JPS60200522A - 被膜形成装置 - Google Patents
被膜形成装置Info
- Publication number
- JPS60200522A JPS60200522A JP59056113A JP5611384A JPS60200522A JP S60200522 A JPS60200522 A JP S60200522A JP 59056113 A JP59056113 A JP 59056113A JP 5611384 A JP5611384 A JP 5611384A JP S60200522 A JPS60200522 A JP S60200522A
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- JP
- Japan
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- gas
- tube
- reaction tube
- wafer
- film
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は被膜形成装置、たとえば、半導体薄板（ウェハ
）に各種の被膜を形成する低圧ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ、１ｏｎ）装置等の
被膜形成装置に関する。
）に各種の被膜を形成する低圧ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ、１ｏｎ）装置等の
被膜形成装置に関する。
半導体装置の製造において、５ｉ０２（二酸化シリコン
）膜、ｐｓａ（リンシリケートガラス）膜、ポリシリコ
ン（多結晶Ｓｔ）膜等の被膜の生成は低圧（減圧）ＣＶ
Ｄ装置が、たとえば、Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗ
ｏｒｌｄ、 １９８３年、４月号４０〜４８頁（減圧Ｃ
ＶＤ技術）あるいは電子材料、１９７９年、１１月号、
７２〜７７頁（減圧ＣＶＤ技術）にも記載されているよ
うに多用されている。このＣＶＤ装置は、反応ガスを反
応管内に導入し、化学反応させることにより生成した反
応物を所定の半導体薄板（ウェハ）上に反応物（被膜）
として成長させる方法であり、凸凹面への付着が良く、
膜質、膜質の均一性があることから、多くの面で採用さ
れている。
）膜、ｐｓａ（リンシリケートガラス）膜、ポリシリコ
ン（多結晶Ｓｔ）膜等の被膜の生成は低圧（減圧）ＣＶ
Ｄ装置が、たとえば、Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗ
ｏｒｌｄ、 １９８３年、４月号４０〜４８頁（減圧Ｃ
ＶＤ技術）あるいは電子材料、１９７９年、１１月号、
７２〜７７頁（減圧ＣＶＤ技術）にも記載されているよ
うに多用されている。このＣＶＤ装置は、反応ガスを反
応管内に導入し、化学反応させることにより生成した反
応物を所定の半導体薄板（ウェハ）上に反応物（被膜）
として成長させる方法であり、凸凹面への付着が良く、
膜質、膜質の均一性があることから、多くの面で採用さ
れている。
このようにＣＶＤ技術による膜厚、膜厚は前記文献にも
記載されているように、主として反応ガスの流れに依存
する。
記載されているように、主として反応ガスの流れに依存
する。
そして、従来のこれらＣＶＤ装置は、前記文献にも記載
されているように、膜厚、膜質の均一性確保のため、反
応温度をガスの流入側や排出側で変えたり、ウェハ前面
に特殊治具（バッファ治具）を用いたり、ガスの組成比
を変更して反応処理を行っている。しかし、良質の膜質
の形成、たとえば、低温５ｉ０２．ＰＳＧ膜等における
ステップカバレッジ性の優れた膜質の形成等にあっては
、前記文献にも記載されているように、前記技術では必
がしも良好な結果が得られているとはいえない。
されているように、膜厚、膜質の均一性確保のため、反
応温度をガスの流入側や排出側で変えたり、ウェハ前面
に特殊治具（バッファ治具）を用いたり、ガスの組成比
を変更して反応処理を行っている。しかし、良質の膜質
の形成、たとえば、低温５ｉ０２．ＰＳＧ膜等における
ステップカバレッジ性の優れた膜質の形成等にあっては
、前記文献にも記載されているように、前記技術では必
がしも良好な結果が得られているとはいえない。
本発明の目的は膜質、膜厚の均一化が達成できる被膜形
成装置を提供することにある。
成装置を提供することにある。
本発明の他の目的は被膜生成歩留りが高い被膜形成長装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
ものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明のＣＶＤ装置は、反応管内にいずれも
反応管に対して同心円的に配設され。
反応管に対して同心円的に配設され。
かついずれも二重壁構造となる内側導入管および外側導
入管が設けられている。前記内側導入管はその内部に石
英ボードに収容されたウェハ群を収容するようになって
いるとともに、内側導入管の外壁および内壁にはそれぞ
れガス噴出孔が不規則に設けられている。また、外側導
入管の内壁にもガス噴出孔が設けられている。そして、
ウェハの表面にポリシリコン（多結晶Ｓｔ）を生成させ
る際には、キャリアガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）ガス
を内側導入管の内壁に設れられたガス噴出孔から勢い良
く噴出するとともに、反応ガスとしてのモノシラン（Ｓ
ｉＨ４）ガスを、外側導入管の内壁に設けられたガス噴
出孔から噴出させ、内側導入管の内・外壁に設れられた
ガス噴出孔を通過させてウェハ群に供給する。このガス
供給時、ヘリウムガスはモノシランガスに比較して分子
運動速度が大きく、ウェハへの入射頻度が増し、ウェハ
に対して強い流れが発生することから、最初にヘリウム
ガスを噴射させ、その後、モノシランガスを外側導入管
のガス噴出孔から反応管内に供給する。モノシランガス
は熱分解しながらヘリウムガスのウェハへの強い流れに
乗ってウェハ表面に均一に到達する結果、ウェハ表面に
良質でかつ均一な厚さとなるポリシリコン（多結晶Ｓｉ
）の被膜が生成されることになる。
入管が設けられている。前記内側導入管はその内部に石
英ボードに収容されたウェハ群を収容するようになって
いるとともに、内側導入管の外壁および内壁にはそれぞ
れガス噴出孔が不規則に設けられている。また、外側導
入管の内壁にもガス噴出孔が設けられている。そして、
ウェハの表面にポリシリコン（多結晶Ｓｔ）を生成させ
る際には、キャリアガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）ガス
を内側導入管の内壁に設れられたガス噴出孔から勢い良
く噴出するとともに、反応ガスとしてのモノシラン（Ｓ
ｉＨ４）ガスを、外側導入管の内壁に設けられたガス噴
出孔から噴出させ、内側導入管の内・外壁に設れられた
ガス噴出孔を通過させてウェハ群に供給する。このガス
供給時、ヘリウムガスはモノシランガスに比較して分子
運動速度が大きく、ウェハへの入射頻度が増し、ウェハ
に対して強い流れが発生することから、最初にヘリウム
ガスを噴射させ、その後、モノシランガスを外側導入管
のガス噴出孔から反応管内に供給する。モノシランガス
は熱分解しながらヘリウムガスのウェハへの強い流れに
乗ってウェハ表面に均一に到達する結果、ウェハ表面に
良質でかつ均一な厚さとなるポリシリコン（多結晶Ｓｉ
）の被膜が生成されることになる。
第１図は本発明の一実施例による低圧ＣＶＤ装置の要部
を示す概略図、第２図に同じくガス供給系の一部を示す
断面図である。
を示す概略図、第２図に同じくガス供給系の一部を示す
断面図である。
この実施例の低圧ＣＶＤ装置は、第２図に示されるよう
に、横型炉であって、石英管からなる筒状の反応管１を
有している。この反応管ｌは水平方向に延在し、一端は
開口した石英ボード２の出入口となり、地端は細い尾管
３となっている。前記反応管ｌの出入口は着脱自在のキ
ャップ４を中心部分に取付けたドーナツ状の固定キャッ
プ５が取付られている。また、前記固定キャップ５には
矢印で示すモノシランガス（ＳｉＨ４）６を輸送する反
応ガス供給管６およびキャリアガス供給管７が貫通固定
さ九ている。
に、横型炉であって、石英管からなる筒状の反応管１を
有している。この反応管ｌは水平方向に延在し、一端は
開口した石英ボード２の出入口となり、地端は細い尾管
３となっている。前記反応管ｌの出入口は着脱自在のキ
ャップ４を中心部分に取付けたドーナツ状の固定キャッ
プ５が取付られている。また、前記固定キャップ５には
矢印で示すモノシランガス（ＳｉＨ４）６を輸送する反
応ガス供給管６およびキャリアガス供給管７が貫通固定
さ九ている。
一方、前記反応管１内には内側導入管８および外側導入
管９が反応管１内にそれぞれ反応管１に同心円的に配設
されている。内側導入管８および外側導入管９はそ九ぞ
れ反応管１に同心円的に配設されている。内側導入管８
および外側導入管９はそれぞれ反応管１に対して同心円
的になるように、外側導入管９は反応管１内に配設され
た支持体１０によって支持され、内側導入管８は外側導
入管９内に配設された支持体１１によって支持されてい
る。また、前記内側導入管８および外側導入管９は第２
図にも示されるように、いず九も内壁１２，１３および
外壁１４，１５を有する二重壁構造となっている。
管９が反応管１内にそれぞれ反応管１に同心円的に配設
されている。内側導入管８および外側導入管９はそ九ぞ
れ反応管１に同心円的に配設されている。内側導入管８
および外側導入管９はそれぞれ反応管１に対して同心円
的になるように、外側導入管９は反応管１内に配設され
た支持体１０によって支持され、内側導入管８は外側導
入管９内に配設された支持体１１によって支持されてい
る。また、前記内側導入管８および外側導入管９は第２
図にも示されるように、いず九も内壁１２，１３および
外壁１４，１５を有する二重壁構造となっている。
そして、内側導入管８の内壁１２および外壁１４にはぞ
れぞれガス噴出孔１６が不規則に複数設けられている。
れぞれガス噴出孔１６が不規則に複数設けられている。
また、外側導入管９の内壁１３にはガス噴出孔１７が複
数設けられている。
数設けられている。
これらのガス噴出孔１６．１７は噴射するガスが内側導
入管８の全域に亘って均一になるように設けられ、内側
導入管８内に挿入された石英ボート２上に林立状態に収
容された多数のウェハ１８の各ウェハ１８に均一に到達
するようになっている。また、前記外側導入管９は反応
管ｌに対して回転調整可能となっている。したがって、
外側導入管９を適当に回転調整することによって、内側
導入管８のガス噴出孔１６に対する外側導入管９のガス
噴出孔１７の位置を変化させることができ、ウェハ１８
に供給されるキャリアガス（ヘリウムガス）１９および
反応ガス（モノシランガス）２０からなる処理ガスの供
給状態を制御することができる。
入管８の全域に亘って均一になるように設けられ、内側
導入管８内に挿入された石英ボート２上に林立状態に収
容された多数のウェハ１８の各ウェハ１８に均一に到達
するようになっている。また、前記外側導入管９は反応
管ｌに対して回転調整可能となっている。したがって、
外側導入管９を適当に回転調整することによって、内側
導入管８のガス噴出孔１６に対する外側導入管９のガス
噴出孔１７の位置を変化させることができ、ウェハ１８
に供給されるキャリアガス（ヘリウムガス）１９および
反応ガス（モノシランガス）２０からなる処理ガスの供
給状態を制御することができる。
他方、反応管１の外周にはヒータ２１が配設され、反応
管１内を所定の温度に加熱するようになっている。また
、前記反応ガス供給管６の内端は外側導入管９に連通状
態に接続され、他端はバルブ２２を経てモノシランガス
２０を収容したボンベ２３に接続されている。また、前
記キャリアガス供給管７の内端は内側導入管８に連通状
態に接続され、他端はバルブ２４を経てヘリウムガス１
９を先客したボンベ２５に接続さ九ている。そして、こ
れらボンベ２３゜２５、バルブ２２，２４、反応ガス供
給管６、キャリアガス供給管７、内側導入管８、外側導
入管９からなるガス供給系によって処理ガスはウェハ１
８群に均一に供給される。さらに、前記尾管３には図示
しない真空排気系が接続さム、その真空排気系によって
、反応管−内は所望の真空度に調整される。
管１内を所定の温度に加熱するようになっている。また
、前記反応ガス供給管６の内端は外側導入管９に連通状
態に接続され、他端はバルブ２２を経てモノシランガス
２０を収容したボンベ２３に接続されている。また、前
記キャリアガス供給管７の内端は内側導入管８に連通状
態に接続され、他端はバルブ２４を経てヘリウムガス１
９を先客したボンベ２５に接続さ九ている。そして、こ
れらボンベ２３゜２５、バルブ２２，２４、反応ガス供
給管６、キャリアガス供給管７、内側導入管８、外側導
入管９からなるガス供給系によって処理ガスはウェハ１
８群に均一に供給される。さらに、前記尾管３には図示
しない真空排気系が接続さム、その真空排気系によって
、反応管−内は所望の真空度に調整される。
このような低圧ＣＶＤ装置は、反応管内にいずれも反応
管に対して同心円的に配設され、かついずれも二重壁構
造となる内側導入管および外側導入管が設けられている
。そして、ウェハの表面にポリシリコン（多結晶Ｓｉ）
を生成させる際には、キャリアガスとしてのヘリウム（
Ｈｅ）ガスを内側導入管の内壁に設けられたガス噴出孔
から勢い良く噴出するとともに９反応ガスとしてのモノ
シラン（ＳｉＨ４）ガスを、外側導入管の内壁に設けら
れたガス噴出孔から噴出させ、内側導入管の内・外壁に
設けられたガス噴出孔を通過させてウェハ群に供給する
ようになっている。
管に対して同心円的に配設され、かついずれも二重壁構
造となる内側導入管および外側導入管が設けられている
。そして、ウェハの表面にポリシリコン（多結晶Ｓｉ）
を生成させる際には、キャリアガスとしてのヘリウム（
Ｈｅ）ガスを内側導入管の内壁に設けられたガス噴出孔
から勢い良く噴出するとともに９反応ガスとしてのモノ
シラン（ＳｉＨ４）ガスを、外側導入管の内壁に設けら
れたガス噴出孔から噴出させ、内側導入管の内・外壁に
設けられたガス噴出孔を通過させてウェハ群に供給する
ようになっている。
ところで、ヘリウムガスはモノシランガスに比較して分
子運動速度が大きく、ウェハへの入射頻度が増し、ウェ
ハに対して強い流れが発生する。そこで、ウェハの表面
にポリシリコン（多結晶Ｓｉ）を生成させる際には、最
初にヘリウムガスを噴射させ、その後、モノシランガス
を外側導入管のガス噴出孔から反応管内に供給するよう
にする。すると、モノシランガスは熱分解しながらヘリ
ウムガスのウェハへの強い流れに乗ってウェハ表面に到
達する。この際、前述のように、二重壁構造となる内側
導入管８および外側導入管９にそれぞれ設けられたガス
噴出孔１６．ガス噴出孔１７の配置設定によって、内側
導入管８内の石英ボードに収容されたウェハ群には均一
にヘリウムガス１９およびモノシランガス２０からなる
処理ガスが供給される。また、ヘリウムガス１９は真空
下では平均自由工程が長いことから、反応管１内でのヘ
リウムガス１９のウェハ１８への流れは均一となり、ヘ
リウムガス１９に乗って運ばれるモノシランガス２０も
均一に各ウェハ１８に、また。
子運動速度が大きく、ウェハへの入射頻度が増し、ウェ
ハに対して強い流れが発生する。そこで、ウェハの表面
にポリシリコン（多結晶Ｓｉ）を生成させる際には、最
初にヘリウムガスを噴射させ、その後、モノシランガス
を外側導入管のガス噴出孔から反応管内に供給するよう
にする。すると、モノシランガスは熱分解しながらヘリ
ウムガスのウェハへの強い流れに乗ってウェハ表面に到
達する。この際、前述のように、二重壁構造となる内側
導入管８および外側導入管９にそれぞれ設けられたガス
噴出孔１６．ガス噴出孔１７の配置設定によって、内側
導入管８内の石英ボードに収容されたウェハ群には均一
にヘリウムガス１９およびモノシランガス２０からなる
処理ガスが供給される。また、ヘリウムガス１９は真空
下では平均自由工程が長いことから、反応管１内でのヘ
リウムガス１９のウェハ１８への流れは均一となり、ヘ
リウムガス１９に乗って運ばれるモノシランガス２０も
均一に各ウェハ１８に、また。
ウェハ１８全域に均一に供給されることになる。
これらのことから、この低圧ＣＶＤ装置によれば、ウェ
ハ表面に良質でかつ均一な厚さとなるポリシリコン（多
結晶Ｓｉ）の被膜、すなわち。
ハ表面に良質でかつ均一な厚さとなるポリシリコン（多
結晶Ｓｉ）の被膜、すなわち。
ステップカバレッジ性も優れた被膜が生成されることに
なる。
なる。
１、本発明のＣｖＤ装置によれば、反応管に対して同心
円的に配設された内側導入管のガス噴出孔の位置と外側
導入管ガスの噴出孔の位置に組み合わせによって、総て
のウェハに均一に処環ガスが供給されることから、ウェ
ハの表面には均一な厚さでかつ均質な質の良いポリシリ
コン（多結晶Ｓ＋）の被膜が生成されることになる。
円的に配設された内側導入管のガス噴出孔の位置と外側
導入管ガスの噴出孔の位置に組み合わせによって、総て
のウェハに均一に処環ガスが供給されることから、ウェ
ハの表面には均一な厚さでかつ均質な質の良いポリシリ
コン（多結晶Ｓ＋）の被膜が生成されることになる。
２、本実施例によれば、分子運動が大きくかつ平均自由
工程が長いヘリウムガスの使用によって、モノシランガ
スが総てのウェハに均一に運ばれるため、ウェハの表面
には均一な厚さでかつ均質な質の良いポリシリコン（多
結晶Ｓｉ）の被膜が生成されることになる。
工程が長いヘリウムガスの使用によって、モノシランガ
スが総てのウェハに均一に運ばれるため、ウェハの表面
には均一な厚さでかつ均質な質の良いポリシリコン（多
結晶Ｓｉ）の被膜が生成されることになる。
３、本発明は上記Ｉおよび２より、ウェハの表面には均
一な厚さでかつ均質な質の良いポリシリコン（多結晶Ｓ
ｉ）の被膜が生成されることから、被膜生成歩留りが高
くなり、被膜製造コストの低減が達成できるという相乗
効果が得られる。
一な厚さでかつ均質な質の良いポリシリコン（多結晶Ｓ
ｉ）の被膜が生成されることから、被膜生成歩留りが高
くなり、被膜製造コストの低減が達成できるという相乗
効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第３図に示さ
れるように、内側導入管８（外側導入管９）に設けるガ
ス噴出孔１６（１７）を螺旋状に配設したり、あるいは
第４図に示されるように、内側導入管８（外側導入管９
）に設けるガス噴出孔１６（１７）をその管の長手方向
に沿って徐々に大きくしたりして、ウェハ群に均一に処
理ガスが供給されるようにすれば、ウェハの表面に均一
な厚さでかつ均質な質の良いポリシリコン（多結晶Ｓｔ
）の被膜を生成することができる。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第３図に示さ
れるように、内側導入管８（外側導入管９）に設けるガ
ス噴出孔１６（１７）を螺旋状に配設したり、あるいは
第４図に示されるように、内側導入管８（外側導入管９
）に設けるガス噴出孔１６（１７）をその管の長手方向
に沿って徐々に大きくしたりして、ウェハ群に均一に処
理ガスが供給されるようにすれば、ウェハの表面に均一
な厚さでかつ均質な質の良いポリシリコン（多結晶Ｓｔ
）の被膜を生成することができる。
また、ガス噴出孔１６（１７）は、三角形。
四角形、長方形、楕円、多角形であってもよい。
また、上記形状の組み合せであってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である低圧ＣＶＤ技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、低圧エピタキシャル成長技術など
に適用できる。
をその背景となった利用分野である低圧ＣＶＤ技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、低圧エピタキシャル成長技術など
に適用できる。
本発明は少なくとも被処理物に被膜を形成する技術には
適用できる。
適用できる。
第１図は本発明の一実施例による低圧ＣＶＤ装置の要部
を示す概略図、 第２図は同じくガス供給系の一部を示す断面図、 第３図は本発明の他の実施例による内側導入管の概要を
示す斜視図、 第４図は本発明の他の実施例による内側導入管の概要を
示す斜視図である。 ■・・・反応管、２・・・石英ボート、３・・・尾管、
４・・・キャップ、５・・・同定キャップ、６・・・反
応ガス供給管、７・・・キャリアガス供給管、８・・−
内側導入管、９・・・外側導入管、１０・・・支持体、
１１・・・支持体、１２．１３・・・内壁、１４．１５
・・・外壁、１６．１７・・・ガス噴出孔、１８・・・
ウェハ、１９・・・キャリアガス（ヘリウムガス）２０
・・・反応ガス（モノシランガス）、２１・・・ヒータ
、２２・・・−Ｊ電１．−／ つり−１％ 、−リＪ−
＋４１＋＋イ リＣ１，。 ボンベ。 第 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
を示す概略図、 第２図は同じくガス供給系の一部を示す断面図、 第３図は本発明の他の実施例による内側導入管の概要を
示す斜視図、 第４図は本発明の他の実施例による内側導入管の概要を
示す斜視図である。 ■・・・反応管、２・・・石英ボート、３・・・尾管、
４・・・キャップ、５・・・同定キャップ、６・・・反
応ガス供給管、７・・・キャリアガス供給管、８・・−
内側導入管、９・・・外側導入管、１０・・・支持体、
１１・・・支持体、１２．１３・・・内壁、１４．１５
・・・外壁、１６．１７・・・ガス噴出孔、１８・・・
ウェハ、１９・・・キャリアガス（ヘリウムガス）２０
・・・反応ガス（モノシランガス）、２１・・・ヒータ
、２２・・・−Ｊ電１．−／ つり−１％ 、−リＪ−
＋４１＋＋イ リＣ１，。 ボンベ。 第 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- １、被処理物を収容する細長の反応管と、前記反応管内
の真空度を調節する真空排気系と、前記反応管内に処理
ガス供給するガス供給系と、を有する被膜形成装置であ
って、前記反応管内には反応管と同心円的に配設されか
つその内部に前記被処理物を収容する二重壁構造の内側
導入管と、前記内外導入管の外側に反応管と同心円的に
配設された二重壁構造の外側導入管と、前記外側導入管
の内壁に設れらけたガス噴出孔と、前記内側導入管の内
壁および外壁に設けられたガス噴出孔と、を有し、処理
ガスは前記内側導入管および外側導入管から反応管内に
供給されることを特徴とする被膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056113A JPS60200522A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 被膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056113A JPS60200522A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 被膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200522A true JPS60200522A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13018024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056113A Pending JPS60200522A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 被膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442419B1 (ko) * | 2001-07-24 | 2004-07-30 | 주식회사 크레젠 | 반도체 제조장치 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59056113A patent/JPS60200522A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442419B1 (ko) * | 2001-07-24 | 2004-07-30 | 주식회사 크레젠 | 반도체 제조장치 |
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