JPS60197872A - 合金の真空蒸着方法 - Google Patents
合金の真空蒸着方法Info
- Publication number
- JPS60197872A JPS60197872A JP5310084A JP5310084A JPS60197872A JP S60197872 A JPS60197872 A JP S60197872A JP 5310084 A JP5310084 A JP 5310084A JP 5310084 A JP5310084 A JP 5310084A JP S60197872 A JPS60197872 A JP S60197872A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- alloy
- film
- source
- evaporation source
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
この発明は、真空蒸着により、単一の蒸発源から連続的
に蒸発させて、所望の合金成分からなる蒸着膜を作製す
る方法に関する。
に蒸発させて、所望の合金成分からなる蒸着膜を作製す
る方法に関する。
合金を加熱、蒸発させて、蒸着膜を作製する場合、各合
金成分の蒸気圧がそれぞれ異なることから９合金中での
蒸発速度が互いに等しい場合（等速度蒸発合金）を除き
、殆どの合金では。
金成分の蒸気圧がそれぞれ異なることから９合金中での
蒸発速度が互いに等しい場合（等速度蒸発合金）を除き
、殆どの合金では。
蒸着膜と蒸発源の合金組成が異なってくる。こうした点
から従来所定の組成を有する合金蒸着膜を作製する場合
、フラッシュ蒸着法と二源范着法といった特殊な真空蒸
着法が用いられてきた。
から従来所定の組成を有する合金蒸着膜を作製する場合
、フラッシュ蒸着法と二源范着法といった特殊な真空蒸
着法が用いられてきた。
前者は９合金を粉末または細粒にして、高温に保たれた
蒸発源の中に落とし、１つ１つの粒を瞬間的に蒸発させ
る方法である。１つの粒からは、各合金成分がそれぞれ
異なる速度で蒸発し、蒸着膜を作るが１粒が小さいこと
からこれによって蒸着膜に生じる合金組成の不均一を成
る程度小さくすることができる。しかし、この方法では
、できるだけ細かい粉末や粒を毎時一定の量で正確に供
給する必要があり、さもなくば蒸着膜の組成や膜厚に変
動を来すことになる。
蒸発源の中に落とし、１つ１つの粒を瞬間的に蒸発させ
る方法である。１つの粒からは、各合金成分がそれぞれ
異なる速度で蒸発し、蒸着膜を作るが１粒が小さいこと
からこれによって蒸着膜に生じる合金組成の不均一を成
る程度小さくすることができる。しかし、この方法では
、できるだけ細かい粉末や粒を毎時一定の量で正確に供
給する必要があり、さもなくば蒸着膜の組成や膜厚に変
動を来すことになる。
しかも１つの粒が蒸発してから次の粒が蒸発源に供給さ
れるのが望ましいため、単位時間の蒸発量を大きくする
ことができず、成膜速度が遅いという欠点がある。
れるのが望ましいため、単位時間の蒸発量を大きくする
ことができず、成膜速度が遅いという欠点がある。
これに対して、後者は１合金の成分元素毎に独立した蒸
発源を備え、各蒸発源から目的とする蒸着膜の組成に相
当する割合の蒸気が被蒸着面に入射するよう、それぞれ
の蒸発源の蒸発量を独立して制御する方法である。この
方法では。
発源を備え、各蒸発源から目的とする蒸着膜の組成に相
当する割合の蒸気が被蒸着面に入射するよう、それぞれ
の蒸発源の蒸発量を独立して制御する方法である。この
方法では。
前者に比べて高い成膜速度が得られる反面、被蒸着面の
位置によって合金組成の不均一が生じ易い。また蒸発源
が複数あることから、被蒸着面に一定の角度で蒸気を入
射させる必要がある場合には適さない。
位置によって合金組成の不均一が生じ易い。また蒸発源
が複数あることから、被蒸着面に一定の角度で蒸気を入
射させる必要がある場合には適さない。
この発明は、従来の合金真空蒸着法における上記のよう
な問題を解消すべくなされたものであって、単一の蒸発
源から連続して蒸発させながら、所望の組成を有する合
金蒸着膜を作製することができるようにし、もって高い
成膜速度が得られると同時に、入射角制御を容易にする
ことができるようにしたものである。
な問題を解消すべくなされたものであって、単一の蒸発
源から連続して蒸発させながら、所望の組成を有する合
金蒸着膜を作製することができるようにし、もって高い
成膜速度が得られると同時に、入射角制御を容易にする
ことができるようにしたものである。
この発明では２作製しようとする蒸着膜と同じ成分を有
する単一の蒸発源を電子線照射法等の手段で加熱、蒸発
させ、この蒸気を被蒸着面に入射させて、同面に蒸着膜
を作製する。このとき、蒸発源からの蒸発量を測定しな
がら、目的とする蒸着膜と同じ組成を有する合金を、上
記蒸発量と同量だけ蒸発源に供給していく。
する単一の蒸発源を電子線照射法等の手段で加熱、蒸発
させ、この蒸気を被蒸着面に入射させて、同面に蒸着膜
を作製する。このとき、蒸発源からの蒸発量を測定しな
がら、目的とする蒸着膜と同じ組成を有する合金を、上
記蒸発量と同量だけ蒸発源に供給していく。
合金を蒸発させて合金蒸着膜を作製する場合。
同蒸着膜の組成は、蒸発源から蒸発する各合金成分の単
位時間当たりの蒸発量の比に依存する。
位時間当たりの蒸発量の比に依存する。
そしてこの蒸発量の比は、その蒸発温度′ｒにおける各
合金成分の蒸発速度（単位分子当たりの単位時間の蒸発
分子をいう）と、蒸発源の組成比によって決まる。例え
ば、それぞれモル分率ｘ、ｙ、ｚ （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１）の合金成分Ａ、Ｂ、Ｃからなる蒸発源を温度゛ｒ
で蒸発させた場合、同温度Ｔでの上記各合金成分の蒸発
速度をαｖａ、αｖｂ、αｖｃとすると９作製される蒸
着膜の合金成分Ａ、Ｂ、Ｃのモル分率ｘ′。
合金成分の蒸発速度（単位分子当たりの単位時間の蒸発
分子をいう）と、蒸発源の組成比によって決まる。例え
ば、それぞれモル分率ｘ、ｙ、ｚ （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１）の合金成分Ａ、Ｂ、Ｃからなる蒸発源を温度゛ｒ
で蒸発させた場合、同温度Ｔでの上記各合金成分の蒸発
速度をαｖａ、αｖｂ、αｖｃとすると９作製される蒸
着膜の合金成分Ａ、Ｂ、Ｃのモル分率ｘ′。
ｙ’＋ｚ’（但し、ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝＝ｌ）は。
ｘ′＝ｙ′：ｚ′＝ｘαｖａｒｙαｖｂ：ｚａｖｃとな
る。８い換える゛と、蒸発源の合金成分のモル分率ｘ、
ｙ・ ２を・ とすることによっｃ ｘ Ｊ 、ｙｌ 、ｚｌのモル分
率の成分Ａ、Ｂ、Ｃからなる合金蒸着膜を作製すること
ができるごとになる。この蒸発源の組成は、蒸着膜と同
じ組成、即ちモル分率ｘ′。
る。８い換える゛と、蒸発源の合金成分のモル分率ｘ、
ｙ・ ２を・ とすることによっｃ ｘ Ｊ 、ｙｌ 、ｚｌのモル分
率の成分Ａ、Ｂ、Ｃからなる合金蒸着膜を作製すること
ができるごとになる。この蒸発源の組成は、蒸着膜と同
じ組成、即ちモル分率ｘ′。
ｙｌ、ｚｌの合金を蒸発しただけ蒸発源に順次供給しな
がら蒸着を続けることによって維持することができ、従
って上記の方法によって所望の組成を有する合金蒸着膜
を連続的に得ることができる。
がら蒸着を続けることによって維持することができ、従
って上記の方法によって所望の組成を有する合金蒸着膜
を連続的に得ることができる。
なお、蒸発開始時の蒸発源の合金組成が上記（１１式で
表されるモル分率になっていないときでも１モル分率
ｘ ／、ｙｔ、ｚｔの合金を蒸発量と同じ量だけ蒸発源
に供給しながら蒸発を暫時続けることによって、蒸発源
の合金組成は。
表されるモル分率になっていないときでも１モル分率
ｘ ／、ｙｔ、ｚｔの合金を蒸発量と同じ量だけ蒸発源
に供給しながら蒸発を暫時続けることによって、蒸発源
の合金組成は。
モル分率ｘ、ｙ、ｚとなり、以後この状態で平衡に達し
て、目的とする組成を持つ蒸着膜が作製できる。但し、
蒸発開始当初がら目的とする組成の蒸着膜を得ようとす
る場合は、予め蒸発源の合金成分のモル分率を上記ｘ、
ｙ、ｚに調整しておく必要がある。上記（１）式におけ
る蒸発速度αｖａ、αｖｂ、αｖｃは、各合金成分の蒸
発温度Ｔにおける蒸気圧と分子量の平方根との比に比例
するため、この蒸発源の組成は、これら各合金成分の蒸
気圧と分子量によって一義的にめることができる。
て、目的とする組成を持つ蒸着膜が作製できる。但し、
蒸発開始当初がら目的とする組成の蒸着膜を得ようとす
る場合は、予め蒸発源の合金成分のモル分率を上記ｘ、
ｙ、ｚに調整しておく必要がある。上記（１）式におけ
る蒸発速度αｖａ、αｖｂ、αｖｃは、各合金成分の蒸
発温度Ｔにおける蒸気圧と分子量の平方根との比に比例
するため、この蒸発源の組成は、これら各合金成分の蒸
気圧と分子量によって一義的にめることができる。
次ぎに、この発明の実施例としてベースフィルムの上に
ＣｏａｏＣｒ２ａの蒸着膜を作製する場合について説明
する。第１図で示すように、一方のロール３から繰り出
された高分子フィルムからなるベースフィルム１が円筒
体２に添えられた後、他方のロール４に巻き取られる。
ＣｏａｏＣｒ２ａの蒸着膜を作製する場合について説明
する。第１図で示すように、一方のロール３から繰り出
された高分子フィルムからなるベースフィルム１が円筒
体２に添えられた後、他方のロール４に巻き取られる。
この円筒体２の下位には、坩堝７に蒸発源６が収納され
。
。
電子銃１１からこれに電子線１２が照射され、同蒸発源
６が加熱、蒸発される。また、この蒸発源６には、ボン
パー９から目的とする蒸着膜と同じ組成の合金１０がフ
ィダー８を通して供給される。
６が加熱、蒸発される。また、この蒸発源６には、ボン
パー９から目的とする蒸着膜と同じ組成の合金１０がフ
ィダー８を通して供給される。
蒸発源６と円筒体２の間にはマスク５があって、蒸発源
６から蒸発した蒸気が同マスク５に開設されたスリット
Ｓを通って上記ベースフィルムｌに入射する。この蒸発
径路上にはセンサー１３が配置され、これが蒸発源６が
らの蒸発量を測定し、この結果をもとに上記電子線１２
の出力と蒸発源６への合金の供給量が制ｆａｌｌされる
。
６から蒸発した蒸気が同マスク５に開設されたスリット
Ｓを通って上記ベースフィルムｌに入射する。この蒸発
径路上にはセンサー１３が配置され、これが蒸発源６が
らの蒸発量を測定し、この結果をもとに上記電子線１２
の出力と蒸発源６への合金の供給量が制ｆａｌｌされる
。
ここで蒸発開始時の蒸発源６としてＣｏ９ｓＣｒ５を用
い、これに上記合金１０としてＣｏ８θｃｒ２ｏを毎分
ｔ、６ｇ宛加えながら、 ｌ０ｋ−の電子線１２を照射
して、同蒸発源６から毎分１．６ｇの量で蒸発させ、ベ
ースフィルムｌを矢印Ａで示す方向に１０ｍ／ｍｉｎの
速度で走行させながら、この上に蒸着膜を作製した。
い、これに上記合金１０としてＣｏ８θｃｒ２ｏを毎分
ｔ、６ｇ宛加えながら、 ｌ０ｋ−の電子線１２を照射
して、同蒸発源６から毎分１．６ｇの量で蒸発させ、ベ
ースフィルムｌを矢印Ａで示す方向に１０ｍ／ｍｉｎの
速度で走行させながら、この上に蒸着膜を作製した。
このときのベースフィルムｌの蒸着開始時の位置から１
００ｍの間の蒸着膜の膜厚（人）とそのＣｒのモル分率
（％）を示したのが第２図のグラフである。これによれ
ば、蒸着開始時の蒸着位置から約３５ｍの位置、即ち蒸
着開始から約３分３０秒で膜厚は平衡に達し、約８０人
となった。
００ｍの間の蒸着膜の膜厚（人）とそのＣｒのモル分率
（％）を示したのが第２図のグラフである。これによれ
ば、蒸着開始時の蒸着位置から約３５ｍの位置、即ち蒸
着開始から約３分３０秒で膜厚は平衡に達し、約８０人
となった。
またＣｒのモル分率もはソ′同じところで平衡に達して
、約２０％となり、以後この蒸着膜が連続的に作製され
ていることが分かる。
、約２０％となり、以後この蒸着膜が連続的に作製され
ていることが分かる。
以上のようにしてこの発明によれば、単一の蒸発源から
連続的に蒸気を発生させながら、所望の組成を持った合
金蒸着膜を作製することができるので、従来のいわゆる
フラッシュ蒸着法に比べて高い成膜速度が得られると同
時に、二元蒸着法に比べて蒸気の入射角制御も容易にな
る等、所期の目的を達成することができる。
連続的に蒸気を発生させながら、所望の組成を持った合
金蒸着膜を作製することができるので、従来のいわゆる
フラッシュ蒸着法に比べて高い成膜速度が得られると同
時に、二元蒸着法に比べて蒸気の入射角制御も容易にな
る等、所期の目的を達成することができる。
第１図は、この発明の実施例に使用される真空蒸着装置
を示す説明図、第２図は、同実施例における蒸着膜の膜
厚と組成を示すグラフである。 １−被蒸着面を有するヘースフヘルム ６−・蒸発源 １０−蒸発源に供給される合金特許出願
人 太陽誘電株式会社 代理人 弁理士 北條１■由 第１面 ス
を示す説明図、第２図は、同実施例における蒸着膜の膜
厚と組成を示すグラフである。 １−被蒸着面を有するヘースフヘルム ６−・蒸発源 １０−蒸発源に供給される合金特許出願
人 太陽誘電株式会社 代理人 弁理士 北條１■由 第１面 ス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の合金成分からなる蒸発源を蒸発させ゛ζ９発
生した蒸気を被蒸着面に入射させ、同面に合金蒸着膜を
作製する方法において、蒸発源を蒸発させながら、蒸発
源に上記蒸発量と等しい量だけ作製しようとする蒸着膜
と同じ組成の合金を、供給していくようにしたことを特
徴とする合金の真空蒸着方法。 ２、蒸発開始時の蒸発源の各合金成分のモル分率を、目
的とする蒸着膜の各合金成分のモル分率に当該蒸発温度
における各成分の蒸発速度で除した割合で１ｌＩｉｌ整
した特許請求の範囲第１項記載の真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310084A JPS60197872A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 合金の真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310084A JPS60197872A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 合金の真空蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60197872A true JPS60197872A (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=12933366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5310084A Pending JPS60197872A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 合金の真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60197872A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5000114A (en) * | 1988-04-11 | 1991-03-19 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Continuous vacuum vapor deposition system having reduced pressure sub-chambers separated by seal devices |
| JP2008138227A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toray Advanced Film Co Ltd | ウエッブ状被蒸着材の蒸着膜厚制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517103A (en) * | 1978-07-11 | 1980-02-06 | Suwa Seikosha Kk | Electronic sound maker |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5310084A patent/JPS60197872A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517103A (en) * | 1978-07-11 | 1980-02-06 | Suwa Seikosha Kk | Electronic sound maker |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5000114A (en) * | 1988-04-11 | 1991-03-19 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Continuous vacuum vapor deposition system having reduced pressure sub-chambers separated by seal devices |
| JP2008138227A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toray Advanced Film Co Ltd | ウエッブ状被蒸着材の蒸着膜厚制御方法 |
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