JPS6019128A - 電極作製方法 - Google Patents
電極作製方法Info
- Publication number
- JPS6019128A JPS6019128A JP12624383A JP12624383A JPS6019128A JP S6019128 A JPS6019128 A JP S6019128A JP 12624383 A JP12624383 A JP 12624383A JP 12624383 A JP12624383 A JP 12624383A JP S6019128 A JPS6019128 A JP S6019128A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- optical
- electrodes
- short
- producing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
発明の技術分野
本３Ｊｉ ８Ｌ１け雷、補作製方法に関する。さらに詳
しく述べると１本発明は、光回路素子、特に例えば光ス
ィッチのような光導波路を用いた素子において有用な電
極を作製する方法に関する。 技術の前駆 光通信の発達に伴ない１例えば光スィッチ、光変調器な
どのような光導波路を用いた光回路素子の研究が進めら
れている。このような光導波路を用いた素子は、素子の
小型化、量産性に寄与し得るばかりでなく、低電圧駆動
の可能性を具ヌ、ているので、非常に有望である。 従来技術と問題点 例えばニオブ酸リチウム（Ｌｉ Ｎｂ ０３ ）などの
ような焦電効果を有する電気光学結晶からなる基版上に
光導波路を形成し、さらにその光導波路上に電極を形成
する場合、電極間の間隔（ギャップ）が数ミクロンと極
めて狭いので、処理中の湛昨変化にさらされる結果とし
て電極間に放電が生じ。 そのために屡々電極が破損する。電極が急激な渦廖変体
を被るケースとして１例えば、形成稜の電ら 極を処理装＠ｉり小寸時、その取り出した電＋かを研摩
したり切断したシする時などがある。従来。 上記不都合を解消するために、各処理プロセスにおける
湛＋ｙ変化を極力僅かにするなどの方策がとられている
。が、このようにした場合、処理時間の延長を回避する
ことは不可能であり、また、とのような方策を実施した
としても、十分な効ｉ’を期待し得ないのが現状である
。 発明の目的 本発明の目的は、焦電効果を有する電気光学結晶上に電
極を形成する方法であって、急激な温度変化にさらされ
てもその電極が破壊することがなく、シかも処理工程が
簡便であるような改良された電極作製方法を提供するこ
とにある。 発明の構成 上記した目的は１本発明によれば、電極パターンの形成
時、電極パターンそのものの形成に加えて、電極の両、
端子を短絡した短絡部分を予め形成しておき、そして、
素子作製プロセスの最後の工程で、先に形成しておいた
短絡部分を除去することによって達成することができる
つ ここで、上記した短絡部分の除去には１例えば。 常法に従って、ダイシング、レーザーカットナトを任意
に利用することができる。 発明の実施例 次に、添イ１の図面を参照しながら本発明を説明する。 なお、詳論にはいるに先がけて、焦電効果を有する電気
光学結晶上への光導波路の形成を簡単に説明する。 第１図は、交叉型光導波路を模式的に示した斜初図であ
る。例えばＬ ｉ Ｎｂ ０３の如き電気光学結晶から
なる基板１の表面に帯状チタン薄膜層２を交差するよう
に形成する。これは１例えば、チタン金属の蒸着による
。次いで、チタン敬膜層２を高温度で熱処理して、チタ
ン金属を基抱１に拡散させて屈折率上昇部分３ｔｌ−形
成させる。この屈折率上昇部分を光導波路として使用す
る。 第２図は、第１図の考導波路を甲いた光スづッテの一例
を示す略示図である。２つの光導波路の交差部分に長方
形の電極４Δ
しく述べると１本発明は、光回路素子、特に例えば光ス
ィッチのような光導波路を用いた素子において有用な電
極を作製する方法に関する。 技術の前駆 光通信の発達に伴ない１例えば光スィッチ、光変調器な
どのような光導波路を用いた光回路素子の研究が進めら
れている。このような光導波路を用いた素子は、素子の
小型化、量産性に寄与し得るばかりでなく、低電圧駆動
の可能性を具ヌ、ているので、非常に有望である。 従来技術と問題点 例えばニオブ酸リチウム（Ｌｉ Ｎｂ ０３ ）などの
ような焦電効果を有する電気光学結晶からなる基版上に
光導波路を形成し、さらにその光導波路上に電極を形成
する場合、電極間の間隔（ギャップ）が数ミクロンと極
めて狭いので、処理中の湛昨変化にさらされる結果とし
て電極間に放電が生じ。 そのために屡々電極が破損する。電極が急激な渦廖変体
を被るケースとして１例えば、形成稜の電ら 極を処理装＠ｉり小寸時、その取り出した電＋かを研摩
したり切断したシする時などがある。従来。 上記不都合を解消するために、各処理プロセスにおける
湛＋ｙ変化を極力僅かにするなどの方策がとられている
。が、このようにした場合、処理時間の延長を回避する
ことは不可能であり、また、とのような方策を実施した
としても、十分な効ｉ’を期待し得ないのが現状である
。 発明の目的 本発明の目的は、焦電効果を有する電気光学結晶上に電
極を形成する方法であって、急激な温度変化にさらされ
てもその電極が破壊することがなく、シかも処理工程が
簡便であるような改良された電極作製方法を提供するこ
とにある。 発明の構成 上記した目的は１本発明によれば、電極パターンの形成
時、電極パターンそのものの形成に加えて、電極の両、
端子を短絡した短絡部分を予め形成しておき、そして、
素子作製プロセスの最後の工程で、先に形成しておいた
短絡部分を除去することによって達成することができる
つ ここで、上記した短絡部分の除去には１例えば。 常法に従って、ダイシング、レーザーカットナトを任意
に利用することができる。 発明の実施例 次に、添イ１の図面を参照しながら本発明を説明する。 なお、詳論にはいるに先がけて、焦電効果を有する電気
光学結晶上への光導波路の形成を簡単に説明する。 第１図は、交叉型光導波路を模式的に示した斜初図であ
る。例えばＬ ｉ Ｎｂ ０３の如き電気光学結晶から
なる基板１の表面に帯状チタン薄膜層２を交差するよう
に形成する。これは１例えば、チタン金属の蒸着による
。次いで、チタン敬膜層２を高温度で熱処理して、チタ
ン金属を基抱１に拡散させて屈折率上昇部分３ｔｌ−形
成させる。この屈折率上昇部分を光導波路として使用す
る。 第２図は、第１図の考導波路を甲いた光スづッテの一例
を示す略示図である。２つの光導波路の交差部分に長方
形の電極４Δ
【アルミニウム電極】がある。４Ｂは接地
電極である。電極４Δに信州電圧を印加し、光導波路の
該電極４Ａの直下の領域の屈折率を変化させることによ
り、矢印Ｘ方向から入射してきた光を矢印Ｙの方向に直
進させたり、あるいは矢印２の方向に偏向（分岐〕妬キ
たりする。この場合、印加する信号雷１圧の極性と大き
さに応じて、電極４Ａに対向する領域（屈初ｉ宇変化領
域）の屈折率は増加（＋ｌｎ効果）したり。 あるいは減少（−ｊｎ効果〕したシする。 第５図は、第２図に示した光スィッチの１変形例である
。図示の１スイ、テけ１通常、全反射型光スイッチと呼
ばれ、そして対向せる２つの電極４Δかび４Ｈｉ有する
。この光スィッチは、交差部中央に端ｒｉＩＩ金もつ電
極により電極下の屈折率をμｍ、交差ｆＡ２°、そして
電極間隔４μｍでおる。 ところが、この光スィッチは、電極４Ａ及び４Ｂの間隔
が４μｍとかなり狭いので、急激な温度変化による電極
間放電に原因して電極そのものが破損することが多かっ
九。 本発明でケま、電極の破損を防止するため、例えば第４
図及び第５図に図示する電極作製方法を提案する。先ず
１例えば ＬｉＮｂＯ３結晶基板１上にＡ４電（セ４Ａ
、４８；４Ａ’、４Ｂ’：及び４Ａ“。 ４Ｂ’ を形先・むる場合、印、４図に示されるように
予め知略部分ａ、ｂ及びＣを設けておく。このような短
絡部分の形成は、所望の電極パターンのマスクにとの短
絡部分のマスクも一緒に含ませるなどして、容易に可能
である。なお、かかる短絡部分の位置は、図示される通
シ、それぞれのチップ切断ラインＡ−Ａ 、Ｂ−Ｂ及び
Ｃ−Ｃの外側になるように配慮することが必要である。 電極形成後、所定の端面研、＃Ｉ工８ｎ経７＋１：後で
各チップＩＡ、ＩＢ及びＩＣＫ切断する（第５図。 （Ａ） 、 ＣＢ）及び（Ｃ）を参照されたい）。噸示
の通り、切断稜の各チップにはもｌｄや短絡部分が含ま
れない。チップの切断には１例えば、ダイシングやレー
ザーカットなど、この技術分骨において運営用いられて
いる技法を使用するととができる。 次に、本発明方法の好ましい１例を具体的に説明する： 先ず、光導波路を形成してなるＬｉＮｂ（１，基板上に
その全面にわたってＡｔ全蒸着する。このΔを蒸着膜の
膜厚は約１０００〜２０００人である。 次いで、Ａｔ蒸着膜上に適当なレジストイア１′利を全
面的に塗布し、そして約９０℃で約２０分間にわたって
プリベークする。プリベーク後、所望の電極パターン（
短絡部分パターン金倉む）を介１２て露光を施し、そし
てポストベークする。ボストベークは１例えば、約１２
０℃で３０分間にわたって実姉する。次いで、短絡部分
を有する電極を得るためにイオンミリング装置でエツチ
ングする。 ここ〒、認め得る程度の臨＋ｉ上昇があるけれども。 電極の両端子が短絡しているので、電極間に放電が生じ
るととがない。次いで、形成された電極を端面研摩し、
そしてダイシングによ）テップ切断ラインで切断するつ
なお、上記した研摩工程と切断工程と（伏、必要に応じ
て、任意に置き換えることが可能である。 翌日１１の効呆 本発明ＶＣよれば、短絡部分形成後のプロセスにおいて
電？光学結晶内の温度分布によシ焦電のために′に桶に
電位差が生じようとしても、短絡部分のを在の７ζめＶ
ｃ電硬は等電位に保たれ、放電することがない。したが
って、本発明によれば、電極形成後の結晶の湛廖変体を
制御する必要がな、＜。 電極の破壊も防止することができる。さらに、ウェハー
からチップ葡切断する際に同時に短絡部分を除去するこ
とができるので、工数め増加を避けることができる。
電極である。電極４Δに信州電圧を印加し、光導波路の
該電極４Ａの直下の領域の屈折率を変化させることによ
り、矢印Ｘ方向から入射してきた光を矢印Ｙの方向に直
進させたり、あるいは矢印２の方向に偏向（分岐〕妬キ
たりする。この場合、印加する信号雷１圧の極性と大き
さに応じて、電極４Ａに対向する領域（屈初ｉ宇変化領
域）の屈折率は増加（＋ｌｎ効果）したり。 あるいは減少（−ｊｎ効果〕したシする。 第５図は、第２図に示した光スィッチの１変形例である
。図示の１スイ、テけ１通常、全反射型光スイッチと呼
ばれ、そして対向せる２つの電極４Δかび４Ｈｉ有する
。この光スィッチは、交差部中央に端ｒｉＩＩ金もつ電
極により電極下の屈折率をμｍ、交差ｆＡ２°、そして
電極間隔４μｍでおる。 ところが、この光スィッチは、電極４Ａ及び４Ｂの間隔
が４μｍとかなり狭いので、急激な温度変化による電極
間放電に原因して電極そのものが破損することが多かっ
九。 本発明でケま、電極の破損を防止するため、例えば第４
図及び第５図に図示する電極作製方法を提案する。先ず
１例えば ＬｉＮｂＯ３結晶基板１上にＡ４電（セ４Ａ
、４８；４Ａ’、４Ｂ’：及び４Ａ“。 ４Ｂ’ を形先・むる場合、印、４図に示されるように
予め知略部分ａ、ｂ及びＣを設けておく。このような短
絡部分の形成は、所望の電極パターンのマスクにとの短
絡部分のマスクも一緒に含ませるなどして、容易に可能
である。なお、かかる短絡部分の位置は、図示される通
シ、それぞれのチップ切断ラインＡ−Ａ 、Ｂ−Ｂ及び
Ｃ−Ｃの外側になるように配慮することが必要である。 電極形成後、所定の端面研、＃Ｉ工８ｎ経７＋１：後で
各チップＩＡ、ＩＢ及びＩＣＫ切断する（第５図。 （Ａ） 、 ＣＢ）及び（Ｃ）を参照されたい）。噸示
の通り、切断稜の各チップにはもｌｄや短絡部分が含ま
れない。チップの切断には１例えば、ダイシングやレー
ザーカットなど、この技術分骨において運営用いられて
いる技法を使用するととができる。 次に、本発明方法の好ましい１例を具体的に説明する： 先ず、光導波路を形成してなるＬｉＮｂ（１，基板上に
その全面にわたってＡｔ全蒸着する。このΔを蒸着膜の
膜厚は約１０００〜２０００人である。 次いで、Ａｔ蒸着膜上に適当なレジストイア１′利を全
面的に塗布し、そして約９０℃で約２０分間にわたって
プリベークする。プリベーク後、所望の電極パターン（
短絡部分パターン金倉む）を介１２て露光を施し、そし
てポストベークする。ボストベークは１例えば、約１２
０℃で３０分間にわたって実姉する。次いで、短絡部分
を有する電極を得るためにイオンミリング装置でエツチ
ングする。 ここ〒、認め得る程度の臨＋ｉ上昇があるけれども。 電極の両端子が短絡しているので、電極間に放電が生じ
るととがない。次いで、形成された電極を端面研摩し、
そしてダイシングによ）テップ切断ラインで切断するつ
なお、上記した研摩工程と切断工程と（伏、必要に応じ
て、任意に置き換えることが可能である。 翌日１１の効呆 本発明ＶＣよれば、短絡部分形成後のプロセスにおいて
電？光学結晶内の温度分布によシ焦電のために′に桶に
電位差が生じようとしても、短絡部分のを在の７ζめＶ
ｃ電硬は等電位に保たれ、放電することがない。したが
って、本発明によれば、電極形成後の結晶の湛廖変体を
制御する必要がな、＜。 電極の破壊も防止することができる。さらに、ウェハー
からチップ葡切断する際に同時に短絡部分を除去するこ
とができるので、工数め増加を避けることができる。
第１図は交叉型光導波路を模式的りで示した洒ｉ）。
図、
第２図は第１図の光導波路を用いｌ′ζ光ス・ｆソチの
一例を示す略示図。 第３図は第２図の光スィッチの一変形例全示す略示図、
そして 第４図及び第５図は、それぞ１＋４、本発明の好ましい
一例を順を追って示した略示図である。 図中、１は基板、２７４チタン薄膜層、３はｙｔＩ導波
路、４Ａ、４Ｂ、４Ａ’、４Ｂ／、４Ａ”及びａＢ’は
電極、ａ、ｂ及びｃｌよ短絡部分、そしてＡ−Ａ、−Ｂ
−Ｂ及びＣ−Ｃ１−ｊテップ切断ラインである。 ９下金日 第２耐 第３回 第４０ 第５回 ４１＝ｌ”
一例を示す略示図。 第３図は第２図の光スィッチの一変形例全示す略示図、
そして 第４図及び第５図は、それぞ１＋４、本発明の好ましい
一例を順を追って示した略示図である。 図中、１は基板、２７４チタン薄膜層、３はｙｔＩ導波
路、４Ａ、４Ｂ、４Ａ’、４Ｂ／、４Ａ”及びａＢ’は
電極、ａ、ｂ及びｃｌよ短絡部分、そしてＡ−Ａ、−Ｂ
−Ｂ及びＣ−Ｃ１−ｊテップ切断ラインである。 ９下金日 第２耐 第３回 第４０ 第５回 ４１＝ｌ”
Claims (1)
- １、焦電効果を有する電気光学結晶上に電極を形成する
に際して、電極の両端子を短絡した短絡部分を有する電
極パターンを形成し、素子作製プロセスの最後の工程で
前記短絡部分を除去することを特徴とする電極作製方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12624383A JPS6019128A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 電極作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12624383A JPS6019128A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 電極作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6019128A true JPS6019128A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14930335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12624383A Pending JPS6019128A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 電極作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232521A (ja) * | 1992-02-24 | 1993-09-10 | Nec Corp | 光制御デバイスの製造方法 |
| JP2010008887A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Fujitsu Ltd | 光デバイスの製造方法および光デバイス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5866916A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-21 | Nec Corp | 導波形光制御デバイスの製作方法 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12624383A patent/JPS6019128A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5866916A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-21 | Nec Corp | 導波形光制御デバイスの製作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232521A (ja) * | 1992-02-24 | 1993-09-10 | Nec Corp | 光制御デバイスの製造方法 |
| JP2010008887A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Fujitsu Ltd | 光デバイスの製造方法および光デバイス |
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