JPS60191024A - 部分結晶化非晶質磁性材料の製造方法 - Google Patents
部分結晶化非晶質磁性材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS60191024A JPS60191024A JP59046822A JP4682284A JPS60191024A JP S60191024 A JPS60191024 A JP S60191024A JP 59046822 A JP59046822 A JP 59046822A JP 4682284 A JP4682284 A JP 4682284A JP S60191024 A JPS60191024 A JP S60191024A
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- JP
- Japan
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- magnetic material
- amorphous
- amorphous magnetic
- partially crystallized
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は部分結晶化非晶質磁性材料の製造方法の改良に
関する。
関する。
通常、固体物質は結晶状態にあるが、溶融状態から超急
冷（冷却速度は物質の種類に依存するが、約１０’に／
ｓｅａ 〜ｌ Ｏ６に／ｓｅｅ程度である）すれば、液
体に類似した周期的な原子配列を持たない構造の固体が
得られる。こうした固体は５一般に非晶質材料と呼ばれ
、その種類には金属５合金、無機物質等がある。
冷（冷却速度は物質の種類に依存するが、約１０’に／
ｓｅａ 〜ｌ Ｏ６に／ｓｅｅ程度である）すれば、液
体に類似した周期的な原子配列を持たない構造の固体が
得られる。こうした固体は５一般に非晶質材料と呼ばれ
、その種類には金属５合金、無機物質等がある。
上述した非晶質材料のうちで非晶質合金は２種以上の元
素からなる合金であシ、通常、４移金属元素と半金属元
素の組合せか、或いは原子半径の異なる２種以上の遷移
金属元素の組合せからなる。これら非晶質合金の中で磁
性を有する非晶質磁性材料においては、全体が非晶質で
あるものより、１箇所以上の減小部分が結晶化している
方が、目的とする磁気特性が向上するものがあることが
、最近、明らかになっている。
素からなる合金であシ、通常、４移金属元素と半金属元
素の組合せか、或いは原子半径の異なる２種以上の遷移
金属元素の組合せからなる。これら非晶質合金の中で磁
性を有する非晶質磁性材料においては、全体が非晶質で
あるものより、１箇所以上の減小部分が結晶化している
方が、目的とする磁気特性が向上するものがあることが
、最近、明らかになっている。
このようなことから、従来よシ例えばＲ１ｉニーＦｓ
−Ｃｏ （但し、ｌは希土類元素を示す）の溶湯を回転
ロール表面上に噴出し急冷する際、その回転ロールの速
度を調整することにより保磁力が最大値を示す部分結晶
化非晶質薄帯磁石ｔＭ造する方法が提案されている。具
体的には、 ＰｒＯ，４５（ＦｅＯ，８”０．２ ）０．５５の薄帯
磁石の製造において、ロール表面速度を約１２ｍ／ｓｅ
ｅの時に保磁力（Ｈ（りの極大値、約５．５ｋＯ＠を示
す。しかしながら、かかる方法は非晶質磁性材料全体を
取シ扱いの対象とするため、その部分結晶化の制御が極
めて困難であシ、特性のばらつき等全招き、かならずし
も満足した部分結晶化非晶質磁性材料を得ることができ
ない。
−Ｃｏ （但し、ｌは希土類元素を示す）の溶湯を回転
ロール表面上に噴出し急冷する際、その回転ロールの速
度を調整することにより保磁力が最大値を示す部分結晶
化非晶質薄帯磁石ｔＭ造する方法が提案されている。具
体的には、 ＰｒＯ，４５（ＦｅＯ，８”０．２ ）０．５５の薄帯
磁石の製造において、ロール表面速度を約１２ｍ／ｓｅ
ｅの時に保磁力（Ｈ（りの極大値、約５．５ｋＯ＠を示
す。しかしながら、かかる方法は非晶質磁性材料全体を
取シ扱いの対象とするため、その部分結晶化の制御が極
めて困難であシ、特性のばらつき等全招き、かならずし
も満足した部分結晶化非晶質磁性材料を得ることができ
ない。
本発明は任意の箇所が任意形状に制御性よく結晶化され
た部分結晶化非晶質磁性材料を簡単に製造し得る方法全
提供しようとするものである。
た部分結晶化非晶質磁性材料を簡単に製造し得る方法全
提供しようとするものである。
本発明は超急冷法等によって作製された非晶質磁性材料
の少なくとも１箇所以上の微小部分に熱エネルギービー
ムを照射し、該照射部分全結晶化せしめることによって
、既述の如く非晶質磁性材料の任意の箇所が任意の形状
に制御性よく結晶化された部分結晶化非晶質磁性材料全
書ることを骨子とするものである。
の少なくとも１箇所以上の微小部分に熱エネルギービー
ムを照射し、該照射部分全結晶化せしめることによって
、既述の如く非晶質磁性材料の任意の箇所が任意の形状
に制御性よく結晶化された部分結晶化非晶質磁性材料全
書ることを骨子とするものである。
上記非晶質磁性材料としては１例えば非晶質永久磁石材
料を用いることができる。かかる非晶質永久磁石材料と
しては、例えばサマリウム、プラセオジウム及びネオジ
ムのうちの少なくとも１種以上の元素と鉄とコバルトか
ら構成されるもの等を挙げることができる。
料を用いることができる。かかる非晶質永久磁石材料と
しては、例えばサマリウム、プラセオジウム及びネオジ
ムのうちの少なくとも１種以上の元素と鉄とコバルトか
ら構成されるもの等を挙げることができる。
上記熱エネルギービームとしては、例えばレーザビーム
、’＋１子ビーム、Ｘｉ、イオンビーム等を挙げること
ができる。かかる熱エネルギーげ−ムの非晶質磁性材料
への選択的な照射にあたっては、該ビーム全走査しなが
ら、順次照射する方式、或いはマスクを用いて一括して
照射する方法を採用し得る。
、’＋１子ビーム、Ｘｉ、イオンビーム等を挙げること
ができる。かかる熱エネルギーげ−ムの非晶質磁性材料
への選択的な照射にあたっては、該ビーム全走査しなが
ら、順次照射する方式、或いはマスクを用いて一括して
照射する方法を採用し得る。
以下、本発明の実施例を図面７ｉｌ−参照して説明する
。
。
第１図は本実施例で用いた電子ビーム装置であ９２図中
の１は電子ビームガンである。このガンｌの下端付近は
真空チャン・々２内に挿入されて込る。−また、前記真
空チャン・ぐ２内には被処理物〜を保持し、かつ移動さ
せる支持機構３が前記ガン１の直下に位置するように配
設されている。なお、図中の４は前記電子ビームガン１
に高電圧全印加するための高畦圧発生器である。
の１は電子ビームガンである。このガンｌの下端付近は
真空チャン・々２内に挿入されて込る。−また、前記真
空チャン・ぐ２内には被処理物〜を保持し、かつ移動さ
せる支持機構３が前記ガン１の直下に位置するように配
設されている。なお、図中の４は前記電子ビームガン１
に高電圧全印加するための高畦圧発生器である。
仄に、第１図図示の′電子ビーム装置を用いた部分結晶
化非晶質永久磁石材料の製造を説明する。
化非晶質永久磁石材料の製造を説明する。
まず’ ＰｒＯ，４５（”０．８”０．２）０．５５の
非晶質永久磁石薄帯を、回転ロール法（ロール表面速度
２４ ｍ／ｓｅｃ ）で作製した。この永久磁石薄帯の
磁気特性を調べたところ、保磁力は約２．７ ｋｏｅを
示した。つづいて、この非晶質永久磁石薄帯６を第１図
図示の装置の支持機構３に保持し、真空チャンバ２内の
圧力を１０−’・ｌｌｌｌＨｇ〜１０−’ａｍ（Ｈにし
た状態で高電圧発生器４全オンし、電子ビームガン１か
ら電子ビーム５を非晶質永久磁石薄帯６に選択的に照射
することにょシ、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す如き
同薄帯６に結晶部７を形成し部分結晶化非晶質永久磁石
薄帯’を製造した。この時の電子ビーム照射条件は、加
速電圧１５０ｋＶ、電力ｉｏｏｗ、ビーム直径１０ ｌ
ｉｍｂ照射時間１ ｓｅｃ以下、とした。また、結晶部
の最近接距離はほぼ１ｍ＋し、結晶部の割合全豹０．０
０８俤とした。
非晶質永久磁石薄帯を、回転ロール法（ロール表面速度
２４ ｍ／ｓｅｃ ）で作製した。この永久磁石薄帯の
磁気特性を調べたところ、保磁力は約２．７ ｋｏｅを
示した。つづいて、この非晶質永久磁石薄帯６を第１図
図示の装置の支持機構３に保持し、真空チャンバ２内の
圧力を１０−’・ｌｌｌｌＨｇ〜１０−’ａｍ（Ｈにし
た状態で高電圧発生器４全オンし、電子ビームガン１か
ら電子ビーム５を非晶質永久磁石薄帯６に選択的に照射
することにょシ、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す如き
同薄帯６に結晶部７を形成し部分結晶化非晶質永久磁石
薄帯’を製造した。この時の電子ビーム照射条件は、加
速電圧１５０ｋＶ、電力ｉｏｏｗ、ビーム直径１０ ｌ
ｉｍｂ照射時間１ ｓｅｃ以下、とした。また、結晶部
の最近接距離はほぼ１ｍ＋し、結晶部の割合全豹０．０
０８俤とした。
しかして、得られたＰｒＯ，４５（” ０．８ ”０．
２ ） ０．５５の部分結晶化非晶質永久磁石薄帯の保
磁力を調べたところ、約５．４ｋＯｅｉ示し、この永久
磁石について知られている最大保磁力（約５．５ ｋｏ
ｅ ）とほぼ同等の値を有することがわかった。
２ ） ０．５５の部分結晶化非晶質永久磁石薄帯の保
磁力を調べたところ、約５．４ｋＯｅｉ示し、この永久
磁石について知られている最大保磁力（約５．５ ｋｏ
ｅ ）とほぼ同等の値を有することがわかった。
なお１本発明方法によシ製造される部分結晶化非晶質磁
性材料（部分結晶化非晶質永久磁石薄帯）は上記実施例
で造られた第２図（ａ）、Φ）図示のものに限定されず
２例えば第３図（ａ） 、 （ｂ）〜第６図（ａ） 、
（ｂ）に示す構造の部分結晶化非晶質永久磁石薄帯も
同様に製造できる。
性材料（部分結晶化非晶質永久磁石薄帯）は上記実施例
で造られた第２図（ａ）、Φ）図示のものに限定されず
２例えば第３図（ａ） 、 （ｂ）〜第６図（ａ） 、
（ｂ）に示す構造の部分結晶化非晶質永久磁石薄帯も
同様に製造できる。
以上詳述した如く、本発明によれば非晶質磁性材料の任
意の箇所が任意の形状に制御性よく結晶化された部分結
晶化非晶質磁性材料を簡単に製造し得る方法を提供でき
る。
意の箇所が任意の形状に制御性よく結晶化された部分結
晶化非晶質磁性材料を簡単に製造し得る方法を提供でき
る。
第１図は本実施例に用匹られる電子ビーム装置の眠略図
、第２図（ａ）は本実施例で製造された部分結晶化非晶
質永久磁石薄帯の断面図、第２図（ｂ）は同図（、）の
平面図、第３図（ａ）、伽）〜第６図（ａ） 、 （ｂ
）は夫々本発明方法によシ製造された他の部分結晶化非
晶質永久磁石薄帯を示し、第３図（ａ） 〜第６図（＆
）は断面図、第３図（ｂ）〜第６図（ｂ）は平面図であ
る。 ｌ・・・電子ビームガン、２・・・真空アヤンハ、３・
・・支持機構、５・・・電子ビーム、６・・・非晶質永
久磁石薄帯、７・・・結晶部。 第１図 （ａ） （ａ）第 （ａ）第 （ａ）第 ３図
、第２図（ａ）は本実施例で製造された部分結晶化非晶
質永久磁石薄帯の断面図、第２図（ｂ）は同図（、）の
平面図、第３図（ａ）、伽）〜第６図（ａ） 、 （ｂ
）は夫々本発明方法によシ製造された他の部分結晶化非
晶質永久磁石薄帯を示し、第３図（ａ） 〜第６図（＆
）は断面図、第３図（ｂ）〜第６図（ｂ）は平面図であ
る。 ｌ・・・電子ビームガン、２・・・真空アヤンハ、３・
・・支持機構、５・・・電子ビーム、６・・・非晶質永
久磁石薄帯、７・・・結晶部。 第１図 （ａ） （ａ）第 （ａ）第 （ａ）第 ３図
Claims (2)
- （１）非晶質磁性材料の少なくとも１箇所以上の減小部
分に熱エネルギービームを照射して加熱し、該照射部分
を結晶化させること全特徴とする部分結晶化非晶質磁性
材料の製造方法。 - （２）非晶質磁性材料がサマリウム、デラセオノウム及
びネオツムのうちの少なくとも１種以上の元素と鉄とコ
バルトから構成される非晶質永久磁石材料でるることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の部分結晶化非晶
質磁性材料の製造方法。 ｔ３） Ｍエネルギービームが電子ビーム、レーサヒー
ム、Ｘ線もしくはイオンビームの１つ以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の部分結晶化非晶
質磁性材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046822A JPS60191024A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 部分結晶化非晶質磁性材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046822A JPS60191024A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 部分結晶化非晶質磁性材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60191024A true JPS60191024A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=12758023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59046822A Pending JPS60191024A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 部分結晶化非晶質磁性材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60191024A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248401A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd | 磁性材料の熱処理方法 |
| WO1999036171A1 (fr) * | 1998-01-13 | 1999-07-22 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de modification chimique selective de l'interieur d'une matiere inorganique et matiere inorganique dont l'interieur est chimiquement modifie de façon selective |
| US6699332B1 (en) * | 2000-07-17 | 2004-03-02 | Data Storage Institute | Method of producing a magnetic recording medium |
| KR101071904B1 (ko) * | 2009-05-18 | 2011-10-11 | 한국수력원자력 주식회사 | 전자선 조사에 의한 연자성 재료의 전자기적 물성의 개선 방법 |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59046822A patent/JPS60191024A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248401A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd | 磁性材料の熱処理方法 |
| WO1999036171A1 (fr) * | 1998-01-13 | 1999-07-22 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de modification chimique selective de l'interieur d'une matiere inorganique et matiere inorganique dont l'interieur est chimiquement modifie de façon selective |
| US6729161B1 (en) | 1998-01-13 | 2004-05-04 | Japan Science And Technology, Corporation | Method of selectively reforming an inner part of an inorganic body |
| US6699332B1 (en) * | 2000-07-17 | 2004-03-02 | Data Storage Institute | Method of producing a magnetic recording medium |
| KR101071904B1 (ko) * | 2009-05-18 | 2011-10-11 | 한국수력원자력 주식회사 | 전자선 조사에 의한 연자성 재료의 전자기적 물성의 개선 방법 |
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