JPS60190977A - 局部加熱とモニタを行う装置 - Google Patents
局部加熱とモニタを行う装置Info
- Publication number
- JPS60190977A JPS60190977A JP59045771A JP4577184A JPS60190977A JP S60190977 A JPS60190977 A JP S60190977A JP 59045771 A JP59045771 A JP 59045771A JP 4577184 A JP4577184 A JP 4577184A JP S60190977 A JPS60190977 A JP S60190977A
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- JP
- Japan
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- frequency
- heating
- high frequency
- coil
- circuit
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- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、核磁気共鳴装置を用いて局部加熱としニタを
1:jう方法及び装置に関する。
1:jう方法及び装置に関する。
近時、癌の治療法の一つとして局部高熱治療法が注目を
浴びている。この治療法は、癌組織が高湿に弱いことに
着目した治療法で、超合波やマイクロ波等を癌組織に照
射することにより局所的に^温石に加熱して治療するち
のでdするが、これ:Lで治療時のtニタ方法がなく、
癌組織に照射する超合波ヤマイク1」波の強度側、L軽
験や勘に頼って決められCいるのが現状Cある。このた
め、熱を加え過ぎて周囲の組織まで破壊してしまったり
、あるいは少な過ぎて十分な治療効果が得られないとい
っ1=不都合がdうった。
浴びている。この治療法は、癌組織が高湿に弱いことに
着目した治療法で、超合波やマイクロ波等を癌組織に照
射することにより局所的に^温石に加熱して治療するち
のでdするが、これ:Lで治療時のtニタ方法がなく、
癌組織に照射する超合波ヤマイク1」波の強度側、L軽
験や勘に頼って決められCいるのが現状Cある。このた
め、熱を加え過ぎて周囲の組織まで破壊してしまったり
、あるいは少な過ぎて十分な治療効果が得られないとい
っ1=不都合がdうった。
本発明(まこの点に鑑みCなされたしのであり、核磁気
Jt鳴装置を用い゛(局部加熱とモニタを行う新規な方
法及び装置を提供することを目的としている。
Jt鳴装置を用い゛(局部加熱とモニタを行う新規な方
法及び装置を提供することを目的としている。
本発明は、静磁場内に配置されたλ1象に近接して置か
れた単一のコイルに、加熱用高周波と核磁気共鳴測定用
高周波パルスを供給し、該高周波パルス照射後対象から
発生し前記コイルによって検出された共鳴信号に基づい
て核磁気共鳴測定を行うようにしたことを特徴としてい
る。以下、図面を用いて本発明を詳述する。
れた単一のコイルに、加熱用高周波と核磁気共鳴測定用
高周波パルスを供給し、該高周波パルス照射後対象から
発生し前記コイルによって検出された共鳴信号に基づい
て核磁気共鳴測定を行うようにしたことを特徴としてい
る。以下、図面を用いて本発明を詳述する。
第1図は本発明を実施し1=局部加熱とモニタを行う装
置の一例を示すブロック図である。図におい−(1はI
41 Z’iであり、該磁石1によって形成された静磁
場内には患者や動物等の治療対象2が配置され、該対象
2の患部の表面には送受信コイル3が暇かれ一〇いる。
置の一例を示すブロック図である。図におい−(1はI
41 Z’iであり、該磁石1によって形成された静磁
場内には患者や動物等の治療対象2が配置され、該対象
2の患部の表面には送受信コイル3が暇かれ一〇いる。
4は該コイル3と結合されて同調回路を(b)成りる回
路ぐ、高周波発振器5から発生し/j高周波がゲート回
路6及び増幅器7を介しC該回路4へ供給され、更に送
受信コイル3へ送られる。送受信コイル3の近傍で発生
し、該コイル3によって検出された共鳴信号は、端子8
を介して取出され、増幅器9を介して復調回路10へ送
られる。復調により得られた自由誘導減衰信号(FID
信号)は、A−D変換器11を介してコンピュータ12
へ送られ、メモリ13に格納される。該」ンピュータ1
2はメモリ13に格納されたI−11)仏54に適宜な
データ処理を加え、処理結果を表示具V114に表示す
る。15は前記ゲート回路6の0NtOFFを制御する
ための制御回路である。
路ぐ、高周波発振器5から発生し/j高周波がゲート回
路6及び増幅器7を介しC該回路4へ供給され、更に送
受信コイル3へ送られる。送受信コイル3の近傍で発生
し、該コイル3によって検出された共鳴信号は、端子8
を介して取出され、増幅器9を介して復調回路10へ送
られる。復調により得られた自由誘導減衰信号(FID
信号)は、A−D変換器11を介してコンピュータ12
へ送られ、メモリ13に格納される。該」ンピュータ1
2はメモリ13に格納されたI−11)仏54に適宜な
データ処理を加え、処理結果を表示具V114に表示す
る。15は前記ゲート回路6の0NtOFFを制御する
ための制御回路である。
かかる+i4成におい(、発振器5の発振周波数は、例
えば測定核が水素核(IH)の場合その共鳴周波数11
に設定される。そして、制御回路15は第2図に示づよ
うに111初の加熱期間T1の間ゲート回路6をONに
し、周波数f1の高周波をコイル3へ送る。そのため、
」イル3から照射された高周波の1ネルギーを吸収した
患部は発熱し、湿度が上背する。この最初の加熱期間T
1の後の測定111間12にJ3いて、制御回路15は
ゲート回路6を適宜な期間ONにして測定用の90゛パ
ルス(水素核の磁化を90°倒す強度及びパルス幅を持
つ高周波パルス)R90を作成し、コイルご3を介し゛
(患部へ照射りる。この90°パルス照射後同じコイル
3によって検出された共鳴信号は、受fa回路10にJ
3いてトI D信号どして取出され、メモリ13へ格納
される。コンピュータ12はこの111)信号に吊づい
°C縦緩和時間T1を即座にめ、その値を表示装置q1
4に表示する。
えば測定核が水素核(IH)の場合その共鳴周波数11
に設定される。そして、制御回路15は第2図に示づよ
うに111初の加熱期間T1の間ゲート回路6をONに
し、周波数f1の高周波をコイル3へ送る。そのため、
」イル3から照射された高周波の1ネルギーを吸収した
患部は発熱し、湿度が上背する。この最初の加熱期間T
1の後の測定111間12にJ3いて、制御回路15は
ゲート回路6を適宜な期間ONにして測定用の90゛パ
ルス(水素核の磁化を90°倒す強度及びパルス幅を持
つ高周波パルス)R90を作成し、コイルご3を介し゛
(患部へ照射りる。この90°パルス照射後同じコイル
3によって検出された共鳴信号は、受fa回路10にJ
3いてトI D信号どして取出され、メモリ13へ格納
される。コンピュータ12はこの111)信号に吊づい
°C縦緩和時間T1を即座にめ、その値を表示装置q1
4に表示する。
ところで、癌組織ではiJ−常な組織に比べ1H核のT
1が長くなることが知られている。従って、加熱にJ、
り癌組織が破壊されるにつれ、その組織が示ず11の値
は知くなり、このT1の値をモニタ1れぽ癌組織の破壊
の様子を知ることが可能である。
1が長くなることが知られている。従って、加熱にJ、
り癌組織が破壊されるにつれ、その組織が示ず11の値
は知くなり、このT1の値をモニタ1れぽ癌組織の破壊
の様子を知ることが可能である。
そこで、第2図に示すように加熱を適宜なJIIJ間行
う毎に核磁気共鳴測定を行って’H核のT1をめ、その
I゛1の値が所定の値以下にな?た時に加熱をやめるよ
うにすれば、適切な加熱治療を行うことか可能どなる。
う毎に核磁気共鳴測定を行って’H核のT1をめ、その
I゛1の値が所定の値以下にな?た時に加熱をやめるよ
うにすれば、適切な加熱治療を行うことか可能どなる。
本発明においては、この加熱と核磁気」(鳴測定を同一
のコイル3を用いて行っているため、加熱した領域と全
く同一の領域についで測定を行うことができ、モニタの
信憑性は極めて轟1い。
のコイル3を用いて行っているため、加熱した領域と全
く同一の領域についで測定を行うことができ、モニタの
信憑性は極めて轟1い。
第3図は本発明の他の実施例を示すブロック図であり、
第1図と同一の構成要素には同一番号が付されている。
第1図と同一の構成要素には同一番号が付されている。
木実施例では、高周波発振器5を加熱専用どして用い、
測定用の高周波発振器16を別個に設けている。それに
伴い、回路4′はコイル3と結合して複同調回路を構成
するようになつている。17はゲート回路、18は増幅
器である。
測定用の高周波発振器16を別個に設けている。それに
伴い、回路4′はコイル3と結合して複同調回路を構成
するようになつている。17はゲート回路、18は増幅
器である。
第3図の構成にd3いて、測定核としては例えば3tp
核が選ばれ、従って高周波発振器16の発振周波数f2
は311〕核の共鳴周波数に設定される。
核が選ばれ、従って高周波発振器16の発振周波数f2
は311〕核の共鳴周波数に設定される。
そし−C1制御回路15は第4図(a)に示づようにゲ
ート回路6をONにし、周波数f1の高周波をコイル3
へ)′15す、患部の加熱を開始する。次に、加熱を行
いながら制御回路15は第4図(b)に示すようにゲー
ト回路17を適宜な期間ONにして31[〕核測測定の
90°パルス(311−)核の磁化を90°倒り高周波
強庶及びパルス幅をIS工つ11′b周波パルス)R9
0を作成し、]コイルを介して患部へ照射す゛る。この
90’パルス照Qi後同じコイル3によって検出された
共鳴信号は、受信回路10においてFIIIM号として
取出され、メモリ13へ格納される。コンピュータ12
は、このF I I)信号を7−リJ窃(う!リ−るこ
とにより核磁気バ鳴スベク1ヘルをめ、表示装置i14
に表示する。
ート回路6をONにし、周波数f1の高周波をコイル3
へ)′15す、患部の加熱を開始する。次に、加熱を行
いながら制御回路15は第4図(b)に示すようにゲー
ト回路17を適宜な期間ONにして31[〕核測測定の
90°パルス(311−)核の磁化を90°倒り高周波
強庶及びパルス幅をIS工つ11′b周波パルス)R9
0を作成し、]コイルを介して患部へ照射す゛る。この
90’パルス照Qi後同じコイル3によって検出された
共鳴信号は、受信回路10においてFIIIM号として
取出され、メモリ13へ格納される。コンピュータ12
は、このF I I)信号を7−リJ窃(う!リ−るこ
とにより核磁気バ鳴スベク1ヘルをめ、表示装置i14
に表示する。
とごろで、癌組織ど正常組織又・はATP(アデノシン
3リン酸)、クレアチンリン酸。無機リン酸等のリン酸
化合物の存在比が異なる。従って、核磁気共鳴スペクト
ルに基づいてリン酸化合物の存在比をめれば、癌組織が
破壊されずに残っているか否かを知ることができる。
3リン酸)、クレアチンリン酸。無機リン酸等のリン酸
化合物の存在比が異なる。従って、核磁気共鳴スペクト
ルに基づいてリン酸化合物の存在比をめれば、癌組織が
破壊されずに残っているか否かを知ることができる。
そこで、疼)4図に承りように加熱を適宜な期間行う毎
に核磁気共鳴測定を行ってスペクトルを得、そのスペク
トルに基づいてめたリン酸化合物の存在比が癌組織のも
のと異なって来た時に加熱をやめるようにりれば、適切
な加熱治療を行うことが可能どなる。本実施例において
も、この加熱と核磁気共鳴測定を同一のコイル3を用い
て行っているため、加熱した領域と全く同一の領域につ
い−(測定を行うことが(゛き、モニタの信賎性は極め
て高い。又、本実施例では、測定用の高周波と異なる周
波数の高周波を用いて加熱を行っているため、加熱を中
断せずに測定を行うことが可能である。
に核磁気共鳴測定を行ってスペクトルを得、そのスペク
トルに基づいてめたリン酸化合物の存在比が癌組織のも
のと異なって来た時に加熱をやめるようにりれば、適切
な加熱治療を行うことが可能どなる。本実施例において
も、この加熱と核磁気共鳴測定を同一のコイル3を用い
て行っているため、加熱した領域と全く同一の領域につ
い−(測定を行うことが(゛き、モニタの信賎性は極め
て高い。又、本実施例では、測定用の高周波と異なる周
波数の高周波を用いて加熱を行っているため、加熱を中
断せずに測定を行うことが可能である。
第5図は本発明の更に他の実施例の構成を示し、本実施
例は第3図の実施例と回路4“のみ異なっている。即ら
、回路4″は複同調回路で【よなく単同調回路(゛あり
、スイッチ19を制御1す1路1F)がらの制御111
号にJ、って切換えることにより=1イル3と結合する
コンデンサを切換え、それにより接点A側の時周波数[
1に同調し、接点B側の時周波数f2に同調するように
なっている。従って、加熱JpJ間T1の間はスイッチ
19を接点Δ側に倒して周波数f1の−(、%周波によ
り加熱を行い、測定期間T2の間はスイッチ19を接点
B側に倒し−C周波数「2の906パルスを」イル3へ
送っ−C測定を行うことになる。このように、本実施1
9目−・は加熱が中内iされt;L iJるものの、加
熱用ど番3良う’L ’:j −)lζ周波数のども周
波を用いて測定を行うことができる。
例は第3図の実施例と回路4“のみ異なっている。即ら
、回路4″は複同調回路で【よなく単同調回路(゛あり
、スイッチ19を制御1す1路1F)がらの制御111
号にJ、って切換えることにより=1イル3と結合する
コンデンサを切換え、それにより接点A側の時周波数[
1に同調し、接点B側の時周波数f2に同調するように
なっている。従って、加熱JpJ間T1の間はスイッチ
19を接点Δ側に倒して周波数f1の−(、%周波によ
り加熱を行い、測定期間T2の間はスイッチ19を接点
B側に倒し−C周波数「2の906パルスを」イル3へ
送っ−C測定を行うことになる。このように、本実施1
9目−・は加熱が中内iされt;L iJるものの、加
熱用ど番3良う’L ’:j −)lζ周波数のども周
波を用いて測定を行うことができる。
尚、上記実施例では測定を単一のパルスで行ったが、複
数の高周波パルスから成るパルス列を用いることもでき
ることは、−1つまでしない。
数の高周波パルスから成るパルス列を用いることもでき
ることは、−1つまでしない。
第1図は本発明を実f^した局部加熱とモニタを行う装
置の一例を示すブロック図、第2図はその動作を説明り
るためのタイミング図、第3図は本発明の仙の実施例の
114成を示づブロック図、第4図はくの動作を説明す
るだめのタイミング図、第5図は本発明の更に他の実施
例の4M成を示づブロック図ぐある。 1:磁石、2:対象、3:送受信コイル、4;送受iハ
コイルと結合されて同調回路を構成する回路、 5、1 (5: l!’11周波発振器、6.17:ゲ
ート回路、10:fいム″4回路、11’:A−D変換
器、12:二1ンビ、L−タ、13:メモリ、1/1:
人小装首、15:制御回路、 19:スイッチ。 4M許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
置の一例を示すブロック図、第2図はその動作を説明り
るためのタイミング図、第3図は本発明の仙の実施例の
114成を示づブロック図、第4図はくの動作を説明す
るだめのタイミング図、第5図は本発明の更に他の実施
例の4M成を示づブロック図ぐある。 1:磁石、2:対象、3:送受信コイル、4;送受iハ
コイルと結合されて同調回路を構成する回路、 5、1 (5: l!’11周波発振器、6.17:ゲ
ート回路、10:fいム″4回路、11’:A−D変換
器、12:二1ンビ、L−タ、13:メモリ、1/1:
人小装首、15:制御回路、 19:スイッチ。 4M許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
Claims (6)
- (1)静磁場内に配置された対象に近接し−U17iか
れた単一の」イルに、加熱用高周波と核磁気ノ1、鳴測
定田畠周波パルスを供給し、該高周波パルス照射後対象
から発生し前記コイルによって検出された共鳴信号に基
づいて核磁気共鳴測定を行うようにしたことを特徴とす
る局部加熱とモニタを行う方法。 - (2)静磁Jgをブ■Iる手段ど、該静磁場内に配置さ
れた対象に近接しで配置される送受信コイルと、加熱用
の第1の高周波を発生する第1の光振器と、所定の測定
核の共鳴周波数を持つ第2の高周波を発生づる第20ざ
t振器ど、該第2の高周波をパルス的に取出りための手
段と、前記第1の高周波どパルス的に取出された第2の
高周波を共に前記送受信コイルへ供給づるための結合回
路と、前記第2の高周波パルス照射後対象からJ?i牛
し、前記コイルによつ−C検出された核磁気共鳴信号が
供給される受イ菖回路と、該受信回路の出力信号を処理
リ−る処理回路を備え1ζことを特徴とする局部加熱及
び七二夕を行う装置。 - (3)前記結合回路は、第1の高周波と第2の高周波に
其に同調する複同調回路である特許請求の範囲第2JI
I記載の装置。 - (4)前記結合回路は、第1の高周波と第2の高周波を
切換えC前記送受信コイルへ供給するスイッチを含む請
求の範囲第2項記載の装置。 - (5)前記処理回路は、記憶手段と緩和時間をめる手段
を含む特許請求の範囲第2項乃至第4項のいずれかに記
載の装置。 - (6) nす5d処理回路は、記憶手段とフーリエ変換
手段をaむ特許′[請求の範囲第2項乃至第4項のいず
れかに記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045771A JPS60190977A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 局部加熱とモニタを行う装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045771A JPS60190977A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 局部加熱とモニタを行う装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60190977A true JPS60190977A (ja) | 1985-09-28 |
| JPS6145472B2 JPS6145472B2 (ja) | 1986-10-08 |
Family
ID=12728549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59045771A Granted JPS60190977A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 局部加熱とモニタを行う装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60190977A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230821A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-14 | Toyota Autom Loom Works Ltd | スキッドステアローダのピッチング防止装置 |
| JPH0261228A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Toyo Umpanki Co Ltd | スキツドステアローダ |
| JPH0347329A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-28 | Toyo Umpanki Co Ltd | スキッドステアローダ |
-
1984
- 1984-03-10 JP JP59045771A patent/JPS60190977A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6145472B2 (ja) | 1986-10-08 |
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