JPS60199092A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPS60199092A JPS60199092A JP5351984A JP5351984A JPS60199092A JP S60199092 A JPS60199092 A JP S60199092A JP 5351984 A JP5351984 A JP 5351984A JP 5351984 A JP5351984 A JP 5351984A JP S60199092 A JPS60199092 A JP S60199092A
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- doping
- phosphor
- zinc sulfide
- fluorescent substance
- firing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は陰極線管に係わり、特にその蛍光面に関するも
のである。
のである。
従来、陰極線管の蛍光面、例えばカラー受像管の緑色発
光蛍光体には硫化物蛍光体として、銅付活硫化亜鉛Zn
8:Cu又は銅及び全付活硫化亜鉛ZnS : Cu
、 Au 、 AIまたは銅付活硫化カドミウムZn
Cd S : Cuが用いられている。また一部単色発
光デイスプレー用陰極線管にはZn8:Cu 尋が用い
られている。
光蛍光体には硫化物蛍光体として、銅付活硫化亜鉛Zn
8:Cu又は銅及び全付活硫化亜鉛ZnS : Cu
、 Au 、 AIまたは銅付活硫化カドミウムZn
Cd S : Cuが用いられている。また一部単色発
光デイスプレー用陰極線管にはZn8:Cu 尋が用い
られている。
これら硫化物蛍光体は総じて高効率であり高輝度を与え
この点好ましいが、反面微弱な散乱電子でも良く光るた
め、映像の暗部輝度も高くなってしまいコントラストの
劣化をまねく問題がある。
この点好ましいが、反面微弱な散乱電子でも良く光るた
め、映像の暗部輝度も高くなってしまいコントラストの
劣化をまねく問題がある。
本発明は硫化物蛍光体の散乱電子による発光を大幅に抑
制して暗部輝度の低下をはかり陰極線管蛍光面のコント
ラスト特性の大幅な向上を達成せんとするものである。
制して暗部輝度の低下をはかり陰極線管蛍光面のコント
ラスト特性の大幅な向上を達成せんとするものである。
本発明はコバルトまたは鉄及びニッケルを不純物として
適量ドーピングした硫化亜鉛蛍光体を用いることKよっ
て弱いエネルギーの電子ビームによる発光効率を選択的
に阻害し上記目的を達成するものである。
適量ドーピングした硫化亜鉛蛍光体を用いることKよっ
て弱いエネルギーの電子ビームによる発光効率を選択的
に阻害し上記目的を達成するものである。
第1図は本発明を適用したカラー受像管の概略構成を示
すもので、電子銃(1)から射出された電子ビーム(2
)はシャドウマスク(3)の透孔を通過して蛍光面(4
)に射突し蛍光面を発光させる。しかし乍らこのような
正規のルート以外のシャドウマスク(3)の透孔を通過
しない電子ビームは種々の場所で反射され散乱電子を生
じ、之等の散乱電子は蛍光面に到達し暗部輝度(黒レベ
ル)を上げてコントラストを阻害する。例えば、シャド
ウマスク(3)〜マスクフレーム(5)、磁気シールド
(6)及び内部導電膜(η〜蛍光面(4)、蛍光面(4
)〜シャドウマスク(3)〜蛍光面(4)等々の多数の
ルートを経て蛍光面に入射し蛍光体を発光させる。之等
の散乱電子は複数回の反射を経て蛍光面に入射するため
、その加速電圧の平均値はかなり弱いものになっている
ものと思われる。
すもので、電子銃(1)から射出された電子ビーム(2
)はシャドウマスク(3)の透孔を通過して蛍光面(4
)に射突し蛍光面を発光させる。しかし乍らこのような
正規のルート以外のシャドウマスク(3)の透孔を通過
しない電子ビームは種々の場所で反射され散乱電子を生
じ、之等の散乱電子は蛍光面に到達し暗部輝度(黒レベ
ル)を上げてコントラストを阻害する。例えば、シャド
ウマスク(3)〜マスクフレーム(5)、磁気シールド
(6)及び内部導電膜(η〜蛍光面(4)、蛍光面(4
)〜シャドウマスク(3)〜蛍光面(4)等々の多数の
ルートを経て蛍光面に入射し蛍光体を発光させる。之等
の散乱電子は複数回の反射を経て蛍光面に入射するため
、その加速電圧の平均値はかなり弱いものになっている
ものと思われる。
本発明者等は、これら散乱電子程度の弱いエネルギー(
電圧、電流)では発光効率が低く且つ正規の加速電圧に
よる電子ビームのエネルギーレベルでは高輝度を実質的
に維持することにより暗部輝度を低下させコントラスト
を向上させる観点から検討を試みた結果、緑色発光蛍光
体ZnS:Cu又はZnS:Cu、Au に0.5 p
pm乃至2001)pmのコバルト(CO)または鉄(
Fe)及び0.5〜5 ppmの機敏のニッケル(Ni
)をドーピングすれば散乱電子による発光が効果的に
抑制され、コントラストを向上させることが可能である
ことを見出した。これはCOまたはに1e及びNiのド
ーピングにより蛍光体表面層に非効率または低効率発光
層が形成されるため、加速電圧の弱い散乱電子が高効率
発光の母体蛍光体の内部まで侵透できず、散乱電子によ
る発光が選択的、効果的に抑制されてしまうためである
。
電圧、電流)では発光効率が低く且つ正規の加速電圧に
よる電子ビームのエネルギーレベルでは高輝度を実質的
に維持することにより暗部輝度を低下させコントラスト
を向上させる観点から検討を試みた結果、緑色発光蛍光
体ZnS:Cu又はZnS:Cu、Au に0.5 p
pm乃至2001)pmのコバルト(CO)または鉄(
Fe)及び0.5〜5 ppmの機敏のニッケル(Ni
)をドーピングすれば散乱電子による発光が効果的に
抑制され、コントラストを向上させることが可能である
ことを見出した。これはCOまたはに1e及びNiのド
ーピングにより蛍光体表面層に非効率または低効率発光
層が形成されるため、加速電圧の弱い散乱電子が高効率
発光の母体蛍光体の内部まで侵透できず、散乱電子によ
る発光が選択的、効果的に抑制されてしまうためである
。
しかし乍らこのような効果を生ずるためには母体蛍光体
の焼成にあた)って、銅(Cu)や金(Au)等の付活
剤をドーピングする一次焼成を終了してから、あらため
て−次焼成よりも低い温度で二次焼成ヲ行ないコバル)
(Co)をドーピングする必要がある。これはCuや
Auと同時KCOをドーピングしてしまうと母体蛍光体
の表面層にのみ非効率または低効率の発光層を形成する
ことができ表い友めである。
の焼成にあた)って、銅(Cu)や金(Au)等の付活
剤をドーピングする一次焼成を終了してから、あらため
て−次焼成よりも低い温度で二次焼成ヲ行ないコバル)
(Co)をドーピングする必要がある。これはCuや
Auと同時KCOをドーピングしてしまうと母体蛍光体
の表面層にのみ非効率または低効率の発光層を形成する
ことができ表い友めである。
第2図に20吋型カラー受像管で実測したCOドーピン
グ緑色発光硫化亜鉛蛍光体の加速電圧Bb(KV)と輝
度との関係をCoドーピングなしの輝度を基準とし相対
輝度として示す。母体蛍光体はZnS:Cu、At で
ある。第2図において、特性Ql乃至QiはCoト−ヒ
ンfflカソレソレ0.5 、1 、10及び2 o
o ppmのものである。第2図から明らかなようにC
Oドーピング量の増加と共に低電圧域での輝度も低下す
る。
グ緑色発光硫化亜鉛蛍光体の加速電圧Bb(KV)と輝
度との関係をCoドーピングなしの輝度を基準とし相対
輝度として示す。母体蛍光体はZnS:Cu、At で
ある。第2図において、特性Ql乃至QiはCoト−ヒ
ンfflカソレソレ0.5 、1 、10及び2 o
o ppmのものである。第2図から明らかなようにC
Oドーピング量の増加と共に低電圧域での輝度も低下す
る。
同様にNiをドーピングした場合はCoをドーピングし
た場合とは異なり、非発光層形成による電圧−輝度特性
の変化は所定のドーピング条件下では程んど認められな
いが、゛還流−輝度特性では顕著な変化を示す。これは
散乱電子のような微弱な電流域、例えば20吋型カラー
受像管での平均電流密度0.01μA/d以下程度の電
流域においては発光効率が低く、正規電子ビームの実用
電流域では充分な発光効率を有する特性を与えることが
できりニアリテイが改善され選択的に散乱電子の影響が
抑制されるためである。
た場合とは異なり、非発光層形成による電圧−輝度特性
の変化は所定のドーピング条件下では程んど認められな
いが、゛還流−輝度特性では顕著な変化を示す。これは
散乱電子のような微弱な電流域、例えば20吋型カラー
受像管での平均電流密度0.01μA/d以下程度の電
流域においては発光効率が低く、正規電子ビームの実用
電流域では充分な発光効率を有する特性を与えることが
できりニアリテイが改善され選択的に散乱電子の影響が
抑制されるためである。
第3図に20吋型カラー受像管で実測したNiドーピン
グ緑色発光硫化亜鉛蛍光体の電流密度と輝度との関係な
Nlドーピングなしの輝度を基準とし相対輝度として示
す。母体蛍光体はZnS:Cu、AIである。第3図に
おいて特性0る乃至(171iltN+ドーピング量が
それぞれ0.1 、0.5 、5及び101)pmのも
のを示し、また散乱電子電流域をA、正規成子ビーム電
流域なりとして示しである。第3図から明らかなように
Niドーピング量の増加と共に低電流域での輝度も低下
する。
グ緑色発光硫化亜鉛蛍光体の電流密度と輝度との関係な
Nlドーピングなしの輝度を基準とし相対輝度として示
す。母体蛍光体はZnS:Cu、AIである。第3図に
おいて特性0る乃至(171iltN+ドーピング量が
それぞれ0.1 、0.5 、5及び101)pmのも
のを示し、また散乱電子電流域をA、正規成子ビーム電
流域なりとして示しである。第3図から明らかなように
Niドーピング量の増加と共に低電流域での輝度も低下
する。
しかし乍らCO及びN1の個々のドーピングによる散乱
電子発光の抑制を電流域と加速電圧の両者にわたって作
用させることは困難である。また抑制作用を大とするた
めに個々のドーピングitを増加した場合、正規電子ビ
ームによる輝度、例えば白色輝度も低下するので結果と
してコントラストの改善はあまり期待できなくなる。
電子発光の抑制を電流域と加速電圧の両者にわたって作
用させることは困難である。また抑制作用を大とするた
めに個々のドーピングitを増加した場合、正規電子ビ
ームによる輝度、例えば白色輝度も低下するので結果と
してコントラストの改善はあまり期待できなくなる。
以上の考察からCOまたはFe及びNiを適量ドーピン
グすることによって散乱電子の影響を選択的に抑制し、
電圧及び電流−輝度特性の両者を同時に満足し得る特性
、即ち低電圧及び低・電流域での発光がそれぞれ選択的
に抑制し得ることを見出した。
グすることによって散乱電子の影響を選択的に抑制し、
電圧及び電流−輝度特性の両者を同時に満足し得る特性
、即ち低電圧及び低・電流域での発光がそれぞれ選択的
に抑制し得ることを見出した。
第4図は20吋型カラー受像管で実測したN1またはC
OlまたはNi 、!: Coのドーピング量による白
色輝度及びコントラストを各ドーピングなしの特性を基
準として相対値として示したものである。
OlまたはNi 、!: Coのドーピング量による白
色輝度及びコントラストを各ドーピングなしの特性を基
準として相対値として示したものである。
母体蛍光体はZn 8 : Cu 、A I の緑色発
光蛍光体である。′また白色輝度は画面中央に白色のバ
ーを出画させ、画面中央を白色輝度とし、同時にこの白
色バーの端から30閣の部分の暗部の輝度を暗部輝度と
しそれぞれスポット輝度針にて測定した。またコントラ
ストは上記測定による白色輝度/暗部輝度で定義した(
但し第4図では暗部輝度特性は省略して示していない)
。第4図において特性(18a)乃至(22a)は相対
白色輝度を、特性(18b)乃至(22b)は相対コン
トラストをそれぞれ示す。また特性(18a)及び(1
8b)はNiのJl独)’ −ヒ:y y、特性(19
a)及び(19b)ijC。
光蛍光体である。′また白色輝度は画面中央に白色のバ
ーを出画させ、画面中央を白色輝度とし、同時にこの白
色バーの端から30閣の部分の暗部の輝度を暗部輝度と
しそれぞれスポット輝度針にて測定した。またコントラ
ストは上記測定による白色輝度/暗部輝度で定義した(
但し第4図では暗部輝度特性は省略して示していない)
。第4図において特性(18a)乃至(22a)は相対
白色輝度を、特性(18b)乃至(22b)は相対コン
トラストをそれぞれ示す。また特性(18a)及び(1
8b)はNiのJl独)’ −ヒ:y y、特性(19
a)及び(19b)ijC。
の単独ドーピング、特性(,20a )及び(201+
)乃至(22a)及び(22b)はCo ト−ヒン/
j16i 1r: 1 。
)乃至(22a)及び(22b)はCo ト−ヒン/
j16i 1r: 1 。
10 、100 ppmをベースとしてNiドーピング
量を変化させたCo+Ni ドーピング特性をそれぞれ
示す。
量を変化させたCo+Ni ドーピング特性をそれぞれ
示す。
第4図から例えば白色輝度の低下の許容値を5チとした
場合、得られるコントラストの向上はN1単独ドーピン
グ(18b)で約128チ、Co単独ドーピングで約1
27%が得られる。これに対してCo+Ni 共ドーピ
ングの場合には特性(20b)のCo l ppm ペ
ースのもので約143チと大幅なコントラスト向上が認
められる。
場合、得られるコントラストの向上はN1単独ドーピン
グ(18b)で約128チ、Co単独ドーピングで約1
27%が得られる。これに対してCo+Ni 共ドーピ
ングの場合には特性(20b)のCo l ppm ペ
ースのもので約143チと大幅なコントラスト向上が認
められる。
同じく白色輝度の低下の許容値を12チとした場合、コ
ントラスト向上は別単独ドーピング(18b)で約13
2%、Co単独ドーピングで約130%と白色輝度低下
許容値5tsの場合と大きな差がないのに対し、Co+
Ni 共ドーピングの場合には特性(21b)(7)C
OlooI)pm べ−xのもノテ約160%ものコン
トラスト向上が得られる。
ントラスト向上は別単独ドーピング(18b)で約13
2%、Co単独ドーピングで約130%と白色輝度低下
許容値5tsの場合と大きな差がないのに対し、Co+
Ni 共ドーピングの場合には特性(21b)(7)C
OlooI)pm べ−xのもノテ約160%ものコン
トラスト向上が得られる。
即ちNi及びCo単独ドーピングの場合のコントラスト
向上は最大でも130%前後しか望めない。
向上は最大でも130%前後しか望めない。
これに対しCo+Ni共ドーピノド−ピングは低電圧及
び低域流域での散乱電子の発光抑制作用が相乗的に作用
し最大約160チものコントラスト向上が可能となる。
び低域流域での散乱電子の発光抑制作用が相乗的に作用
し最大約160チものコントラスト向上が可能となる。
さらKI’Jt単独ドーピングは紫外〜青色光のエネル
ギーによる蛍光体の発光を抑制するため、外光によるコ
ントラストの劣化防止に効果を有するがCo単独ドーピ
ングにはそのような効果は少ない。
ギーによる蛍光体の発光を抑制するため、外光によるコ
ントラストの劣化防止に効果を有するがCo単独ドーピ
ングにはそのような効果は少ない。
しかし乍らNiとCOの共ドーピング蛍光体は同一ドー
グ量のNl単独ドーピング蛍光体とほぼ同様の上記効果
が維持できることを確認した。
グ量のNl単独ドーピング蛍光体とほぼ同様の上記効果
が維持できることを確認した。
またカラー受偉管の蛍光面形成にあたってはポリビニル
アルコールやアクリルエマルジョン等の有機物及びベー
キング時に強力な酸化促進剤となる)クロム酸アンモニ
ウムを用いる必要がある。
アルコールやアクリルエマルジョン等の有機物及びベー
キング時に強力な酸化促進剤となる)クロム酸アンモニ
ウムを用いる必要がある。
之等の材料の一部はベーキング時に母体蛍光体をくるん
で存在することKなるため蛍光体の輝度及び青色や飽和
度の発光色調の劣化が促進される。
で存在することKなるため蛍光体の輝度及び青色や飽和
度の発光色調の劣化が促進される。
Co単独ドーピングによる蛍光体は上記の輝度及び発光
色調の劣化をも抑制する作用を有していることが確認さ
れたが、N1単独ドーピングによる蛍光体はそのような
抑制作用の傾向は認められなかった。しかし乍らNiと
Coの共ドーピング蛍光体ではCo単独ドーピングによ
る上記抑制作用がその尽維持され、高い輝度と良好な飽
和度の色調の緑色発光が得られることを確認した。
色調の劣化をも抑制する作用を有していることが確認さ
れたが、N1単独ドーピングによる蛍光体はそのような
抑制作用の傾向は認められなかった。しかし乍らNiと
Coの共ドーピング蛍光体ではCo単独ドーピングによ
る上記抑制作用がその尽維持され、高い輝度と良好な飽
和度の色調の緑色発光が得られることを確認した。
またNi単独ドーピングに見られ、Co単独ドーピング
には見られない電流−輝度特性のり二アリテイ改善によ
って正規電子ビームに対する発光の忠実度が向上しコン
トラストが向上する効果もNiとCO共ドーピング蛍光
体とすることによって得ることができる。
には見られない電流−輝度特性のり二アリテイ改善によ
って正規電子ビームに対する発光の忠実度が向上しコン
トラストが向上する効果もNiとCO共ドーピング蛍光
体とすることによって得ることができる。
ところテZn8:Cu、Zn8:Cu、Au ともその
発光色はCu濃度により大きく左右され、Cu濃度が大
なる程その発光色調は黄色方向にシフトすることが知ら
れている。
発光色はCu濃度により大きく左右され、Cu濃度が大
なる程その発光色調は黄色方向にシフトすることが知ら
れている。
一方蛍光面形成にあたり、Cu濃度が大きくなる稚虫光
面形成のための繕光時における蛍光膜の紫外線透過率が
低下してしまうため接着力の低下を招き、ストライプま
たはドツト状の蛍光体形成が困離となる傾向がある。し
かし乍ら本発明のようにCO及びNiをドーピングする
ことKよって同一の発光色を有するカラー受像管を形成
するためには従来より少ないCu濃度でよいため蛍光面
形成が容易となる利点を有する。例えば従来100 p
pm乃至300 pPmのCu濃度が一般に用いられて
いるが、本発明によれば約209pm乃至50 ppm
のより少ないCu濃度でも同一の発光色が得られる。
面形成のための繕光時における蛍光膜の紫外線透過率が
低下してしまうため接着力の低下を招き、ストライプま
たはドツト状の蛍光体形成が困離となる傾向がある。し
かし乍ら本発明のようにCO及びNiをドーピングする
ことKよって同一の発光色を有するカラー受像管を形成
するためには従来より少ないCu濃度でよいため蛍光面
形成が容易となる利点を有する。例えば従来100 p
pm乃至300 pPmのCu濃度が一般に用いられて
いるが、本発明によれば約209pm乃至50 ppm
のより少ないCu濃度でも同一の発光色が得られる。
以上の総合的見地から散乱電子による電圧、電流−輝度
特性から暗部輝度の抑制を相乗的に抑制し、且つ白色輝
度の低下を最低限とし結果としてコントラストを効果的
に向上させるためにはCoのドーピング量は2001)
Pm%Nlのドーピング量は5 pI)mを越えないよ
うに選択するとよい。即ち上記範囲を越えると白色輝度
の低下によりコントラストの効果的な向上が望めなくな
るからである。
特性から暗部輝度の抑制を相乗的に抑制し、且つ白色輝
度の低下を最低限とし結果としてコントラストを効果的
に向上させるためにはCoのドーピング量は2001)
Pm%Nlのドーピング量は5 pI)mを越えないよ
うに選択するとよい。即ち上記範囲を越えると白色輝度
の低下によりコントラストの効果的な向上が望めなくな
るからである。
一方COのドーピング量が0.5 ppm s Niの
ドーピング量が0.5pI)mを越えないと暗部輝度の
抑制作用が小さく同じくコントラストの効果的な向上は
望めない。
ドーピング量が0.5pI)mを越えないと暗部輝度の
抑制作用が小さく同じくコントラストの効果的な向上は
望めない。
従って適用する管種及び目的とするコントラスト向上に
対応して、Coドーピング量は0.5 ppm乃至20
0 ppm、 Niドーピング量は0.5 ppm乃至
5ppmの範囲内で適宜選択組み合わせるとよい。
対応して、Coドーピング量は0.5 ppm乃至20
0 ppm、 Niドーピング量は0.5 ppm乃至
5ppmの範囲内で適宜選択組み合わせるとよい。
尚、COのドーピングの替りにFeをドーピングしても
同様の効果の得られることを確認した。
同様の効果の得られることを確認した。
以上のように本発明によればCo及びNiの二次焼成に
よるドーピングのないものに比して大幅なコントラスト
向上効果が得られ、Co及びNl単独ドーピングでは得
られない最大約160%ものコントラスト向上した陰極
線管を得ることができる。
よるドーピングのないものに比して大幅なコントラスト
向上効果が得られ、Co及びNl単独ドーピングでは得
られない最大約160%ものコントラスト向上した陰極
線管を得ることができる。
また紫外線〜青色光の外光吸収によるコントラストの劣
化を抑制し、管ベーキングによる輝度、色調の劣化を抑
制し、正規電子ビームに対する発光の忠実度向上による
コントラスト向上効果等極めて良好なコントラストを有
する陰極線管を提供することができる。
化を抑制し、管ベーキングによる輝度、色調の劣化を抑
制し、正規電子ビームに対する発光の忠実度向上による
コントラスト向上効果等極めて良好なコントラストを有
する陰極線管を提供することができる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例1
約950℃のN、雰囲気中で2時間−次焼成を行ないC
uを2001)I)mドーピングし粒度の一次調整を終
了しりZn8:Cu粉体に、Co 10 ppm及びN
I2pI)mK相当する塩化コバルト及び硫酸ニッケル
水溶液を混合、乾燥後、約s o o ”oのN!雰囲
気中で2時間二次焼成を行ない、所定の表面処理を行な
って蛍光体を形成した。この蛍光体の発光色は従来のC
uドーピング2501)pmの一次焼成蛍光体に比して
やや實色寄りであった。
uを2001)I)mドーピングし粒度の一次調整を終
了しりZn8:Cu粉体に、Co 10 ppm及びN
I2pI)mK相当する塩化コバルト及び硫酸ニッケル
水溶液を混合、乾燥後、約s o o ”oのN!雰囲
気中で2時間二次焼成を行ない、所定の表面処理を行な
って蛍光体を形成した。この蛍光体の発光色は従来のC
uドーピング2501)pmの一次焼成蛍光体に比して
やや實色寄りであった。
次いで感光剤として重クロム酸アンモニウム/ポリビニ
ルアルコール及び各種添加剤と混合したスラリーを用い
てパネル内面に通常の回転塗布法により塗布し、シャド
ウマスクを介する通常の露光法によりストライプ状の緑
色発光蛍光体を形成した。青及び赤色発光蛍光体につい
ても同様である。さらに之等の蛍光体上にフィルミング
及びメタルバックを施こし、パネルベーキング、封着及
び排気の所定の各工程を経てカラー受像管を完成した。
ルアルコール及び各種添加剤と混合したスラリーを用い
てパネル内面に通常の回転塗布法により塗布し、シャド
ウマスクを介する通常の露光法によりストライプ状の緑
色発光蛍光体を形成した。青及び赤色発光蛍光体につい
ても同様である。さらに之等の蛍光体上にフィルミング
及びメタルバックを施こし、パネルベーキング、封着及
び排気の所定の各工程を経てカラー受像管を完成した。
蛍光面形成時に従来のCuドーピングfit 250p
pmの蛍光体に比して現像に対する付着力が強くち密で
膜べりの少ない蛍光体ストライプを安定して形成するこ
とができた。
pmの蛍光体に比して現像に対する付着力が強くち密で
膜べりの少ない蛍光体ストライプを安定して形成するこ
とができた。
第1表に従来のCo及びN1 ドーピングなしのカラー
受像管を基準とするこの実施例のカラー受像管のコント
ラスト及びCIE色度座標系(x−y)による色調特性
を示す。
受像管を基準とするこの実施例のカラー受像管のコント
ラスト及びCIE色度座標系(x−y)による色調特性
を示す。
第1表 コントラスト及び色f14S性尚、第1表には
比較管としてN1単独ドーピング量20 ppm及びC
o単独ドーピング量10 pI)mの例も同時に示した
。またコントラストの低電流域映像は蓑の毛等の極めて
細いパターンを映出した時のコントラストを示し、Oは
良好、Δはやや不良をそれぞれ示す。
比較管としてN1単独ドーピング量20 ppm及びC
o単独ドーピング量10 pI)mの例も同時に示した
。またコントラストの低電流域映像は蓑の毛等の極めて
細いパターンを映出した時のコントラストを示し、Oは
良好、Δはやや不良をそれぞれ示す。
第1表から明らかなように従来管及び比較管に比しても
本発明を適用し友カラー受像管はコントラスト及び色調
共に優れた特性を示している。
本発明を適用し友カラー受像管はコントラスト及び色調
共に優れた特性を示している。
実施例2
ZnS:Cu、Au 蛍光体を用いて実施例1と同様に
本発明を実施し九結果、実施例1と同様の効果が確認さ
れた。
本発明を実施し九結果、実施例1と同様の効果が確認さ
れた。
実施例3
実施例IKおけるCOをFeに替えてその他は実施例1
と同様圧して本発明を実施した。その結果実施例1と同
様にコントラスト及び色調共に優れたカラー受像管を得
ることができた。
と同様圧して本発明を実施した。その結果実施例1と同
様にコントラスト及び色調共に優れたカラー受像管を得
ることができた。
尚、以上の実施例ではカラー受像管に適用した例に9い
て説明したが、本発明は単色発光陰極線管にも適用し得
ることは言うまでもない。
て説明したが、本発明は単色発光陰極線管にも適用し得
ることは言うまでもない。
第1図はカラー受像管における散乱電子のルートを説明
するための概略断面図、第2図はCOドープを行なった
硫化亜鉛蛍光体の電圧−相対輝度の関係を示す特性図、
第3図はN1ドープを行なった硫化亜鉛蛍光体の電流密
度−相対輝度の関係を示す特性図、第4図はドーピング
量の変化による白色輝度及びコントラストの相対関係を
示す特性図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか]名)第 1
図 第 2 図 C咲) 110A@/LEb CKV) 第3図 第 4 図
するための概略断面図、第2図はCOドープを行なった
硫化亜鉛蛍光体の電圧−相対輝度の関係を示す特性図、
第3図はN1ドープを行なった硫化亜鉛蛍光体の電流密
度−相対輝度の関係を示す特性図、第4図はドーピング
量の変化による白色輝度及びコントラストの相対関係を
示す特性図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか]名)第 1
図 第 2 図 C咲) 110A@/LEb CKV) 第3図 第 4 図
Claims (2)
- (1)付活剤または共付活剤による活性化を行かうため
の一次焼成を終了した母体蛍光体粒子に、さらに前記−
次焼成より低い温度の二次焼成を行ない=llシルトた
は鉄を0.5 ppITI乃至2001)pm及びニッ
ケルを0.5 pPm乃至5 ppmドーピングした硫
化亜鉛蛍光体を蛍光面の少なくとも一部に塗布したこと
を特徴とする陰極線管。 - (2)前記母体蛍光体が銅付活硫化亜鉛、全付活硫化亜
鉛、銅付活硫化カドミウム亜鉛または金−銅付活硫化亜
鉛のうちから選択された緑色発光蛍光体であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351984A JPS60199092A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351984A JPS60199092A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60199092A true JPS60199092A (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=12945069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5351984A Pending JPS60199092A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60199092A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0756305A3 (en) * | 1995-07-24 | 1997-06-04 | Toshiba Kk | Color picture tube |
| US5825124A (en) * | 1995-03-23 | 1998-10-20 | Sony Corporation | Cathode-ray tube having activated green and blue phosphors |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP5351984A patent/JPS60199092A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5825124A (en) * | 1995-03-23 | 1998-10-20 | Sony Corporation | Cathode-ray tube having activated green and blue phosphors |
| EP0756305A3 (en) * | 1995-07-24 | 1997-06-04 | Toshiba Kk | Color picture tube |
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