ］’１４　１．１号（名称「
０ｕ−Ａｌ金属間化合物の成長全抑制するための銅合金
」は望ましくない銅−アルミニウム金属間化合物の生成
を減少するべくアルミニウム含有部材に結合可能な銅合
金を開示している。

本発明が達成しようとしている目的の１つは電子回路製
造に用いるテープボンディング材であって、比較的高温
度にさらされ、リードフレームのみならず半導体チップ
の両者に結合可能であって、金属間化合物生成に耐性を
有するテープビンディング材を提供することである。

本発明の１つの利点は、テープビンディング材を用いた
電子回路組立体であって、叙上の構造の□　制限点及び
不具合点の１つ又はそれ以上を解消する組立体を提供す
ることである。一 本発明の別の利点は、金属間化合物を形成しにくいテー
プ４ぐンデイング材を用いた電子回路組立体を提供する
ことである。

本発明の四に別の利点は、高強度物質であるテープビン
ディング材を用いた電子回路組立体を提供すると・とで
ある。

本発明の更に別の利点は、テープぜンデイング材であっ
て、それが固定される半導体ダイから熱を放出するのに
適したテープぜンデイング材を備えた電子回路組立体を
提供することである。

かくして、頂部表面上にアルミニウムターミナルパラｙ
２備えた半導体ダイを有する電子回路組立体が提供され
ている。前記半導体ダイ近傍に配置されたＩＪ　ｐフレ
ームは当該半導体ダイに対して電気的に接続されている
。電気的接続装置がターミナルパッドをり−ｒフレーム
に連結している。

前記電気的接続装置はニッケル含有物質から形成された
第１の部材と、銅含有物質から形成された第２の部材と
ヲ有する搬送テープを含んでいる。

前記第１及び第２の部材は互いに結合されている。

前記搬送テープはその第１の部材がアルミニウムターミ
ナルパッドに結合され、その第２の部材がリードフレー
ムに結合された状態で電子回路組立体内に配置されてい
る。

本発明の別の実施例においては、前記搬送テープは半導
体ダイから熱を効果的に放散する役割をしている。

以下付図を参照して本発明のより具体的な説明を行なう
。

（実施例） 本発明は特に電子回路組立体に向けられており、半導体
ダイ１２を有している。ダイ１２はその頂部表面１６上
にターミナルパラ１Ｆ１４を備えている。前記半導体ダ
イ近傍にはり−ｖフレーム１８が配設されており、ダイ
に電気的に接続されるようになっている。前記ターミナ
ルパラげ１４を直接リードフレーム１８に連結するため
に電気的接続装置２０が設けられている。前記電気的接
続装置は搬送テープ２２を有しており、同テープは以下
に述べるように二重クララＶ又は三重クララＶ複合材と
することが出来る。クラツド材は、前記搬送テープの構
成部分が取扱い中変形に抵抗出来る程度に十分強＜５ｖ
−ｙフレームへのろつ付ケ性を改善する程に十分強く、
テープと半導体ダイの間に金属間化合物を形成しにくい
ように選択される。

第１図に示すように、前記搬送子−プ２２は電子回路組
立体１０内に配置されており、部相２４の一方の端部は
ターミナルパッド１４に結合されるとともに、同部材２
４にクララＰ結合された第２の部材２６はＩＪ　）！フ
レーム１８に結合されている。

前述したリードフレーム材は比較的高い強度を備えてお
り、従って銅ニツケル合金ｃ１９４００又は０１９５０
０のような比較的硬質材から形成されている。同時に、
テープへの結合が行なわれる領域には軟質表面を提供す
ることが望捷しい。

この軟ＪＸ表面を形成するためにこの領域においてリー
ドフレーム表面を厚肉メッキしたりクラツディングする
ことはコストが増大するので望ましくない。従って、テ
ープ領域のり一２フレームに結合される領域は笑質的に
リードフレーム材よシも軟質であることが望ましいであ
ろう０前記搬送テープはまたその他端においてアルミニ
ウムのような軟質金属から形成されている結合パラｒに
も結合されている。しかしながら、半導体ダイの作動中
最も温度が上昇する領域はダイの表面である。

作業のタイプによっては、ダイの表面上のアルミニウム
とテープが作られている材質との間に金属間化合物が潜
在的に形成される心配があるかも知れない。この心配は
一般的に言って比較的高温度で作動する双極集積回路の
場合重要となる。

第１図は搬送テープ２２とリードフレーム１８間に軟質
の結合表面を提供する一方、他方においてアルミニウム
・ターミナルパラ）Ｆ１４と搬送テープの間に金属間化
合物が潜在的に形成される危。

陰性を減少させるという問題点を克服したユニーはニッ
ケル含有材２４であり、同材質は基本的に１００％迄の
ニッケルと残余が銅であるような成分、より好ましくは
２０％〜４０％のニッケルと残余が銅であるような成分
からなっている０ニツケルを含む材質金柑いる最も重要
な利点はそれがアルミニウムを含む要素に結合された時
に、銅−アルミニウム金属間化合物のレベルが顕著に減
少するということである０この利点のより詳細な説明は
ＫＰＯ特許出願第５Ｎ８４１０　０３４１．１号になさ
れている。また、部材２４は少なくとも約４２　ｋｇｆ
／ｍｍ２（６０，０００ｐｓｉ　）の降伏強度を備えて
いる。第２の部材２６が約２８　ｋｇｆ／ｍｉ”（４０
，０００ｐｓｉ）以下の降伏強度を備えていることによ
り、リードフレーム１８との結合が促進される。好まし
くは、前記第２の部材２６は基本的に銅からなる物質よ
り形成されている。部材２６は銅−ニッケル成分２４に
クラッドさせることが出来る。かくて、テープはエツチ
ングされ、銅はダイ１２が結合されるべき領域から除去
される。こうすることにより、ダイ上のアルミニウム突
起１４に接合されるテープ表面を好ましくは鋼−ニッケ
ル表面とすることが可能となる０同時に硬質のリードフ
レームに接合されるテープの表面は銅のような軟質材と
することが出来る０部材２６を可能なる限ジ軟質な状態
で提供するために、前記テープ２２は部材２６の焼鈍温
度以」二で部材２４の焼鈍温度以下の温度で焼鈍し、部
材２４が硬質のまま部材２６が軟質となるようにするこ
とが出来る。例えば、部材２６は銅又は合金ｏ１１００
のような銅合金から構成し、これを焼鈍し、降伏強度を
２８ｋｇｆ／朋２（４０，０００ｐｓｉ　）以下とする
一方、銅−ニッケル部材２４の強度は４２　ｋｇｆ／ｍ
ｍ２（６０，ＯＤ　Ｏｐｓｉ　）以上とすることが出来
る。前記テープの銅−ニッケル部分は硬質に保たれてい
るので、テーゾリーー又はフィンがは組立て中比較的変
形しに＜＜、リーｒフレーム１８と半導体ダイ１２の先
端間の隔たり全増大させることが可能となる。このこと
は前述の高カウント装置の場合重要な利点となる。

第２図は基本的には第１図と同様であり、異なる所はダ
イ１２上の結合パラＰ３０が基本的にダイの頂表面と同
一面をなしているという点−である。

こうするためには隆起したテープ３２を用いる必要がら
る０テープは再び好ましくは銅−ニッケル部材３４及び
銅部材３６を有する二重クララＶ複合材から作られてい
る。第１図の実施例の場合と同様、これらの部材の各々
はそれらの降伏強度及び半導体、’）　）’フレームへ
の結合能力が損なわれない限りにおいて異なる成分から
構成させることが出来る。要素３４の一部分３８はエツ
チングのような所望の方法によって除去され、隆起４０
がテープの表面４２から外向きに延びる。好ましくは、
この隆起はテープ３２が半導体１２の表面と接触しない
ようにするため少なくとも０　、０２５４　ｍｍ（０，
０［］　１１インチだけ表面４２から外向きに延びてい
る。注目すべきことは、第１図の等価な部材２６がそう
であるように、第２図の部材３６も少なくとも約０．０
０２５４朋（０，０００１インチ）の厚味を有している
ということである。

前述の仕様範囲においては銅−ニッケル合金の導電率は
たかだか４％〜８％ｌＡＣ３である。この貧弱な導電率
を補償するために、テープＩＪ　）、＋の横断面積は典
型的には金又はアルミニウムボンディングワイヤの横断
面積よりもかなり大きくされている。例えは前記チーシ
リ−２の最小横断面積は約０．００７７４朋２（１２平
方ミル）であシ、これにくらべて０．０２５４ｍ＋ａ（
０’、００１インチ）直径のボンディングワイヤの横断
面積は０．０００５１ｔｎｍ２（０，７９平方ミル）に
過ぎず、両者の比は１５：１である。かくて銅−ニッケ
ルテープリードの電流搬送能力は０．０２５４ｍｍ（０
，００１インチ）の金ポンディングワイヤのそれと大略
等しくなる。しかしながら、半導体がより複雑となり、
ダイかより小さくなると、十分な電流搬送能力のみなら
ず十分な熱発散能力を備えるより小さなチープリーｖを
形成する能力はよシ重要となってくる０ 第６図を参照すると、第１図及び第２図に示した第１の
実施例に関して議論した利点が維持されていると同時に
、電気的及び熱的伝導率が改良されている別の実施例が
示されている。この実施例においては、テープ５０は三
層複合材から作られている。最も厚い部材５２は高伝導
率材であり、同材料としては例えば銅合金ｏ１９４００
又はｏ１５１００のような難焼鈍高伝導度銅合金を用い
るのが好ましい。当該合金は最小でも約４２ｋｇｆ／／
１１虎２（６０，０［］　Ｏｐｓｔ　）の高い降伏強度
をイＩＩｉ＋えている。また前記合金は軟質部材５４（
第１図の部材２６に対応する部材）が焼鈍される温度で
焼鈍されないように難焼鈍性金偏えていなければならな
い。また前記部材５２は少なくとも銅−ニッケルの２倍
である高導電率、好ましくは５０％以上のＩＡＯ８を備
えていなければならない。複合材の中間層５６は第１図
の実施例に関連して説明した部材２４と実質的に同一の
銅−ニッケル合金である。外側層５４はリーｒフレーム
１８に結合されるべき内側リードの端部部分５８を除い
てはエツチングで除去されるのが好丑しい。第１図及び
第２図の実施例に関して述べたように、前記テープ５０
は焼鈍して、銅領域５４を出来るだ、け軟質にする一方
テープの残部に影響を与えないようにすることが出来る
。

第４図を参照すると、第６図に示したのとほぼ等しい実
施例が示されているが、同実施例においては銅−ニッケ
ル部材がエツチング除去されている中央部分が含まれて
おり、銅−ニッケル基体の帽部パラＰ６０及び６２のみ
が残っていることが異なる。

ある種の作動環境においては、テープとダイの界面がさ
らされる以後の処理又は作動温度によってこの界面にお
いて銅−アルミニウム金属間化合物が潜在的に形成され
ることが無いこともあろう。

そのような場合には、好適にはアルミニウムターミナル
パッド７３に結合される銅−ニッケル合金利は必要とさ
れない。かくして、第５図に示すように、搬送チーシフ
０は高強度の焼鈍されにくい銅合金７２から形成される
ことが可能である。前記合金７２は第３図及び第４図の
実施例に関して説明した銅合金５２と実質的に同一の作
動特性を備えている。斜上の実施例と同じように、第１
図の部材２６と実質的に同一の軟質金属部材γ４が部材
７２にクララＰされておシ、そのため搬送チーシフ０と
リードフレーム１８の間の結合特性が高められている。

第６図は半導体装置１２を収納するために準備された金
属テープ８０の切片を示している。１つのパターンのみ
が示されているが、抱数個のそのようなパターンがテー
プに沿って存在するものと理解されたい。穴８２はテー
プを以下のプロセスで割出し、搬送する作用を行なう。

核数個の金属フィンが８４．８６及び８７は半導体装置
１２上のボンディングパラＶと適合する形状とされてい
る。テープ８０の金属は第１図から第５図に例示した実
施例において説明された相質からなる複合材であるのが
好ましい。各フィンガは半導体に結合する端部において
隆起部分を含んでいるのが好ましい。しかしながら、平
坦なテープを準備し、半導体装置自体上にターミナル隆
起を設けることも本発明の範囲内である。搬送テープを
用いることの１つのｌ要な利点は、テープフィンガ８４
の全てを同時に半導体装１ｔ１２の結合パッドに結合さ
せることが出来るという点である。任意の数のフィンガ
８４を用い、任意の所望の形状にすることが可能である
。例えば、フィンが８７のような任意のフィンがをよシ
長くして、任意の結合ターミナルが所望に応じてダイ上
に達成するようにすることが出来る。４個のコーナフィ
ンガ８６は以下に詳細に議論されている０所望とあらば
、例えば０．０５０１１３＋ｍ（２ミル）厚のポリイミ
ｒ（例えばデュポン社のＫＡＰＴＯＮ　／リイミｒ）か
らなる絶縁フィルムをＢ段階エポキシ樹脂のような接着
剤でテープの一方又は両表面上に塗布することが出来る
。当該フィルムはリードが結合されるストリップセクシ
ョン上に堆積されないことが好ましい。

第７図を参照すると、典型的なりオｒバク（Ｑｕａｄ　
Ｐａｋ　）リードフレーム９０の断片が示されている。

ダイ１２が取付けられる中央パッド領域９２はコーナー
が外部リードに接続されていないサポートパー９４によ
って支持されている０代シに、コーナフィンガ９４はダ
ムバー９８において終結している。いったん半導体ダイ
會結合させたリードフレームがハウジング内に置かれ、
標準的カプセル封入材とともに封入されたならば、リー
ドフレーム材はフィンガ９６のみがパッケージから飛出
すようにトリムされる。しかしながら、コーナーフィン
が９４は前記ダムバーの内側上に位置し、ダイにより近
いのでパッケージからは突出しない。この特性の故に、
これらのコー゛ナーバー１−して以下説明する熱放散り
−ｖとして用いるのに特に適したものとすることが可能
となる０前記コーナーリーｒを所望とあらばパッケージ
から延ばすようにすることも本発明の範囲内に含まれる
ということに注目されたい。

ダイからの熱放散を最適化するために、前記テープフィ
ンガの１つ又はそれ以上は周辺に分配されているポンデ
ィングパッドよりもより中央に近い所でグイ上のパラＰ
に結合することが出来る。

こうするためには、リードフレームとダイ間において、
テープフィンガが作る非支持片持ち架橋のスパン長さを
通常のリードフレーム及びダイ周辺近くの熱パッド間長
さにくらべてずつと長くしてやる必要がある。原理的に
前って、この場合テープ材は高強度及び高熱伝導率の両
特性を備えなければならない。

別の解決策はテープ材にアーチを形成せしめ、テープフ
ィンガがそれがターミナルに結合される地点を除いてダ
イに接続しないようにする方法である。エツチングをし
た後フィンガを成形することは極めて非実際的である。

従って、ホトレソストパターンを焼付は現像した後、エ
ツチング未加工のテープをエツチングプロセス前に成形
することが考えられる。かくすればテープフィンガを成
形された状態でリーｒフレーム及びダイに結合すること
が出来る。

考慮に入れなければならない製造条件はダイの中央付近
で熱パラＶに結合されるテープフィンがの端部が周縁の
ボンディングパラげに結合されるテープフィンがと同一
平面上になければならな因ということである。この問題
点に対する１つの解決策はフィンガの成形部を周縁ター
ミナルパラＶと内側ターミナルパッドの間の領域に限定
してやることである。

第８図を参照すると、タグ（ＴＡＢ）テープフィンが１
００はターミナルパラＰ１０２及び１０４の間において
ダイ１２からアーチ状にせり上っている。こうすること
によりより中央に位置するパラｖ１０４に到達する非支
持スパンの長さを限定することが出来る。同時に、パラ
Ｖの中央領域からの熱放射特性を改良するこ七が出来る
。斜上の任意のタラツドテーゾ材を用いるとして、テー
プフィンが１００はそれに必要とされる高強度、良好な
結合性及び潜在的な金属間化合物全形成しないこと等の
特性を得られる相賀から形成されることが好ましい。例
えば、クラツディング１０６は第１図のクラツディング
２６と同様銅である。熱パラｒに結合されるクラツディ
ング１０８は第１図のクラツディング２２と同様銅−ニ
ッケル材トされる。主要部材１１０＆よ第３図のクラツ
ディング５２のような高強度、筒伝導率の銅合金とされ
る。熱バンド１０２及び１０４間のアーチの形状は設計
上の事項であシ、任意の所望の形状とすることが出来る
。またアーチをり−Ｐフレーム１１２とダイ１２上の中
央配置熱パッド１０４間で形成してｔ図示の如くフィン
ガを周縁パラｒ１０２において先行接続することも本発
明の範囲内に會まれる。

前述したように、第７図に例示したクオＶバク（Ｑｕａ
ｄ　Ｐａｋ　）　９０の支持バー９４は外部り−ｒには
接続されていない。これらの支持バーはダイパッドに対
する支持部材を用いるＤ工Ｐリーｒフレームにおいて典
型的なものである。搬送テープ８０の１つ又はそれ以上
のコーナフィンが８６を半導体チップ表面とり−ｒフレ
ーム９０上の支持バー９４間において結合してやること
により半導体ダイからの熱放散特性を改善することは不
発明の範囲内に含まれる。これはフィンガ８６の内９ｆ
ｌ＋端部をチップ上の周縁熱バンド又は内側パラｙに結
合させることにより達成することが出来るし、史に第８
図に例示した実施例に関して説明したアーチを設けるこ
とによっても達成することが出来る０ ＠９図を参照すると、斜上の任意のクラツディングから
形成されたコーナーフィンガ８６′は熱放散パッドであ
る。これらのフィンガの各々には第８図の如くアーチを
形成せしめ、熱り−Ｖの各各のアーチ部分をいっしょに
アーチ頂点付近で結合してやるのが望ましい。熱り−ド
８６′の各々は第６図に示すようなコーナフィンＰ８６
のエキステンションとすることが出来る。フィンガ８６
′のアーチ状セクション１２０は接続バー１２２によっ
て結合することも出来る。この接続バーを設けることに
より熱放散リード８６′が強化され、同リードがモール
Ｖ材の誘起する圧力によって変形するの全防止するのに
役立つ。更には、熱放散リーＰは任意の形状に成形する
ことが可能であり、好ましくはチップの外側領域にくら
べてチップ領域においてより幅が広くされる。フィンガ
８′６′の幅を増大させることにより同フィンガの剛性
が増大し、かつ又同フィンガの熱放散特性が改善される
。もちろんこれらのフィンガ８６′はそれらがダイ上の
熱り−げに結合される地点ではよシ小さな寸法（幅）へ
とテーパ状に変化し、ターミナルボンディングパラＰが
ダイ上で占める表面積の割合を小さくしてやるのが好ま
しい。第９図に示される接続バー１２２の形状は１１ホ
正方形をしているが、同バーに任意の形状を付与するこ
と及びこれを任意の数の搬送テープフィンが間で行なう
ことも本発明の範囲内に含まれる。また第９図はダイに
取付けられたコーナーフィンがのみを示しているが、任
意の数の他のフィンガを上述の如くダイの周縁近くのタ
ーミナルパラＰに取付けることも可能であることに注意
されたい。

第１０図の実施例は銅のような導伝性の良い物質からな
るリング１３０全含んでおり、当該リングは第９図に例
示した熱放散リード８６′の接続バー１２２に取付けら
れている。前記リング１３０は慣用の粉末ドーゾエボキ
シから構成された導伝性の接着剤１３２の如き任意の適
当な手段によって接続バーに取付けることが出来る。リ
ング１３０の形状はげ一ナツツ形状又は中空四角形状の
ような任意の所望の形状のものとすることが出来る。

前記リングはパッケージ内の付加的熱シンク又は熱スゾ
レッダとして作用することが出来る。所望とあらば、前
記リングは最終パッケージの実際の外側表面とし、熱放
散を更に効果的にならしめることも可能である。

テープフィンが全接続バーと結合したものはリングの有
無にかかわらずＩＪ　−）−”フレームに接続して電気
的にアースを取ることが出来る。その場合にはファラデ
ーケージが形成されるのでダイを電磁気的外乱から保護
するのに役立っであ−ろう。

用途によっては、半導体のダイ寸法が極めて小さくなり
、リーＶフレームとダイ周縁の間の・スパンが大きくな
り、テープフィンががたるんでダイに接触し、回路をシ
ョートさせる可能性がある。

第１図から第５図に例示した実施例において説明したよ
うな比較的高強度のクラツディングをテープフィンガリ
ーｒとして用いることはこの問題を軽減するであろう。

別法として、あるいはこれと関連して％ＩＪ−）’１４
１は第１１図に示すようにリーげフレームとダイとの間
でアーチ状に増刊けることが出来る。前述したように、
リーｒフィンガ１４１内のアーチの成形は搬送テープが
所望の形状にエツチング加工される前に行なうのが好ま
しい。前記アーチを補強するために、任意の所望の形状
４備えたリング１４０をエポキシ樹脂のような非導電性
の接着剤１４２を用いてアーチの頂部に結合してやるこ
とが出来る。熱放散能を改良してやるために、前記リン
グは導熱性の物質から作り、接着剤は熱的には導伝性で
あるも電気的には非導伝性である物質から構成すること
が出来る。

リング１４０を省略することも本発明の範囲内に含まれ
る。

前記クラツディング部材はポジットボンｒ（ｐｏｓ工Ｔ
−ＢＯＮＤ　）結合プロセスのような任意の慣用技法を
用いて形成することが出来る。

本発明によれば、斜上の目的５手段及び利点を完全に満
足する、電子回路製造のためのテープボンディング材及
び構造が提供されていることは明白である。本発明はそ
の特定の実施例を参照して説明されてきたが、前記説明
を参照すれば当業者が多くの代替例、修整例及び変更例
を容易に案出可能なることは明白である。従って、全て
のそのような代替例、修整例及び変更例は特許請求の範
囲内に含まれるものと考えられたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は互いに結合された２つの異なる部材、成分ヲ有
するテーゾポンヂイング材を含んだ電子回路組立体を図
式的に表わした図、 第２図は本発明による隆起付テープがンデイング材を図
式的に表わした図。 第３図は互いにクラツディングされた６つの異なる物質
部材を肩するテープぜンデイング材を図式的に表わした
図、 第４図は２層りラツＶテーゾボンデイング材であって、
クラツディング層の２層が金属フィンガの両端部のみに
伴在するボンディング材を図式的に表わした図、 第５図は２層りラツドデーデボンデイング相ヲ図式的に
表わした図。 第６図は打抜きされたす）、１）フィンガ金偏えたテー
プ材の断片を図式的に表わした図、第７図は慣用の１７
　）＋１フレームを図式的に表わした図、 第８図は半導体グイの表面から熱を放散させるのに適し
たテープがンデイング材構造物を図式酊に表わした図、 第９図は打抜かれたテープポンディング材構途物の熱放
散ＩＪ　１，１のみを図式的に表わした図、第１Ｄ図は
熱伝導リングを含んだテープボンティング材構造物を図
式的に表わした図、第１１図は金属フィンガを補強する
だめの非塙電性リングを含むテープがンデイング構造体
を図式的に表わした図である□ １０・・・′重子回路組立体、１２・・・半導体グイ、
１４・・・パッド、１８・・・リーＶフレーム、２０・
・・電気的接続装置、２２・・・搬送テープ、２４・・
・第１ｃ層、２６・・・第２の層。 代理人　浅　村　皓 ８ Ｆｔ’ｙ−／ ｈ’ｇ　−２ Ｆｌター３ Ｆｔ’ｇ−４ ｈ’ｇ−５ Ｆｔ’ｇ−６ Ｆｔ’ｔ）−１１ ＋２０ ｈ°ダグ− Ｆｔ’ｇ−／θ Ｆｉｇ−／／ Ｆｔ’ｇ−７

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）電子回路組立体（１０）であって、グイ表面（１
   ６）上に少なくとも１つのパラＶ（１４）を備えた半導
   体ダイ（１２）と、前記半導体ダイ（１２）に電気的に
   接続されるようにされ、同ダイ（１２）近傍に配置され
   たり−ｒフレーム（１８）と。 前記少なくとも１つのターミナルパッド（１４）ｋ　Ｍ
   ｌ　記’）−ドフレーム（１８）に直接連結するための
   電気的接続装置（２０）とを有し、前記電気的接続装置
   （２０）は搬送テープ（２２）を含んでおり、該テープ
   （２２）は、 ニッケル含有物質から形成された第１の層（２４）と、 銅含有物質から形成された第２の１ｍ（２６）とを含ん
   でおり、 前記第１及び第２の層は互いに結合されており、前記搬
   送テープ（２２）は更に複数個のフィンガを有しており
   、前記フィンがの少なくとも１つは第１の端部において
   前記ターミナルパラｒに結合され、第２の端部において
   前記り−Ｐフレームに結合されており１かくて前記第１
   の層は前記ターミナルパラｒに結合さｔ′Ｌ１前記第２
   の層は前記リーｒフレームに結合されていることを特徴
   とする電子回路組立体。 （２、特許請求の範囲第１項に記載の搬送テープ（２２
   ）において、前記第１の層（２４）が１００％迄のニッ
   ケルと残余の銅から形成されていることを特徴とする搬
   送テープ。 （３）　％許請求の範囲第２項に記載の搬送テープ（２
   ２）において、前記第１の層（２４）は少なくとも約４
   ２ｋｇｆ／朋２（６０，０００ｐｓｉ　）の降伏強度を
   備えており、前記第２の層は約２８　ｋｇｆ／ｍｕ”（
   ４０，０００ｐｓｉ　）以下の降伏強度を備えているこ
   とを特徴とする搬送テープ。 （４）　！許請求の範囲第６項に記載の搬送テープ（５
   ０）において、更に第６の層（５２）が含まれておシ、
   該層（５２）は少なくとも４２　ｋｇｆ／ｎｓ”（６０
   ，０００ｐｓｉ　）の降伏強度並びに少なくとも約５０
   チエＡＯ８の導電率を備えた銅合金から形成されている
   ことを特徴とする搬送テープ０（５）特許請求の範囲第
   ４項に記載の搬送テープ（５０）において、前記第６の
   層（５２）が前記第１の層に結合されていることを特徴
   とする搬送テープ。 （６）　電子回路組立体であって、 半導体ダイ（１２）にしてその頂部表面上のエツジ近傍
   に配置された少なくとも１′つの第１のターミナルパラ
   Ｐ（１０２）と、グイ頂部表面上のダイ中心によυ近く
   配置された少なくとも１つの第２のターミナルパラ）？
   （１０４）を備えるグイ（１２）と、 前記半導体ダイ（１２）近傍に配置され、前記半導体ダ
   イに電気的に接続されるようにされたり−Ｖフレーム（
   １１２）と、 前記半導体ダイから熱を放散させるため前記第１及び第
   ２のターミナルパラドラ前記り−Ｖフレームに連結して
   いる接続装置（１００）とを有し、当該接続装置（１０
   ０）は、 複数個のフィンガを備えた搬送テープを含んでおシ、前
   記フィンがの少なくとも１つは第１の端部において前記
   第１及び第２のターミナルパラＶに結合されており、前
   記第１の端部は前記第１及び第２のパラＶの間において
   前記グイと接触しないようカーブしておシ、前記少なく
   とも１つのフィンがは更に前記リードフレームに結合さ
   れた第２の端部金偏えていることを特徴とする電子回路
   組立体。 （７）％許請求の範囲第６項に記載の搬送テープにおい
   て、当該テープは少なくとも約４２　ｋｇｆ／ｉｎ＋ｘ
   ”（６０，０００ｐｓｉ）の降伏強度と少なくとも約５
   ０係工ＡＯ８の導電率を備えた銅含有物質から形成され
   た第１の層（１１０）を有していることを特徴とする搬
   送テープ。 （８）特許請求の範囲第７項に記載の搬送テープにおい
   て、更にニッケル含有物質から形成された第２の層（１
   ０８）が含まれており、前記第２の層は前記第１の層に
   結合されているとともに、直接前記半導体ダイ上の前記
   第１及び第２のターミナルパラＶに結合されていること
   を特徴とする搬送テープ。 （９）特許請求の範囲第８項に記載の搬送テープにおい
   て、更に銅含有物質から形成された第６の層（１０６）
   が含まれており、同層（１０６）は直接前記第２の層及
   び前記り−ｖフレームに結合されていることを特徴とす
   る搬送テープ。 ００　特許請求の範囲第９項に記載の搬送テープにおい
   て、前記第２の部材は１００チ迄のニッケルと残余の銅
   からなっていることを特徴とする搬送テープ。 ０］）特許請求の範囲第６項に記載の搬送テープにおい
   て、前記接続装置は更に前記リードフレームと前記半導
   体゛ダイの間において前記第１のフィンガと実質的に同
   一の少なくとも１つの第２のフィンガを含んでおり、史
   に前記半導体ダイからの熱放散を高めるために前記第１
   及び第２のフィンガを接続する接続バー装置（１２２）
   を含んでいることを特徴とする搬送テープ。 ０２、特許請求の範囲第１１項に記載の接続装置におい
   て、更に前記第１及び第２のフィンがを補強し、これら
   フィンがからの熱放散を改善するために少なくとも前記
   第１及び第２のフィンかに取付けられたリング装置（１
   ３）が含まれていることを特徴とする搬送テープ。 ０３　特許請求の範囲第１２項に記載の接続装置におい
   て、切に前記リング装置を前記第１及び第２のフィンガ
   に結合するために、前記第１及び第２のフィンガ並びに
   前記リング装置の間に伝導性の結合装置（１３０）が設
   けられていること全特徴とする接続装置。