JPS60201319A - 画像形成装置 - Google Patents
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- JPS60201319A JPS60201319A JP5617184A JP5617184A JPS60201319A JP S60201319 A JPS60201319 A JP S60201319A JP 5617184 A JP5617184 A JP 5617184A JP 5617184 A JP5617184 A JP 5617184A JP S60201319 A JPS60201319 A JP S60201319A
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- photoconductor
- scanner
- rade
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はたとえば電子写真方式のカラーレーデビームプ
リンタに備えられる光学装置に関する。
リンタに備えられる光学装置に関する。
この種の光学装置に社複数個のレーデ光源を備え、これ
らレーデ光源からそれぞれレーデビームを発振させ、こ
れを−個の走査器で偏向走査して感光体に照射し多色印
字させるものが知られている。
らレーデ光源からそれぞれレーデビームを発振させ、こ
れを−個の走査器で偏向走査して感光体に照射し多色印
字させるものが知られている。
前記複数のレーザビームを一個の走査器で偏向走査する
方法としてはたとえば第1図に示すようにfθレンズ1
の光軸に対し成る角度で入射させるか、また、第2図に
示すようにfθレンズ1の光軸に平行ではあるが、光軸
から成る距離を持たせて入射させる方法がとられていた
。
方法としてはたとえば第1図に示すようにfθレンズ1
の光軸に対し成る角度で入射させるか、また、第2図に
示すようにfθレンズ1の光軸に平行ではあるが、光軸
から成る距離を持たせて入射させる方法がとられていた
。
しかしながら、第1図に示した方法では走査器2への入
射が走査器20回回転面(レンズの光軸を含む面X−X
面)と成る角度をもつため、走査器2が回転するにつれ
てその反射面での反射位置がY−Y方向に移動すること
になシ、感光体3上での走査直線性が悪化するといりた
問題がありた。
射が走査器20回回転面(レンズの光軸を含む面X−X
面)と成る角度をもつため、走査器2が回転するにつれ
てその反射面での反射位置がY−Y方向に移動すること
になシ、感光体3上での走査直線性が悪化するといりた
問題がありた。
また、第2図に示す方法は2本ビームまでは実用化可能
であるが3本ビーム以上では各々のビーム間隔を少くと
もビーム径以上に保つため、走査器2の厚さが厚くなる
だけでなく、fθレンズ1の口径が大きくなシ実用的で
ないといった問題がある。
であるが3本ビーム以上では各々のビーム間隔を少くと
もビーム径以上に保つため、走査器2の厚さが厚くなる
だけでなく、fθレンズ1の口径が大きくなシ実用的で
ないといった問題がある。
また、上述した問題を解決するために走査器を2個以上
用いる方法が考えられるが、この場合には装置全体が大
型、高価になってしまう不都合があった。
用いる方法が考えられるが、この場合には装置全体が大
型、高価になってしまう不都合があった。
なお、第1図および第2図中4 、 s 、 ehそれ
ぞれ異なる色の現偉剤を供給する現像器で、上記レーデ
ビームの照射によシ形成され喪感光体3上の静電潜像を
現像するようになっている。
ぞれ異なる色の現偉剤を供給する現像器で、上記レーデ
ビームの照射によシ形成され喪感光体3上の静電潜像を
現像するようになっている。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的
とすると仁ろ拡、走査器を大形化することなく一個の走
査器で複数のレーザビームを良好に走査できるようにし
た光学装置を提供しようとするものである。
とすると仁ろ拡、走査器を大形化することなく一個の走
査器で複数のレーザビームを良好に走査できるようにし
た光学装置を提供しようとするものである。
本発明紘上記目的を達成するため、複数個のレーザ光源
の少なくとも一個は他のレーデ光源と異なる波長のレー
ザビームを発振させるようにしたものである。
の少なくとも一個は他のレーデ光源と異なる波長のレー
ザビームを発振させるようにしたものである。
以下、本発明を第3図〜第7図に示す一実施例を参照し
て説明する。図中11はグリンタの本体で、この本体1
1内中央部には表面が非晶質セレンなどからなるドラム
状の光導電体12が回転自在に設けられている。この光
導電体12の周囲部にはその回転方向に沿って順次、第
1のコロナ帯電器13、第1の現像器14、第2のコロ
ナ帯電器15、第2の現像器16、第3のコロナ帯電器
17、第3の現像器18、:Faす除電器18a1転写
器19、コロナ除電器20およびクリーニング装置21
が配設されている。
て説明する。図中11はグリンタの本体で、この本体1
1内中央部には表面が非晶質セレンなどからなるドラム
状の光導電体12が回転自在に設けられている。この光
導電体12の周囲部にはその回転方向に沿って順次、第
1のコロナ帯電器13、第1の現像器14、第2のコロ
ナ帯電器15、第2の現像器16、第3のコロナ帯電器
17、第3の現像器18、:Faす除電器18a1転写
器19、コロナ除電器20およびクリーニング装置21
が配設されている。
また、上記本体11の一側部には給紙カセット22が設
けられ、仁の給紙カセット22内の用紙Pは給紙ロー2
23の回転によシ一枚ずつ供給されるようになっている
。この用紙Pはアライニングq−ラ24を介して上記光
導電体12と転写器19との間に送られるようになって
いる。また、26は搬送手段で、この搬送手段25は画
像転写済みの用紙Pを搬送し定着器26へと送るように
なっている。用紙Pは前記定着器26を通過したのち排
紙ローラ27を介して排紙トレイ28に排出される。
けられ、仁の給紙カセット22内の用紙Pは給紙ロー2
23の回転によシ一枚ずつ供給されるようになっている
。この用紙Pはアライニングq−ラ24を介して上記光
導電体12と転写器19との間に送られるようになって
いる。また、26は搬送手段で、この搬送手段25は画
像転写済みの用紙Pを搬送し定着器26へと送るように
なっている。用紙Pは前記定着器26を通過したのち排
紙ローラ27を介して排紙トレイ28に排出される。
一方、上記プリンタ本体1ノの他側部側には光学装置2
9が設けられている。この光学装置29は第4図にも示
すように、レーデ光源部30を備えている。このレーデ
光源部30は第1〜第3の半導体レーデ31,32.3
3を有してなシ、これら第1〜第3の半導体レーデ31
゜sat、ssは#I3図に示すドライバー34によシ
印字情報に従って変調されるようになっている。上記第
1および第3の半導体レーデ31゜33の発光波長は7
90 nmで、第2の半導体レーデ32の発光波長は8
20 nmとなっている。
9が設けられている。この光学装置29は第4図にも示
すように、レーデ光源部30を備えている。このレーデ
光源部30は第1〜第3の半導体レーデ31,32.3
3を有してなシ、これら第1〜第3の半導体レーデ31
゜sat、ssは#I3図に示すドライバー34によシ
印字情報に従って変調されるようになっている。上記第
1および第3の半導体レーデ31゜33の発光波長は7
90 nmで、第2の半導体レーデ32の発光波長は8
20 nmとなっている。
また、上記第1および第2の半導体レーデ31゜32は
Y−Y方向同一平面内に互いに直角に設置されている。
Y−Y方向同一平面内に互いに直角に設置されている。
また、第3の半導体レーザ′41からのビームはコリメ
ートレンズ35eにより所定の径の平行ビームにコリメ
ートされビームCとして走査器としてのIリプンミラ−
36に達する。また、第2の半導体レーザ32からのビ
ームはコリメートレンズ35bによシコリメートされ、
プリズム38bで直角に曲げられてビームbとしてポリ
ゴンミラ−36に達する。
ートレンズ35eにより所定の径の平行ビームにコリメ
ートされビームCとして走査器としてのIリプンミラ−
36に達する。また、第2の半導体レーザ32からのビ
ームはコリメートレンズ35bによシコリメートされ、
プリズム38bで直角に曲げられてビームbとしてポリ
ゴンミラ−36に達する。
また、第1の半導体レーザ31からのビームは下方へ向
かって発光され、コリメートレンズ35aおよびプリズ
ム38mによυfθレンズ39の光軸X−Xと距離d2
離れてビーム藤としてポリゴンミラー36に達する。上
記ビームa。
かって発光され、コリメートレンズ35aおよびプリズ
ム38mによυfθレンズ39の光軸X−Xと距離d2
離れてビーム藤としてポリゴンミラー36に達する。上
記ビームa。
b、cは第4図に示すA−A方向から見ると、第6図に
示す如くなシ、ビームaとビームCは重なった状態で走
査される。また、上記ビームa、b、cはfθVンズ3
9の光軸と距離d1をおいて走査されるため、fθレン
ズ39の特性による差は無視することができる。ビーム
bとビームtr、c間の距離d、はその距離に和尚する
時間差がでるだけで、走査歪の差を発生する要因とはな
らない。また、ポリゴンミラー36、fθレンズ39で
偏向されたレーf k!” −A @ 、 b。
示す如くなシ、ビームaとビームCは重なった状態で走
査される。また、上記ビームa、b、cはfθVンズ3
9の光軸と距離d1をおいて走査されるため、fθレン
ズ39の特性による差は無視することができる。ビーム
bとビームtr、c間の距離d、はその距離に和尚する
時間差がでるだけで、走査歪の差を発生する要因とはな
らない。また、ポリゴンミラー36、fθレンズ39で
偏向されたレーf k!” −A @ 、 b。
Cのうちレーザビームall直角プリズム40および平
面ミラー41で偏向されて光導電体12上を走査露光す
る。
面ミラー41で偏向されて光導電体12上を走査露光す
る。
また、レーザビームb、cは直角プリズム40で下方に
偏向されたのちダイクロイックミラー4−2に達する。
偏向されたのちダイクロイックミラー4−2に達する。
このダイクロイックミラー42は第7図に示す特性を有
し、第3のレーザ半導体33から発振される波長790
nmのレーザビームCは反射されて平面鏡43に達し
、第2の半導体レーザ32から発振される波長820
nmのビームbは透過して平面鏡44に達するようにな
っている。
し、第3のレーザ半導体33から発振される波長790
nmのレーザビームCは反射されて平面鏡43に達し
、第2の半導体レーザ32から発振される波長820
nmのビームbは透過して平面鏡44に達するようにな
っている。
しかして、プリントする場合には光学装置29の第1〜
第3の半導体レーデ31.32.33からそれぞれ印字
情報に応じて変調された第1〜第3のレーデビームa、
b、eが発振され、これら第1〜第3のレーザビームa
、b、eはコリメータレンズ35h、35b、35cお
よびプリズム38m、38bを介してそれぞれポリゴン
ミラ−36に送られ、このポリゴンミラ−36の回転に
よシ走査される。そして、これら走査される第1〜第3
のレーデビームa 、 b。
第3の半導体レーデ31.32.33からそれぞれ印字
情報に応じて変調された第1〜第3のレーデビームa、
b、eが発振され、これら第1〜第3のレーザビームa
、b、eはコリメータレンズ35h、35b、35cお
よびプリズム38m、38bを介してそれぞれポリゴン
ミラ−36に送られ、このポリゴンミラ−36の回転に
よシ走査される。そして、これら走査される第1〜第3
のレーデビームa 、 b。
Cはfθレンズ39を介して直角プリズム4oK送られ
、第1のレーデビームaは上方の平面ミ2−41に送ら
れ、第2および第3のレーデビームb、cは下方のダイ
クロイ、クミ2−42へ送られる。そして、第2のレー
デビームbはダイクロイ、クミラー42を通過して平面
ミラー44に送られ、第3のレーザビームCはダイクロ
イックミラー42で直角方向へ偏向され平面ミ2−43
に送られる。
、第1のレーデビームaは上方の平面ミ2−41に送ら
れ、第2および第3のレーデビームb、cは下方のダイ
クロイ、クミ2−42へ送られる。そして、第2のレー
デビームbはダイクロイ、クミラー42を通過して平面
ミラー44に送られ、第3のレーザビームCはダイクロ
イックミラー42で直角方向へ偏向され平面ミ2−43
に送られる。
上述した第1のレーザビームaは平面ミラー41で反射
されて光導電体12の第1照射部に照射され第2のレー
デビームbは平面ミラー44で反射されて光導電体12
の第2の照射部に照射され、第3のレーデビームCは平
面ミ2−43で反射されて光導電体12の第3の照射部
に照射される。
されて光導電体12の第1照射部に照射され第2のレー
デビームbは平面ミラー44で反射されて光導電体12
の第2の照射部に照射され、第3のレーデビームCは平
面ミ2−43で反射されて光導電体12の第3の照射部
に照射される。
一方、光導電体12は回転駆動されるとともにその表面
が第1のコロナ帯電器13により 一様に帯電され、こ
の帯電された表面に上述した第1のレーデビームaが照
射されることによシ、静電潜像が形成される。この静電
潜像には第1の現像器14から第1色目のトナーが供給
されて現像される。つぎに、光導電体12は第2のコロ
ナ帯電器16により帯電され、電位が暗減衰した部分と
第1のレーザビームaの露光により減衰した部分が最初
の電位に復帰される。この光導電体12の表面には第3
のレーデビームCが走査され静電潜像が形成される。こ
の静電潜像は第2の現像器16から第2色目のトナーが
供給されて現像される。つぎに、光導電体12は第3の
コロナ帯電器17により上述した第2のコロナ帯電器1
5と同様に帯電され、第2のレーデビームbが照射され
ることにより静電潜像が形成される。この静電潜像は第
3の現像器18から第3色目のトナーが供給されること
によシ現像される。しかるのち、光導電体12はコ四す
除電器1athで表面上の残留電位および現像された3
色トナーの電位がコン)o−ルされて転写器19へと回
転される。
が第1のコロナ帯電器13により 一様に帯電され、こ
の帯電された表面に上述した第1のレーデビームaが照
射されることによシ、静電潜像が形成される。この静電
潜像には第1の現像器14から第1色目のトナーが供給
されて現像される。つぎに、光導電体12は第2のコロ
ナ帯電器16により帯電され、電位が暗減衰した部分と
第1のレーザビームaの露光により減衰した部分が最初
の電位に復帰される。この光導電体12の表面には第3
のレーデビームCが走査され静電潜像が形成される。こ
の静電潜像は第2の現像器16から第2色目のトナーが
供給されて現像される。つぎに、光導電体12は第3の
コロナ帯電器17により上述した第2のコロナ帯電器1
5と同様に帯電され、第2のレーデビームbが照射され
ることにより静電潜像が形成される。この静電潜像は第
3の現像器18から第3色目のトナーが供給されること
によシ現像される。しかるのち、光導電体12はコ四す
除電器1athで表面上の残留電位および現像された3
色トナーの電位がコン)o−ルされて転写器19へと回
転される。
一方、このときには給紙カセット22から記録紙Pが送
シローラ23によシ一枚ずつ送シ出され、しかるのちア
ライニングローラ34でタイミングをとって転写器19
へと送られ、ここで転写器19のコロナ放電によシ光導
電体12上の3色トナー像が記録紙Pに転写される。こ
の3色トナー像が転写された記録紙Pは光導電体12か
ら剥離され定着器26でトナー像が定着される。転写後
の光導電体12唸コロナ除電器20で残留表面電位が除
電されたのち、クリーニング装置21でクリーニングさ
れて次の印字プロセスに備える。
シローラ23によシ一枚ずつ送シ出され、しかるのちア
ライニングローラ34でタイミングをとって転写器19
へと送られ、ここで転写器19のコロナ放電によシ光導
電体12上の3色トナー像が記録紙Pに転写される。こ
の3色トナー像が転写された記録紙Pは光導電体12か
ら剥離され定着器26でトナー像が定着される。転写後
の光導電体12唸コロナ除電器20で残留表面電位が除
電されたのち、クリーニング装置21でクリーニングさ
れて次の印字プロセスに備える。
々お、上記一実施例においては3本のレーザビームを用
いたが、これに限られることなくレーザビームは4本以
上用いるようにしてもよい。
いたが、これに限られることなくレーザビームは4本以
上用いるようにしてもよい。
また、レーデ光源部30については3個の別個の半導体
レーデ:il、32.33を用いたが、これに限られる
ことなく、アレー化した一体構成のもの特に同一発光波
長のもの同志をアレー化したものを用いてもよく、他の
固体、ガス、などのレーデの組合せでもよいことは勿論
で、発光波長も光導電体ドラムの特性とダイクロイ、ク
ミラー特性により色々と選定できる。
レーデ:il、32.33を用いたが、これに限られる
ことなく、アレー化した一体構成のもの特に同一発光波
長のもの同志をアレー化したものを用いてもよく、他の
固体、ガス、などのレーデの組合せでもよいことは勿論
で、発光波長も光導電体ドラムの特性とダイクロイ、ク
ミラー特性により色々と選定できる。
また、第9図および第10図に示すように第1〜第3の
半導体レーデ51,52.53を配設し、これら第1〜
第3の半導体レーザ61゜52.53の光路に第1およ
び第2のダイクロイ、クミラー54.55を配設し、第
1〜第3の半導体レーデ61,52.63から発振され
るレーザビームasbset一本のビーム束としてポリ
ゴンミラー36に入射させて走査してもよい。
半導体レーデ51,52.53を配設し、これら第1〜
第3の半導体レーザ61゜52.53の光路に第1およ
び第2のダイクロイ、クミラー54.55を配設し、第
1〜第3の半導体レーデ61,52.63から発振され
るレーザビームasbset一本のビーム束としてポリ
ゴンミラー36に入射させて走査してもよい。
上記第1〜第3の半導体レーデ51,52.53はfθ
レンズ39の光軸X−Xを含む同一平面上に互いに直角
に配設され、上記第1の半導体レーデ51は820nm
、第2の半導体レーデ62は790nm、第3の半導体
レーデ53は770nmの波長のレーデビームを発振す
るようになりている。
レンズ39の光軸X−Xを含む同一平面上に互いに直角
に配設され、上記第1の半導体レーデ51は820nm
、第2の半導体レーデ62は790nm、第3の半導体
レーデ53は770nmの波長のレーデビームを発振す
るようになりている。
また、上記第1および第2のダイクロイックミラー54
.55は第11図に示すような特性を有し、第1のダイ
クロイ、クミフー54祉820 nm以上の波長のビー
ムは透過するが、790 nm以下の波長のビームは反
射し、第2のダイクロイ、クミラー55は790 nm
以上の波長のビームは透過するが、770nm以下の波
長のビームは反射させる特性を有している。
.55は第11図に示すような特性を有し、第1のダイ
クロイ、クミフー54祉820 nm以上の波長のビー
ムは透過するが、790 nm以下の波長のビームは反
射し、第2のダイクロイ、クミラー55は790 nm
以上の波長のビームは透過するが、770nm以下の波
長のビームは反射させる特性を有している。
また、図中515.57.58はコリメートレンズで、
これらは第1〜第3の半導体レーデ51.52.53か
ら発光されるレーデビームa、b、cを所定の径の平行
光源にコリメートするものである。
これらは第1〜第3の半導体レーデ51.52.53か
ら発光されるレーデビームa、b、cを所定の径の平行
光源にコリメートするものである。
しかして、第1の半導体レーザ51から発光される8
20 nmのレーザビームaidコリメータレンズ66
により平行光にされてビームa′としてダイクロイ、ク
ミラー42に達するが、波長が820 nmであるため
、第1および第2のダイクロイ、クミラー54.55を
透過しポリゴンミラー36に入射される。また、第2の
半導体レーザ52から発光される7 90 nmの光は
コリメータレンズ57で平行光にされてビームb′とし
て第1のダイクロイックミラー54で反射されて第1の
半導体レーザ51からのビーiとほぼ光軸を一致して第
2のダイクロイックミラー55を透過してぼりがンミラ
−36に入射される。また、第3の半導体レーザ53か
も発光される7 70 nmの光はコリメータレンズ6
8により平行光になりビームC′として第2のダイクロ
イックミラー55で反射され、レーデビームa、bの光
軸と#1は一致して?リボンミラー36に入射する。こ
れにより、3本のレーデビーム、1. b#、 CFは
光軸をほぼ一致させて?リボンミラー36に入射され、
このポリゴンミラー36の回転により偏向され、ついで
fθレンズ39で直線よく光導電体12上を走査するよ
うに焦光される。そして、fθレンズ39で補正、焦光
された3本のレーデビームa’、b’、e’は第8図に
示すように第2のダイクロイックミラー55と同じ特性
を有する第3のダイクロイックミラー59に達する。こ
の第3のダイクロイックミ259は770 nm以下の
波長は反射するので第3のレーザビームC′は上方へ反
射され、しかるのち、ミラー60によシ再度反射されて
光導電体12上に走査露光する。
20 nmのレーザビームaidコリメータレンズ66
により平行光にされてビームa′としてダイクロイ、ク
ミラー42に達するが、波長が820 nmであるため
、第1および第2のダイクロイ、クミラー54.55を
透過しポリゴンミラー36に入射される。また、第2の
半導体レーザ52から発光される7 90 nmの光は
コリメータレンズ57で平行光にされてビームb′とし
て第1のダイクロイックミラー54で反射されて第1の
半導体レーザ51からのビーiとほぼ光軸を一致して第
2のダイクロイックミラー55を透過してぼりがンミラ
−36に入射される。また、第3の半導体レーザ53か
も発光される7 70 nmの光はコリメータレンズ6
8により平行光になりビームC′として第2のダイクロ
イックミラー55で反射され、レーデビームa、bの光
軸と#1は一致して?リボンミラー36に入射する。こ
れにより、3本のレーデビーム、1. b#、 CFは
光軸をほぼ一致させて?リボンミラー36に入射され、
このポリゴンミラー36の回転により偏向され、ついで
fθレンズ39で直線よく光導電体12上を走査するよ
うに焦光される。そして、fθレンズ39で補正、焦光
された3本のレーデビームa’、b’、e’は第8図に
示すように第2のダイクロイックミラー55と同じ特性
を有する第3のダイクロイックミラー59に達する。こ
の第3のダイクロイックミ259は770 nm以下の
波長は反射するので第3のレーザビームC′は上方へ反
射され、しかるのち、ミラー60によシ再度反射されて
光導電体12上に走査露光する。
また、第3のダイクロイ、クミラー59を透過したレー
デビーム、l 、 blはミラー61によって下方へ反
射され、第1のダイクロイ、クミラー54と同じ特性を
有する第4のダイクロイ。
デビーム、l 、 blはミラー61によって下方へ反
射され、第1のダイクロイ、クミラー54と同じ特性を
有する第4のダイクロイ。
クミラー62に達する。この第4のダイクロイックミラ
ー62は820 nm以上の光を透過するのでレーデビ
ームa′は透過し、ミラー63で反射されて光導電体1
2上を走査露光する。また、第4のダイクロイ、クミラ
ー62で反射されるレーザビームb′はミラー64で反
射されて光導電体12上を走査露光する。
ー62は820 nm以上の光を透過するのでレーデビ
ームa′は透過し、ミラー63で反射されて光導電体1
2上を走査露光する。また、第4のダイクロイ、クミラ
ー62で反射されるレーザビームb′はミラー64で反
射されて光導電体12上を走査露光する。
この実施例によれば3本のレーデビームa。
b、cを一本のビーム束にしてポリゴンミラー36に入
射できるため、ポリゴンミラー36の厚さ寸法をよシ一
層薄形化できる利点がある。
射できるため、ポリゴンミラー36の厚さ寸法をよシ一
層薄形化できる利点がある。
本発明は以上説明したように、複数個のレーザ光源のう
ち少なくとも一個は他のレーデ光源とは異なる波長のレ
ーデビームを発振させるようにしたから、従来のように
、複数本のレーデビームの間隔を広くすることなく優れ
た直線性を有して走査できる。したがって、走査器の厚
さ寸法を大きくする必要がなく、コンパクト化が可能に
なるという効果を奏する。
ち少なくとも一個は他のレーデ光源とは異なる波長のレ
ーデビームを発振させるようにしたから、従来のように
、複数本のレーデビームの間隔を広くすることなく優れ
た直線性を有して走査できる。したがって、走査器の厚
さ寸法を大きくする必要がなく、コンパクト化が可能に
なるという効果を奏する。
第1図は第1の従来例を示す概略的構成図、第2図は第
2の従来例を示す概略的構成図、第3図〜第7図は本発
明の一実施例を示すもので第3図はレーデプリンタ装置
を示す概略的構成図、第4図は光学系を示す平面図、第
5図紘その側面図、第6図は複数本のレーデビームの配
列図、第7図はダイクロイ、クミラーの特性を示すグラ
フ図、第8図〜第11図は本発明の他の実施例を示すも
ので、第8図はレーデプリンタ装置を示す概略的構成図
、第9図は光学装置を示す平面図、第10図はその側面
図、第11図はそのダイクロイックミラーの特性を示す
グラフ図である。 31.32.3B、61,52.53・・・レーデ光源
、a、b、c、a’、b’、c’ ・・−レーザビーム
、36・・・走査器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第5− 第6図 ^ 第7図 涙長 第9図 第10図 第11図 91灸Elヒ、
2の従来例を示す概略的構成図、第3図〜第7図は本発
明の一実施例を示すもので第3図はレーデプリンタ装置
を示す概略的構成図、第4図は光学系を示す平面図、第
5図紘その側面図、第6図は複数本のレーデビームの配
列図、第7図はダイクロイ、クミラーの特性を示すグラ
フ図、第8図〜第11図は本発明の他の実施例を示すも
ので、第8図はレーデプリンタ装置を示す概略的構成図
、第9図は光学装置を示す平面図、第10図はその側面
図、第11図はそのダイクロイックミラーの特性を示す
グラフ図である。 31.32.3B、61,52.53・・・レーデ光源
、a、b、c、a’、b’、c’ ・・−レーザビーム
、36・・・走査器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第5− 第6図 ^ 第7図 涙長 第9図 第10図 第11図 91灸Elヒ、
Claims (6)
- (1)複数個のレーザ光源からそれぞれレーデビームを
発振させ、これらを−個の走査器で走査して被照射体の
複数箇所にそれぞれ照射するものにおいて、前記複数個
のレーデ光源の少なくとも一個は他のレーデ光源と異な
る波長のレーザビームを発振することを特徴とする光学
装置。 - (2)少なくとも波長の異なる2本のレーデビームを同
一平面内で走査することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の光学装置。 - (3) 少なくとも波長の異なる2本のレーデビームの
走査光路に一方のレーデビームを反射させ、他方のレー
ザビームを透過させる媒体を設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項または第2項記載の光学装置。 - (4)走査器に対し複数のレーザビームをその半径以上
離間させて入射させることを特徴とする特許請求の範囲
第1項、第2項″または第3項記載の光学装置。 - (5)複数本のレーデビームをダイクロイ、クミラーで
重ね合せて一本のビーム束として走査器に入射させてこ
れを走査させることを特徴とする特許請求の範囲第1項
〜第4項いずれか記載の光学装置。 - (6)走査器で走査した複数本のレーデビームをダイク
ロイ、クミラーで分離したことを特徴とする特許請求の
範囲第5項記載の光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5617184A JPS60201319A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5617184A JPS60201319A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201319A true JPS60201319A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13019650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5617184A Pending JPS60201319A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201319A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3723985A1 (de) * | 1986-08-08 | 1988-02-11 | G C Dental Ind Corp | Kapseln fuer materialien zur zahnwiederherstellung |
| JPH0283516A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Minolta Camera Co Ltd | レーザビーム走査装置 |
| JPH0283515A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Minolta Camera Co Ltd | レーザビーム走査装置 |
| US4911532A (en) * | 1987-06-04 | 1990-03-27 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser optical system with a single collimating lens and combining means |
| US4949100A (en) * | 1988-01-28 | 1990-08-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming composite laser beam |
| US4962312A (en) * | 1988-09-20 | 1990-10-09 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser beam scanning device with plural sources and source-sensitive synchronization |
| US5007692A (en) * | 1988-12-29 | 1991-04-16 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser beam scanning system |
| US5068677A (en) * | 1988-09-20 | 1991-11-26 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser scanner with selected plural beam sources |
| US5113279A (en) * | 1990-03-19 | 1992-05-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser beam scanning apparatus |
| US5157533A (en) * | 1990-02-26 | 1992-10-20 | Minolta Camera Co., Ltd. | Multi-beam optical system |
| US5179462A (en) * | 1991-06-14 | 1993-01-12 | Minolta Camera Co., Ltd. | Laser beam composite apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5628868A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Form slide displacement accomodation device in light beam recording device |
| JPS58160918A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Fujitsu Ltd | 光学記録装置 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5617184A patent/JPS60201319A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| US5179462A (en) * | 1991-06-14 | 1993-01-12 | Minolta Camera Co., Ltd. | Laser beam composite apparatus |
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